專(zhuān)利名稱(chēng)：多晶粒模塊器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的封裝技術(shù)，尤其是應(yīng)用在多種異類(lèi)組件之封裝整合技術(shù)領(lǐng)域中。
技術(shù)背景按一般現(xiàn)在所有的封裝(Package)范疇皆可稱(chēng)為"SIP"(SINGLE IN LINE PACKAGE),即單排直插 封裝，為封裝基片由電聯(lián)接之端子dl~dm接頭齊平接線端之多個(gè)接線端;其所占用的封裝基片 之使用面積非常龐大;又， 一般絕緣基片必須利用一引線框架，來(lái)裝配到該封裝基片上，故生 產(chǎn)時(shí)所耗費(fèi)的成本較高、時(shí)間較長(zhǎng)，非常不具經(jīng)濟(jì)效益；因此如何提供一種可解決上述問(wèn)題 之多晶粒模塊器件，是為激發(fā)本案發(fā)明人之發(fā)明動(dòng)機(jī)。有鑒于此，本案發(fā)明人乃以其本身從事相關(guān)行業(yè)多年經(jīng)驗(yàn)、及不斷的思慮研究，終使本發(fā)明 得以誕生，其首要之目的乃在提供一種多晶粒模塊器件，也同時(shí)解決了原來(lái)技術(shù)的缺點(diǎn)；本 發(fā)明系對(duì)多個(gè)單元在絕緣基片上電聯(lián)接的器件，其主要結(jié)構(gòu)系為:在該多晶粒模塊中，該單元 的部分或全部的接線采用接線柱，并在該絕緣基片端部的部分表面形成導(dǎo)電層，且不需要利 用弓I線框架而可直接插入封裝基片與封裝基片的印刷電路板中并以焊錫粘接之結(jié)構(gòu)，俾使本 創(chuàng)作之成本大幅下降，且重量也相對(duì)減輕。對(duì)現(xiàn)有的封裝(Package)系以"SIP"(SINGLE IN LINEPACKAGE)為主，即單排直插封裘;本發(fā)明不僅僅為"SIP"，并利用該端部的雙面金屬可簡(jiǎn) 單的實(shí)現(xiàn)"DIP" (DOUB LE IN LINE PACKAGE)即雙排直插封裝，其可在粘接部分得到雙倍的引 腳數(shù)，故本發(fā)明即達(dá)成立體單元分布、實(shí)現(xiàn)多單元密度、減少封裝基片面積的效果；且，本 發(fā)明利用焊餳粘接至封裝基片的多重布線基片之兩面，使本發(fā)明達(dá)到縮小體積之功效；另， 本發(fā)明系為垂直裝配，其占用封裝基件之面積減少到10分之1以下，非常有利于該封裝基件 之小型化；又，如上所述，從基本結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化，俾使本發(fā)明很容易制造出多種的結(jié)構(gòu)，并可 簡(jiǎn)單快速的構(gòu)造出范圍較廣之應(yīng)用線路。
具體實(shí)施方式
為使貴審査委員方便了解本發(fā)明之內(nèi)容，及所能達(dá)成之功效、茲配合圖式列舉一具體實(shí)施 例，詳細(xì)介紹說(shuō)明如下圖號(hào)說(shuō)明1..絕緣基片2..封裝基片3..樹(shù)脂4..焊錫5..接線柱6..晶粒7..接線端8..印刷線路B、 C、 D、 E..單元a. .隔離層b. .基極C..集電區(qū)所使用的外延層d. .埋層e. .深集電極摻雜層f. .射極A..多重布線基片 (圖示說(shuō)明)第一圖之(A)系為單排直插封裝之示意圖。第一圖之(B)系為本發(fā)明之示意圖。第一圖之(A-1) 系為第一圖之(A)之縱剖平面示意圖。請(qǐng)參閱第一圖所示，其中第一圖之(A)可以稱(chēng)為"SIP" (SINGLE IN LINE PACKAGE),即單排直 插封裝，為封裝基片由電聯(lián)接之端子dl dm接頭齊平接線端之多個(gè)接線端;該第一圖之(B)可 稱(chēng)為"DIP"(DOUBLE IN LINE PACKAGE)即雙排直插封裝，為封裝基片2由電聯(lián)接之端字 el~em，其中該端子透過(guò)機(jī)械分離為梳狀，并且該端子之表面及內(nèi)部可有獨(dú)立的電聯(lián)接;將該 圖一之(A)與(B)相比，由上述知該(B)比(A)多兩倍的接線端;用在本發(fā)明中，因垂直裝配于封裝 基片上，可有效縮小該封裝基片的面積;另，將圖一之(A-1)與(B-I)相比，其中該(A-l)之單元C， 因該電聯(lián)接之端子dl dm接頭為單面構(gòu)造，故其亦為單面構(gòu)造;該(B-l)透過(guò)絕緣基片1為雙面 設(shè)計(jì)之印刷電極或采用多重印刷電路板，其中該端子el em可以從該絕緣基片1兩面引出.:， 并且(B-1)之單元C也可以在該絕緣基片1兩面構(gòu)造出來(lái)，即達(dá)成立體單元分布、實(shí)現(xiàn)多單元 密度、減少封裝基片面積的效果。請(qǐng)參閱第二圖所示，其中該凸起物為接線柱5電極單元，且dl dm系以金、銀、銅為焊錫等 單層、雙層或合金之電極。請(qǐng)參閱第三圖之(A)所示，其中B、 C、 D、 E各為封裝基片2上裝配之單元所舉的例子，請(qǐng)參 閱第三圖之(B)所示，其為第三圖之(A)之側(cè)視剖面圖，并作為本發(fā)明之應(yīng)用例，透過(guò)A圖、 B圖的E作比較，可直覺(jué)發(fā)現(xiàn)，其所占用封裝基片l之面積大幅減小。請(qǐng)參閱第四圖之(A)所示，該單元bl bm、單元dKdm為有接線柱5構(gòu)造，并裝配在絕緣基片 1的兩側(cè)，其中將該單元bl~bm、單元dl~dm之接線柱5和絕綠基片1間填充導(dǎo)熱良好的樹(shù) 脂3，俾使該單元達(dá)到散熱良好之功效;又單元cl cm為無(wú)接線柱構(gòu)造且與該單元bl bm、單 元dl~dm同樣裝配在絕緣基片1的兩側(cè)；請(qǐng)參閱第四圖之(B)所示，其中該絕緣基片1兩面分別的獨(dú)立電極利用焊錫4粘接到該封裝基 片2，當(dāng)然即使兩面電極也不必全部采用獨(dú)立電極。請(qǐng)參閱第五圖所示，在絕緣基片1的配線部分，其中該單面全部或部分做了印刷線路8,并達(dá)到了額外的散熱片作用;在實(shí)際使用中， 一般印刷線路8的厚度只有一種，且不能作特定的 散熱片，如果不是特定使用時(shí)，當(dāng)然可以毫無(wú)疑問(wèn)的適用。請(qǐng)參閱第六圖所示，其中該第六圖之(A)所示，其中a表示隔離、b為基極、c為集電區(qū)所使用 的外延層、d為埋層、e為深集電極摻雜層、f為射極。gl gm為接線柱5其中請(qǐng)參閱第六圖 之(B)所示，其系為將該第六圖之(A)晶粒6接線柱5 gl~gm利用焊餳4粘接至絕緣基片1上之 局部放大圖；又，請(qǐng)參閱第六圖之(C)所示，其系為將該第六圖之(A)所示之晶粒6，利用焊錫 4粘接至封裝基片的多重布線基片A之兩面，使本發(fā)明達(dá)到縮小體積之功效。為使本發(fā)明更加顯現(xiàn)出其進(jìn)步性與實(shí)用性，茲將其優(yōu)點(diǎn)列舉如下1 絕緣基片可不需要用到引線框架直接裝配到封裝基片上，故使成本大幅下降、且重量減輕。2 絕緣基片可垂直裝配于封裝基片上，故使該封裝基片之面積大幅減少。3 可在絕緣基片之兩面多重布線，使本發(fā)明達(dá)到縮小體積之功效。4- 透過(guò)絕綠基片內(nèi)，部份或全部覆蓋全屬層，使本發(fā)明達(dá)到簡(jiǎn)單方便且有效的散熱。5- 透過(guò)絕緣基片為雙面設(shè)計(jì)之印刷電極或采用多重印刷電路板，即達(dá)成立體單元分布。實(shí) 現(xiàn)多單元密度、減少封裝基片面積的效果。6 由于無(wú)需壓焊工程，故使本發(fā)明易于大量生產(chǎn)、生產(chǎn)周期縮短。7- 具產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。8- 具實(shí)用性。以上所述，僅系本發(fā)明之較佳實(shí)施例而已，舉凡利用本發(fā)明上述之技術(shù)及方法所做之變化， 均應(yīng)包含于發(fā)明之權(quán)利范圍。綜上所述，本發(fā)明誠(chéng)已符合發(fā)明專(zhuān)利之申請(qǐng)要件，爰依法提出申請(qǐng)，祈請(qǐng)鈞局審査委員明 鑒，并賜予本創(chuàng)作專(zhuān)利權(quán)，實(shí)感德便。
權(quán)利要求
1. 本發(fā)明系提供一種多晶粒模塊器件，其系對(duì)多個(gè)單元在絕緣基片上電聯(lián)接的器件；其特征在于其引腳采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)并構(gòu)筑在絕緣基片上的單元之全部或部份電極形成引出接線柱，且為該絕緣基片和封裝基片間的電聯(lián)接在該絕緣基片端部單面或雙面形成″接腳金屬層并結(jié)合上述該引腳對(duì)端部加工，使其可直接用于封裝基片的結(jié)構(gòu)；
2、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第l項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片層可多層化；
3、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片上的電聯(lián)接加入絕 緣層，俾可進(jìn)行多重布線；
4、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片與封裝基片之電聯(lián) 接的金屬層可以單面或雙面聯(lián)接；
5、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第4項(xiàng)所述之雙面金屬層，其通過(guò)兩絕緣，俾可作為兩引腳使用；
6、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第4項(xiàng)所述之雙面金屬層，其可以綜合單面或雙面使用；
7、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片的某一面，如用其 反面做為電氣布線使用，其導(dǎo)電金屬的厚度可以部分或全部不同；
8、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該接線柱電極的絕緣基片和單 元表面間之空間(空隙)，考慮熱傳導(dǎo)的因素，俾可進(jìn)行適當(dāng)之絕緣物填充；
9、 依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片的單面之部分或全 部可用作密度性散熱應(yīng)用；
10 、依申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片可在表面裝置組件。
全文摘要
本發(fā)明系提供一多晶粒模塊器件，其系對(duì)多個(gè)單元在絕緣基片上電聯(lián)接的器件，其主要結(jié)構(gòu)系為在該多晶粒模塊中，該單元的部分或全部的接線采用接線柱，并在該絕緣基片端部的部分表面形成導(dǎo)電層，且不需要利用插座而可直接插入封裝基片與封裝基片的印刷電路板中并以焊錫粘接之結(jié)構(gòu)。對(duì)現(xiàn)有的封裝(Package)系以″SIP″(SINGLE IN LINE PACKAGE)為主，即單排直插封裝；本發(fā)明不僅僅為″SIP″，并利用該端部的雙面金屬可簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)″DIP″(DOUBLE IN LINE PACKAGE)即雙排直插封裝之優(yōu)點(diǎn)；另外，本發(fā)明系為垂直裝配，其占用封裝基件之面積減少到10分之1以下，非常有利于該封裝基件之小型化。又，如上所述，從基本結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化，很容易制造出多種的結(jié)構(gòu)，并可簡(jiǎn)單快速的構(gòu)造出范圍較廣之應(yīng)用線路。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101232006SQ200710077619
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2007年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月24日
發(fā)明者陳慶豐 申請(qǐng)人:貴陽(yáng)華翔半導(dǎo)體有限公司