專利名稱：微器件的氣密密封的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開(kāi)涉及微器件的封裝。
背景技術(shù)：
在制造微器件中，多個(gè)微器件共同制造在半導(dǎo)體晶片上。微器件 然后被封裝并分開(kāi)為單個(gè)的單元片。許多類型微器件必須處于氣密密 封環(huán)境中以避免對(duì)微器件的傷害并且確保器件的長(zhǎng)有用壽命。因此令 人希望的是有一種有效的工藝對(duì)半導(dǎo)體晶片提供多個(gè)微器件的氣密密
封(hermetic sealing )。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)一般方面中，本發(fā)明涉及封裝微器件的方法，包括將微器 件包封于襯底上的腔中，其中腔被間隔壁和包封蓋限定；去除包封蓋
的部分和間隔壁的部分以暴露間隔壁的一個(gè)或多個(gè)表面；以及在間隔
壁的暴露表面上形成密封材料層以氣密密封腔中的微器件。
在另外的一般方面中，本發(fā)明涉及封裝微器件的方法，該方法包
括在被間隔壁和包封蓋限定的腔中的襯底上包封多個(gè)微器件；去除包 封蓋的多個(gè)部分和間隔壁的多個(gè)部分以暴露間隔壁的多個(gè)表面；以及 在間隔壁的暴露的表面上形成密封材料層以便氣密密封腔中的微器 件。
在另外的一般方面中，本發(fā)明涉及在襯底上包封的微器件。微 器件在腔中的襯底上，包封蓋部分地限定所述腔。 一個(gè)或多個(gè)間隔壁 位于襯底和包封蓋之間，其中所述間隔壁至少之一具有相鄰于微器件 的內(nèi)表面和相反于內(nèi)表面的外表面，并且外表面相對(duì)于襯底傾斜。密 封材料在間隔壁的外表面上，氣密地密封所述腔。
在此描述的系統(tǒng)和方法的實(shí)施可以包括一個(gè)或多個(gè)下列的特征。 間隔壁的一個(gè)或多個(gè)暴露表面可以包括相對(duì)于襯底傾斜的表面。形成 包封的器件的步驟可以包括在相對(duì)于襯底傾斜的表面上各向異性地淀 積密封材料。去除蓋或壁的部分的步驟可以包括切割包封蓋和間隔壁 的多個(gè)部分。間隔壁可以包括一種低的出氣材料，環(huán)氧樹(shù)脂或間隔微
粒(spacer particles )。至少包封蓋的一部分可以是對(duì)可見(jiàn)光，UV光，或 IR光透明的。包封蓋可以包括在微器件之上具有開(kāi)口的不透明的孔 徑層。形成器件的方法可以包括在去除步驟之前在包封蓋上形成犧牲 材料層，以及去除犧牲材料層和在犧牲材料上的密封材料。形成密封 材料層可以包括在犧牲材料和間隔壁的暴露表面上形成密封材料層以 氣密密封腔中的微器件。本方法可以包括切割襯底的一部分以及在襯 底上將包封微器件的腔與包封相鄰的微器件的相鄰腔分開(kāi)。本方法可 以包括去除間隔壁的一部分以及包封蓋的一部分以暴露襯底上的電接 觸，電接觸配置成向微器件發(fā)送電信號(hào)或從微器件接收電信號(hào)。去除 的步驟可以包括溶解間隔壁的部分或接合間隔壁和襯底的粘合劑。
在此描述的方法和器件的各種不同實(shí)現(xiàn)方式可以包括一個(gè)或更 多個(gè)下列的優(yōu)點(diǎn)。公開(kāi)的系統(tǒng)和方法可以對(duì)在襯底上氣密地密封微器 件提供有效的途徑。密封材料可以各向異性地被淀積在包封微器件的 腔上的傾斜表面上，以及可以氣密地密封腔內(nèi)的器件。公開(kāi)的系統(tǒng)和 方法的另外潛在的優(yōu)點(diǎn)是可以高產(chǎn)出地將多個(gè)微器件同時(shí)在一個(gè)或多 個(gè)腔中氣密地密封。
雖然本發(fā)明特別地被參考多個(gè)實(shí)施例顯示以及描述，但是本領(lǐng) 域技術(shù)人員將理解在不偏離本發(fā)明的精神和范圍下可以作各種形式和 細(xì)節(jié)的修改。


下列附圖被結(jié)合并作為說(shuō)明書(shū)的一部分，連同說(shuō)明書(shū)一起，用于 解釋在此描述的原理，器件和方法。
圖1A-1I示出使用具有無(wú)機(jī)間隔壁的包封蓋包封襯底上的微器
件的步驟。
圖2是顯示圖1A-1I的步驟的流程圖。
圖3A -31示出使用具有由有機(jī)材料制成的間隔壁的包封蓋包封 襯底上的微器件的步驟。
圖4是顯示圖3A-3I的步驟的流程圖。 圖5A-5E示出包襯底上的微器件的步驟。 圖6是顯示圖5A-5E的步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式
參考圖1A和1B,微器件103-106被形成或安裝在襯底110之 上。例如，微器件103-106可以通過(guò)絲線接合或倒裝芯片接合被安裝 在襯底上。微器件103-106分別電連接于襯底110上的電接觸 151-154。電接觸151-154允許微器件103-106接收外部電信號(hào)或輸出 電信號(hào)。電接觸151-154可以被分布成扇出圖形以便允許容易地接 入。微器件是可以響應(yīng)輸入信號(hào)而產(chǎn)生機(jī)械運(yùn)動(dòng)、電磁信號(hào)、聲信號(hào)、 或光學(xué)信號(hào)的微結(jié)構(gòu)。微器件可以包括微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，諸如可 傾斜微反射鏡、集成電路、微傳感器、微致動(dòng)器、發(fā)光元件的陣列和 其他諸如此類器件。
不透明的孔徑層130可以在包封蓋120的下表面上形成。包 封蓋120可以由對(duì)可見(jiàn)光、紫外線、或IR光透明的材料制成。于 是包封蓋120允許與微器件103-106在它們被包封之后光學(xué)聯(lián)通。此 外，包封蓋120對(duì)流體和氣體是不滲透的?？讖綄?30可以由能夠阻 擋光的材料制成，諸如金屬材料，例如鉻，或光吸收材料，諸如氧化鉻。
孔徑層130可以包括開(kāi)口 135以限定在微器件103-106之上 形成的透明窗口。 間隔壁113，114a，114b，115，116a和116b被形成在 孔徑層130上。間隔壁可以由無(wú)機(jī)材料制成，諸如玻璃、金屬、硅、陶 瓷或其他的適當(dāng)材料。在一些實(shí)施例中，不透明孔徑層130可以在包 封蓋120的上表面上形成使得孔徑層130位于包封微器件103-106 的包封腔的外部。
參考圖1A-1C，聚合物粘合劑118諸如環(huán)氧樹(shù)脂被施加到間隔 壁113-116 b的下表面。替換地，聚合物粘合劑118也可以置于襯 底110的上表面上。包封蓋120被壓向襯底110。聚合物粘合劑 118密封間隔壁113-116b的下表面和襯底110的上表面(步驟 210)。微器件103-106被分別包封在分開(kāi)的包封腔125，125a，125b，和 125c中。電接觸151-154被置于分開(kāi)的腔144和146中。在一些 實(shí)施例中，每個(gè)包封腔125，125a，125b或125 c保持超過(guò)一個(gè)微器件。 在一些實(shí)施例中，聚合物粘合劑118對(duì)空氣和濕氣是可滲透的。如 上所述，聚合物粘合劑118需要被適當(dāng)?shù)孛芊庖员銡饷苊芊馇恢械奈?器件。
諸如光刻膠這樣的犧牲材料層137，然后被形成在包封蓋120 上(圖1D，步驟220)。 選擇犧牲材料137使得它能被去除并能剝離 在犧牲材料137上淀積的材料層(也就是，密封材料140)。因?yàn)槊芊?材料140通常是不透明的，去除密封材料140可以使微器件125 之上包封蓋120中的窗戶保持澄清，這對(duì)光學(xué)連通和檢查是需要的。
包封蓋120的多個(gè)部分和間隔壁115a， 115b,116a和116b的多個(gè) 部分被去除以產(chǎn)生被空間138所間隔的包封腔125，125a，和125b (圖 1E，步驟230)?？臻g138可以是包括空間138下面的襯底110的上表 面的一部分的倒梯形。面對(duì)空間138的表面136被傾斜，即，相對(duì) 于襯底IIO為非垂直角度形成。傾斜的表面136形成包封腔125,125a， 和125b的外表面的多個(gè)部分。包封蓋120和間隔壁115可以以一個(gè)傾 斜角切向襯底110以產(chǎn)生傾斜的表面136 。 切割可以4吏用機(jī)械切 割工具進(jìn)行，諸如鉆石切刀，可以被成形為限定腔125，125a，和125b 之間的空間138。 傾斜的表面136也可以沿著相對(duì)于襯底110傾斜 的方向被窄的機(jī)械切割工具切割。激光也可被用來(lái)切割間隔壁 115,116。激光束可以剖面分布成產(chǎn)生所需的空間138的V形狀。切斷 將間隔壁115，116分開(kāi)為限定不同的包封腔125，125a和125b的間隔壁 115a，115b，116a和116b,每個(gè)間隔壁可以包含一個(gè)或多個(gè)微器件105。 控制切斷以完全地進(jìn)行穿過(guò)包封蓋120 ，孔徑層130和間隔壁
115,116，但是停止在襯底110的表面或就在襯底110的表面之前 以避免切入襯底或襯底中的電路。在實(shí)際中，一些殘余的聚合物粘合 劑118可能在切割操作之后保留。間隔壁115a，115b，116a和116的表 面、聚合物粘合劑118和襯底IIO反應(yīng)離子刻蝕被選擇地清潔以去除 殘余的聚合物粘合劑和來(lái)自切割步驟的間隔壁115a-116b的碎片(步 驟240)。
在傾斜表面136上的密封材料140的層然后形成在間隔壁 115a, 115b，116a和116b以及在包封蓋120上的犧牲材料137上(圖1F, 步猓250)。密封材料140也密封聚合物粘合劑118的外表面以防止 氣體通過(guò)聚合物粘合劑118泄露進(jìn)腔125內(nèi)?？臻g138下的襯底 110上的被清潔的表面沒(méi)有聚合物粘合劑材料，這確保在襯底IIO上 密封材料140的淀積以及包封腔125的適當(dāng)密封。密封材料140是 對(duì)流體和氣體不滲透的，或?qū)α黧w和氣體有非常低的滲透的材料，諸 如金屬材料，硅氧化物或氮化硅。密封材料140在傾斜表面136上可 以具有大約2和IOO微米之間的厚度。密封材料層140形成阻擋物 以阻止空氣或濕氣進(jìn)入其中包封微器件105的包封腔125。 換句話 說(shuō)，密封材料140的層能氣密密封包封腔125中的微器件105。
傾斜表面136的一個(gè)有利特征是它們能從被置于襯底110上的 材料源接收各向異性的材料淀積。密封材料140可以使用被設(shè)置于襯 底110上方的材料靶源通過(guò)物理汽相淀積(PVD)而各向異性地淀 積。傾斜表面136的橫向擴(kuò)張?jiān)试S傾斜表面136接收密封材料 140 。相比于在襯底110上的非傾斜表面和在包封蓋120上的犧牲 材料137的非傾斜上表面，傾斜表面136上的淀積率被以傾斜表面 136和襯底110的上表面之間的角的余弦的因子來(lái)減小。因此，密封 材料140的層在非傾斜表面上比在傾斜表面136上厚。能夠控制淀 積的持續(xù)時(shí)間以確保具有需要的厚度的密封材料140的連續(xù)層被形 成在所有的傾斜表面136上。
犧牲材料137和在犧牲材料137上的密封材料140被從包封 蓋120的非傾斜頂表面去除(圖1G，步驟260)。犧牲材料137能夠
通過(guò)濕法刻蝕，干法等離子體刻蝕，或者如果犧牲材料是抗蝕劑則通
過(guò)顯影抗蝕劑來(lái)去除。在犧牲材料137上的密封材料140被在去除 處理中剝離。密封材料140保留在傾斜表面136上以氣密密封間隔壁 115a，115b，116a和116b。犧牲材料137對(duì)于把密封材料140從它不 被需要的器件區(qū)域(例如密封材料將會(huì)干擾器件正常地發(fā)揮功能的區(qū) 域)中去除提供了簡(jiǎn)單的手段。犧牲材料137的去除可以是選擇的， 使得包封蓋120不在去除處理期間被損害或改變。
襯底110然后被從包含微器件的相鄰的包封腔例如腔125和 125a之間的空間138中的下表面切穿。襯底110也從電接觸位于其 中的腔(例如腔146)下面的區(qū)域中的下表面切穿。例如，切割可以 在電接觸151和152之間的地點(diǎn)并遠(yuǎn)離在襯底110中的電路(圖1H， 步驟270)。 襯底110然后浸泡在諸如丙酮這樣的溶劑中，以允許溶 劑進(jìn)入腔146。溶劑被選擇使得它能溶解聚合物粘合劑146a和146b 但不攻擊密封材料140。溶劑在間隔壁下接觸聚合物粘合劑146a和 146b的內(nèi)側(cè)表面。溶劑刻蝕聚合物粘合劑146a和146b直到聚合物 粘合劑146a和146b被去除(步驟280)。腔146中的聚合物粘合劑的 外側(cè)表面被密封材料140保護(hù)。在聚合物粘合劑146a和146b上的密 封材料140被剝離和去除。電接觸151和152之上的包封蓋120從襯 底110分開(kāi)以暴露電接觸151和152 。 微器件105被包圍在分開(kāi) 的單元片如圖1I所示。暴露的電接觸151和152能被方便地接入以 施加電信號(hào)或接收來(lái)自微器件105的電信號(hào)。
因?yàn)榘馍w120對(duì)流體和氣體是不滲透的，一個(gè)或多個(gè)氣密密 封包封腔125,125a和125b使用在此描述的步驟楝形成在襯底110 。 每個(gè)氣密密封包封腔125包封一個(gè)或多個(gè)微器件105。在一些實(shí)施例 中，包封腔125，125a和125b在微器件105的密封之前被抽空。包封 腔125，125a和125b的氣密密封保持包封腔125，125a和125b中的穩(wěn)定 環(huán)境，這能幫助保持微器件105的正常工作。在包封腔是處在真空之 下的器件中，包封腔的氣密密封維持真空態(tài)。在一些實(shí)施例中，環(huán)境 不是真空環(huán)境，但是是讓器件在其中工作的被選擇的氣體。
其他的實(shí)施例在圖3A-3I中和在圖4的流程圖中被示出。在圖 3A-3I中和圖4中公開(kāi)的工藝與在上面聯(lián)系圖1A-1I和圖2被公開(kāi)的類 似， 一個(gè)區(qū)別是間隔壁113-116由有機(jī)材料制成，諸如固化環(huán)氧樹(shù)脂。 間隔壁113-116對(duì)氣體是可滲透的并且能被溶劑諸如丙酮溶解。將間 隔壁113-116密封于襯底IIO的聚合物粘合劑可形成作間隔壁 113-116的一部分(圖3C，步驟410)。 當(dāng)襯底110的下表面被切割 的時(shí)候，切割延伸過(guò)襯底并暴露間隔壁116a(圖3H，步驟470)。溶劑溶 解有機(jī)材料制成的間隔壁116a以暴露電接觸151和152以及在分 開(kāi)一單元片分開(kāi)微器件125(圖31，步驟480)。
在一些實(shí)施例中，參考圖5A到5E，在襯底110上被形成或安 裝的微器件105在被間隔壁115、 116包封蓋120限定的包封腔 125內(nèi)被包封(步驟610)。 微器件105通過(guò)村底IIO中的電路127與 襯底110的下表面上的電接觸126電連接。電接觸126允許微器件 125被電信號(hào)外部地控制或輸出電信號(hào)。
包封蓋120單個(gè)地連接于或被密封到間隔壁115和116的上表 面。間隔壁115,116可以由像環(huán)氧樹(shù)脂這樣的聚合物材料制成,對(duì)空氣 和濕氣是可滲透的。在一些實(shí)施例中，間隔壁115,116包括不釋放 顯著量氣體的寸氐出氣材料(low out-gassing material) 。 j氐出氣材料 的例子包括玻璃、金屬和陶瓷材料。在間隔壁115 ， 116中的低出氣 材料阻止氣體逃逸壁115,116和進(jìn)入包封腔125。 這種氣體能夠例 如通過(guò)在器件的表面上形成涂層或攻擊器件105來(lái)干擾器件105發(fā)揮 功能。間隔壁115,116也能選擇地包括能夠減少在間隔壁115中需 要的低出氣材料的體積、以及限定包封蓋120和襯底110之間的距 離的間隔顆粒117。
包封蓋120可以由對(duì)可見(jiàn)光，紫外光，或紅外光透明的材料制 成，例如玻璃。此外，包封蓋120對(duì)流體不滲透。在一些實(shí)施例中， 不透明的孔徑層130被形成在包封蓋120上?？讖綄?30可以或者 形成在包封蓋120的外部或者在相鄰于器件105的包封蓋120的一側(cè) 上。不透明的孔徑層130包括在微器件105之上的開(kāi)口135以允許光學(xué)聯(lián)通于微器件105 。也就是說(shuō)，微器件105可以通過(guò)開(kāi)口135 接收、發(fā)送或同時(shí)接收并發(fā)送光。不透明孔徑層130可以由能阻擋 光的材料制成，諸如金屬材料,例如鉻。
多個(gè)微器件105可以在襯底110上形成.微器件105可以被 包封在包封腔125，125a，和125b中，并被間隔壁115 ，116分開(kāi)。在一 些實(shí)施例中，每個(gè)包封腔125，125a，或125b保持多于一個(gè)微器件 105。包封蓋120上的孔徑層130包括在每一個(gè)微器件105之上的 開(kāi)口。
犧牲材料137的層形成在包封蓋120上(圖5B，步驟620 )。
諸如光刻膠。光刻膠可以被旋涂于包封蓋120上。當(dāng)孔徑層130覆蓋 包封蓋120的一部分時(shí)，犧牲材料137可以同時(shí)覆蓋孔徑層130和在 其中的任何開(kāi)口。
包封蓋120的多個(gè)部分和間隔壁115,116的多個(gè)部分,皮順序地 去除以產(chǎn)生被空間138分開(kāi)的包封腔(圖5C，步驟630)。面對(duì)空間 138的表面136被傾斜，例如，相對(duì)于襯底IIO以非垂直角形成。傾 斜表面136形成包封腔125，125a，和125b的外表面的各部分。包封蓋 120和間隔壁115可以沿相對(duì)于襯底IIO傾斜的方向切割以產(chǎn)生傾斜 表面136 。切割可以由機(jī)械切割工具進(jìn)行，諸如鉆石刀，它被成形為 限定在包封腔125，125a，和125b之間的空間138。激光也可用來(lái)切 割間隔壁115,116。 激光束可以被剖面分布(profiled)為產(chǎn)生需要 的V形空間138 。 切割至少延伸至襯底110的頂表面并且能切割 部分地進(jìn)入襯底110 。所述切割將間隔壁115,116分開(kāi)為限定不同 的包封腔125，125a，和125b的間隔壁115a， 115b，116a和116b,每個(gè)包 封腔可以包含一個(gè)或多個(gè)微器件105。間隔壁115a，115b，116a和116b 的表面然后經(jīng)歷反應(yīng)離子刻蝕以清除掉來(lái)自切割處理的在襯底110 上的殘余的聚合物粘合劑118(步驟640)。襯底110表面的清潔確 保密封材料被淀積在襯底110上并且也覆蓋間隔壁115a，115b，116a 和116b和襯底110之間的接合界面的端部。
密封材料140然后施加于間隔壁115a，115b,116a和116b上的 傾斜表面136以及包封蓋120上的犧牲材料137(圖5D， 步驟650)。 空間138下面的襯底110上的被清理的表面允許密封材料140被 淀積在襯底110上以確保包封腔125的適當(dāng)密封。密封材料140 是對(duì)流體不滲透的，或?qū)α黧w有非常低的滲透的材料，諸如金屬材料， 硅氧化物或硅氮化物。密封材料140在傾斜表面136上可以具有大約 2到100微米之間的厚度。密封材料層140形成阻擋物以阻止空氣或 濕氣進(jìn)入其中包封微器件105的包封腔125。 換句話說(shuō)，密封材料 140的層能氣密密封包封腔125中的微器件105。
傾斜表面136的一個(gè)有利特征是它們能從襯底110上的材料源 接收各向異性的材料淀積。密封材料140可以使用被設(shè)置于襯底110 上方的材料靶源通過(guò)物理汽相淀積(PVD)而各向異性地淀積。傾斜表 面136的橫向延伸允許密封材料140被傾斜表面136接收。相比較 于在襯底110上的非傾斜表面和在包封蓋120上的犧牲材料137 的非傾斜上表面，對(duì)于傾斜表面136的淀積率以傾斜表面136和襯底 110的上表面之間的角的余弦函數(shù)的因子來(lái)減小。因此，密封材料140 的層在非傾斜表面上比在傾斜表面136上厚。能夠控制淀積的持續(xù)時(shí) 間以確保密封材料140的連續(xù)層被形成在所有的傾斜表面136上。
圖5E表示一些犧牲材料137和在犧牲材料137上的密封材 料140已經(jīng)被從開(kāi)口135周圍的區(qū)域(例如，從包封蓋120的非傾 斜頂表面和孔徑層130)去除后的器件(圖5E，步驟660)。犧牲材料 137能夠通過(guò)濕法刻蝕，干法等離子體刻蝕，或者如果犧牲材料是抗 蝕劑，通過(guò)顯影抗蝕劑來(lái)去除。密封材料140保留在傾斜表面上以氣密 密封間隔壁115a，115b，116a和116b。 犧牲材料137對(duì)于把密封材料 140從它不被需要的器件區(qū)域(例如密封材料將會(huì)干擾器件正常地發(fā) 揮功能的區(qū)域)中去除提供了簡(jiǎn)單的手段。犧牲材料137的去除可 以是選擇性的，使得包封蓋120不在去除處理期間被損害或改變。
因?yàn)榘馍w120對(duì)流體是不滲透的，一個(gè)或多個(gè)氣密密封的包 封腔125，125a和125b使用在此描述的步驟被形成在襯底110上。每
個(gè)氣密密封包封腔125包封一個(gè)或多個(gè)微器件105。在一些實(shí)施例 中，包封腔125，125a和125b在微器件105的包封之前被抽空，包封 腔125，125a和125b的氣密密封保持包封腔125，125a和125b中的穩(wěn)定 環(huán)境，這能幫助保持微器件105的正常工作。在包封腔是處在真空之 下的情形中，包封腔的氣密密封維持微器件的真空環(huán)境。在一些實(shí)施 例中，環(huán)境不是真空環(huán)境，但是是被選擇的讓器件在其中工作的氣體。
一旦單獨(dú)的包封腔被形成，任選地，在包封腔125，125a，和125 之間的襯底IIO的區(qū)域中的襯底110的下表面能夠被切割以便將包 封腔分開(kāi)為單獨(dú)的各個(gè)單元片(步驟670 )。 切割的位置可以在襯底 110的下表面上的電接觸126之間選擇并遠(yuǎn)離襯底110中的電路 127。襯底110可以被刻劃并人工地?cái)嗔选⑶衅?、割鋸或其它切割?將各個(gè)單元片彼此分開(kāi)。在一些實(shí)施例中，形成表面傾斜136和空間 138的切割也刻劃襯底IIO以用于分離。
應(yīng)當(dāng)理解，被公開(kāi)的系統(tǒng)和方法與用于將密封材料施加到具有傾 斜側(cè)的間隔壁的技術(shù)相容。密封物質(zhì)和用于間隔壁的材料可以從廣泛 的低滲透率的材料中選擇。被公開(kāi)的系統(tǒng)和方法也與包封蓋和間隔壁 的不同構(gòu)造和不同的材料選擇相容而不脫離本說(shuō)明書(shū)的精神。抗反射 涂料可以被形成在包封蓋的兩個(gè)表面上。與被公開(kāi)的系統(tǒng)和方法相容 的微器件可以包括MEMS、集成電路、空間光調(diào)制器，諸如可傾斜 微反射鏡，微傳感器，微致動(dòng)器和發(fā)光元件的陣列。此外，襯底可以 包括對(duì)提供控制微器件的電信號(hào)必需的電路。尤其，襯底可以包括互 補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。雖然描述了處于單元片級(jí)的包 封，但是在此描述的包封處理也能針對(duì)密封或封裝而用在晶片級(jí)。
權(quán)利要求
1.用于封裝微器件的方法，包括將微器件包封在襯底上的腔中，其中所述腔由間隔壁和包封蓋限定；去除包封蓋的一部分和間隔壁的多個(gè)部分以暴露間隔壁的表面；以及在間隔壁的暴露表面上形成密封材料的層以氣密密封腔中的微器件。
2. 權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔壁的暴露表面包括相對(duì)于 襯底傾斜的表面。
3. 權(quán)利要求2的方法，其中所述形成步驟包括在相對(duì)于襯底傾 斜的表面上淀積所述密封材料。
4. 權(quán)利要求1的方法，其中所述去除步驟包括切割包封蓋和間 隔壁的多個(gè)部分。
5. 權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔壁包括低出氣材料。
6. 權(quán)利要求.5的方法，其中所述間隔壁包括環(huán)氧樹(shù)脂，玻璃， 金屬或硅。
7. 權(quán)利要求1的方法，其中所述包封蓋的至少一部分是對(duì)可見(jiàn) 光，紫外光，或紅外光透明的。
8. 權(quán)利要求1的方法,其中所述包封蓋包括不透明孔徑層，該 孔徑層具有在微器件之上的開(kāi)口 。
9. 權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括 在去除步驟之前形成在包封蓋上的犧牲材料的層；以及 去除犧牲材料的層和在犧牲材料上的密封材料，其中形成密封材料的層包括在犧牲材料和間隔壁的暴露表面上形成密封材料的層以氣 密密封腔中的微器件。
10. 權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括 切割襯底的一部分；以及在襯底上將包封微器件的腔與包封相鄰的微器件的相鄰的腔分開(kāi)。
11. 權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括去除間隔壁的一部分和包 封蓋的一部分以暴露襯底上的電接觸，所述電接觸被配置成向微器件 發(fā)送電信號(hào)或從微器件接收電信號(hào)。
12，權(quán)利要求11的方法，其中所述去除步驟包括溶解間隔壁的 一部分或接合間隔壁和襯底的粘合劑。
13. 在襯底上的被包封微器件，包括 處于腔內(nèi)的在襯底上的微器件； 部分地限定所述腔的包封蓋；在襯底和包封蓋之間的間隔壁，其中所述間隔壁具有相鄰于微 器件的內(nèi)表面和相對(duì)于內(nèi)表面的外表面，其中所述外表面相對(duì)于襯底 傾斜；以及在間隔壁的外表面上的密封材料，氣密地密封所述腔。
14. 權(quán)利要求13的被包封微器件，其中所述間隔壁包括低出氣 和低滲透材料。
15. 權(quán)利要求14的被包封微器件，其中所述間隔壁包括環(huán)氧樹(shù) 脂或玻璃。
16. 權(quán)利要求13的被包封微器件，其中所述包封蓋對(duì)可見(jiàn)光、 紫外光，或紅外光是透明的。
17. 權(quán)利要求13的被包封微器件，進(jìn)一步包括在包封蓋上的不 透明孔徑層，其中所述不透明孔徑層包括在微器件之上的包封的一部 分上的開(kāi)口。
18. 權(quán)利要求13的被包封微器件，其中所述微器件包括可傾斜 反射鏡。
19. 權(quán)利要求13的被包封微器件,進(jìn)一步包括在襯底上的電接 觸，所述電接觸被配置成向微器件發(fā)送電信號(hào)或從微器件接收電信 號(hào)。
20. 權(quán)利要求19的被包封微器件，其中所述電接觸和微器件被 置于襯底的單一表面上.
21. 權(quán)利要求19的被包封微器件，其中所述電接觸被置于與微 器件被放置的襯底表面相反的村底表面上。
全文摘要
一種封裝微器件的方法，包括將微器件包封在襯底上的腔中，其中腔被間隔壁和包封蓋限定，去除包封蓋的一部分以及間隔壁的多個(gè)部分以暴露間隔壁的表面，以及在間隔壁的暴露表面上形成密封材料的層以氣密密封腔中的微器件。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101188203SQ20071017005
公開(kāi)日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2007年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者潘曉和, 維拉德·諾沃特尼 申請(qǐng)人:視頻有限公司