欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

氣密的密封產(chǎn)品和相關(guān)制造方法

文檔序號:6844229閱讀:282來源:國知局
專利名稱:氣密的密封產(chǎn)品和相關(guān)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明包括通過使用可變形材料和反應(yīng)性(reactive)多層連接材料氣密地密封封裝元件。反應(yīng)性多層連接材料可以包括反應(yīng)性多層箔和可熔材料(fusible material)。
背景技術(shù)
氣密密封用于保護(hù)許多靈敏器件,使之免于暴露到有害環(huán)境而受損傷。這種靈敏器件的例子包括光學(xué)器件、光子器件、光纖、MEMS和生物醫(yī)學(xué)器件。通常,通過將靈敏元件封閉在密閉的封裝中來實現(xiàn)密封,有效地將元件與環(huán)境隔離。
用于密封靈敏器件和元件的簡單方法存在多種。在這些方法中,使用粘接劑、環(huán)氧樹脂、和機(jī)械緊固件。但是,這些方法的每一種都存在妨礙有效密封的缺點。例如,當(dāng)暴露到熱和濕氣中時,粘接劑和環(huán)氧樹脂會老化。在另一個例子中,機(jī)械緊固件要求嚴(yán)格的加工公差并潛在地可靠性較低(即,沒有提供充分密閉的封裝)。
對于高端應(yīng)用,優(yōu)選的密封方法包括激光焊接、電子束焊接、和熱敏電阻焊接。當(dāng)仔細(xì)應(yīng)用時,這些方法可以獲得較強(qiáng)的、基本密閉的、均勻的焊接,從而非常有效地將滲漏速率限制到非常小的值。但是,這些方法也有缺陷。例如,實現(xiàn)這些方法需要嚴(yán)格的公差并且資金成本很高。其它的缺陷包括需要表面處理(例如,在實施密封處理后對封裝進(jìn)行拋光和機(jī)械加工),以及密封處理對連接的封裝材料造成熱損傷,甚至在極端情況下,導(dǎo)致封裝和設(shè)置在其中的元件兩者的損失的可能性。因此,需要用于氣密地密封靈敏元件和器件的改進(jìn)的更有效的裝置。
用于氣密地密封靈敏元件和器件的一種改進(jìn)方法是反應(yīng)性多層連接。反應(yīng)性多層連接是相對較新的連接技術(shù),其基于將反應(yīng)性多層箔夾在兩層可熔材料和兩個要連接的元件之間,然后,點燃箔。箔的點燃啟動自傳播(self-propagating)反應(yīng),其導(dǎo)致反應(yīng)性箔的溫度迅速升高。反應(yīng)釋放的熱熔化可熔材料層,并且在冷卻時,將兩個元件接合在一起。
反應(yīng)性多層連接為人們所知已經(jīng)很長時間了。這種工藝在美國專利No.5,381,944中已經(jīng)有詳細(xì)描述,該申請的全部內(nèi)容在此并入作為參考。在2000年5月2日提交的、題為“Reactive Joining Using Multilayer Materials(使用多層材料的反應(yīng)性連接)”的美國臨時專利申請No.60/201,292中公開了對于美國專利No.5,381,944中的工藝的幾個改進(jìn),該申請的全部內(nèi)容在此并入作為參考。在反應(yīng)性連接工藝中使用的反應(yīng)性多層是納米結(jié)構(gòu)材料,其一般通過汽相沉積成百上千的納米級的層來制作形成,這些納米級的層在具有較大的混合負(fù)反應(yīng)熱的諸如Ni和Al的元素之間交替。這些方法的各種實施在下列公開中披露,其全部在此并入作為參考美國專利號No.5,538,795;美國專利號No.5,547,715;在2003年9月1日出版的“Applied Physics(應(yīng)用物理)”雜志94(5)卷、題為“Deposition and Characterization of aself-Propagating CuOx/Al Thermite Reaction in Multilayer Foil Geometry(多層箔幾何學(xué)中自傳播CuOx/Al鋁熱劑反應(yīng)的沉積和表征)”的文章;2001年5月1日提交的美國專利申請No.09/846,486(美國專利申請No.20020182436);和由D.A.Glocker和S.l.Shah編輯的“Handbook of Thin Film ProcessTechnology(薄膜處理技術(shù)手冊)”的1998版本中的題為“Self-PropagatingReactions in Multilayer Materials(多層材料中的自傳播反應(yīng))”的文章。用于制作納米結(jié)構(gòu)反應(yīng)性多層的其它方法包括美國專利No.6,543,194中描述的機(jī)加工(該申請的全部內(nèi)容在此并入作為參考)和電化學(xué)沉積。
但是,用反應(yīng)性多層連接的密封封裝不能生產(chǎn)具有高端元件所需的可接受低滲漏速率的封裝。這種失敗可以追朔到兩種公知的效應(yīng)(i)由于反應(yīng)造成的反應(yīng)性箔的致密化,和(ii)從反應(yīng)溫度到室溫冷卻時箔的收縮。這兩種效應(yīng)導(dǎo)致沿箔形成裂縫,而這些裂縫隨后用軟焊料(molten solder)或銅焊(braze)填充的。結(jié)果,反應(yīng)性連接結(jié)構(gòu)由用可延展的焊料或銅焊點陣封閉的脆性材料(經(jīng)反應(yīng)的箔)構(gòu)成。盡管這種可以用光學(xué)顯微鏡確認(rèn)的結(jié)果對于形成機(jī)械強(qiáng)連接是必需的,但是由于在反應(yīng)中形成的一些裂縫并沒有完全用可熔材料填充,所以密封可能失效,或者不能實現(xiàn)目標(biāo)的滲漏速率。因此,目前反應(yīng)性連接沒有提供能夠一貫地形成高端氣密密封的適合裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例包括用于密封容器的方法。該方法包括提供所述容器的至少兩個元件;在所述至少兩個元件之間安置可壓扁材料(crushablematerial);在所述至少兩個元件之間安置反應(yīng)性多層材料;使所述可壓扁材料變形,從而在所述至少兩個元件之間形成密封;和化學(xué)轉(zhuǎn)變所述反應(yīng)性多層材料,從而連接所述至少兩個元件。
在各種實施例中,本發(fā)明可以包括以下特征中的一個或者多個在所述至少兩個元件之間安置可熔材料;所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟可以包括轉(zhuǎn)變所述可熔材料,從而連接所述至少兩個元件;所述反應(yīng)性多層材料可以包括反應(yīng)性多層箔;所述反應(yīng)性多層材料可以包括可熔材料;所述密封可以是氣密密封;所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟可以在所述至少兩個元件之間形成另一密封;所述另一密封可以是氣密密封;所述使可壓扁材料變形的步驟可以包括向所述至少兩個元件中的至少一個施加力;確定所述密封的質(zhì)量;所述確定密封的質(zhì)量的步驟可以包括確定所述密封的滲漏速率;提供所述密封的預(yù)定質(zhì)量參數(shù);所述確定密封的質(zhì)量的步驟可以包括確定所述密封的質(zhì)量是否在所述預(yù)定質(zhì)量參數(shù)內(nèi);所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟可以包括點燃所述反應(yīng)性多層材料的至少一部分;所述使可壓扁材料變形的步驟可以將所述容器內(nèi)部與外部環(huán)境密封隔開;可以基于所述密封的期望強(qiáng)度選擇所述反應(yīng)性多層材料;所述可壓扁材料可以發(fā)生永久變形;所述可壓扁材料可以發(fā)生可逆變形;所述可壓扁材料可以包括軟金屬;所述可壓扁材料可以包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個;所述可壓扁材料可以包括可壓縮聚合物;所述可壓扁材料可以包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個;所述可壓扁材料可以相對外部環(huán)境位于所述反應(yīng)性多層材料的內(nèi)側(cè);在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一凹槽;所述安置可壓扁材料的步驟可以包括將所述可壓扁材料放置在所述凹槽中;在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一突起;所述使可壓扁材料變形的步驟可以包括使所述可壓扁材料抵靠所述突起而變形;在所述至少兩個元件的另一個上設(shè)置另一突起;所述使可壓扁材料變形的步驟可以包括使所述可壓扁材料抵靠所述另一突起而變形;在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一凹槽;所述使可壓扁材料變形的步驟可以包括使所述可壓扁材料變形進(jìn)入所述凹槽;在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一角部;所述安置可壓扁材料的步驟可以包括將所述可壓扁材料放置在所述角部上;在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一角部;所述使可壓扁材料變形的步驟包括使所述可壓扁材料變形進(jìn)入所述角部;所述至少兩個元件中的一個可以是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個可以是一容器主體。
本發(fā)明的另一實施例包括一種密封產(chǎn)品。該密封產(chǎn)品包括限定出一容器的至少兩個元件;設(shè)置在所述至少兩個元件之間的可壓扁材料,該可壓扁材料處于變形狀態(tài),并且在所述至少兩個元件之間形成一密封;和設(shè)置在所述至少兩個元件之間并連接所述至少兩個元件的反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物。
在各種實施例中,本發(fā)明可以包括以下特征中的一個或多個所述反應(yīng)性多層材料可以包括反應(yīng)性多層箔;所述反應(yīng)性多層材料可以包括可熔材料;所述可熔材料可以連接所述至少兩個元件;可以在所述至少兩個元件之間設(shè)置可熔材料;所述可壓扁材料可以位于所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物的內(nèi)側(cè);所述可壓扁材料和所述化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物可以共同作用以在所述至少兩個元件之間形成一氣密密封;所述可壓扁材料可以發(fā)生永久變形;所述可壓扁材料可以發(fā)生可逆變形;所述可壓扁材料可以包括軟金屬;所述可壓扁材料可以包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個;所述可壓扁材料可以包括可壓縮聚合物;所述可壓扁材料可以包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個;所述可壓扁材料可以至少部分地設(shè)置在所述至少兩個元件之一的一凹槽中;所述可壓扁材料可以至少部分地設(shè)置在所述至少兩個元件中另一個的另一凹槽中;所述可壓扁材料可以對著所述至少兩個元件之一上的一突起設(shè)置;所述可壓扁材料可以對著所述至少兩個元件的另一個上的另一突起設(shè)置;所述可壓扁材料可以設(shè)置在所述至少兩個元件之一的一角部上;所述至少兩個元件中的一個可以是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個可以是一容器主體。
本發(fā)明的另一個實施例包括一種用于形成密封容器的成套器具。該成套器具包括在被連接時限定出所述容器的至少兩個元件;構(gòu)造成位于所述至少兩個元件之間的可壓扁材料;構(gòu)造成位于所述至少兩個元件之間的反應(yīng)性多層材料。變形狀態(tài)的所述可壓扁材料用于在所述至少兩個元件之間充分形成一密封。所述反應(yīng)性多層材料的至少一部分被化學(xué)轉(zhuǎn)變,以連接所述至少兩個元件。
在各種實施例中,本發(fā)明可以包括以下特征中的一個或多個所述反應(yīng)性多層材料可以包括反應(yīng)性多層箔;所述反應(yīng)性多層材料可以包括可熔材料;所述可熔材料可以連接所述至少兩個元件;可以在所述至少兩個元件之間設(shè)置可熔材料;所述可壓扁材料可以位于所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物的內(nèi)側(cè);所述可壓扁材料和所述化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物可以共同作用以在所述至少兩個元件之間形成一氣密密封;所述可壓扁材料可以發(fā)生永久變形;所述可壓扁材料可以發(fā)生可逆變形;所述可壓扁材料可以包括軟金屬;所述可壓扁材料可以包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個;所述可壓扁材料可以包括可壓縮聚合物;所述可壓扁材料可以包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個;所述至少兩個元件中的一個可以包括至少部分地接收所述可壓扁材料的一凹槽;所述至少兩個元件中的另一個可以包括至少部分地接收所述可壓扁材料的另一凹槽;所述至少兩個元件中的一個可以包括對著所述可壓扁材料設(shè)置的一突起;所述至少兩個元件中的另一個可以包括對著所述可壓扁材料設(shè)置的另一突起;所述至少兩個元件中的一個可以包括接收所述可壓扁材料的一角部;所述至少兩個元件中的一個可以是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個可以是一容器主體。
本發(fā)明的另一個實施例包括一種密封測試裝置。該密封測試裝置包括一腔室;一用于向設(shè)置在所述腔室中的一容器施加壓力的器械;一用于提供氣體以及從所述腔室排出氣體的端口;一用于啟動所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的觸發(fā)器;和一用于檢測來自所述容器的滲漏的滲漏檢測器。
在各種實施例中,本發(fā)明可以包括以下特征中的一個或多個所述反應(yīng)性多層材料可以是反應(yīng)性多層箔;所述器械可以是一推桿;所述腔室可以是一真空腔;所述端口可以用于在所述腔室中形成真空;所述端口可以連接至一氣源;所述端口可以連接至一真空源。
應(yīng)該理解,以上的概述和以下的詳細(xì)描述僅僅是示例性的和說明性的,而對要求保護(hù)的本發(fā)明并沒有限制作用。
結(jié)合在內(nèi)并構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的一個(多個)實施例,其與說明書一起用于闡述本發(fā)明的原理。


圖1A-1B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;
圖2A-2B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖3A-3B是根據(jù)本發(fā)明另一的實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖4A-4B是根據(jù)本發(fā)明另一的實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖4C是根據(jù)本發(fā)明另一的實施例的密封產(chǎn)品的一部分的示意圖;圖4D是根據(jù)本發(fā)明另一的實施例的密封產(chǎn)品的一部分的示意圖;圖5A-5B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖6A-6B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖7A-7B是根據(jù)本發(fā)明另一的實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖7C-7D是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封產(chǎn)品和密封產(chǎn)品的一部分的元件的不同示意圖;圖8是是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的密封測試裝置的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參照附圖中圖示的示例,詳細(xì)解釋本發(fā)明的示例性實施例。只要可能,在所有附圖中相同的附圖標(biāo)記指的是相同或相似部件。
圖1-8示出氣密的密封產(chǎn)品和相關(guān)制造方法的各種示例性實施例。氣密的密封產(chǎn)品可以包括機(jī)械密封和反應(yīng)性多層連接的明智組合。特別是,氣密的密封產(chǎn)品包括以下組合(1)“可壓扁的”或“柔軟的”材料,當(dāng)其在壓力條件下充分變形時,在器件和環(huán)境之間產(chǎn)生高質(zhì)量的密封,和(2)反應(yīng)性多層連接,在所施加的使“可壓扁的”或“柔軟的”材料變形的力(例如,壓力)撤除后,該反應(yīng)性多層連接保持密封的機(jī)械完整性。
用于制造氣密的密封產(chǎn)品的方法示例性實施例包括(a)在限定出封裝空間的兩個或多個元件之間安置一種或多種可壓扁材料,(b)在所述兩個或多個元件(例如,蓋和容器)之間安置一個或多個反應(yīng)性多層箔,(c)在組件(例如,所述兩個或多個元件中的至少一個元件)上施加壓力,以便使可壓扁材料變形,從而將封裝空間與外部環(huán)境密封隔開,和(d)點燃所述一個或多個反應(yīng)性多層箔,以形成反應(yīng)性多層連接。
可壓扁材料可以呈線、襯墊、墊片、和/或在壓力條件下可變形的任何其它合適材料的形式。變形可以是永久或可逆的,其使得當(dāng)在可壓扁材料上施加壓力時,在兩個或多個元件之間和/或在可壓扁材料上形成密封。線、襯墊、墊片、和/或任何其它合適材料的直徑范圍從1毫米到1厘米,并且/或者這些材料的長度范圍可以從幾毫米到大于一米。但是,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明白,可壓扁材料可以具有任何合適的形狀、橫截面等,并且/或者可以具有任何合適的尺寸。
有些可壓扁材料可以永久變形(即,塑性變形),同時仍然保持足夠的機(jī)械強(qiáng)度來保持密封,包括在封裝空間和外部環(huán)境之間存在壓力差時??梢杂谰米冃蔚目蓧罕獠牧系氖纠ㄜ浗饘伲玢~、金和/或鋁??梢杂谰米冃蔚目蓧罕獠牧系钠渌纠梢园ㄓ残?例如,不銹鋼)和軟外殼(例如,銅和/或鋁)。
其它可壓扁材料在加壓期間可以可逆地變形(即,一旦壓力撤除,可壓扁材料基本上恢復(fù)到其原始結(jié)構(gòu))。這種可逆的可壓扁材料包括聚合材料(例如,丁納橡膠、硅橡膠、和/或氟橡膠)??赡娴目蓧罕獠牧暇哂锌梢栽谧冃魏笤偈褂玫膬?yōu)點。
其它的可壓扁材料可以包括圍繞著彈簧狀材料(例如,不銹鋼)的、易變形材料(例如,銅和/或鋁)構(gòu)成的外殼。在此提出的一些可壓扁材料可以重復(fù)使用,而其它材料只用于單次使用。
制造氣密密封產(chǎn)品的方法可以包括一個或多個反應(yīng)性多層連接方法,在美國專利No.5,381,944,2001年5月1日提交的美國專利申請No.09/846,486(美國專利申請公報No.20020182436),和2000年5月2日提交的美國臨時專利申請No.60/201,292中公開了這種連接方法的示例,上述所有申請的全部內(nèi)容在此并入作為參考。
制造氣密密封產(chǎn)品的方法還可以包括用于在兩個或多個元件之間獲得足夠連接強(qiáng)度的一種或多種方法。由于在作用于封裝元件上的、之前用于保持可壓扁材料的變形的壓力被釋放后,需要連接能夠保持可壓扁材料的變形,所以對于密封所需的強(qiáng)度會增大。例如,連接的強(qiáng)度應(yīng)該足以經(jīng)受住對氣密密封產(chǎn)品碰撞或其它外力,而同時在壓力從封裝元件撤除后,保持可壓扁材料的變形,從而保持密封。
用于反應(yīng)性連接處理的可熔材料(例如,焊料或銅焊)可以基于一個或多個相關(guān)的因素來選擇。這些因素中的一些可以包括強(qiáng)度要求(例如,由于使用的可壓扁材料的類型)、抗熱疲勞性、抗腐蝕性、低干擾(splatter)、和/或蒸汽散發(fā)。如果密封器件通常在使用過程中經(jīng)受高溫,則優(yōu)選使用銅焊作為可熔材料。
圖1A和1B示出了氣密密封產(chǎn)品10和相關(guān)制造方法的示例性實施例。如圖1A和1B所示,線襯墊(wire gasket)11和其它可壓扁的(即,可變形)材料11可以位于封裝元件之一的一部分(例如蓋13的凹槽12)中。凹槽12可以利用任何合適的方法在封裝元件(例如,蓋13)中形成。反應(yīng)性多層箔14可以位于兩個和多個封裝元件(例如,蓋13和容器17)中的一個和多個表面15、16上以及/或者表面15、16之間。封裝元件13、17可以限定出其中可以放置器件21的封裝空間18。反應(yīng)性多層箔14也可以位于一層或多層可熔材料20之上和/或位于一層或多層可熔材料20之間??蓧罕獠牧?1則可以通過例如利用合適的方法施加壓力到封裝元件之一的任何合適部分(例如,蓋13的頂部)上,在一個封裝元件13的凹槽12和另一封裝元件17的表面16之間變形??蓧罕獠牧?1的這種變形可以從外部環(huán)境密封封裝空間18和/或器件21。然后,可以點燃反應(yīng)性多層箔14,在封裝元件之間,例如蓋13和容器17之間形成很強(qiáng)的機(jī)械連接。這種很強(qiáng)的機(jī)械連接可以通過將可熔材料20連接到封裝元件13、17或直接連接封裝元件13、17而形成。然后,可以去除所述一個或多個封裝元件上的壓力,得到密封封裝10,其被構(gòu)造用于在相當(dāng)長的時間里保持具有充分完整性的充分密閉的密封。
在各種實施例中,反應(yīng)性多層箔、連接材料、和/或其它合適的“可熔”材料可以位于反應(yīng)性多層的任意側(cè)和/或任意部分??扇鄄牧蠈涌梢允侨魏魏线m的形式,例如,獨立式的片、預(yù)沉積到封裝元件(例如,容器和/或蓋)上的層、和/或預(yù)沉積到箔表面上的層。美國專利No.5,381,944、2001年5月1日提交的美國專利申請No.09/846,486(美國專利申請公報No.20020182436)、和2000年5月2日提交的美國臨時專利申請No.60/201,292公開了這些以及其它合適的形式??扇鄄牧系氖纠ê噶香~焊。焊料和/或銅焊可以沉積在封裝元件上,可以是位于箔和/或封裝元件之間的獨立式的片,并且/或者可以沉積在箔表面上。
圖2A和2B示出氣密密封產(chǎn)品30和相關(guān)制造方法的另一示例性實施例。該實施例與圖1A和1B闡述的實施例基本相似,只是封裝元件之一(例如,容器31)的表面可以包括構(gòu)造成與設(shè)置在另一封裝元件34上的可壓扁材料33相互作用的突起32(例如,凸脊)。例如,突起32可以基本上設(shè)置成與另一封裝元件(例如,頂蓋34)上的凹槽35相對。突起32可以具有任何合適的形狀和/或尺寸,例如,如圖2A和2B所示的凸脊形狀,并可以用任何合適的方法形成于封裝元件31的表面36上。該構(gòu)造的優(yōu)點在于由于設(shè)置在封裝元件中或其上上的可壓扁材料33與突起32之間相互作用,使可壓扁材料(例如,線襯墊33)變形所需的壓力比圖1的構(gòu)造要小。
圖3A和3B示出氣密密封產(chǎn)品50和相關(guān)制造方法的又一示例性實施例。該實施例與圖1A-1B和圖2A-2B闡述的實施例基本相似,只是可壓扁材料(例如,線襯墊51)設(shè)置在封裝元件之一(例如,頂蓋53)的凹槽52中,并在變形前設(shè)置在與另一封裝元件(例如,容器55)上的相對凹槽54(例如,溝槽)大致相對。溝槽54或凹槽54可以設(shè)置在封裝元件55的表面56上,該表面56高出另一表面57,所述表面57上例如可以設(shè)置反應(yīng)性箔58。在變形過程中,可壓扁材料51在凹槽52和溝槽54之間變形。這種構(gòu)造的優(yōu)點是溝槽54或凹槽54比圖2A-2B中的突起32更容易加工,并且在處理過程中,比圖1A-1B中的光滑表面16或圖2A-2B中的突起32更不容易受損傷。使可壓扁材料51變形以形成密封所需的壓力與向圖2A-2B中的構(gòu)造施加的相似(即,低于施加給圖1A-1B的構(gòu)造中的壓力)。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識到在此闡述的任何實施例的任何特征可以顛倒、互換、和/或與在此闡述的任何其它特征組合。例如,圖4A和4B示出與圖1A和1B結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu),只是可壓扁材料71設(shè)置在容器73的凹槽72中,并且蓋的相應(yīng)表面構(gòu)成與反應(yīng)性多層相互作用。在另一示例中,圖4C示出與圖2A和2B結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu),只是可壓扁材料81設(shè)置在容器83上的凹槽82,而突起84設(shè)置在蓋85上。在又一示例中,圖4D示出與圖3A和3B結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu),只是可壓扁材料91設(shè)置在容器93上的凹槽92,而相對的溝槽94或凹槽94位于蓋95上。
圖5A和5B示出氣密的密封產(chǎn)品100和相關(guān)制造方法的又一示例性實施例。在該實施例中,可壓扁材料(即,線襯墊101)設(shè)置在封裝元件之一(例如,容器103)中經(jīng)機(jī)加工(或其它加工)的角部102中。因此,與在此闡述的其它實施例不同,需要在一個或多個封裝元件上進(jìn)行額外的機(jī)械加工(或別的加工)步驟,以便使可壓扁材料101和/或反應(yīng)性多層104實現(xiàn)滿意的配合。當(dāng)壓力施加到一個或多個封裝元件上時,可壓扁材料101在另一封裝元件的一部分(例如,蓋106上的表面105)的作用下在角部102中變形,從而密封由封裝元件(例如,蓋106和容器103)限定的封裝內(nèi)部空間107。然后,觸發(fā)和/或點燃反應(yīng)性多層104的反應(yīng)性多層箔108,以便連接封裝元件的基本相鄰部分(例如,蓋106和容器103的外唇緣),并且/或者將可熔材料109接合至封裝元件103、106。從而,實現(xiàn)密封的長期完整性。這種密封結(jié)構(gòu)和/或方法的實現(xiàn)是有利的,因為它比在圖1A-4D闡述的結(jié)構(gòu)和/或方法要求更小的密封壓力(例如,用于使可壓扁材料變形)。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點與圖1A-4D闡述的結(jié)構(gòu)和/或方法一樣,即,在可壓扁材料的變形沒有形成充分密封的情況下,在觸發(fā)(例如,點燃)反應(yīng)性多層箔之前,可以清除可變形材料,可以用其它可壓扁材料重復(fù)進(jìn)行密封工序。
圖6A和6B示出氣密的密封產(chǎn)品120和相關(guān)制造方法的又一示例性實施例。在該實施例中,兩個或多個封裝元件123、124的相對表面121、122包括構(gòu)造成與可壓扁材料127相互作用的突起125、126(例如,銳利的邊緣凸脊)。為了保持它們的銳利,在放置可壓扁材料127之前,需要對凸脊125、126進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)兩個或多個封裝元件123、124在密封之前對準(zhǔn)時,它們相應(yīng)的凸脊125、126基本上彼此相對。凸脊125、126至少相對襯墊、墊片、和/或其它合適的可壓扁材料127是硬質(zhì)材料。襯墊、墊片、或任何其它合適的更柔軟(例如,相對凸脊125、126和/或封裝元件123、124)和/或可壓扁材料127可以放在相應(yīng)的凸脊125、126之間。襯墊127和/或墊片127需要正確地安置在凸脊125、126上,以便在變形時形成有效的密封。密封可以通過在一個或多個封裝元件123、124上施加足夠的壓力來進(jìn)行,從而較硬的銳利邊緣凸脊125、126適當(dāng)?shù)厥馆^軟的可壓扁材料127變形。這種方法的潛在優(yōu)勢包括(1)與其它材料相比,簡單的襯墊和/或墊片更容易加工,(2)對表面平面度和表面光潔度(例如,封裝元件的)的要求較低,和/或(3)相對例如在此闡述的其它實施例,使可壓扁材料變形并形成合適的密封所需的壓力較小。
圖7A和7D示出氣密的密封產(chǎn)品140、160和相關(guān)制造方法的其它示例性實施例。在這些實施例中,可以不使用的柔軟襯墊、墊片、或其它分離的可壓扁材料,作為替代,可以使用封裝元件142、162之一上的銳利邊緣凸脊141、161或突起141、161,直接壓向和/或壓入另一封裝元件143、163的較軟的表面。優(yōu)選,對較軟材料或較硬材料進(jìn)行選擇,以避免電耦合(galvanic couple)。圖7A和7B示出容器142的銳利邊緣凸脊直接壓向和/或壓入較軟材料的蓋143中的實施例。圖7C和7D示出蓋162的銳利邊緣凸脊直接壓向和/或壓入較軟材料的容器163中的實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解,在封裝元件之間實現(xiàn)密封所必須的是例如僅僅每個封裝元件的一部分由較硬和/或較軟的材料制成。這些設(shè)計的一些優(yōu)點包括較低的機(jī)械加工作用力(即,更容易加工)以及不需要線、襯墊、墊片、和/或其它分離的可壓扁材料。該實施例、尤其是圖7A和7B的配置的一個另外的優(yōu)點是,如果發(fā)現(xiàn)密封不充分,可以去除和/或更換沒有特殊幾何特征的封裝元件(例如,在圖7A和7B中的蓋143,或在圖7C和7D中的容器163)。其它元件可以重復(fù)使用。另一優(yōu)點是,因為由較軟和/或可壓扁材料制成的封裝元件(例如,在圖7A和7B中的蓋143,或在圖7C和7D中的容器163)不包括特殊幾何特征,加工和/或更換這些封裝元件相對在此闡述的其它封裝元件較為便宜。
在此闡述了其示例性實施例的本發(fā)明的一個優(yōu)點在于,位于容器的封裝空間內(nèi)的靈敏元件得到密封表面和/或可壓扁材料的保護(hù),免受用于反應(yīng)性連接處理的可熔材料(例如,焊料或銅焊)的流動的影響。特別是,以前的方法沒有使用密封表面和/或可壓扁材料,熔化狀態(tài)的可熔材料有時漏進(jìn)容器的封裝空間,從而損傷裝在其中的靈敏元件。但是,在這里公開的實施例中,因為密封表面和/或可壓扁材料位于可熔材料內(nèi)側(cè),即,位于可熔材料和封裝空間之間,所以即使不是有效地消除了可熔材料流入封裝空間并損傷裝在其中的靈敏元件的可能性,也大大減小了這種可能性。熔化的可熔材料(例如,焊料或銅焊)被密封表面和/或可壓扁材料(例如,線、襯墊、墊片和其支撐、或被銳利邊緣凸脊)截留。這是相對于傳統(tǒng)反應(yīng)性連接方法的優(yōu)點。
在此闡述了其示例性實施例的本發(fā)明的另一優(yōu)點在于,在密封永久形成之前(例如,通過反應(yīng)性連接),可以確定和保證(例如,由于密封表面和/或可壓扁材料造成的)密封質(zhì)量。這是因為,在箔點燃和反應(yīng)性連接之前,通過向一個或多個元件施加壓力并使密封表面和/或可壓扁材料變形可以獲得密封。如果認(rèn)為通過施加壓力得到的密封的質(zhì)量不滿意,則可以調(diào)整封裝組件的一個或多個部分,而沒有損失位于容器內(nèi)的靈敏元件的風(fēng)險。這種調(diào)整包括更換線、襯墊、墊片、和/或其它合適的材料、拋光一個或多個封裝元件(例如,蓋和/或容器)的表面,或重新加工封裝組件的缺陷部分。這種在永久密封封裝之前確定密封質(zhì)量的能力是超過大多數(shù)通過對組件永久或不能恢復(fù)的改變實現(xiàn)密封的可替代方法的實質(zhì)優(yōu)點。所述可替代方法的示例包括激光焊接、焊接或銅焊、以及使用螺釘或機(jī)械緊固件的方法。
在本發(fā)明的各種實施例中,利用密封測試裝置可以在永久連接形成之前實現(xiàn)密封質(zhì)量確認(rèn)。這種密封測試裝置200的示例在圖8中示出。如圖8所示,裝置200包括一個或多個真空腔室201;用于相對另一封裝元件(例如,在容器204的頂部)定位封裝元件之一(例如,蓋203)及/或在封裝的一個或多個部分施加壓力的推桿202或類似機(jī)構(gòu);用于用氣體(例如,惰性氣體He或Ar)或氣體混合物(例如,含He的惰性氣體混合物)填充腔室201的一個或多個入口205;用于從腔室201排出氣體(例如,惰性氣體He或Ar)或氣體混合物(例如,含He的惰性氣體混合物)的一個或多個出口206;以及用于點燃反應(yīng)性多層208(例如,具有或不具有可熔和/或連接材料的反應(yīng)性多層箔)的裝置207。推桿202例如包括伸縮管(bellow)212,其幫助移動推桿202及/或密封推桿202和推桿202所延伸穿過的腔室201的壁之間的界面。入口和出口也可以是相同的端口(即,氣體或氣體混合物可以通過相同的入口、出口、和/或口填充到腔室中及/或從腔室排出)。用于點燃反應(yīng)性多層208的裝置207的示例包括可以提供電、熱或機(jī)械激勵的內(nèi)部器件和/或諸如激光的外部器件。在用于點燃反應(yīng)性多層的裝置是激光器的情況下,光路可以設(shè)置成穿過真空腔室201的壁。
在各種實施例中,制造氣密的密封產(chǎn)品的處理包括以下步驟中的一個或多個(1)在腔室201中定位兩個或多個封裝元件(例如,容器和蓋),(2)利用本領(lǐng)域公知的合適裝置,例如連接至出口206的真空泵,對腔室201抽真空(特別是去除空氣和濕氣),(3)利用本領(lǐng)域公知的合適裝置用氣體或氣體混合物回填腔室201(例如,用惰性氣體經(jīng)入口205填充腔室201),(4)相對另一封裝元件安置封裝元件之一(例如,將蓋203放在容器204的頂部),并至少向封裝元件之一施加壓力(例如,經(jīng)推桿202施加給蓋203),以便將內(nèi)部腔室209和/或器件210與其余的腔室201密封(例如,通過使可壓扁材料變形,將封裝元件之一的銳利邊緣凸脊置入另一封裝元件中,和/或在此闡述的實施例的任何變形),(5)利用本領(lǐng)域公知的合適裝置,例如連接至出口206的真空泵,對腔室201抽真空,(6)利用本領(lǐng)域公知的任何合適裝置和/或方法(例如,連接至出口206的滲漏檢測器211)測量/檢驗滲漏速率。如果所測量的滲漏速率滿意,則點燃箔和/或反應(yīng)性多層208,從而永久地密封封裝。如果所測量的滲漏速率不滿意,找出一個或多個缺陷并重復(fù)一個或多個工藝步驟。本發(fā)明的一個優(yōu)點是在密封過程中消除或最小化靈敏元件的損失。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到,任何實施例的任何前述的方面可以與任何其它實施例的任何方面結(jié)合。而且,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識到,不背離本發(fā)明的實際范圍,可以從任何實施例去除前述任何方面。此外,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識到,在此并入作為參考的任何參考文獻(xiàn)公開的實施例僅僅是示例性的,盡管在說明書中寫入,但在任何情況下不限制本發(fā)明。
考慮在此公開的對本發(fā)明的詳細(xì)說明和應(yīng)用,本發(fā)明的其它實施例對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是顯而易見。應(yīng)該理解,詳細(xì)說明和示例僅僅被認(rèn)為是示例性的,本發(fā)明的實際范圍和精神由所附權(quán)利要求來界定。
本申請要求享有2003年4月9日提交的美國臨時專利申請No.60/461,196的優(yōu)先權(quán),該申請題為“METHOD OF HERMETIC SEALINGAND RESULTING PRODUCTS(氣密密封方法和得到的產(chǎn)品)”,申請人是David P.VAN HEERDEN,Dale DEGER,Timothy P.WEIHS,和Omar M.KNIO,其全部在此并入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種用于密封容器的方法,其包括提供所述容器的至少兩個元件;在所述至少兩個元件之間安置可壓扁材料;在所述至少兩個元件之間安置反應(yīng)性多層材料;使所述可壓扁材料變形,從而在所述至少兩個元件之間形成密封;和化學(xué)轉(zhuǎn)變所述反應(yīng)性多層材料,從而連接所述至少兩個元件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之間安置可熔材料;其中,所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟包括轉(zhuǎn)變所述可熔材料,從而連接所述至少兩個元件。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括反應(yīng)性多層箔。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括可熔材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述密封是氣密密封。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟在所述至少兩個元件之間形成另一密封。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟使所述至少兩個元件之間的所述密封穩(wěn)定。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述另一密封是氣密密封。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述使可壓扁材料變形的步驟包括向所述至少兩個元件中的至少一個施加力。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括確定所述密封的質(zhì)量。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述確定密封的質(zhì)量的步驟包括確定所述密封的滲漏速率。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,還包括提供所述密封的預(yù)定質(zhì)量參數(shù),其中,所述確定密封的質(zhì)量的步驟包括確定所述密封的質(zhì)量是否在所述預(yù)定質(zhì)量參數(shù)內(nèi)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述化學(xué)轉(zhuǎn)變反應(yīng)性多層材料的步驟包括點燃所述反應(yīng)性多層材料的至少一部分。
14.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述使可壓扁材料變形的步驟將所述容器內(nèi)部與外部環(huán)境密封隔開。
15.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括基于所述密封的期望強(qiáng)度選擇所述反應(yīng)性多層材料。
16.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述可壓扁材料發(fā)生永久變形。
17.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述可壓扁材料發(fā)生可逆變形。
18.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述可壓扁材料包括軟金屬。
19.如權(quán)利要求18所述的方法,其中,所述軟金屬包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個。
20.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述可壓扁材料包括可壓縮聚合物。
21.如權(quán)利要求20所述的方法,其中,所述可壓縮聚合物包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個。
22.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述可壓扁材料相對外部環(huán)境位于所述反應(yīng)性多層材料的內(nèi)側(cè)。
23.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一凹槽;其中,所述安置可壓扁材料的步驟包括將所述可壓扁材料放置在所述凹槽中。
24.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一突起;其中,所述使可壓扁材料變形的步驟包括使所述可壓扁材料抵靠所述突起而變形。
25.如權(quán)利要求24所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件的另一個上設(shè)置另一突起,其中,所述使可壓扁材料變形的步驟包括使所述可壓扁材料抵靠所述另一突起而變形。
26.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一凹槽,其中,所述使可壓扁材料變形的步驟包括使所述可壓扁材料變形進(jìn)入所述凹槽。
27.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一角部,其中,所述安置可壓扁材料的步驟包括將所述可壓扁材料放置在所述角部上。
28.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,還包括在所述至少兩個元件之一上設(shè)置一角部,其中,所述使可壓扁材料變形的步驟包括使所述可壓扁材料變形進(jìn)入所述角部。
29.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述至少兩個元件中的一個是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個是一容器主體。
30.一種密封產(chǎn)品,其包括限定出一容器的至少兩個元件;設(shè)置在所述至少兩個元件之間的可壓扁材料,該可壓扁材料處于變形狀態(tài),并且在所述至少兩個元件之間形成一密封;和設(shè)置在所述至少兩個元件之間并連接所述至少兩個元件的反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物。
31.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括反應(yīng)性多層箔。
32.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括可熔材料。
33.如權(quán)利要求32所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可熔材料連接所述至少兩個元件。
34.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,還包括設(shè)置在所述至少兩個元件之間的可熔材料。
35.如權(quán)利要求34所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可熔材料連接所述至少兩個元件。
36.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料位于所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物的內(nèi)側(cè)。
37.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料和所述化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物共同作用以在所述至少兩個元件之間形成一氣密密封。
38.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料發(fā)生永久變形。
39.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料發(fā)生可逆變形。
40.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料包括軟金屬。
41.如權(quán)利要求40所述的密封產(chǎn)品,其中,所述軟金屬包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個。
42.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料包括可壓縮聚合物。
43.如權(quán)利要求42所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓縮聚合物包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個。
44.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料至少部分地設(shè)置在所述至少兩個元件之一的一凹槽中。
45.如權(quán)利要求44所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料至少部分地設(shè)置在所述至少兩個元件中另一個的另一凹槽中。
46.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料對著所述至少兩個元件之一上的一突起設(shè)置。
47.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料對著所述至少兩個元件的另一個上的另一突起設(shè)置。
48.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述可壓扁材料設(shè)置在所述至少兩個元件之一的一角部上。
49.如權(quán)利要求30所述的密封產(chǎn)品,其中,所述至少兩個元件中的一個是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個是一容器主體。
50.一種用于形成密封容器的成套器具,其包括在被連接時限定出所述容器的至少兩個元件;構(gòu)造成位于所述至少兩個元件之間的可壓扁材料;構(gòu)造成位于所述至少兩個元件之間的反應(yīng)性多層材料;其中,變形狀態(tài)的所述可壓扁材料用于在所述至少兩個元件之間充分形成一密封,其中,所述反應(yīng)性多層材料的至少一部分被化學(xué)轉(zhuǎn)變,以連接所述至少兩個元件。
51.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括反應(yīng)性多層箔。
52.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述反應(yīng)性多層材料包括可熔材料。
53.如權(quán)利要求52所述的成套器具,其中,所述可熔材料用于連接所述至少兩個元件。
54.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,還包括設(shè)置在所述至少兩個元件之間的可熔材料。
55.如權(quán)利要求54所述的成套器具,其中,所述可熔材料用于連接所述至少兩個元件。
56.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料相對外部環(huán)境位于所述反應(yīng)性多層材料的內(nèi)側(cè)。
57.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料和所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的殘留物共同作用,以在所述至少兩個元件之間形成一氣密密封。
58.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料發(fā)生永久變形。
59.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料發(fā)生可逆變形。
60.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料包括軟金屬。
61.如權(quán)利要求60所述的成套器具,其中,所述軟金屬包括銅、金、鋁、不銹鋼、Kovar合金和軟焊料中的至少一個。
62.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述可壓扁材料包括可壓縮聚合物。
63.如權(quán)利要求62所述的成套器具,其中,所述可壓縮聚合物包括丁納橡膠、硅橡膠和氟橡膠中的至少一個。
64.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的一個包括至少部分地接收所述可壓扁材料的一凹槽。
65.如權(quán)利要求64所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的另一個包括至少部分地接收所述可壓扁材料的另一凹槽。
66.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的一個包括對著所述可壓扁材料設(shè)置的一突起。
67.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的另一個包括對著所述可壓扁材料設(shè)置的另一突起。
68.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的一個包括接收所述可壓扁材料的一角部。
69.如權(quán)利要求50所述的成套器具,其中,所述至少兩個元件中的一個是一蓋,而所述至少兩個元件中的另一個是一容器主體。
70.一種密封測試裝置,其包括一腔室;一用于向設(shè)置在所述腔室中的一容器施加壓力的器械;一用于提供氣體以及從所述腔室排出氣體的端口;一用于啟動所述反應(yīng)性多層材料的化學(xué)轉(zhuǎn)變的觸發(fā)器;和一用于檢測來自所述容器的滲漏的滲漏檢測器。
71.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述反應(yīng)性多層材料是反應(yīng)性多層箔。
72.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述器械是一推桿。
73.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述腔室是一真空腔。
74.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述端口用于在所述腔室中形成真空。
75.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述端口連接至一氣源。
76.如權(quán)利要求70所述的密封測試裝置,其中,所述端口連接至一真空源。
全文摘要
本發(fā)明的實施例包括一種用于密封容器的方法。該方法包括提供容器的至少兩個元件;在所述至少兩個元件之間安置可壓扁材料;在所述至少兩個元件之間安置反應(yīng)性多層材料;使所述可壓扁材料變形,從而在所述至少兩個元件之間形成密封;和化學(xué)轉(zhuǎn)變所述反應(yīng)性多層材料,從而連接所述至少兩個元件。
文檔編號H01L23/02GK1799133SQ200480015220
公開日2006年7月5日 申請日期2004年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月9日
發(fā)明者戴維·P·范希爾登, 戴爾·德格, 蒂莫西·P·韋斯, 奧馬爾·M·尼奧 申請人:活性納米技術(shù)股份有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
阜城县| 乌海市| 高邮市| 雷山县| 鄂托克旗| 广东省| 威远县| 永福县| 肇州县| 秀山| 金阳县| 江城| 抚宁县| 恩施市| 宁陵县| 济源市| 泉州市| 西充县| 五大连池市| 永顺县| 泰州市| 云梦县| 社会| 梧州市| 广汉市| 陈巴尔虎旗| 达尔| 体育| 怀宁县| 云南省| 六枝特区| 库车县| 肃北| 泽普县| 桓仁| 贵港市| 绥化市| 奉节县| 自治县| 伊春市| 泸溪县|