專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良，尤其是應(yīng)用在多晶粒模塊器件之封裝技術(shù) 領(lǐng)域中。
背景技術(shù)：
如圖一所示， 一般習(xí)用之半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其系將功率用晶粒與晶粒座1及數(shù)個(gè)壓焊引腳2，所封裝構(gòu)成，且該功率用晶粒的散熱方式，其系將該功率用晶粒的熱量， 透過(guò)與晶粒座1的接觸或以風(fēng)扇來(lái)進(jìn)行散熱動(dòng)作，由于該晶粒座1未與該壓悍引腳2直接聯(lián) 接，其散熱效率較差，故常遭使用者詬病及困擾;因此，如何將上述缺失加以摒除，即為本 案創(chuàng)作人所欲解決之技術(shù)困難點(diǎn)之所在。有鑒于此，本案創(chuàng)作人乃以其本身所具備之專(zhuān)業(yè)素養(yǎng)與技術(shù)理念，經(jīng)過(guò)多次之試作改良， 終使本創(chuàng)作得以誕生，其首要之目的乃在提供一種半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良， 在MCM(多晶粒模塊)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，針對(duì)以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高發(fā)熱功率器件，透過(guò)本創(chuàng) 作可以用與以往標(biāo)準(zhǔn)相同的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)，同時(shí)對(duì)使用同樣的發(fā)熱組件而言，困提高散熱效 率而使工作溫度降低，進(jìn)而提高器件的可靠性等級(jí)，且可以透過(guò)尋求晶粒座的尺寸最適化， 為更有效的利用銅資源做出貢獻(xiàn)，具有大而廣的實(shí)用效果。
具體實(shí)施方式
為使貴審査委員方便了解本創(chuàng)作之內(nèi)容，及所能達(dá)成之功效、茲配合圖式列舉一具體 實(shí)施例，詳細(xì)介紹說(shuō)明如下圖號(hào)說(shuō)明 1..晶粒座 2..壓焊引腳 3..晶粒座A 4..晶粒座B圖示說(shuō)明第一圖系一般習(xí)用之引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)示意圖。第二圖系本創(chuàng)作之引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)示意圖。第三圖系本創(chuàng)作之引線(xiàn)框架另一結(jié)構(gòu)示意圖本創(chuàng)作之半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架，其中與晶粒座聯(lián)接的金絲壓焊引腳，其聯(lián)接功率晶粒部份與無(wú)功率晶粒部份，采用了不同構(gòu)造結(jié)構(gòu)，另與晶粒座聯(lián)接之壓焊引腳寬度與其它 引腳寬度不同，且最少要有兩個(gè)以上之壓焊引腳與晶粒座直接聯(lián)接，又在該引線(xiàn)框架中包含 了多個(gè)并列的壓悍引腳，且在該壓焊引腳等間距中有跳空引腳，另該壓焊引腳部份在其被塑 封塑料覆蓋部份，且為了增強(qiáng)與塑封料的粘接強(qiáng)度，在其部份或全部增加了通孔的設(shè)計(jì); 如圖二所示，其系在引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)上，將壓焊引腳2與晶粒座1直接聯(lián)接，使晶粒熱量不僅 透過(guò)與晶粒座1的接觸及風(fēng)扇進(jìn)行散熱，且更透過(guò)與壓焊引腳2的直接接觸來(lái)進(jìn)行熱傅導(dǎo)動(dòng) 作，另將該壓焊引腳2的寬度增大，增加與晶粒座1接觸的面積，可迅速達(dá)到較佳的散熱效 果;如圖三所示，除做上述之結(jié)構(gòu)改良外，且保持與封裝尺寸的對(duì)應(yīng)閱系，依照晶粒散熱程度 的不同，將該晶粒座設(shè)計(jì)為一大、 一小共兩個(gè)晶粒座，又對(duì)于高發(fā)熱的晶粒，系采用較大之 晶粒座A3.然而對(duì)于放熱小的晶粒，采用較小的晶粒座B4，以節(jié)約材料消耗，更重要的走 可以降低成本。為使本創(chuàng)作更加顯現(xiàn)出其進(jìn)歩性與實(shí)用性，茲與習(xí)用作一比較分析如下 習(xí)用缺失1 、晶粒熱量?jī)H透過(guò)與晶粒座的接觸及風(fēng)扇進(jìn)行散熱，其散熱效果差。2 、不因晶粒放熱系數(shù)不同而設(shè)計(jì)不同大小之晶粒座，其材料成本較高。3 、不具實(shí)用性。4、 不具進(jìn)步性。5、 缺乏產(chǎn)業(yè)兢爭(zhēng)力。本創(chuàng)作優(yōu)點(diǎn)1 、通孔之設(shè)計(jì)，可增強(qiáng)壓焊引腳與塑封料的粘接強(qiáng)度。2、寬度增大之壓焊引腳與晶粒座直接聯(lián)接，具較佳之散熱效率。3 、采用不同大小之晶粒座.可降低材料成本。4 、提高散熱效率而使工作溫度降低，進(jìn)而提高器件的可靠性。5 、具實(shí)用性。6 、具進(jìn)步性。7 、具工商界及產(chǎn)業(yè)界上利用價(jià)值。綜上所述，本創(chuàng)作在突破先前之技術(shù)結(jié)構(gòu)下，確實(shí)已達(dá)到所欲增進(jìn)之功效，且也非熟悉 該項(xiàng)技藝者所易于思及，再者，本創(chuàng)作申請(qǐng)前未曾公開(kāi)，其所具之進(jìn)步性、實(shí)用性，顯己符 合新型專(zhuān)利之申請(qǐng)要件，愛(ài)依法提出新型申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良，其特征在于其系在引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)上，將壓焊引腳與晶粒座直接聯(lián)接，使晶粒熱量不僅透過(guò)與晶粒座的接觸及風(fēng)扇進(jìn)行散熱，且更透過(guò)與壓焊引腳的直接接觸來(lái)進(jìn)行熱傳導(dǎo)動(dòng)作，另將該壓焊引腳的寬度增大，增加與晶粒座接觸的面積，可迅速達(dá)到散熱效果，具有較佳的散熱性。
2、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良，其中與晶粒 座聯(lián)接的金絲壓焊引腳，其聯(lián)接功率晶粒部份與無(wú)功率晶粒部份，采用了不同構(gòu)造結(jié)構(gòu)， 另與晶粒座聯(lián)接之壓焊引腳寬度與其它引腳寬度不同，且最少要有兩個(gè)以上之壓焊引腳與 晶粒座直接聯(lián)接，又在該引線(xiàn)框架中包含了多個(gè)并列的壓焊引腳，且在該壓焊引腳等間距 中有跳空引腳，另該壓焊引腳部份在其被塑封塑料覆蓋部份，且為了增強(qiáng)與塑封料的粘接 強(qiáng)度，在其部份或全部增加了通孔的設(shè)計(jì)。
3、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之結(jié)構(gòu)改良，其系在引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，除做上述之結(jié)構(gòu)改良外，且保持與封裝尺寸的對(duì)應(yīng)關(guān)系，依照晶粒散熱程度的 不同，將該晶粒座設(shè)計(jì)為一大、 一小共兩個(gè)晶粒座，又對(duì)于放熱大的晶粒，系采用較大之 晶粒座，然而對(duì)于放熱小的晶粒，采用較小的晶粒座，以節(jié)約材料消耗，更重要的是可以 降低成本。
全文摘要
本創(chuàng)作系針對(duì)一般半導(dǎo)體晶粒封裝用引線(xiàn)框架之散熱性較差而加以突破改良，其系在該引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)上，將壓焊引腳與晶粒座直接聯(lián)接，使晶粒熱量不僅透過(guò)與晶粒座的接觸及風(fēng)扇進(jìn)行散熱，且更透過(guò)與壓焊引腳的直接接觸來(lái)進(jìn)行熱傳導(dǎo)動(dòng)作，具較佳的散熱性，另在MCM(多晶粒模塊)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，針對(duì)以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高發(fā)熱功率器件，透過(guò)本創(chuàng)作可以用與以往標(biāo)準(zhǔn)相同的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)，同時(shí)對(duì)使用同樣的發(fā)熱組件而言，因提高散熱效率而使工作溫度降低，進(jìn)而提高器件的可靠性等級(jí)，且可以透過(guò)尋求晶粒座的尺寸最適化，為更有效的利用銅資源做出貢獻(xiàn)，具有大而廣的實(shí)用效果。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101231981SQ200710077620
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2007年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月24日
發(fā)明者陳慶豐 申請(qǐng)人:貴陽(yáng)華翔半導(dǎo)體有限公司