專利名稱：復合型電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種復合型電容(hybrid capacitor),且特別涉及一種可穩(wěn)壓 并在高頻下降低噪聲的復合型電容及其制造方法。
背景技術(shù)：
為因應電子產(chǎn)品的多功能需求，將不同功能的IC以三維堆疊型態(tài)封裝 成一多功能IC模塊，是系統(tǒng)級封裝(System in Package, SiP)的技術(shù)趨勢。當 不同IC做三維堆疊整合時，為解決上、下層IC接腳不配合的問題，會加一 層中介層來作為上、下芯片信號的再布局，使上、下層IC相配合。隨著堆 疊層數(shù)的提高，以表面組裝器件(surface mounted device, SMD)電容布局于 電路板上并不足以達到穩(wěn)定多層芯片堆疊下的穩(wěn)壓需求。
另外，隨著IC工作頻率的加快，高頻下的去噪聲若僅靠電路板上的去 耦合電容，則因傳輸路徑在IC多層堆疊下會路徑過長，導致等校串聯(lián)電感 增加，高頻噪聲不易去除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種復合型電容，可提供大電容，以提供芯片間的穩(wěn)壓。
本發(fā)明另提供一種復合型電容，可去除高頻干擾。
本發(fā)明提出一種復合型電容，包括一個基板、至少一平行板電容與至少 一貫通孔電容，其中基板具有數(shù)個貫通孔，而平行板電容則位于基板上。至 于貫通孔電容位于至少一貫通孔中并與平行板電容并聯(lián)。貫通孔電容本身也 可全部或部分并聯(lián)。這種貫通孔電容至少包括一層正極層、 一層第一介電層、 一層第 一 負極層及一層第二負極層。上述正極層至少位于上述貫通孔的內(nèi)表 面，且正極層至少于貫通孔之內(nèi)的表面為一多孔結(jié)構(gòu)。第一介電層則至少位 于正極層的多孔結(jié)構(gòu)上。至于第一負極層是覆蓋于第一介電層的表面，第二 負極層是覆蓋于第一負極層的表面，其中第二負極層的電導率大于第一負極 層的電導率。本發(fā)明另提出一種復合型電容，包括一個基板、至少一平行板電容與至 少一貫通孔電容，其中基板具有數(shù)個貫通孔，而貫通孔電容位于至少一貫通 孔中。上述貫通孔電容至少包括一層正極層、 一層第一介電層、 一層第一負 極層及一層第二負極層。上述正極層至少位于上述貫通孔的內(nèi)表面，且正極 層至少于貫通孔的內(nèi)表面為一多孔結(jié)構(gòu)。第一介電層則位于正極層的多孔結(jié) 構(gòu)上。至于第一負極層是覆蓋于第一介電層的表面，第二負極層是覆蓋于第 一負極層的表面，其中第二負極層的電導率大于第一負極層的電導率。至于 平行板電容則位于基板上圍繞上述貫通孔電容，并與貫通孔電容并聯(lián)。貫通 孔電容本身也可全部或部分并聯(lián)。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的正極層的材料包括鋁(A1)、鉭
(Ta)、鈮(Nb)或一氧化鈮(NbO)。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第一介電層包括延伸至貫通孔 以外的基板表面。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第一負極層的材料包括有機半 導體、無機半導體或有機-無機混合(organic-inorganichybrid)導電材料。其中， 無機半導體包括二氧化錳(Mn02)、有機半導體則包括電荷轉(zhuǎn)移錯鹽或?qū)щ姼?分子。前述導電高分子包括聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)或聚 苯胺(polyaniline)。而當?shù)谝回摌O層的材料是導電高分子時，可為單一導電高 分子材料或混合的兩種導電高分子材料。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第一負極層包括多層結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第二負^L層包括含碳與金屬的 復合層，其中的金屬包括銀、銅、金或鎳。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第二負極層包括純金屬層。 在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的第二負極層包括填滿貫通孔。 在本發(fā)明的實施例中，上述基板包括硅基板、有機基板、金屬基板或絕 緣基板。
在本發(fā)明的實施例中，上述基板中的貫通孔呈陣列排列。 在本發(fā)明的實施例中，上述平行板電容至少包括一層第一導體層、位于 第一導體層上的一層第二介電層以及一層第二導體層，第二介電層位于第一 導體層與第二導體層之間。其中，平行板電容的第二介電層的介電系數(shù)約為
1 2000、厚度約為0.1nm 10pm。在本發(fā)明的實施例中，上述平行板電容的第二介電層的材料則是鋯鈦酸
4貝(barium zirconate titanate, BZT)、 4太酸名愁4貝(barium strontium titanate, BST)、 鈦酸鋇(barium titanate)、含有鉛(Pb)、鈮(Nb)、鎢(W)、鈣(Ca)、鎂(Mg)和鋅 (Zn)其中至少 一種元素的鈥酸鋇(barium titanate)、鈥酸鉛(lead titanate)、鋯鈥 酸鉛(lead zirconate titanate, PZT)、多晶鑭改性4告鈥酸鉛(polycrystalline lanthanum-modified lead zirconate titanate, PLZT)、 銀酸鉛(lead niobate)及其 衍生物、以及鴒酸鉛(lead tungstate)及其衍生物所組成的族群中選擇的 一種材 料。
在本發(fā)明的實施例中，上述第 一導體層或第二導體層和正極層可為相同 的導電材料。
在本發(fā)明的實施例中，上述第 一導體層或第二導體層和第二負極層可為 相同的導電材料。
在本發(fā)明的實施例中，上述基板包括金屬基板。而上述金屬基板的一部
分可作為平行板電容的第一導體層；或者，上述金屬基板的一部分可作為貫 通孔電容的正極層。
在本發(fā)明的實施例中，上述平行板電容的形狀包括六角形、圓形、方形 或環(huán)形。
在本發(fā)明的實施例中，上述貫通孔電容的形狀包括六角形、圓形、方形 或環(huán)形。
可得到一個大電容的復合型電容。另外，通過具多孔結(jié)構(gòu)的正極層的貫通孔 電容與平行板電容的配合，能設(shè)計出符合需求的本發(fā)明的復合型電容。因此，
本發(fā)明的復合型電容能在一個芯片大小里提供大于O.lpF的電容量，以提供 芯片間的穩(wěn)壓，同時去除l~4GHz的高頻干擾。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并 配合附圖，作詳細說明如下。


圖l是一種復合型電容的基板立體圖，依照本發(fā)明的第一實施例。
圖2是圖1的II-II線段的剖面示意圖。
3是圖2的一種變形例的復合型電容的剖面示意圖。圖4是依照本發(fā)明的第二實施例的 一 種復合型電容的剖面示意圖。
圖5是依照本發(fā)明的第三實施例的一種復合型電容的上視圖。
圖6是圖5的VI-VI線段的剖面示意圖。
圖7是圖5的一種變形例的復合型電容的上視圖。
圖8是圖7的復合型電容的阻抗與頻率的模擬曲線圖。
圖9A至圖9C是第三實施例的三種變形例。
附圖標記說明
10、40、 50:復合型電容100、500:基板
102、402、 502:貫通孔
110、410、 510、 710a、 710b、 710c、910a、910b、 910c:平行板電容
112、412:第一導體層114、414:第二導體層■
116、416:第二介電層
120、420、 520、 720、 900a、 900b、900c:貫通孔電容
122、422:正才及層124、424:第一介電層
126、426:第一負極層128、428:第二負極層
130、300:多孔結(jié)構(gòu)140、440:電^各配線
142、442:凸塊144、530:絕緣層
400:金屬基板444:絕緣層
具體實施例方式
下文中請參閱附圖來更充分地了解本發(fā)明，其中附圖顯示本發(fā)明的各實 施例。不過，本發(fā)明還可用多種不同形式來實踐，且不應將其解釋為限于下 文所陳述的實施例。實際上，提供這些實施例只是為了使本發(fā)明被披露得更 詳盡且完整，同時由此將本發(fā)明的范疇完全傳達至本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中， 為明確起見可能將各層的尺寸以及相對尺寸作夸張的描繪。
圖1是依照本發(fā)明的第 一實施例的一種具有復合型電容的基板或硅中介 層。圖2是圖i的n-n線段的剖面示意圖。
請參照圖i和圖2，第一實施例的復合型電容io包括一個基板ioo、至
少一平行板電容110與至少一貫通孔電容120,其中基板ioo具有數(shù)個貫通 孔102,而平行板電容110則位于基板IOO上。至于貫通孔電容120位于至 少一貫通孔102中并與平行板電容110并聯(lián)。這種貫通孔電容120至少包括一層正極層122、 一層第一介電層124、 一層第一負極層126及一層第二負 極層128。在第一實施例中，基板100為硅基板，此外基板100還可以是有 機基板、金屬基板或絕緣基板。上述基板100中的貫通孔102可選擇以陣列 排列，且除了設(shè)置貫通孔電容120之外，還可當作電路配線140的一部分， 譬如通過凸塊142連接功率輸出入端(Power)與信號端(Signal),而貫通孔電 容120則是接地(Ground)。而且，第一實施例雖然是顯示圓形的貫通孔電容 120，但本發(fā)明不應被解釋為限于第一實施例中所描繪的特定形狀，而可包 括其他可施行的形狀，如六角形、圓形、方形或環(huán)形等貫通孔電容。
請繼續(xù)參照圖2，正極層122至少位于貫通孔102的內(nèi)表面，其中正極 層122的材料例如鋁(A1)、鉭(Ta)、鈮(Nb)或一氧化鈮(NbO)等。而且，正極 層122至少于貫通孔102的內(nèi)表面為多孔結(jié)構(gòu)130，如圖2右上的放大圖。 第一介電層124則位于正極層122的多孔結(jié)構(gòu)130上；舉例來說，當正極層 122為鋁層，而多孔結(jié)構(gòu)130是金屬鋁經(jīng)蝕刻后的結(jié)構(gòu)，則第一介電層124 則為多孔結(jié)構(gòu)130經(jīng)陽極氧化后形成在多孔結(jié)構(gòu)130表面的氧化鋁(八1203)。 前述多孔結(jié)構(gòu)130亦可稱為"海綿狀結(jié)構(gòu)"。至于第一負極層126是覆蓋于 第一介電層124的表面。第一負極層126的材料例如有機半導體、無機半導 體或有機-無機混合(organic-inorganic hybrid)導電材料，其中無機半導體譬如 二氧化錳(Mn02)、有機半導體則例如電荷轉(zhuǎn)移錯鹽或?qū)щ姼叻肿?。而上述?電高分子例如聚吡咯(polypyrrole)、聚p塞p分(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline) 或其它合適的導電高分子。而第一負極層126的材料也可選擇是單一導電高 分子材料或混合的兩種導電高分子材料。此外，第一負極層126也可以是多 層結(jié)構(gòu)，而不限于第一實施例所描述的單一層結(jié)構(gòu)。
請再度參照圖2，上述第一負極層126的材料因為具有自修補作用，所 以在高漏電區(qū)域會有自行絕緣化的能力，用以降低電容元件的漏電。第二負 極層128則是填滿上述貫通孔102，以覆蓋第一負極層126表面，其中第二 負極層128的電導率大于第一負極層126的電導率。上述第二負極層128包 括含碳與金屬的復合層，其中復合層中的金屬包括銀、銅、金或鎳；也就是 說，第二負極層128的材料可為C/Ag或C/Cu或C/Au。第二負極層128 也可以是純金屬層。上述第二負極層128包括填滿上述貫通孔。
請繼續(xù)參照圖2,上述平行板電容110至少包括一層第一導體層112、 位于第一導體層112上的一層第二導體層114以及一層第二介電層116,第二介電層116位于第一導體層112與第二導體層114之間，其中平行板電容 110的電容量譬如在O.lpF以下。此外，平行板電容110除了和圖2—樣設(shè) 置在基板100的一面外，也可選斧沒置在基板100的雙面上。其中，平行板 電容110的第二介電層116的介電系數(shù)例如為1-2000、厚度例如為 0.1pm 10^im之間。在第一實施例中，上述第二介電層116的材料例如是鋯 4太酸4貝(barium zirconate titanate ， BZT) 、 4太酸IS4貝(barium strontium titanate ， BST)、鈦酸鋇(barium titanate)、含有Pb、 Nb、 W、 Ca、 Mg和Zn其中至少 一種元素的4太酸鋇(barium titanate)、鈦酸鉛(lead titanate)、鋯鈦酸鉛(lead zirconate titanate ， PZT)、 多晶鑭改性#■ 4太酸鉛(polycrystalline lanthanum-modified lead zirconate titanate, PLZT)、 鈮酉吏4g(lead niobate)及其 衍生物、以及鵠酸鉛(lead tungstate)及其衍生物所組成的族群中選擇的 一種材 料。
此外，圖2是用剖面說明來描述，而剖面說明只是將其作理想化示意說 明，因此可能會因為設(shè)計需求以^/或是容許度而與圖中的形狀有所不同，所 以本發(fā)明不應被解釋為限于第 一實施例中所描繪的特定形狀，而是包括其他 可施行的形狀。舉例而言，圖2中的平行板電容110形狀包括六角形、圓形、 方形等平面形狀。因此，剖面圖本質(zhì)上為示意性的，其形狀并不意味元件的 精確形狀，且不用以限制本發(fā)明的范圍。而上述第一導體層112或第二導體 層114可選擇采用和正極層122相同的導電材料；抑或選擇采用和第二負極 層128相同的導電材料。至于在基板100表面覆蓋的則是絕緣層144。
圖3則是圖2的一種變形例的復合型電容的剖面示意圖，其中使用和圖 2中相同的元件符號來代表相同的構(gòu)件。請參照圖3,其與圖2最大差異在 于正極層122的多孔結(jié)構(gòu)300是延伸至貫通孔102以外的基板100表面。換 言之，位于多孔結(jié)構(gòu)300表面的第一介電層(未繪示)也將延伸至貫通孔102 以外的基^1100表面，因此貫通 孔電容量將更大。
圖4是依照本發(fā)明的第二實施例的 一種復合型電容的剖面示意圖。
請參照圖4，第二實施例的復合型電容40包括一個金屬基板400、至少 一平行板電容410與至少一貫通孔電容420,其中金屬基板400具有數(shù)個貫 通孔402。金屬基板400的一部分可作為平行板電容410的第一導體層412, 而平行板電容410的第二導體層414則位于第二介電層416表面上，第二介 電層416則位于金屬基板400表面與第二導體層414之間。至于第二介電層416可選擇的材料請參照第一實施例。
請繼續(xù)參照圖4，貫通孔電容420位于貫通孔402并與平行板電容410 并聯(lián)。而且，由于第二實施例是采用金屬基板的關(guān)系，所以金屬基板400的 一部分可作為貫通孔電容420的正極層422。而多孔結(jié)構(gòu)430就位于貫通孔 402的內(nèi)表面。第一介電層424則位于多孔結(jié)構(gòu)430上，如圖4右上的放大 圖。關(guān)于第一負極層426和第二負極層428的位置、材料與結(jié)構(gòu)的選擇均可 參照第一實施例，故不再贅述。另外，因為金屬基板400的關(guān)系，所以連接 正極的部位不需作貫通孔。至于傳輸信號的貫通孔，則還要在貫通孔402和 電路配線440間設(shè)置一絕緣層444。而金屬基板400中的貫通孔402也可選 擇以陣列排列，且貫通孔電容420與第一實施例一樣，除可為圓形外，也可 包括其他可施行的形狀，如六角形、圓形、方形或環(huán)形等。此外，圖4中的 平行板電容410形狀可以是六角形、圓形、方形等平面形狀。此外，金屬基 板400的一部分可作為第一導體層和正極層，也可選擇在金屬基板400上另 外濺射其他導電材料作為第一導體層或正極層。
圖5是依照本發(fā)明的第三實施例的一種復合型電容的上視圖。圖6是圖 5的VI-VI線l殳的剖面示意圖。
請參照圖5和圖6，第三實施例的復合型電容50包括一個基板500、至 少一平行板電容510與至少一貫通孔電容520,其中基板500具有貫通孔502， 而貫通孔電容520即位于貫通孔502中。上述貫通孔電容520的結(jié)構(gòu)與第一 實施例的貫通孔電容相同，所以使用第 一 實施例的元件符號表示相同或類似 的元件。至于平行板電容510則位于基板500上圍繞上述貫通孔電容520, 并與貫通孔電容520并聯(lián)。上述平行板電容510的結(jié)構(gòu)與第一實施例的平行 板電容類似，所以使用第一實施例的元件符號表示相同或類似的元件。而在 平行板電容510與基板500表面還覆蓋一層絕緣層530。
在第三實施例中，基板500可為硅基板，此外基板500還可以是金屬基 板、有機基板或絕緣基板。當基板500是金屬基板時，基板500的一部分可 作為平行板電容510的第一導體層、另 一部分可作為貫通孔電容520的正極 層。
請再度參照圖5，圖中的平行板電容510和貫通孔電容520是配置在呈 陣列排列的六角形圖案。因此，可以根據(jù)所需的電容量設(shè)計平行板電容的位 置與數(shù)量，如圖7。在圖7中顯示一個由單一貫通孔電容720和三圈平行板電容710a、 710b與710c所構(gòu)成的復合型電容70，且平行板電容710a、 710b 與710c可選擇不同介電系數(shù)的電容，而得到圖8的阻抗(Impedance)與頻率 (Fr叫uency)的模擬曲線圖。從圖8可知，第三實施例的復合型電容能依照需 求，設(shè)計在大范圍的頻率內(nèi)都有低阻抗的復合型電容。
請再度參照圖6與圖7，當平行板電容710a、 710b與710c要和貫通孔 電容720并聯(lián)時，除了在基板500的同一面并聯(lián)，也可于基板500雙面都配 置平行板電容，或于基板雙面作交錯配置的平行板電容設(shè)計。另外，第三實 施例的平行板電容和貫通孔電容還可以有其他變形，如圖9A的圓形貫通孔 電容900a和環(huán)型平行板電容910a、圖9B的方形貫通孔電容900b和方框平 行板電容910b、圖9C的六角形貫通孔電容900c和六角環(huán)型平行板電容910c 等。
此外，雖然以上各實施例的復合型電容中都只顯示一個貫通孔電容，但 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在參閱以上實施例之后，應可理解貫通孔電 容的數(shù)量也可依照需求增加，成為互相并聯(lián)的貫通孔電容。
綜上所述，本發(fā)明的復合型電容可通過具多孔結(jié)構(gòu)的正極層的貫通孔電 容與平行板電容的配合，而設(shè)計出符合需求的復合型電容。舉例來說，本發(fā) 明的復合型電容能在一個芯片大小里提供大于0.1nF的電容量，以提供芯片 間的穩(wěn)壓；而且，本發(fā)明的復合型電容能夠去除1 4GHz的高頻干擾。而且， 這種復合型電容適于作為石圭中介層基板電容(silicon interposer substrate capacitor, SISC),當然也可設(shè)置在IC底下的有機基板。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因 此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1. 一種復合型電容，包括基板，該基板具有多個貫通孔；至少一平行板電容，位于該基板上；以及至少一貫通孔電容，位于至少一貫通孔中并與該平行板電容并聯(lián)，該貫通孔電容至少包括正極層，至少位于該貫通孔的內(nèi)表面，其中該正極層至少于貫通孔的內(nèi)表面為一多孔結(jié)構(gòu)；第一介電層，至少位于該正極層的該多孔結(jié)構(gòu)上；第一負極層，覆蓋于該第一介電層的表面；以及第二負極層，覆蓋于該第一負極層的表面，其中該第二負極層的電導率大于該第一負極層的電導率。
2. —種復合型電容，包括 基板，該基板具有多個貫通孔；至少一貫通孔電容，位于至少一貫通孔中，該貫通孔電容至少包括正極層，至少位于該貫通孔的內(nèi)表面，其中該正極層至少于貫通孔的內(nèi) 表面為一多孔結(jié)構(gòu)；第一介電層，至少位于該正極層的該多孔結(jié)構(gòu)上；第一負極層，覆蓋于該第一介電層的表面；以及第二負極層，覆蓋于該第一負極層的表面，其中該第二負極層的電導率 大于該第一負極層的電導率；以及至少一平行板電容，位于該基板上圍繞該貫通孔電容并與該貫通孔電容 并聯(lián)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該正極層 的材料包括鋁、鉭、鈮或一氧化鈮。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第一介 電層包括延伸至該貫通孔以外的該基板表面。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第一負 極層的材料包括有機半導體、無機半導體或有機-無機混合導電材料。
6. 如權(quán)利要求5所述的復合型電容，其中該無機半導體包括二氧化錳。
7. 如權(quán)利要求5所述的復合型電容，其中該有機半導體包括電荷轉(zhuǎn)移錯 鹽或?qū)щ姼叻肿印?br> 8. 如權(quán)利要求7所述的復合型電容，其中該導電高分子包括聚吡咯、聚 噻吩或聚苯胺。
9. 如權(quán)利要求7所述的復合型電容，其中該第一負極層的材料包括單一 導電高分子材料或混合的兩種導電高分子材料。
10. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第一 負極層包括多層結(jié)構(gòu)。
11. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第二 負極層包括含碳與金屬的復合層。
12. 如權(quán)利要求11所述的復合型電容，其中該復合層中的金屬包括銀、 銅、金或4臬。
13. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第二 負極層包括純金屬層。
14. 如一又利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的該第二 負極層包括填滿該貫通孔。
15. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該基板包括硅基板、有 機基板、金屬基板或絕緣基板。
16. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該基板中的該貫通孔呈 陣列排列。
17. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該平行板電容至少包括 第一導體層；第二導體層，位于該第一導體層上；以及 第二介電層，位于該第一導體層與該第二導體層之間。
18. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該平行板電容的該第二介電 層的介電系數(shù)為1~2000。
19. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該平行板電容的該第二介電 層的厚度為0.1nm 10^im。
20. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該平行板電容的該第二介電 層的材料是自鋯鈦酸鋇、鈥酸鍶鋇、鈦酸鋇、含有Pb、 Nb、 W、 Ca、 Mg 和Zn其中至少一種元素的鈦酸鋇、鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛、多晶鑭改性鋯鈦酸鉛、鈮酸鉛及其衍生物、以及鴒酸鉛及其衍生物所組成的族群中選擇的一種 材料。
21. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該第一導體層或該第二導體 層和該正極層為相同的導電材料。
22. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該第一導體層或該第二導體 層和該第二負極層的金屬為相同的導電材料。
23. 如權(quán)利要求17所述的復合型電容，其中該基板包括金屬基板。
24. 如權(quán)利要求23所述的復合型電容，其中該金屬基板的一部分作為該 平行板電容的該第一導體層。
25. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該基板包括金屬基板。
26. 如權(quán)利要求25所述的復合型電容，其中該金屬基板的一部分作為該 貫通孔電容的該正極層。
27. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該平行板電容的形狀包 括六角形、圓形、方形或環(huán)形。
28. 如權(quán)利要求1或2所述的復合型電容，其中該貫通孔電容的形狀 包括六角形、圓形、方形或環(huán)形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種復合型電容，其包含一個基板、至少一平行板電容與至少一貫通孔電容，上述基板具有數(shù)個貫通孔，而平行板電容則位于基板上。至少一貫通孔電容與至少一平行板電容并聯(lián)。這種貫通孔電容至少包括一層正極層、一層第一介電層、一層第一負極層及一層第二負極層。而正極層位于至少一貫通孔的內(nèi)表面，且正極層的表面為多孔結(jié)構(gòu)。第一介電層則位于正極層的多孔結(jié)構(gòu)上。至于第一負極層是覆蓋于第一介電層的表面，第二負極層是覆蓋于第一負極層的表面，其中第二負極層的電導率大于第一負極層的電導率。
文檔編號H01G4/38GK101471181SQ20071030545
公開日2009年7月1日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者劉淑芬, 吳邦豪, 李明林, 蔡麗端, 鄭丞良 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院