專利名稱：芯片組件和制造芯片組件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種第一芯片和第二芯片的組件。
本發(fā)明還涉及制造第一芯片和第二芯片的組件的方法，這種方法
包括以下步驟
將第一晶片附接到載體，這種第一晶片具有半導體基板，這種基 板帶有多個這種第一芯片； 將這種半導體基板變薄
將第二晶片附接到第 一晶片的變薄的半導體基板，這種第二晶片 具有半導體基板，這種基板帶有多個這種第二芯片；以及 將接觸襯墊打開以啟動至這種組件的外部連接。
背景技術：
可從US6，506，664獲知這種組件和這種方法。這種已知文獻的圖6 公開了一種特別適用于三維存儲單元的實施方式。通過一種分離層 (release layer )將具有半導體基板和在半導體基板上的主動和/或凈皮動 器件的經過完全處理的第 一晶片附接到載體，然后用常規(guī)技術將這種 第一晶片變薄，這些常規(guī)的技術如化學或機械研磨和/或拋光。之后， 利用附著層將第二晶片附接到第 一 晶片的變薄側面。選擇 一 種聚合附 著層用于這種附著層，這種聚合附著層如通過加熱軟化的BCB。然后 將第二晶片變薄，以使其厚度達到5至25微米。將這種附接和變薄工 藝重復以獲得器件層堆疊，這些器件層與附著層相互附接并經由分離 層附接到載體。將這種堆疊進一步加熱到120。C的溫度以烘烤這些附著 層并使這些附著層對抗溶劑，如丙酮。在將載體取下之后，將這種堆 疊進行烘烤以將這些附著層完全交叉聯(lián)接(cross-link)。最后形成貫 穿這種堆疊的所有層的凹槽，這種凹槽允許接近設計用在這種堆疊的 層中的所有結合襯墊。然后，這種凹槽可設有金屬噴鍍，以接觸這些 結合襯墊。
已知組件的缺陷在于穿過凹槽的觸點的提供是一種要求金屬噴 鍍的最低分辨率的工藝。而且，這種工藝要求特定設計，以將這些結合襯墊充分地布置在單層中且可將足夠的結合襯墊在單層中暴露。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一種目的在于提供一種組件，在這種組件中，組 件至如一種外部載體的耦接得到改進尤其是簡化，這樣就無需凹槽。
由于第 一芯片具有柔性并在該芯片的相對側面設有第 一樹脂層和 第二樹脂層，這就允許將第一芯片保持在壓縮狀態(tài)，第一側面接觸襯 墊和第二側面接觸襯墊分別處于第 一側面和第二側面，第 一側面接觸 襯墊耦接到第二芯片的對應的接觸襯墊，且第二側面接觸襯墊設計用 于這種組件的外部連接，所以就能夠實現目的。
在本發(fā)明中，通過在第一芯片的兩相對側面上均提供接觸襯墊來 避免凹槽的使用。這樣就可從第 一 芯片的第二側面接觸襯墊接觸這種 組件。實際上，將第一芯片的這些第二側面接觸襯墊類似于單芯片的 接觸襯墊定位，這就意味著無需對組裝工藝進行修改。
如此設計第二側面接觸襯墊以適于組件的外部連接尤其可以是適 于引線接合的設計或適于焊球的提供以直接接觸印刷電路板或替代載
體的設計。用于引線接合的設計要求這些接觸襯墊和底層結構的足夠 強度。用于提供焊球的設計要求可分離一個或多個層中的應力。此外，
第晶片的另 一種";在于其固有的柔性。這就意味著這種芯片
并不構成剛性體且能夠以垂直于其第一側面和第二側面的方向彎曲和/
或以其它方式變形。在下面也將這種芯片稱為"柔性芯片，，，這種芯
片的使用改進熱循環(huán)期間的應力松弛。倒裝芯片中的應力松弛速率取
決于組件的剛度和焊料的變形性能。出于第一芯片與第二芯片之間的 焊接節(jié)點連接的小間距和小尺寸的原因，在本組件的許多應用中，這
種焊料的變形性能會相對受限。不過，第一芯片的小的厚度及其柔性 如低彈性模量有助于低組件剛度。
為了提供固有的柔性但仍允許功能性元件在無機材料制成的芯片 中的存在，希望將第一芯片置于壓縮應變之下。由于在這些功能性元 件的兩側提供樹脂層，所以可適當地實現這種壓縮應變，這種樹脂層 如聚酰亞胺層、柔性環(huán)氧樹脂層、聚丙烯酸酯層等。這些接觸襯墊最 適當地處于這些樹脂層的頂部上，以使僅有垂直互連延伸穿過這些樹
脂層。事先未公開的申請EP 05101593.1 (PHNL050169)描述了這種芯片的一種示例，該申請通過參考結合在本發(fā)明中。當然，通過在該 樹脂層中增設添加劑以減小熱膨脹系數和/或增設添加劑以提高熱導 率，可減少第一芯片的這些樹脂層以及整個第一芯片本身的熱膨脹系
數與第二芯片的熱膨脹系數之間的合成失配(resultant mismatch)。
此外，在第一芯片與第二芯片之間適當地提供未充滿材料。不過，正 是由于第一層具有固有的柔性，所以可發(fā)生第二芯片的變形，且可將 應力分布在較大的區(qū)域并保持在可接受的限度之內。
現已注意到US6，506664和US6，027，958公開了將芯片變薄的方法， 在這些方法中，將芯片嵌入薄膜網中?？蓪蝹€的網堆疊，而將電氣 連接設在這些薄膜網之間。這可用從集成電路的互連結構獲知的薄膜 技術來進行，如用垂直互連來進行。不過，對于適合于常規(guī)組裝工藝 的組件而言，可堆疊的薄膜網太大，并因此而太昂貴。而且，這種耦 接方法并不是一種應用于產業(yè)組裝工藝中的技術。此外，雖然展示出 了內部觸點，但在頂部側面上無用于外部連接的接觸襯墊。
在第 一實施例中，這些第二側面接觸襯墊具有比第 一側面接觸襯 墊大的直徑。因此，也可有效地減少對應于第一側面接觸襯墊的在第 二芯片的接觸村墊。這有利于減小芯片的尺寸或具有足夠的輸入端/輸 出端。第二側面觸點也可適當地較大，因為第二側面觸點中的一些延 伸到第一芯片中的器件，這樣，第二側面接觸襯墊就有效地少于第一 側面接觸襯墊。此外，第一芯片的存在允許進行互連的另外重新路由。 路由是封裝中一種重要問題，以不僅修改這些接觸襯墊的尺寸，而且 修改這些接觸襯墊的位置和相互距離。因此，盡可能均勻地在第二側 面上將這些接觸襯墊分割。
在前面所提及的第 一 引線接合實施例中，第 一 芯片可具有小于第 二芯片的側向尺寸，或者可具有與第二芯片相等的側向尺寸。
在第一芯片具有與第二芯片相等的側向尺寸的情形中，可實現晶 片級組件。這可有效地降低組件成本。然后用晶片規(guī)模技術在第一芯 片和第二芯片之間適當地形成電氣連接，這種晶片規(guī)模技術如通過電 鍍或無電鍍處理生長的柱形凸塊的提供、各向異性導電粘合劑的使用 或帶有在基質中的導電微粒的其它任何技術的使用。形成一種連接的 非常適合的選擇是焊帽(solder cap)的使用。這種焊帽具有降低的高 度，并因此而具有降低的直徑，這種降低的直徑大約為1至30微米。利用電鍍、無電鍍處理(electroless process )或另 一種技術提供的金屬 噴鍍可適當地與這種焊帽相對。最適合的是一種可通過在電鍍槽中的 浸漬提供的焊帽。
在第一芯片具有小于第二芯片的側向尺寸的情形中，另外的的接 觸襯墊可處于第二芯片上并鄰近于第一芯片下面的第二芯片。這種結 構是有利的，原因有幾種首先，可在這些主動元件上面的芯片區(qū)域 中將第一芯片組裝到第二芯片。 一般來講，在此區(qū)域內的任何接觸襯 墊均靈敏，這樣就對下面的主動元件帶來損害。第一芯片尤其是具有 固有的柔性的第 一芯片允許將引線接合操作的應力進行分布，這樣就 避免了對第二芯片的這些主動元件的損害。若第二芯片的互連結構包 括所謂的低K材料，則第二芯片的脆性可得到進一步的增強。這些材 料通常是聚合物類型的材料并且有孔，且往往具有有限的粘附力并因 此而形成弱的部分，這些弱的部分可由于引線接合所導致的應力而分 層。在第一芯片的頂部提供第二芯片的另一種優(yōu)點由高度方面的差異 構成。這對于將接合線足夠地引導至任何芯片載體有重要意義，以將 每條接合線有效地分離由于這種高度方面的差異的原因，降低了來 自內結合襯墊的接合線往往接觸來自外結合襯墊的接合線并與來自外 結合襯墊的接合線形成短路的風險。另一種優(yōu)點在于，對于某些連接 如電源和接地而言，還可建立與第二芯片的最直接的連接，例如，這 種連接通過這些另外的接觸襯墊。
出于第一引線接合實施例的原因，這種組件可適當地成為還包括 芯片載體的電子器件的一部分。正如熟練的技術人員會理解的那樣， 用適當的模片附接材料將第二芯片的底側附接到芯片載體。這種芯片 載體會具有足夠的用于耦接到外部元器件的端子。例如，這種載體可 以是一種疊層、 一種帶和一種引線框。這種芯片組件與一種引線框的 結合使用是有利的；可將被動元器件和其它功能元件置于第一芯片中， 這些被動元器件和其它功能元件往往結合在疊層中，從而提高疊層的 價格。這就減小了這些被動元器件與第二芯片之間的距離，這種距離 的減小適用于許多用途。例如， 一種用途是用于RF用途如收發(fā)器、功 率放大器等的電容器與一種第二芯片的結合使用。另一種用途是提供 與數字集成電路結合的電阻器等。
在第二實施例中，第一芯片通常形成用于第二芯片的載體。第一芯片適當地具有等于或大于第二芯片的側向尺寸。但并不排除第 一芯 片具有較小側向尺寸的實施方式。若這些側向尺寸相等，則顯然是芯 片規(guī)模封裝結構。若第一芯片的側向尺寸較大，則第一芯片可以是第 二芯片的芯片載體。這樣就可用任何常規(guī)方式將第二芯片附接到第一
芯片面朝上(利用以接合線、柔性帶形式的電氣連接，如帶式自動 接合(TAB)技術或其它技術)面朝下。在這兩種情形中，可將一個 以上的芯片組裝到第一芯片。在此第二種實施方式中，第一芯片設有 固有的柔性顯然是一種優(yōu)點。最適當的是對第一芯片的樹脂進行選擇， 以使第 一 芯片的熱膨脹系數基于第二芯片與印刷電路板的熱膨脹系數 之間。
第一芯片中的器件的類型可以不同。第二芯片通常會形成集成電
路。人們通?？蓞^(qū)別出被動器件，如解耦電容器和電阻器；這些被動
器件的技術優(yōu)點在于新式集成電路非常需要這些被動器件。這樣就可
有效地減少I/O的數量，而仍可將這些器件以成本相對較低的工藝設 在低成本基板上。
第二種類由其它的主動器件形成，如存儲器件、雙極器件。將這
些器件分離的優(yōu)點在于需要用不同的技術來制造這些器件；這樣，分 離的芯片的組裝就比在一個單一工藝中集成容易。
這些器件的第三種類由外圍設備形成，如ESD防護設備、功率器
件、辨識設備。高級集成電路具有非常高的密度，以有效地實現小型 化。不過，為了使這些集成電路充分地發(fā)揮作用，需要幾種不能夠像 集成電路的晶體管那樣小型化的功能元件。因此，由于器件尺寸方面 的差異，將這些外圍設備置于分離的芯片中就更有意義。此外，將這 些外圍設備置于分離的芯片中從本質上來講就有意義，因為這些外閨 設備可起到輸入設備的作用并需要另外的技術部件，如非常好的接地、 散熱器等。
還在開始的段落中所提及的方法中實現這種目的。
適當的實施例的特征在于
第 一晶片設有第 一側面接觸襯墊和第二側面接觸襯墊，在將半導 體基板變薄之后將這些第一側面接觸襯墊暴露并在附接步驟中電氣耦 接到第二晶片中的結合襯墊，以及
將組件與載體分離以打開第二側面接觸襯墊，以啟動外部連接。在本發(fā)明的這種方法的實施例中，將第 一 晶片用作晶片級功能性 插件。第一晶片和第二晶片設在該插件，且在第一晶片和第二晶片的 相互之間有電氣連接。因此，在這種插件中無需應用在一個表面終結 的凹槽和金屬噴鍍。
此外，這種晶片級插件的使用具有這種插件可與高級類型的第二
晶片非常良好地結合的優(yōu)點。這種高級類型包括具有小于lOOnm的小 溝道長度的晶體管和在這種晶體管上的一個或多個互連層中的對應分 辨率。實際上，可從第二晶片至第一晶片將這種互連結構的一部分替 代。此外，這種高級類型的半導體器件通常包括電介質材料，這種電 介質材料具有低電介常數，尤其是小于2.5的相對電介常數。這種類型 的電介質材料可以是所知的"低K"材料或者是一種氣隙。不過，這 種電介質材料的缺點在于降低的機械穩(wěn)定性。這種降低的機械穩(wěn)定性 對組裝工藝尤其是引線接合帶來大的問題。通過將這些晶片堆疊，引 線接合不直接應用于該第二晶片，這就極大地減少了組裝問題。
在第一晶片和第二晶片的相互附接之后將這些晶片分成單個的芯 片組件。這種分割可在栽體取下之前或之后進行。此外，可在將載體 取下之前將第二晶片附接到通常用在切割工藝中的帶。
在適當的實施例中，第一晶片和第二晶片設有溝槽，用填充材料 填充這些溝槽，且在變薄步驟之后，這些溝槽從這些晶片的第一側面 向第二側面延伸，其中，通過將填充材料從這些溝槽取出并接著將組 件從載體至少局部取出來將這種組件具體處理(individualize)。該實 施例提供了晶片級分離方法。由于這是一種蝕刻工藝，所以與鋸切或 激光劃線技術所需的分離通道相比，可將這些分離通道的寬度降低。 也將第二晶片變薄是這種方法的 一種要求。
可在第一晶片附接到載體之前或將載體取下之后利用焊接提供第 二側面接觸襯墊。尤其是在若第一芯片和第二芯片的組件具有柔性時, 由于這種組件的總體厚度的原因并且在無任何剛性半導體基板的情況 下，在附接之前應用焊料是適當的。這樣，焊帽的使用或者與柱形凸 塊的結合使用就是有利的。


將參考附圖對本發(fā)明的組件的這些和其它方面進行進一步描述，這些附圖僅僅是示意圖，且在這些圖中，不同圖中的相同附圖標記表
示類似的部分，在這些圖中
圖1示出了適于用在本發(fā)明的組件中的第一芯片的截面圖，以及 圖2至圖9示出了本發(fā)明的幾個組件的截面圖。 '
具體實施例方式
圖1示出了一個實施例中的第一芯片100。器件100包括第一側面 接觸襯墊33和第二側面接觸襯墊31以及集成電路20。集成電路20處 于第一樹脂層52與第二樹脂層12之間，第一樹脂層52和第二樹脂層 12將這種電路置于壓縮應變之下，以減少裂紋的形成。導電軌道32、 34穿過樹脂層12、 52分別延伸到中間襯塊21、 22。在此示例中，導電 軌道32、 34連接到相同的中間襯塊21、 22,從而產生可從兩個側面1、 2應用的封裝。不過，這僅是一種示例，將會明白，在實踐中，將導電 軌道32、 34相互位移。導電軌道32、 34在接觸襯墊31、 33直立，這 些接觸襯墊31、 33穿過鈍化層35、 55部分地暴露("阻力限定襯墊" (resist defined pad))。通過凸塊下金屬噴鍍36、 56增強這些接觸襯墊 31、 33，且這些接觸襯墊31、 33設有凸塊37、 57,在此情形中，這些 凸塊37、 57是焊帽。鈍化層55也在第一芯片IOO的側向側面3延伸， 直到絕緣層11。利用常規(guī)的分離技術如鋸切或切割將在第一芯片100 的第二側面2的另一個樹脂層分離。
在此示例中使用 一種半導體基板10，絕緣層11埋入這種半導體基 板10中。埋入的層11通常是一種氧化物層，但可包括用于集成電路 20的改進化學防護的氮化物層，這種氮化物層設在通常外延生長的半 導體材料的表面層的內部和上面。在此情形中，基板10的半導體材料 以及這種表面層是硅，但這種表面層還可以是另一種半導體材料，如 GaAs或GaN。在這種工藝中，埋入的絕緣層11用作一種蝕刻終止層。 或者可將一種p-n結用作一種蝕刻終止層。在另一個未示出的示例中， 利用一種常規(guī)基板，這種基板上有熱氧化物，這種熱氧化物通常由硅 局部氧化(LOCOS)制成。然后用如薄膜技術在這種氧化物上限定半 導體器件。在如CMOS或BICMOS技術中，這些器件可用作這種基板 中的阱(well)。然后，在蝕刻處理期間，保持半導體基板的一些部分作 為臺式結構?；蛘撸谝恍酒?00可僅包含被動元件，如電容器、電阻器和感應器。由于無硅基板，所以就無基板的相互作用，并可制備
高Q值感應器。若希望較高的電容密度，則這些電容器可以以深槽電 容器的形式。雖然在本示例中將硅基板盡可能遠地移開，但這種要求 不必嚴格。還可使用帶有如20微米的基板的芯片，在這種基板中有孔 徑，以將結合襯墊暴露。
將厚度通常為10至20ym的聚酰亞胺用于樹脂層12、 52。在如 通過旋涂涂覆聚酰亞胺之前，已將該表面清潔，且已提供了底層，以 提高附著力。在涂覆聚酰亞胺之后，將聚酰亞胺加熱到125°C，然后加 熱到20(TC。然后涂覆光致抗蝕劑，這種光致抗蝕劑暴露給適當的輻射 源并曝光。這種曝光包括對聚酰亞胺層進行的構造，以產生將第一中 間襯塊21和第二中間襯塊22暴露的接觸窗口。在基板的邊緣區(qū)域C 也將用聚酰亞胺形成的第二樹脂層12移去，基板的邊緣區(qū)域C通常是 6〃的晶片。將在邊緣區(qū)域C內的支撐層13移去對結果有著有利的影 響。樹脂層12、 52可含有相同的材料，但也不必是這樣。這些樹脂層 還可包括補強材料，如纖維，尤其是芳族聚酸胺纖維、碳纖維或玻璃 纖維?；蛘?，這些樹脂層可包括熱導纖維，如氮化鋁、氧化鋁、氮化 硼甚至是具有氧化表面的銅微粒。
在此情形中，鈍化層35、 55是氮化硅并通過PECVD在約2S0。C: 的溫度以約0.5至1.0微米的厚度淀積。之后形成鈍化層35的圖案以 暴露接觸襯墊31。鈍化層35部分地在接觸襯墊31上延伸并起到"阻 力限定的，，阻焊層的作用。然后通過下凸塊金屬噴鍍36的淀積補強接 觸村墊31。在此示例中，下凸塊金屬噴鍍36包括鎳并以2至3微米的 厚度無電鍍淀積。這種處理的優(yōu)點在于無需將另外的掩膜用于下凸塊 金屬噴鍍36的提供?；蛘?，可將銅用于下凸塊金屬噴鍍36并通過電 鍍涂覆。在此情形中，可在一個步驟中涂覆下凸塊金屬噴鍍36和電凸 塊37。出于其厚度的原因，下凸塊金屬噴鍍36在鈍化層35的上方延 伸。
將凸塊37涂覆在下凸塊金屬噴鍍36上。在此示例中，凸塊37是 一種用Sn、 SnBi或PbSn制成的焊帽并通過浸漬到理想組分的電鍍槽 中涂覆。不過，若將下凸塊金屬噴鍍36浸漬在約250。C的溫度下的純 錫電鍍槽中，則可形成NiSn金屬間化合物。這些金屬間化合物以突出 穿過這種凸塊表面的針的形式形成。但這并不是一種有用結果。通過一種低熔化Sn合金的使用可避免這些金屬間化合物的形成。這些合金 的示例包括SnPb、 SnCu和SnBixInyZnz,其中x、 y和z中的至少一個 大于零。優(yōu)選的是采用一種無鉛焊料。有利的是，這些合金成分并不 干涉Sn與金屬噴鍍的金屬尤其是Au之間的反應。
圖2示出了電子器件150的第一實施例。在此實施例中，第一芯 片100和第二芯片200的組件與載體300結合成一種封裝。用焊球57 將第一芯片IOO和第二芯片200相互電氣耦接，這些焊球57位于第一 芯片100中的這些第一側面接觸襯墊33與對應的第二芯片200中的接 觸襯墊211之間。用第二芯片200的底側通過模片附著層220將第二芯 片200附接到載體300。適當地用未充滿材料將第一芯片IOO與第二芯 片200之間的空間填充，但在圖中未示出。第一芯片IOO中的這些第 二側面接觸襯墊31處于第二側面。引線接合110形成這些第二側面接 觸襯墊31與載體300上的導電引線之間的連接。這種載體通常是一種 本領域中熟練的技術人員公知的疊層或引線框。第二芯片200包括鄰 近于在第一芯片100下面的接觸襯墊211的另外的接觸襯墊212。在此 示例中，將這些接觸襯墊適當地設在第二芯片200的外圍，以使這些 接觸襯墊并不在第二芯片200中的任何主動元件的上面，圖2中并未 示出這些主動元件。這些另外的接觸襯墊212適當地具有較大的直徑 和經過補強的底層結構，以使這些接觸襯墊212適用于引線接合。在 這些另外的接觸襯墊212與載體300上的導電引線之間設有線210。模 320設在該載體上，以封裝第一芯片100、第二芯片200和接合線110、 210。將焊球310設在該載體的底側上，以置于外部元器件上，尤其是 印刷電路板上。
圖3示出了電子器件150的第二實施例，該實施例同樣也包括第 一芯片100、第二芯片200和外部載體300。在此實施例中，第一芯片 100和第二芯片200具有相同的側向延伸。這就在已將帶有第一芯片 100的晶片和帶有第二芯片200的晶片組裝在一起之后可進行分離的意 義上便于組裝。已利用蝕刻技術在這兩種晶片制備了分離通道。在將 這些分離通道暫時填充之后，可利用任何適當的分離技術將這些組件 單個化(singulate),適當的技術包括蝕刻和鋸切。
圖4示出了組件140的另一個實施例。在此示例中無另外的載體 出現。組件140設計用作芯片級封裝。對這些焊球130進行選擇以適于直接置于印刷電路板上。圖中示出的未充滿材料219位于第一芯片 IOO與第二芯片200之間并封裝焊球連接。正如將會理解的那樣，第一 芯片IOO和第二芯片200配合是特別適當的，因為與焊球57的數量相 比，這樣可減少焊球130的數量。因此，焊球130之間的間距可非常 大，且焊球130的高度也可非常大。通常用在這些芯片級封裝中的高 度是最佳的。
圖5示出了這種組件140的第二實施例。在此實施例中，第一芯 片IOO具有小于第二芯片200的側向延伸。焊球230設在該第二芯片的 另外的接觸襯墊212上。為了使這種組件發(fā)揮作用，這些焊球230的 高度需等于第一芯片IOO與第二芯片200之間的焊球130、第一芯片100 和焊球57的高度。因此，使用小尺寸的焊球57優(yōu)選焊帽以及非常薄 的第一芯片100是適當的。此外，可通過另外的金屬噴鍍級或較厚的 下凸塊金屬噴鍍使接觸襯墊212向上。
圖6示出了這種組件140的第三實施例，該實施例類似于圖5中的 實施例。在此實施例中，第一芯片IOO側向延伸并超過第二芯片200。 因此，第一芯片100就適于作為常規(guī)的芯片載體。封裝129確保將組
件密封以防水汽和防塵。
圖7示出了這種組件140的第四實施例，該實施例是第三實施例 的延伸。在此情形中，第一芯片IOO起到用于第二芯片200的另一種 芯片250的載體的作用，用焊球257將該另一種芯片250耦接到該第一 芯片。在此實施例中，將這些焊球57、 257設在第一芯片100上是適 當的，但并不是必需的。
圖8示出了這種組件140的第五實施例，在此實施例中，用^f莫片 附件122將第二芯片200附接到第一芯片100。然后將第一芯片100彎 曲，這樣就在第二芯片200的相對側面構成到這些焊球57的互連。用 任何封裝材料將第一芯片IOO與第二芯片200之間的任何空間填充。 現已觀察到這種組件概念150也可有其它變體，尤其是在希望第二芯 片200包括與印刷電路板成大于O。的角的用途中。因此，在將第一芯 片IOO彎曲之前將第二芯片200組裝到第一芯片100。在另一個步驟中， 以所希望的角度將該第一芯片彎曲，以重新定向第二芯片200。最后提 供鞏固第二芯片200的重新定向的模塑材料。因此，用于外部連接的 接觸襯墊處于并未彎曲的區(qū)域內，但這并不是必需的。圖9公開了這種組件140的第六實施例。在此實施例中，第一芯 片與第二芯片200之間的電氣連接由引線接合121構成。這種組件140 的優(yōu)點在于這種組件非常類似于常規(guī)的球門陣列封裝，而仍包括第一 芯片IOO和第二芯片200。
簡而言之， 一種第一芯片IOO和第二芯片200的組件，這種組件 的第一芯片IOO具有柔性并在芯片IOO的相對側面I, 2上設有第一樹 脂層12和第二樹脂層52，這種組件允許將第一芯片保持在壓縮狀態(tài)， 第一側面接觸襯墊33和第二側面接觸襯墊31分別處于第一側面1和 第二側面2上，這些第一側面接觸襯墊33耦接到對應的第二芯片200 的接觸襯墊211,且這些第二側面接觸村墊31設計用于這種組件的外 部連接。
權利要求
1. 一種第一芯片和第二芯片的組件，所述第一芯片具有柔性并在所述芯片的相對側面上設有第一樹脂層和第二樹脂層，以允許將所述第一芯片保持在壓縮狀態(tài)，第一側面接觸襯墊和第二側面接觸襯墊分別處于所述第一側面和第二側面上，所述第一側面接觸襯墊耦接到對應的所述第二芯片的接觸襯墊，且所述第二側面接觸襯墊設計用于所述組件的外部連接。
2. 如權利要求l所述的組件，其特征在于所述第一側面接觸襯 墊具有大于所述第二側面接觸襯墊的直徑。
3. 如權利要求1或2所述的組件，其特征在于所述第一側面接 觸襯墊和第二側面接觸襯墊分別處于所述第一樹脂層和第二樹脂層 上，所述接觸襯墊電氣耦接到所述芯片中的電氣元件，且垂直互連穿 過所述樹脂層。
4. 如權利要求l所述的組件，其特征在于所述第一側面接觸襯 墊和所述對應的所述第二芯片的接觸襯墊相互朝向彼此。
5. 如權利要求1或4中的任一項所述的組件，其特征在于所述 第二芯片側向延伸超過所述第 一 芯片。
6. 如權利要求5所述的組件，其特征在于所述第二芯片具有鄰 近于耦接到所述第一芯片的所述第一側面接觸襯墊的另外的接觸襯 墊，這些另外的接觸襯墊設計用于所述組件的外部連接。
7. 如權利要求1或4中的任一項所述的組件，其特征在于所述 第 一芯片和所述第二芯片具有相同的側向尺寸。
8. —種電氣器件，所述電氣器件包括如權利要求5、 6或7所述 的組件以及載體，所述第二芯片在底側上附接到所述載體，所述底側 背向所述第一芯片，所述載體設有終端，在所述第二芯片的另外的接 觸襯墊存在時，用柔性連接尤其是引線接合將所述第一芯片的第二側 面接觸襯墊和所述第二芯片的另外的接觸襯墊耦接到這些終端。
9. 如權利要求l、 2或3所述的組件，其特征在于所述第一芯 片起到用于所述第二芯片的載體的作用。
10. 如權利要求1或2所述的組件，其特征在于相對于所述策 一側面接觸襯墊對所述第二側面接觸襯墊重新進行路由。
11. 如權利要求1所述的組件，其特征在于所述第一芯片包括用于防護所述第二芯片不受靜電放電影響的防護電路。
12. 如權利要求1所述的組件，其特征在于所述第一芯片包括 被動元器件網。
13. —種制造第一芯片和第二芯片的組件的方法，所述方法包括以 下步驟將第一晶片附接到載體，所述第一晶片具有半導體基板，所述半 導體基板帶有多個所述第 一芯片； 將所述半導體基板變薄將第二晶片附接到所述第一晶片的所述變薄的半導體基板，所述第二晶片具有半導體基板，所述半導體基板帶有多個所述第二芯片； 以及將接觸襯墊打開以啟動至所述組件的外部連接，其特征在于 所述第 一 晶片設有第 一側面接觸村墊和第二側面觸點，在所述半導體基板變薄之后將所述第一側面觸點暴露并在所述附接步驟中電氣耦接到所述第二晶片中的結合襯墊，以及將所述組件與所述載體分離以打開所述頂側接觸襯墊，以啟動外部連接。
14. 如權利要求14所述的方法，其特征在于所述第一晶片和第 二晶片設有溝槽，用填充材料填充所述這些溝槽，且在所述變薄步驟 之后，所述這些溝槽從所述這些晶片的所述第 一側面向所述第二側面 延伸，其中，通過將所述填充材料從所述這些溝槽取出并接著將所述 組件從所述載體至少局部取出以將所述組件具體處理。
全文摘要
一種第一芯片(100)和第二芯片(200)的組件，這種組件的第一芯片(100)具有柔性并在芯片(100)的相對側面(1、2)上設有第一樹脂層(12)和第二樹脂層(52)，這種組件允許將第一芯片保持在壓縮狀態(tài)，第一側面接觸襯墊(33)和第二側面接觸襯墊(31)分別處于第一側面(1)和第二側面(2)上，這些第一側面接觸襯墊(33)耦接到對應的第二芯片(200)的接觸襯墊(211)，且這些第二側面接觸襯墊(31)設計用于這種組件的外部連接。
文檔編號H01L25/065GK101305464SQ200680041943
公開日2008年11月12日 申請日期2006年11月7日 優(yōu)先權日2005年11月11日
發(fā)明者C·C·塔克, N·J·A·范維恩, R·德克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司