專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)及其制造方法，具體地 涉及一種設(shè)置有分隔壁結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，該有機(jī) 發(fā)光顯示裝置能夠防止在驅(qū)動該裝置時出現(xiàn)漸弱(fade-out)現(xiàn)象并且能 夠提高裝置的圖像質(zhì)量。
背景技術(shù)：
通常，在OLED中，有機(jī)發(fā)光層形成在兩極之間，從而當(dāng)向正極注 入電荷時，電子和空穴相耦合以形成激子，以從其產(chǎn)生具有特定波長的 光。
下面將參照圖1描述典型的OLED，圖I是示意性地示出了典型 OLED的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
參照圖l，典型的OLED包括陽極13，其為位于玻璃基板ll上的 透明電極并用作正極，在陽極13上依次層疊有空穴注入層15、發(fā)光層 17和電子注入層19;以及位于電子注入層19上的陰極21，該陰極21用 作負(fù)極。
通過這種典型的OLED，當(dāng)向陽極13和陰極21提供驅(qū)動電壓時， 空穴注入層15中的空穴和電子注入層19中的電子分別朝向發(fā)光層17移 動，從而激勵發(fā)光層17中的熒光材料。
典型的OLED具有諸如能夠以低電壓驅(qū)動、發(fā)光效率高、視角寬、 響應(yīng)速度快等的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)OLED中所使用的有機(jī)材料的種類，可以將所使用的有機(jī)材料 分為單體(所謂的"單分子")型和高分子量(所謂的"高分子")型。
根據(jù)所使用的特定有機(jī)材料，可以將OLED分為使用單分子有機(jī)材 料的單分子型OLED、使用高分子有機(jī)材料的高分子型OLED、以及同時
使用高分子材料和單分子材料的混合型OLED。
在該方面，下面將參照圖2來描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED。圖2是 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的剖面圖。
參照圖2，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED包括位于玻璃基板51上的作為陽 極的第一電極53、以及位于第一電極53上的具有倒錐形形狀的分隔壁 55a。
此外，在倒錐形分隔壁55a的下方，在第一電極53的兩側(cè)上層疊有 有機(jī)發(fā)光層65和作為陰極的第二電極67。
下面將參照圖3A至圖3D來描述具有這種結(jié)構(gòu)的典型OLED的制造 方法。
圖3A至圖3D是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的制造過程的剖面圖。 參照圖3A，通過濺射在玻璃基板51上形成由諸如ITO (氧化銦錫)
的透明電極材料形成的透明電極層53。透明電極層53用作用于陰極的第
一電極。
在透明電極層53上層疊諸如氮化硅膜(SiNx)的有機(jī)絕緣膜55之 后，在有機(jī)絕緣膜55上涂覆正性光刻膠57,然后進(jìn)行預(yù)烘焙處理。
為了形成分隔壁，通過使用曝光掩模59的光刻處理，向正性光刻膠 57照射紫外光61以對正性光刻膠57進(jìn)行曝光，然后對曝光的正性光刻 膠57進(jìn)行顯影以形成光刻膠圖案57a，如圖3B所示。
參照圖3B，將光刻膠圖案57a用作掩模使用刻蝕劑進(jìn)行刻蝕處理， 以選擇性地去除有機(jī)絕緣膜55，從而在透明電極層53上形成分隔壁55a， 如圖3C所示。
最后，在去除殘留在分隔壁55a上的光刻膠圖案57a之后，在透明 電極層53和分隔壁55a上形成有機(jī)發(fā)光層65和由諸如鋁的導(dǎo)電材料構(gòu) 成以用作陰極的第二電極67。
這里，盡管圖中未示出，但是在有機(jī)發(fā)光層65之下和之上分別層疊 空穴注入層和電子注入層。
但是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED及其制造方法具有如下缺點(diǎn)。
盡管在圖中未示出，但是在典型OLED的制造過程中，因?yàn)椴荒苁?用光刻處理來形成有機(jī)材料圖案，所以通過使用遮擋掩模的熱淀積方法 來淀積有機(jī)材料。
但是，如果對淀積使用遮擋掩模，則在形成有機(jī)層托襯(mount)時 可能會出現(xiàn)盲區(qū)(shadow)現(xiàn)象。
因此，當(dāng)驅(qū)動該裝置時，在像素的邊緣部分出現(xiàn)有機(jī)層盲區(qū)現(xiàn)象， 從而該裝置的亮度可能劣化，此外可能出現(xiàn)漸弱，即在圖像驅(qū)動時圖像 變模糊的現(xiàn)象，如圖2中的"A"所示。
發(fā)明內(nèi)容
因此，為了克服上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示 裝置(OLED)及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠防止在驅(qū)動OLED 顯示裝置時出現(xiàn)漸弱現(xiàn)象并能夠提高OLED裝置的圖像質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本文中所具體體現(xiàn)和廣泛描述 的本發(fā)明宗旨，提供了一種OLED，該OLED包括透明基板；形成在 所述透明基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的由第一錐形結(jié)構(gòu) 和第二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的分隔壁；以及有機(jī)發(fā)光層和第二電極，它們層疊 在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上。
根據(jù)本發(fā)明的原理， 一種OLED制造方法包括以下步驟在透明基 板上形成第一電極；在所述第一電極上形成由第一錐形結(jié)構(gòu)和第二錐形 結(jié)構(gòu)構(gòu)成的分隔壁；以及在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上依 次形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
此外，根據(jù)本發(fā)明的原理， 一種OLED包括透明基板；形成在所 述透明基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的分隔壁，該分隔壁 具有包括組成比不同的絕緣材料膜的雙膜結(jié)構(gòu)；以及有機(jī)發(fā)光層和第二 電極，它們形成在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上。
此外，根據(jù)本發(fā)明的原理， 一種OLED制造方法包括以下步驟設(shè) 置透明基板；在所述透明基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成 分隔壁，該分隔壁具有包括組成比不同的絕緣材料膜的雙膜結(jié)構(gòu)；以及 在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上層疊有機(jī)發(fā)光層和第二電
極。
結(jié)合附圖，根據(jù)以下對本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的前述和其他目 的、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚。
附圖被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入且構(gòu)成 本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用 于解釋本發(fā)明原理。
在附圖中
圖1是典型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)的剖面圖。 圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的剖面圖。
圖3A至圖3D是分別示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的制造過程的剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的OLED的剖面圖。
圖5A至圖5D是分別示出根據(jù)本發(fā)明的OLED的制造過程的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)及其制 造方法，在附圖中示出了其實(shí)施例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的OLED的剖面圖。
參照圖4，根據(jù)本發(fā)明的OLED包括形成在絕緣透明基板101上 的第一電極103;形成在第一電極103上的分隔壁117，其由第一錐形結(jié) 構(gòu)105a和第二錐形結(jié)構(gòu)107a構(gòu)成；以及有機(jī)發(fā)光層119和第二電極121， 它們層疊在第一電極103的兩側(cè)上、在分隔壁117的下方。
這里，第一錐形結(jié)構(gòu)105a可以是正錐形(即，向內(nèi)逐漸變細(xì))形狀， 第二錐形結(jié)構(gòu)107a是倒錐形(即，向外逐漸變細(xì))形狀，這兩個結(jié)構(gòu)一 起構(gòu)成分隔壁117。
此外，第二錐形結(jié)構(gòu)107a可以比第一錐形結(jié)構(gòu)105a厚。
而且，盡管圖中未示出，但在有機(jī)發(fā)光層119之下和之上可以分別
形成有空穴注入層和電子注入層。
接下來，參照圖5A至圖5D對根據(jù)本發(fā)明的OLED的制造方法描述 如下。圖5A至圖5D是依次示出了根據(jù)本發(fā)明的OLED的制造過程的剖 面圖。
參照圖5A，首先，通過濺射淀積方法在透明基板101上形成由諸如
ITO的透明電極材料形成的透明電極層103。
這里，透明電極層103可以用作用于陰極的第一電極。 在透明電極層103上依次層疊第一氮化硅膜(SiNx) 105和第二氮
化硅膜(SiNx) 107。
這里，當(dāng)?shù)矸e第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107時，它們之間
的硅(Si)和氮(Nx)的組成比可以不同。
此外，除了氮化硅膜之外，還可以使用氧化硅膜或無機(jī)材料或丙稀
基有機(jī)材料來形成第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107。
在第二氮化硅膜107上涂覆正性光刻膠109，然后進(jìn)行預(yù)烘焙處理。 這里，可以使用負(fù)性光刻膠來代替正性光刻膠109。 為了形成分隔壁，通過使用曝光掩模111的光刻處理向正性光刻膠
109上照射紫外光113以對正性光刻膠109進(jìn)行曝光，然后對曝光的正性
光刻膠109進(jìn)行顯影以形成光刻膠圖案109a，如圖5B所示。
參照圖5B，以光刻膠圖案109a作為掩模來進(jìn)行干法刻蝕處理115，
以選擇性地去除其中硅(Si)和氮(Nx)之間的組成比不同的第二氮化
硅膜107和第一氮化硅膜105，從而在透明電極層103上形成由第一氮化
硅膜圖案105a和第二氮化硅膜圖案107a構(gòu)成的分隔壁117，如圖5C所示。
這里，構(gòu)成分隔壁117的上部的第二氮化硅膜圖案107a可以具有倒 錐形形狀，構(gòu)成下部的第一氮化硅膜圖案105a可以具有正錐形形狀。
其原因在于，由于第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107的硅(Si) 和氮(Nx)之間的組成比彼此不同，因此在干法刻蝕處理時第一氮化硅 膜105和第二氮化硅膜107具有不同的輪廓形狀。 此外，構(gòu)成分隔壁117的第二氮化硅膜圖案107a可以為倒錐形形狀， 從而分開要在后續(xù)處理中形成的第二電極，構(gòu)成分隔壁117的第一氮化 硅膜圖案105a可以為正錐形形狀，以將分隔壁117附近的有機(jī)材料形成 為均勻厚度。
并且，可以從第一氮化硅膜105與第二氮化硅膜107之間的界面開 始對第一氮化硅膜105和第二氮化硅膜107進(jìn)行刻蝕，以使其分別具有 正錐形形狀和倒錐形形狀，如圖5C所示。
最后，參照圖5C，在去除殘留在構(gòu)成分隔壁117的第二氮化硅膜圖 案107a上的光刻膠圖案109a之后，分別在透明電極層103和構(gòu)成分隔 壁117的第二氮化硅膜圖案107a上依次層疊有機(jī)發(fā)光層119和由諸如鋁 的導(dǎo)電材料構(gòu)成以用作陰極的第二電極121。
這里，盡管圖中未示出，但是分別在有機(jī)發(fā)光層119之下和之上層 疊空穴注入層和電子注入層。
在根據(jù)本發(fā)明的OLED及其制造方法中，為了形成OLED的分隔壁， 在以雙膜結(jié)構(gòu)形成其硅和氮含量之間的組成比不同的氮化硅膜之后，通 過利用這些膜的干法刻蝕率的差異對這些膜進(jìn)行處理以使其具有彼此不 同的錐形形狀，形成具有形狀彼此不同的雙錐形結(jié)構(gòu)的分隔壁，由此防 止了在板驅(qū)動時的漸弱現(xiàn)象，從而能夠?qū)崿F(xiàn)具有高圖像質(zhì)量的OLED。
前述實(shí)施方式和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的，不能理解為對本發(fā)明進(jìn)行限制。 本教導(dǎo)可以容易地應(yīng)用于其他類型的裝置。本說明書旨在說明而并非限 制權(quán)利要求的范圍。許多另選、變型和修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是 顯而易見的?？梢园炊喾N方式對這里描述的示例性實(shí)施方式的特征、結(jié) 構(gòu)、方法和其他特性進(jìn)行組合，以獲得附加和/或另選的示例性實(shí)施方式。 由于可以在不脫離本發(fā)明的特征的情況下以多種形式來實(shí)施本發(fā)明 的特征，因此也應(yīng)該理解，除非另有說明，否則上述實(shí)施方式不限于前 面描述的任何細(xì)節(jié)，而應(yīng)該廣泛地理解為落入如所附權(quán)利要求書限定的 本發(fā)明范圍內(nèi)，因此，所附權(quán)利要求書涵蓋落在權(quán)利要求書的范圍和邊 界或這些范圍和邊界的等同物之內(nèi)的所有修改和變型。
相關(guān)申請
本發(fā)明涉及2006年6月30日提交的在先韓國專利申請 No.10-2006-061612中包含的主題，在此通過引用特別并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括透明基板；形成在所述透明基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的分隔壁，該分隔壁由第一錐形結(jié)構(gòu)和第二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成；以及層疊在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上的有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一錐形結(jié) 構(gòu)具有正錐形形狀，所述第二錐形結(jié)構(gòu)具有倒錐形形狀。
3、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述分隔壁由氮 化硅膜構(gòu)成。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述分隔壁由氧 化硅膜、無機(jī)材料或丙稀基有機(jī)材料形成。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置還 包括分別形成在所述有機(jī)發(fā)光層之下和之上的空穴注入層和電子注入 層。
6、 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟 設(shè)置透明基板；在所述透明基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成分隔壁，所述分隔壁由第一錐形結(jié)構(gòu)和第二 錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成；以及在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上依次形成有機(jī)發(fā)光層和 第二電極。
7、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，所述第一錐形結(jié)構(gòu)具有正 錐形形狀，所述第二錐形結(jié)構(gòu)具有倒錐形形狀。
8、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，由氮化硅膜構(gòu)成所述第一 錐形結(jié)構(gòu)和所述第二錐形結(jié)構(gòu)。
9、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，由氧化硅膜、無機(jī)材料或丙稀基有機(jī)材料形成所述第一錐形結(jié)構(gòu)和所述第二錐形結(jié)構(gòu)。
10、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟 在所述有機(jī)發(fā)光層之下和之上分別形成空穴注入層和電子注入層。
11、 如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中，所述第一錐形結(jié)構(gòu)中的硅和氮之間的組成比不同于所述第二錐形結(jié)構(gòu)中的硅和氮之間的組成 比。
12、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，由ITO或透明材料形成 所述第一電極，由A1形成所述第二電極。
13、 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 透明基板；形成在所述透明基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的分隔壁，該分隔壁具有雙膜結(jié)構(gòu)，該雙膜 結(jié)構(gòu)由分別具有不同的組成比的絕緣材料膜構(gòu)成；以及形成在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上的有機(jī)發(fā)光層和第 二電極。
14、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，具有雙膜結(jié)構(gòu) 的所述分隔壁由具有正錐形形狀的第一錐形結(jié)構(gòu)和具有倒錐形形狀的第 二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
15、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述絕緣材料 膜是氧化硅膜、無機(jī)材料或丙稀基有機(jī)材料。
16、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置 還包括分別形成在所述有機(jī)發(fā)光層之下和之上的空穴注入層和電子注入 層。
17、 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟: 設(shè)置透明基板；在所述透明基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成分隔壁，該分隔壁具有雙膜結(jié)構(gòu)，該雙膜結(jié) 構(gòu)由分別具有不同的組成比的絕緣材料膜構(gòu)成；以及 在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上層疊有機(jī)發(fā)光層和第二 電極。
18、 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，由具有正錐形形狀的第一錐形結(jié)構(gòu)和具有倒錐形形狀的第二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成具有雙膜結(jié)構(gòu)的所述 分隔壁。
19、 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，由氧化硅膜、無機(jī)材料 或丙稀基有機(jī)材料形成所述絕緣材料膜。
20、 如權(quán)利要求17所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟 形成分別形成在所述有機(jī)發(fā)光層之下和之上的空穴注入層和電子注入 層。
全文摘要
本發(fā)明提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括透明基板；形成在該透明基板上的第一電極；分隔壁，該分隔壁由具有不同錐形的第一錐形結(jié)構(gòu)和第二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并形成在第一電極上；以及層疊在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上的有機(jī)發(fā)光層和第二電極。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法包括以下步驟在透明基板上形成第一電極；在第一電極上形成由第一錐形結(jié)構(gòu)和第二錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的分隔壁；以及在所述分隔壁下方的所述第一電極的兩側(cè)上依次形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
文檔編號H01L21/70GK101097946SQ200710127958
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者吳一洙, 庾弘宇, 李光淵, 金鍾成 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社