專利名稱：：金屬絡(luò)合物、發(fā)光材料及發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及金屬絡(luò)合物及含有金屬絡(luò)合物的發(fā)光材料以及發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
：電致發(fā)光元件的發(fā)光層中所用的發(fā)光材料中，顯示來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物或含有它的發(fā)光材料與現(xiàn)在主要使用的使用來自單重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的熒光材料相比，可以期待更高的發(fā)光效率。其理由是，在理論上，由載流子的復(fù)合生成的激子的25%是單重態(tài)激發(fā)態(tài)，剩余的75。^是三重態(tài)激發(fā)態(tài)。g卩，在使用來自單重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光(熒光)的情況下，在原理上，25%是上限，而如果使用來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光(磷光)，則在原理上可以期待3倍的發(fā)光效率。另外，根據(jù)能量的相對關(guān)系，如果可以有效地引起從25%的單重態(tài)激發(fā)態(tài)到三重態(tài)激發(fā)態(tài)的系間交叉，則在原理上可以期待4倍的效率。一般來說，伴隨著從三重態(tài)激發(fā)態(tài)向單重態(tài)基態(tài)的躍遷的來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光(磷光發(fā)光)由于伴隨著自旋反轉(zhuǎn)，因此是禁阻躍遷。但是，迄今己知，在含有重原子金屬的金屬絡(luò)合物中，存在通過將該禁阻利用重原子效應(yīng)解除而發(fā)光的化合物。例如，作為顯示來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物，巳知以銥為中心金屬的原金屬化絡(luò)合物(Ir(ppy)3):Tris一Ortho—MetalatedComplexofIridium(III)with2—Phenylpyridine)顯示高效率的綠色發(fā)光，對于將該金屬絡(luò)合物與低分子系主體材料組合并多層化了的電致發(fā)光元件也有過報告(非專利文獻(xiàn)l)。非專利文獻(xiàn)1:APPL正DPHYSICSLETTERS、Vol.75、No.l、p4(1999)但是，銥是產(chǎn)量及儲量有限的金屬。所以，很難大量并且廉價地生產(chǎn)使用它的發(fā)光元件，因而希望有使用了產(chǎn)量及儲量更多、更為廉價的金屬的、在發(fā)光效率、穩(wěn)定性、色純度等方面優(yōu)良的磷光發(fā)光性金屬絡(luò)合物。
發(fā)明內(nèi)容所以，本發(fā)明的目的在于，提供在中心金屬中使用了與銥相比產(chǎn)量及儲量更多的金屬的、在發(fā)光效率、穩(wěn)定性、色純度等方面優(yōu)良的新型發(fā)光金屬絡(luò)合物，并提供使用了它的光電元件。艮口，本發(fā)明提供一種金屬絡(luò)合物，是中心金屬M(fèi)為選自由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg構(gòu)成的組中的一種的金屬絡(luò)合物，其特征是，不含有鹵素單齒配位體，在利用計算科學(xué)方法得到的最高占有分子軌道(HOMO)中，中心金屬的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部原子軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例在1/3以上，另外利用計算科學(xué)方法得到的最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低三重態(tài)激發(fā)能量(Tl)的能量差(S1—T1)在0.1(eV)以上1.0(eV)以下，最低單重態(tài)激發(fā)中的振子強(qiáng)度(f)在0.005以上1.0以下。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物是在中心金屬中使用了與銥相比產(chǎn)量及儲量更多的金屬的絡(luò)合物，在發(fā)光效率、穩(wěn)定性、色純度等方面優(yōu)良。所以，通過將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物用于電致發(fā)光元件等光電元件中，就可以提供特性更為優(yōu)良的元件。圖1是表示依照本發(fā)明的實(shí)施例13及比較例1的量子效率與d軌道的比例的相互關(guān)系的圖。這里，相對量子效率表示將比較例1的量子效率設(shè)為1后的各自的相對值。具體實(shí)施例方式下面將對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，利用計算科學(xué)方法算出的最高占有分子軌道(HOMO)中，中心金屬的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部原子軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例與發(fā)光效率強(qiáng)烈相關(guān)，從而形成了本發(fā)明。即發(fā)現(xiàn)以該比例在1/3以上為特征的金屬絡(luò)合物，可以在發(fā)光效率，穩(wěn)定性方面獲得優(yōu)良的特性。利用計算科學(xué)方法算出的最高占有分子軌道(HOMO)中，中心金屬的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部軌道的軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例雖然如上所述優(yōu)選在1/3以上，然而優(yōu)選在1/3以上2/3以下，更優(yōu)選在7/20以上2/3以下，進(jìn)一步優(yōu)選在2/5以上2/3以下，特別優(yōu)選在1/2以上2/3以下。作為中心金屬，可以舉出從由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg構(gòu)成的組中選出的一種，然而從獲得高效率的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Pt及Au，更優(yōu)選Ru、Rh、Pd、W、Re、Pt及Au，進(jìn)一步優(yōu)選Re及Pt，最優(yōu)選Pt。作為為了算出上述的比例而使用的計算科學(xué)方法，已知有基于半經(jīng)驗(yàn)性方法及非經(jīng)驗(yàn)性方法的分子軌道法或密度泛函數(shù)法等。例如，為了結(jié)構(gòu)最佳化或求得激發(fā)能量，也可以使用Hartree—Fock(HF)法或密度泛函數(shù)法。本發(fā)明中，使用量子化學(xué)計算程序Gaussian03，利用B3LYP水平的密度泛函數(shù)法，將金屬絡(luò)合物的基態(tài)進(jìn)行結(jié)構(gòu)最佳化，實(shí)施各軌道的布居(population)分析，求出HOMO中中心金屬的最外層d軌道所占的比例。此時，作為基函數(shù)，對于中心金屬使用LANL2DZ來實(shí)施，對于除它以外的原子，使用6—310*來實(shí)施。金屬絡(luò)合物的布居分析如下所示地進(jìn)行。即，上述的金屬絡(luò)合物的HOMO中金屬原子M的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部原子軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例PdHQMQ(%)是依照下述式子Pd畫。(％)=2id(Cid脂0)2/2n(CnH0M0)2X100(%)算出的。式中，id及n分別表示利用上述計算方法及基函數(shù)考慮的d軌道的數(shù)及全部原子軌道的數(shù)。Q/，g及CnHO目分別表示HOMO的以id軌道及n表示的原子軌道系數(shù)。關(guān)于金屬絡(luò)合物的布居分析，例如在JOURNALOFPHYSICALCHEMISTRYA2002、VoU06、p1634中有記載。另外，對于最低激發(fā)單重態(tài)能量、最低激發(fā)三重態(tài)能量及振子強(qiáng)度，在結(jié)構(gòu)最佳化后，使用與上述相同的基底，使用B3LYP水平的時間倚賴密度泛函數(shù)法來實(shí)施。使用了來自金屬絡(luò)合物的發(fā)光的電致發(fā)光元件的發(fā)光的劣化的原因尚不清楚。一般來說，由于伴隨著從三重態(tài)激發(fā)態(tài)向單重態(tài)基態(tài)的躍遷的來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光(磷光發(fā)光)是禁阻躍遷，因此三重態(tài)激發(fā)態(tài)的壽命與通常的單重態(tài)的壽命相比，一般來說長一個數(shù)量級以上。所以，屬于在能量上很高的不穩(wěn)定的狀態(tài)的激發(fā)態(tài)將會存在更長的時間。此外，還可以認(rèn)為，經(jīng)由與存在于附近的化合物的反應(yīng)的失活過程，或者因存在多個三重態(tài)激發(fā)態(tài)的金屬絡(luò)合物，達(dá)到飽和的狀態(tài)，而容易產(chǎn)生作為所謂的三重態(tài)一三重態(tài)猝滅而已知的現(xiàn)象，對于磷光發(fā)光的效率也會造成影響。艮P，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高效率發(fā)光，優(yōu)選使用容易解除禁阻躍遷的三重態(tài)激發(fā)態(tài)的壽命短的金屬絡(luò)合物，可以用上述的HOMO中的中心金屬的最外層d軌道的比例來說明發(fā)光效率的高低。另外，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，從效率的觀點(diǎn)考慮，在最低非占分子軌道(LUMO)中，最好主要是配位體的非占有n*軌道的貢獻(xiàn)。另外，從最大限度利用磷光發(fā)光的觀點(diǎn)考慮，最低單重態(tài)激發(fā)中的振子強(qiáng)度(f)需要具有零以外的值，然而一般來說下限優(yōu)選至少在0.005以上，更優(yōu)選在0.01以上，進(jìn)一步優(yōu)選在0.025以上，特別優(yōu)選在0.035以上。從金屬絡(luò)合物的一般的性質(zhì)考慮，f的上限在1.0以下，然而優(yōu)選在0.5以下，更優(yōu)選在0.3以下，特別優(yōu)選在0.25以下。另外，由于最好很容易引起從單重態(tài)激發(fā)態(tài)向三重態(tài)激發(fā)態(tài)的躍遷(系間交叉)，g卩，最低三重態(tài)激發(fā)能量(Tl)的能量差(S1-T1)越小越好，因此其上限一般來說在l.O(eV)以下，優(yōu)選在0.8(eV)以下。(S1—Tl)的下限一般來說在O.l(eV)以上，優(yōu)選在0.12(eV)以上，更優(yōu)選在0.15(eV)以上。在f與(Sl—Tl)中優(yōu)選有恰當(dāng)?shù)木?，通常?yōu)選處于由f^0.24X(Sl一T1)+0.06和f^0.24X(Sl—Tl)一0.06規(guī)定的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于由fS0.24X(S1—T1)+0.05和闊,24X(S1—T1)一0.05規(guī)定的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選處于由f^0.24X(S1—T1)+0.04和f^0,24X(Sl—Tl)一0.04規(guī)定的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選處于由f^0.24X(Sl—Tl)+0.03和m0.24X(Sl一T1)一0.03規(guī)定的范圍內(nèi)。該均衡的更為優(yōu)選的狀態(tài)因(S1—T1)的范圍而略有不同。如果是(S1—T1)大于0.28(eV)的范圍，則除了上述以外，還優(yōu)選f在0.035以上，更優(yōu)選在0.07以上0.3以下，進(jìn)一步優(yōu)選在0.09以上0.3以下，特別優(yōu)選在O.l以上0.25以下。另夕卜，此時(S1—Tl)優(yōu)選在0.8(eV)以下，更優(yōu)選在0.6(eV)以下，特別優(yōu)選在0.5(eV)以下。另一方面，在(S1—Tl)是O.l(eV)以上0.28(eV)以下的范圍時，則除了上述以外，還優(yōu)選f在0.015以上，更優(yōu)選在0.025以上，進(jìn)一步優(yōu)選在0.025以上0.05以下。另外，此時(S1—T1)優(yōu)選在0.12(eV)以上0.28(eV)以下，更優(yōu)選在0.15(eV)以上0.28(eV)以下，進(jìn)一步優(yōu)選在0，15(eV)以上0.26(eV)以下。在金屬絡(luò)合物中，存在離子性的絡(luò)合物和非離子性的絡(luò)合物。在用于有機(jī)EL元件等中的情況下，對于離子性絡(luò)合物，根據(jù)情況，為了將體系整體設(shè)為中性，需要平衡離子，從而有容易產(chǎn)生由平衡離子與金屬絡(luò)合物的相互作用造成的穩(wěn)定性的降低、發(fā)光波長的變化、色純度的降低等問題的傾向。由此，金屬絡(luò)合物優(yōu)選為非離子性(中性)。下面，對本發(fā)明的金屬絡(luò)合物所具有的配位體進(jìn)行說明。配位體對于金屬絡(luò)合物的發(fā)光顏色或發(fā)光強(qiáng)度等造成影響。例如，在像(1，IO—菲咯啉)Re(CO)3(Cl)絡(luò)合物那樣，含有很多羰基(CO)或鹵素基(Cl)那樣的單齒配位體的金屬絡(luò)合物的情況下，可以認(rèn)為有可能因單齒配位體所引起的能量失活過程或穩(wěn)定性而使發(fā)光效率降低及穩(wěn)定性降低。另外，從發(fā)光效率及穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選將中心金屬利用配位體遮蔽，因而優(yōu)選不含有無法帶有取代基的^素單齒配位體。所以，為了防止上述發(fā)光效率及穩(wěn)定性的降低，優(yōu)選減少單齒配位體的數(shù)目，優(yōu)選具有至少一個以上的含有一個以上芳香環(huán)的多齒螯合配位體的金屬絡(luò)合物。在這里，多齒螯合配位體既可以是2齒配位體，也可以是3齒配位體，還可以是4齒以上的配位體。在本發(fā)明的金屬絡(luò)合物具有單齒配位體的情況下，作為該單齒配位體，可以舉出炔基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、酰基、鏈烯基、烷基、烷氧基、烷硫基、芳硫基、烯醇基、酰胺基、垸基、芳基、雜環(huán)配位體、羧基、酰胺基、酰亞胺基、垸氧基、烷基巰基、羰基配位體、烯配位體、炔配位體、胺配位體、亞胺配位體、腈配位體、異腈配位體、膦配位體、膦化氧配位體、磷酸酯配位體、醚配位體、砜配位體、亞砜配位體或硫化物配位體等例子。任何的配位體中都可以取代有氟或氯等鹵原子。作為單齒配位體，優(yōu)選具有芳香環(huán)，更優(yōu)選芳香環(huán)中的配位原子為碳或氮，或者芳香環(huán)為稠環(huán)。作為烷基，可以例示出甲基、乙基、丙基、丁基、環(huán)己基等，作為芳基可以例示出苯基、甲苯基、l一萘基、2—萘基等，作為雜環(huán)配位體，既可以是0價也可以是1價，作為0價的例如可以例示出2，2'—聯(lián)吡啶、1，IO—菲咯啉、2—(4一噻吩一2—基)吡啶、2—(苯并噻吩一2—基)吡啶等，作為l價的例如可以例示出苯基吡啶、2—(對苯基苯基)吡啶、7一溴苯并[h]喹啉、2—(4一苯基噻吩一2—基)吡啶、2—苯基苯并噁唑、2—(對苯基苯基)苯并噁唑、2—苯基苯并噻唑、2—(對苯基苯基)苯并噻唑等。作為羧基沒有特別限定，然而例如可以舉出乙酸基、環(huán)烷酸基或2—乙基己酸酯基等。作為酰胺基沒有特別限定，然而例如可以舉出二甲基酰胺基、二乙基酰胺基、二異丙基酰胺基、二辛基酰胺基、二癸基酰胺基、雙十二烷基酰胺基、雙(三甲基甲硅烷基)酰胺基、二苯基酰胺基、N—甲基酰苯胺或酰苯胺基等。作為酰亞胺基沒有特別限定，然而例如可以舉出二苯甲酮酰亞胺基等。作為烷氧基沒有特別限定，然而例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或苯氧基等。作為烷基巰基沒有特別限定，然而例如可以舉出甲基巰基、乙基巰基、丙基巰基、丁基巰基或苯基巰基等。作為羰基配位體，可以例示出一氧化碳或丙酮、二苯甲酮等酮類；乙酰丙酮、苊并醌等二酮類；乙?；宜狨ァ⒍讲⒓谆?、噻吩甲酰三氟丙酮酸酯等丙酮酸酯配位體等。作為烯配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出乙烯、丙烯、丁烯、己烯或癸烯等。作為炔配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出乙炔、苯乙炔或二苯基乙炔等。作為胺配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出三乙胺或三丁胺等。作為亞胺配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出二苯甲酮亞胺或甲乙酮亞胺等。作為腈配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出乙腈或苯腈等。作為異腈配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出叔丁基異腈或苯基異腈等。作為膦配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出三苯基膦、三甲苯基膦、三環(huán)己基膦或三丁基膦等。作為膦化氧配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出三丁基膦化氧或三苯基膦化氧等。作為磷酸酯配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出三苯基磷酸酯、三甲苯基磷酸酯、三丁基磷酸酯或三乙基磷酸酯等。作為醚配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出二甲醚、二乙醚或四氫呋喃等。作為砜配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出二甲基砜或二丁基砜等。作為亞砜配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出二甲亞砜或二丁亞砜等。作為硫化物配位體沒有特別限定，然而例如可以舉出乙硫醚或丁硫醚等。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物優(yōu)選具有至少一個以上含有一個以上芳香環(huán)的多齒螯合配位體。這里，作為芳香環(huán)可以舉出苯環(huán)、萘環(huán)等芳香族烴環(huán)、吡啶等芳香族雜環(huán)。在本發(fā)明的金屬絡(luò)合物具有多齒螯合配位體的情況下，作為該多齒螯合配位體，優(yōu)選含有芳香環(huán)。該芳香環(huán)也可以帶有取代基，作為該取代基，可以舉出鹵原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基垸基、芳基烷基氧基、芳基垸基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、l價的雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基、氰基等。在芳香環(huán)上存在多個取代基的情況下，它們既可以相同，也可以不同。這里，作為鹵原子，可以例示出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為烷基，無論是直鏈、支鏈或環(huán)狀的哪種都可以。碳數(shù)通常為lIO左右，優(yōu)選的碳數(shù)為310。具體來說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2一乙基己基、壬基、癸基、3，7—二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，優(yōu)選戊基、己基、辛基、2—乙基己基、癸基、3，7—二甲基辛基。垸氧基無論是直鏈、支鏈或環(huán)狀的哪種都可以。碳數(shù)通常為110左右，優(yōu)選的碳數(shù)為310。具體來說，可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2—甲氧基乙基氧基等，優(yōu)選戊氧基、己氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基。烷硫基無論是直鏈、支鏈或環(huán)狀的哪種都可以。碳數(shù)通常為110左右，優(yōu)選的碳數(shù)為310。具體來說，可以舉出甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛硫基、2—乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7—二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，優(yōu)選戊硫基、己硫基、辛硫基、2—乙基己硫基、癸硫基、3，7—二甲基辛硫基。芳基的碳數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體來說，可以例示出苯基、C,C,2垸氧基苯基(C,d2表示碳數(shù)為112。以下相同。)、dC^烷基苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、五氟苯基等，優(yōu)選C,d2烷氧基苯基、dCi2烷基苯基。這里，所謂芳基是從芳香族烴基中去除了l個氫原子的原子團(tuán)。這里作為芳香族烴，包括具有稠環(huán)的、將2個以上獨(dú)立的苯環(huán)或稠環(huán)直接或借助亞乙烯等基結(jié)合的。作為dd2垸氧基，具體來說，可以例示出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、月桂氧基等。作為Qd2烷基苯基，具體來說可以例示出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6—三甲苯基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。作為芳氧基，碳數(shù)通常為660左右，優(yōu)選748。具體來說，可以例示出苯氧基、QCu烷氧基苯氧基、dd2垸基苯氧基、l一萘基氧基、2—萘基氧基、五氟苯氧基等，優(yōu)選dd2垸氧基苯氧基、dC12垸基苯氧基。作為QC,2烷氧基，具體來說，可以例示出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、月桂氧基等。作為dCu烷基苯氧基，具體來說，可以例示出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5—三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。作為芳硫基，碳數(shù)通常為660左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出苯硫基、QCu烷氧基苯硫基、Qd2垸基苯硫基、1一萘基硫基、2—萘基硫基、五氟苯硫基等，優(yōu)選dC^烷氧基苯硫基、C,d2烷基苯硫基。芳基烷基的碳數(shù)通常為760左右，優(yōu)選748。具體來說，可以例示出苯基一dd2垸基、C,d2烷氧基苯基一dd2垸基、dCu烷基苯基一C,C,2垸基、l一萘基一dd2烷基、2—萘基一dd2垸基等，優(yōu)選Qd2垸氧基苯基一dd2烷基、dd2烷基苯基一dd2院基。芳基垸氧基的碳數(shù)通常為760左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基一dd2烷氧基、C,d2烷氧基苯基一dd2烷氧基、dCu垸基苯基一dd2垸氧基、l一萘基一dd2烷氧基、2—萘基一dCu垸氧基等，優(yōu)選QCu烷氧基苯基一QCi2烷氧基、dCu烷基苯基一dd2垸氧基。芳基烷基硫基的碳數(shù)通常為760左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出苯基一Qd2垸硫基、dd2烷氧基苯基一dd2烷硫基、QQ2烷基苯基一dd2烷硫基、l一萘基一dCu垸硫基、2—萘基一dd2烷硫基等，優(yōu)選dd2垸氧基苯基一qQ2烷硫基、Qd2烷基苯基一dd2烷硫基。酰基的碳數(shù)通常為220左右，優(yōu)選的碳數(shù)為218。具體來說，可以例示出乙?；?、丙?；⒍□；惗□；⑽祯；?、苯甲酰基、三氟乙?；?、五氟苯甲酰基等。酰氧基的碳數(shù)通常為220左右，優(yōu)選的碳數(shù)為218。具體來說，可以例示出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。酰胺基的碳數(shù)通常為220左右，優(yōu)選的碳數(shù)為218。具體來說，可以例示出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟苯甲酰胺基等。作為酸酰亞胺基，可以舉出從酸酰亞胺基中除去與其氮原子結(jié)合的氫原子而得的殘基，通常碳數(shù)為260左右，優(yōu)選的碳數(shù)為248。具體來說可以例示出以下所示的基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>作為亞胺殘基，可以舉出從亞胺化合物(是指在分子內(nèi)具有一N-C的有機(jī)化合物的情況。作為其例子，可以舉出將醛亞胺、酮亞胺及它們的N上的氫原子被垸基等取代了的化合物)中去除了l個氫原子的殘基，通常碳數(shù)為220左右，優(yōu)選的碳數(shù)為218。具體來說，可以例示出以以下的結(jié)構(gòu)式表示的基等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>取代氨基是指被從烷基、芳基、芳基垸基或1價的雜環(huán)基中選擇的1或2個基取代了的氨基，該垸基、芳基、芳基烷基或l價的雜環(huán)基也可以帶有取代基。碳數(shù)如果不包括該取代基的碳數(shù)則通常為160左右，優(yōu)選的碳數(shù)為248。具體來說，可以例示出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、環(huán)己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2—乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7—二甲基辛基氨基、月桂基氨基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二三氟甲基氨基苯基氨基、二苯基氨基、QC^垸氧基苯基氨基、二(dd2烷氧基苯基)氨基、二(dd2烷基苯基)氨基、l一萘基氨基、2—萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基苯基一dd2烷基氨基、QCi2烷氧基苯基一QCi2烷基氮基、CiCi2烷基苯基—C！C2烷基氨基、二(dd2烷氧基苯基一dC,2垸基)氨基、二(QCu烷基苯基一dd2烷基)氨基、1—萘基一CCu烷基氨基、2—萘基—C^C!2烷基氨基等。取代甲硅烷基是指被從垸基、芳基、芳基烷基或1價的雜環(huán)基中選擇的1、2或3個基取代了的甲硅烷基，碳數(shù)通常為160左右，優(yōu)選的碳數(shù)為348。而且，該垸基、芳基、芳基垸基或1價的雜環(huán)基也可以帶有取代基。具體來說，可以例示出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅垸基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基異丙基甲硅垸基、二乙基異丙基甲硅垸基、叔丁基甲硅垸基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基一QCu垸基甲硅烷基、C,d2垸氧基苯基一dd2烷基甲硅垸基、QC,2垸基苯基一C,Q2垸基甲硅烷基、l一萘基一dQ2垸基甲硅烷基、2—萘基一Qd2烷基甲硅烷基、苯基一dd2垸基二甲基甲硅垸基、三苯基甲硅烷基、三一對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲硅垸基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅垸基、二甲基苯基甲硅垸基等。取代甲硅氧基是指被從垸氧基、芳氧基、芳基垸基氧基或l價的雜環(huán)氧基中選擇的l、2或3個基取代了的甲硅氧基，碳數(shù)通常為160左右，優(yōu)選的碳數(shù)為348。而且，該垸氧基、芳氧基、芳基垸基氧基或1價的雜環(huán)氧基也可以帶有取代基。具體來說，可以例示出三甲基甲硅氧基、三乙基甲硅氧基、三丙基甲硅氧基、三異丙基甲硅氧基、二甲基異丙基甲硅氧基、二乙基異丙基甲硅氧基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅氧基、己基二甲基甲硅氧基、庚基二甲基甲硅氧基、辛基二甲基甲硅氧基、2—乙基己基一二甲基甲硅氧基、壬基二甲基甲硅氧基、癸基二甲基甲硅氧基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅氧基、月桂基二甲基甲硅氧基、苯基一dC,2垸基甲硅氧基、Qd2烷氧基苯基一C,d2垸基甲硅氧基、QQ2垸基苯基一dC,2烷基甲硅氧基、l一萘基一Qd2烷基甲硅氧基、2—萘基一Qd2烷基甲硅氧基、苯基一Qd2烷基二甲基甲硅氧基、三苯基甲硅氧基、三一對二甲苯基甲硅氧基、三芐基甲硅氧基、二苯基甲基甲硅氧基、叔丁基二苯基甲硅氧基、二甲基苯基甲硅氧基等。取代甲硅烷硫基是指被從烷硫基、芳硫基、芳基烷基硫基或l價的雜環(huán)硫基中選擇的1、2或3個基取代了甲硅垸硫基，碳數(shù)通常為160左右，優(yōu)選的碳數(shù)為348。而且，該烷氧基、芳硫基、芳基烷基硫基或1價的雜環(huán)硫基也可以帶有取代基。具體來說，可以例示出三甲基甲硅垸硫基、三乙基甲硅烷硫基、三丙基甲硅垸硫基、三異丙基甲硅烷硫基、二甲基異丙基甲硅垸硫基、二乙基異丙基甲硅垸硫基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷硫基、戊基二甲基甲硅垸硫基、己基二甲基甲硅烷硫基、庚基二甲基甲硅烷硫基、辛基二甲基甲硅烷硫基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷硫基、壬基二甲基甲硅烷硫基、癸基二甲基甲硅烷硫基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅垸硫基、月桂基二甲基甲硅垸硫基、苯基一QQ2烷基甲硅氧基、dd2烷氧基苯基一Qd2垸基甲硅烷硫基、Qd2垸基苯基—dQ2烷基甲硅烷硫基、1一萘基一Qd2垸基甲硅烷硫基、2—萘基一dCt2烷基甲硅烷硫基、苯基一Qd2垸基二甲基甲硅烷硫基、三苯基甲硅垸硫基、三一對二甲苯基甲硅垸硫基、三芐基甲硅烷硫基、二苯基甲基甲硅烷硫基、叔丁基二苯基甲硅烷硫基、二甲基苯基甲硅烷硫基等。取代甲硅烷氨基是指被從烷基氨基、芳基氨基、芳基烷基氨基或l價的雜環(huán)氨基中選擇的1、2或3個基取代了的甲硅烷氨基，碳數(shù)通常為l60左右，優(yōu)選的碳數(shù)為348。而且，該烷氧基、芳基氨基、芳基烷基氨基或1價的雜環(huán)氨基也可以帶有取代基。具體來說，可以例示出三甲基甲硅烷氨基、三乙基甲硅垸氨基、三丙基甲硅烷氨基、三異丙基甲硅烷氨基、二甲基異丙基甲硅垸氨基、二乙基異丙基甲硅烷氨基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅垸基、戊基二甲基甲硅烷氨基、己基二甲基甲硅垸氨基、庚基二甲基甲硅烷氨基、辛基二甲基甲硅烷氨基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷氨基、壬基二甲基甲硅垸氨基、癸基二甲基甲硅烷氨基、3，7—二甲基辛基一二甲基甲硅垸氨基、月桂基二甲基甲硅垸氨基、苯基一Cid2烷基甲硅氧基、dd2垸氧基苯基一dCu烷基甲硅烷氨基、C,C!2烷基苯基—dC2烷基甲硅垸氨基、l一萘基一dC,2垸基甲硅垸氨基、2—萘基一dCu垸基甲硅烷氨基、苯基一dd2烷基二甲基甲硅垸氨基、三苯基甲硅烷氨基、三一對二甲苯基甲硅烷氨基、三芐基甲硅烷氨基、二苯基甲基甲硅烷氨基、叔丁基二苯基甲硅烷氨基、二甲基苯基甲硅烷氨基等。所謂1價的雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中去除了1個氫原子后剩余的原子團(tuán)，碳數(shù)通常為460左右，優(yōu)選420。而且，在雜環(huán)基的碳數(shù)中，不包含取代基的碳數(shù)。這里所說的雜環(huán)化合物是指，具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物當(dāng)中，構(gòu)成環(huán)的元素不僅是碳原子，在環(huán)內(nèi)還包含氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的化合物。具體來說，可以例示出噻吩基、Qd2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、QCu垸基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，優(yōu)選噻吩基、C!d2烷基噻吩基、吡啶基、dC,2烷基吡啶基。作為雜芳氧基，碳數(shù)通常為660左右，優(yōu)選74S。具體來說，可以例示出噻吩基氧基、C廣C,2垸氧基噻吩基氧基、dCu烷基噻吩基氧基、吡啶基氧基、異喹啉基氧基等，優(yōu)選C,d2烷氧基吡啶基氧基、dCn烷基吡啶基氧基。作為dd2烷氧基吡啶基氧基等中的C,d2烷氧基，具體來說，可以例示出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7—二甲基辛氧基、月桂氧基等。作為dd2烷基吡啶基氧基，具體來說，可以例示出甲基吡啶基氧基、乙基吡啶基氧基、二甲基吡啶基氧基、丙基吡啶基氧基、1，3，5—三甲基吡啶基氧基、甲基乙基吡啶基氧基、異丙基卩比淀基氧基、丁基吡啶基氧基、異丁基吡啶基氧基、叔丁基吡啶基氧基、戊基吡啶基氧基、異戊基吡啶基氧基、己基吡啶基氧基、庚基吡啶基氧基、辛基吡啶基氧基、壬基吡啶基氧基、癸基吡啶基氧基、十二烷基吡啶基氧基等。作為雜芳硫基，碳數(shù)通常為660左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出吡啶基硫基、dCi2烷氧基吡啶基硫基、dC,2烷基吡啶基硫基、異喹啉基硫基等，優(yōu)選dd2烷氧基吡啶基硫基、dC12垸基吡啶基硫基。芳基鏈烯基的碳數(shù)通常為760左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出苯基一C2d2鏈烯基、C廣d2烷氧基苯基一C2d2鏈烯基、QC^烷基苯基一C2C,2鏈烯基、1一萘基一C2C,2鏈烯基、2一萘基一C2d2鏈烯基等，優(yōu)選dQ2垸氧基苯基一C2d2鏈烯基、C2d2烷基苯基一dd2鏈烯基。芳基乙炔基的碳數(shù)通常為760左右，優(yōu)選的碳數(shù)為748。具體來說，可以例示出苯基一C2d2炔基、C廣Q2烷氧基苯基一C2Q2炔基、C,C!2烷基苯基一C2C,2炔基、l一萘基一C2d2炔基、2—萘基一C2C,2炔基等，優(yōu)選C,Q2垸氧基苯基一C2C,2炔基、QCu烷基苯基一C2d2炔基。取代羧基通常碳數(shù)為260左右，優(yōu)選的碳數(shù)為248。是指被烷基、芳基、芳基烷基或l價的雜環(huán)基取代了的羧基，可以舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2—乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7—二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、吡啶基氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶基氧基羰基等。而且，該烷基、芳基、芳基垸基或1價的雜環(huán)基也可以帶有取代基。在取代羧基的碳數(shù)中不包含該取代基的碳數(shù)。作為2齒配位體，沒有特限定，然而例如可以舉出也可以被垸基、鹵素基取代的苯基吡啶、菲咯啉、苯基喹啉或特表2003—515897號中記載的2齒配位體等。具體來說，可以例示出以下的結(jié)構(gòu)。上述結(jié)構(gòu)式中的R表示氫原子或取代基，作為該取代基，可以例示出鹵原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷基氧基、芳基垸基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅垸基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅垸氨基、1價的雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基或氰基。多個R既可以相同，也可以不同。另外，結(jié)構(gòu)式中f表示與中心^屬M(fèi)結(jié)合的部位。作為3齒配位體，可以例示出以下所示的結(jié)構(gòu)。[化4]上述結(jié)構(gòu)式中的R表示氫原子或取代基，作為該取代基，可以例示出鹵原子、垸基、烷基氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基垸基氧基、芳基垸基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、1價的雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基或氰基。多個R既可以相同，也可以不同。另外，結(jié)構(gòu)式中f表示與中心金屬M(fèi)結(jié)合的部位。作為4齒配位體，可以例示出以下所示的結(jié)構(gòu)。[化9]上述結(jié)構(gòu)式中的R表示氫原子或取代基，作為該取代基，可以例示出鹵原子、烷基、烷基氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷基氧基、芳基垸基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅烷氨基、1價的雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基或氰基。多個R既可以相同，也可以不同。另外，結(jié)構(gòu)式中f表示與中心金屬M(fèi)結(jié)合的部位。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物優(yōu)選作為局部結(jié)構(gòu)具有以下述通式(7)、(8)、(9)或(10)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>上述式(7)中，M表示上述中心金屬，Al環(huán)及A2環(huán)分別獨(dú)立地表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于各個環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的XI及X2分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>(8)上述式(8)中，M表示上述中心金屬，Bl環(huán)、B2環(huán)及B3環(huán)分別獨(dú)立地表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于各個環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的Y1、Y2及Y3分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子。f及g分別獨(dú)立地表示碳數(shù)為16的亞烷基、碳數(shù)為16的亞鏈烯基或碳數(shù)為16的亞炔基，該亞垸基、該亞鏈烯基及該亞炔基的碳原子分別也可以被氧原子或硫原子取代。m及n分別獨(dú)立地表示O或l。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>(9)上述式(9)中，M表示上述中心金屬，B4環(huán)及B5環(huán)分別獨(dú)立地表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于各個環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的Y4、Y5及Y6分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子，h表示碳數(shù)為16的亞烷基、碳數(shù)為16的亞鏈烯基或碳數(shù)為16的亞炔基，該亞烷基、該亞鏈烯基及該亞炔基的碳原子分別也可以被氧原子或硫原子取代，o表示0或1。(io)上述式(10)中，M表示上述中心金屬，B6環(huán)表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的Y7、Y8及Y9分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子。作為上述式(7)、(8)、(9)及(10)的中心金屬，可以舉出Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg，然而從獲得高效率的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Pt及Au，更優(yōu)選Ru、Rh、Pd、W、Re、Pt及Au，進(jìn)一步優(yōu)選Re及Pt，最優(yōu)選Pt。作為上述式(7)、(8)、(9)及(10)的配位原子Xi(i=l、2)及Yj(j=l9)，可以舉出碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、磷原子、砷原子、硒原子，優(yōu)選碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子、磷原子，進(jìn)一步優(yōu)選碳原子、氮原子、氧原子、硫原子。在本發(fā)明的金屬絡(luò)合物具有4齒配位體的情況下，優(yōu)選具有以下述通式(4)表示的局部結(jié)構(gòu)。上述式(4)中，M表示上述中心金屬，Cl環(huán)、C2環(huán)、C3環(huán)及C4環(huán)分別獨(dú)立地表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于各個環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的Zl、Z2、Z3及Z4分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子。i、j、k及1分別獨(dú)立地表示碳數(shù)為16的亞垸基、碳數(shù)為16的亞鏈烯基或碳數(shù)為16的亞炔基，該亞烷基、該亞鏈烯基及該亞炔基的碳原子分別也可以被氧原子、硫原子、氮原子或磷原子取代。p、q、r、及s分別獨(dú)立地表示0或1，優(yōu)選p、q、r、及s分別為l。作為配位原子Zk(k=l4)，可以舉出碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、磷原子、砷原子、硒原子，優(yōu)選碳原子、氮原子、氧原子、硫原子、磷原子，進(jìn)一步優(yōu)選碳原子、氮原子、氧原子、硫原子。作為上述式(4)的中心金屬，可以舉出Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、丁c、Hu、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg，然而從獲得高效率的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Pt及Au，更優(yōu)選Ru、Rh、Pd、W、Re、Pt及Au，進(jìn)一步優(yōu)選Re、Pt及Au，最優(yōu)選Pt。具有4齒配位體的本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)之一是具有以下述通式(4一1)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(4一1)(上述通式(4一1)中，M表示上述中心金屬，X表示一C(R》(R?！ⅰ猄i(R!)(R》—、一N(R。一、一P(R》一、一O—、一S—。R及R,分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，作為該取代基，可以例示出鹵原子、烷基、烷基氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基垸基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酸酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅垸硫基、取代甲硅烷氨基、1價的雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基鏈烯基、芳基乙炔基、取代羧基、氰基等。多個R及R!既可以相同，也可以不同。)本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)之一是如下特征的金屬絡(luò)合物，即，具有以下述通式(l一l)或(l一2)表示的局部結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(上述通式(l一l)中，M表示上述中心金屬，R!及R2、以及RaRf分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子。但是，&及R2的至少一個是以下述式(2)表示的基。式(2)中，RuR^分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、垸氧基、苯基或鹵原子。另外，波浪線的位置表示結(jié)合位置。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(上述通式(l一2)中，M表示上述中心金屬，R2是以下述通式(3)表示的基，RaRg分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子。通式(3)中，R^及R22分別獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R23R"分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子。另外，波浪線的位置表示結(jié)合位置。)(3)R25作為具體的結(jié)構(gòu)例，可以舉出以下的結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>[化20—2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>一絡(luò)合物的制造方法一下面，對本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的合成方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的金屬絡(luò)合物例如可以利用以下的方法制造。例如，對于2—苯基吡啶配位體的合成的情況，可以使具有包含吡啶環(huán)的部分的化合物和具有包含苯環(huán)的部分的化合物例如利用Suzuki偶聯(lián)、使用了鎳催化劑的Grignard偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)等反應(yīng)，合成成為配位體的化合物，通過使之與所需的金屬鹽在溶液中反應(yīng)而進(jìn)行絡(luò)合物化，合成本發(fā)明的金屬絡(luò)合物。成為上述配位體的化合物的合成具體來說可以通過將具有包含吡啶環(huán)的部分的化合物和具有包含苯環(huán)的部分的化合物根據(jù)需要溶解于有機(jī)溶劑中，例如使用堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎┑?，在有機(jī)溶劑的熔點(diǎn)以上沸點(diǎn)以下的溫度下反應(yīng)來進(jìn)行。例如，可以使用在"有機(jī)反應(yīng)(OrganicReactions)"、第14巻、270—490頁、(JohnWiley&Sons，Inc.)、1965年；"有機(jī)合成(OrganicSyntheses)"、全集第6巻(CollectiveVolumeVI)、407—411頁、(JohnWiley&Sons，Inc,)、1988年;化學(xué)綜述(Chem.Rev.)、第95巻、2457頁(簡年);有機(jī)金屬化學(xué)學(xué)報(J.Organomet.Chem.)、第576巻、147頁(199年)；應(yīng)用化學(xué)學(xué)報(J.Prakt.Chem.)、第336巻、247頁(1994年)；大分子化學(xué)大分子論叢(Makromol.Chem.,Macromol.Symp.)、第12巻、229頁(1987年)等中記載的方法。作為在成為上述配位體的化合物的合成中所用的有機(jī)溶劑，雖然根據(jù)所用的化合物或反應(yīng)而不同，但是一般來說為了抑制副反應(yīng)，使用充分地實(shí)施了脫氧處理的有機(jī)溶劑。此外，優(yōu)選在惰性氣氛中進(jìn)行反應(yīng)。另外，對上述有機(jī)溶劑，最好預(yù)先進(jìn)行脫水處理。但是，對于Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)之類的與水的2相體系中的反應(yīng)的情況，不受其限制。在成為上述配位體的化合物的合成中，為了使反應(yīng)進(jìn)行，適當(dāng)?shù)靥砑訅A、恰當(dāng)?shù)拇呋瘎┑?。這些堿、恰當(dāng)?shù)拇呋瘎╇m然只要根據(jù)所用的反應(yīng)選擇即可，然而優(yōu)選充分地溶解于反應(yīng)中所用的溶劑中的物質(zhì)。作為將堿、恰當(dāng)?shù)拇呋瘎┡c基質(zhì)混合的方法，可以例示出以下的方法，即，將反應(yīng)液(即將基質(zhì)溶解或分散于有機(jī)溶劑中的液體)在氬氣、氮?dú)獾榷栊詺夥障聰嚢璧耐瑫r，慢慢地添加堿、催化劑，或者反過來向堿、催化劑中慢慢地添加該反應(yīng)液。在成為上述配位體的化合物的合成中，反應(yīng)溫度雖然沒有特別限定，然而通常為一10035(TC，優(yōu)選0。C溶劑的沸點(diǎn)。反應(yīng)時間雖然沒有特別限定，然而通常為30分鐘30小時左右。在成為上述配位體的化合物的合成中，作為在上述的反應(yīng)結(jié)束后，從反應(yīng)混合液中的目的物(成為配位體的化合物)的取出與精制的方法，根據(jù)所得的成為配位體的化合物而不同，例如可以使用重結(jié)晶、升華、色譜等通常的有機(jī)化合物精制的方法。作為絡(luò)合物化的方法(即，使成為配位體的化合物與金屬鹽在溶液中反應(yīng)的方法)，例如對于鉑絡(luò)合物的情況，可以例示出Inorg.Chem.，1984，23，4249;Chem.Mater.1999，11，3709;Organometallics，1999，18，1801;Inorg.Chem.2002，41，3055等中記載的方法，對于鈀絡(luò)合物的情況，可以例示出在J.Org.Chem.，1987，52，73等中記載的方法。絡(luò)合物化的反應(yīng)溫度雖然沒有特別限定，然而通?？梢栽趶娜軇┑娜埸c(diǎn)到沸點(diǎn)之間使之反應(yīng)，優(yōu)選一78'C溶劑的沸點(diǎn)。反應(yīng)時間雖然沒有特別限定，然而通常為30分鐘30小時左右。但是，在絡(luò)合物化反應(yīng)中使用微波反應(yīng)裝置的情況下，也可以在溶劑的沸點(diǎn)以上使之反應(yīng)，反應(yīng)時間雖然也沒有特別限定，然而為數(shù)分鐘到數(shù)小時左右。絡(luò)合物化的反應(yīng)的合成操作是向燒瓶內(nèi)加入溶劑，通過在將其攪拌的同時，在氮?dú)?、氬氣等惰性氣體中進(jìn)行鼓泡等而脫氣后，添加金屬鹽和成為配位體的化合物。在攪拌如此得到的溶液的同時，在惰性氣氛下升溫至配位體被更換的溫度，在保溫的同時攪拌。反應(yīng)的終點(diǎn)可以利用TLC監(jiān)視器或高速液相色譜根據(jù)原料的減少停止的情況或者某種原料的消失來決定。作為從利用以上的反應(yīng)得到的反應(yīng)混合液中的目的物(金屬絡(luò)合物)的取出和精制，雖然根據(jù)金屬絡(luò)合物而不同，然而例如可以使用重結(jié)晶、升華、色譜等通常的絡(luò)合物精制的方法。具體來說，例如在將反應(yīng)混合液的溶劑蒸餾除去后，將殘渣溶解于二氯甲垸等有機(jī)溶劑中，利用硅膠柱色譜精制，收集目的物的分出溶液。將溶液濃縮，例如適量添加甲醇(不良溶劑)，利用重結(jié)晶法使作為目的物的金屬絡(luò)合物析出，將其過濾干燥，得到金屬絡(luò)合物?；衔锏蔫b定，分析可以利用CHN元素分析、NMR分析及MS分析來進(jìn)行。例如，以下述式(A)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>表示的本發(fā)明的絡(luò)合物可以利用以下的合成路線來合成'[化23]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>本發(fā)明的組合物含有上述本發(fā)明的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選含有該金屬絡(luò)合物與電荷輸送性材料。作為本發(fā)明的電荷輸送性材料，可以使用有機(jī)化合物(低分子有機(jī)化合物或高分子)，分類為空穴輸送材料及電子輸送材料。作為空穴輸送材料，可以舉出芳香族胺、咔唑衍生物、聚對亞苯基衍生物等迄今為止在有機(jī)EL元件中作為空穴輸送材料公知的材料，作為電子輸送材料也可以同樣地舉出迄今為止在有機(jī)EL元件中作為電子輸送材料公知的噁二唑衍生物、蒽醌二甲垸或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲垸或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烷或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物或8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物。所謂電荷輸送材料的低分子有機(jī)化合物是指低分子有機(jī)EL元件中所用的主體化合物、電荷注入輸送化合物，具體來說，例如可以舉出「有機(jī)EL顯示器」(時任靜士、安達(dá)千波矢、村田英幸合著、Ohm公司)107頁、月刊顯示器、vo19、No9、2003年26—30頁、特開2004—244400、特開2004—277377等中記載的化合物。雖然要由這些電荷輸送性材料的種類來決定，但是一般來說，為了獲得來自金屬絡(luò)合物的良好的發(fā)光，這些電荷輸送性材料的Tl能量最好大于金屬絡(luò)合物的Tl能量。作為低分子有機(jī)化合物(低分子主體化合物)，具體來說，可以舉出下述化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>[化25—2]<image>imageseeoriginaldocumentpage41</image>另外，作為電荷輸送性材料也可以使用高分子。作為高分子，可以舉出非共軛系高分子、共軛系高分子。作為非共軛系高分子，可以舉出聚乙烯基咔唑等。作為共軛系高分子，可以舉例為在主鏈中含有芳香環(huán)的聚合物，例如可以例示出在主鏈中作為重復(fù)單元含有也可以帶有取代基的亞苯基、荷、二苯并噻吩、二苯并呋喃、dibenzosilole等的物質(zhì)或與這些單元的共聚物。具體來說，可以舉出以作為局部結(jié)構(gòu)具有也可以帶有取代基的苯環(huán)及/或下述通式(2)為特征的高分子化合物。更具體來說，例如可以舉出特開2003—231741、2004—059899、204—002654、2004—292546、US5708130、W09954385、WO0046321、WO0277060、「有機(jī)EL顯示器」(時任靜士、安達(dá)千波矢、村田英幸合著、Ohm公司)111頁、月刊顯示器、vo19、No9、2002年47—51頁等中記載的高分子。作為高分子(高分子主體化合物)，具體來說，可以舉出含有以下述通式(6)表示的重復(fù)單元的高分子。(式中，P環(huán)及Q環(huán)分別獨(dú)立地表示芳香環(huán)，然而也可以不存在P環(huán)。兩個結(jié)合手在P環(huán)存在的情況下，分別存在于P環(huán)及/或Q環(huán)上，在P環(huán)不存在的情況下，分別存在于含有Y的五元環(huán)或六元環(huán)上及/或Q環(huán)上。另外，在芳香環(huán)上及/或含有Y的五元環(huán)或六元環(huán)上也可以帶有取代基。Y表示一0—、—S—、-Se—、一B(R31)—、—N(R35)—、一C(R》(R2)—、—Si(R。(R2)—、一P(R3)—、一PR4(=0)—、一C(R51)(R52)—C(R53)(R54)—、—O—C(R55)(R56)—、—S—C(R57)(R58)一、一N一C(R59)(Reo)一、一Si(&。(R^)—C(&3)(R^)—、—Si(R65)(R66)—Si(Re)(Res)—、C(lW=C(R70)—、—N=C(R71)一或一Si(R72)=C(R73)一，R4R4、R3i、1135及1151R73分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基垸氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1價的雜環(huán)基或鹵原子。其中，優(yōu)選烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、1價的雜環(huán)基，更優(yōu)選垸基、烷氧基、芳基、1價的雜環(huán)基，特別優(yōu)選烷基、芳基。而且，作為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、1價的雜環(huán)基或鹵原子的具體例，分別可以舉出上述的例示。電荷輸送性材料也可以是含有上述結(jié)構(gòu)的共聚物或高分子組合物。主體化合物的基態(tài)的能量(ESH)、主體化合物的最低激發(fā)三重態(tài)的能量(ETH)、金屬絡(luò)合物的基態(tài)的能量(ESMC)及金屬絡(luò)合物的最低激發(fā)三重態(tài)的能量(ETMC)優(yōu)選滿足ETH—ESH>ETMC—ESMC—0.2(eV)的關(guān)系。在本發(fā)明的組合物中使用高分子的情況下，該高分子的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量優(yōu)選為103108，更優(yōu)選為104106。聚苯乙烯換算的重均分子量優(yōu)選為103108，更優(yōu)選為5X1045X106。另外，本發(fā)明的高分子是在分子內(nèi)將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物作為局部結(jié)構(gòu)含有的物質(zhì)。例如是在高分子內(nèi)作為局部結(jié)構(gòu)含有作為局部結(jié)構(gòu)具有以上述通式(4)、(7)、(8)、(9)或(10)表示的結(jié)構(gòu)的金屬絡(luò)合物的物質(zhì)。另外，在分子內(nèi)將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物作為局部結(jié)構(gòu)含有的高分子優(yōu)選為共軛系高分子。作為含有金屬絡(luò)合物的高分子，可以同樣地例示出作為用作本發(fā)明的組合物的高分子記載于上述說明中的高分子。在將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物作為局部結(jié)構(gòu)加入高分子內(nèi)的情況下，作為在同一分子內(nèi)具有高分子(A)的結(jié)構(gòu)、金屬絡(luò)合物(B)的結(jié)構(gòu)的高分子的例子，可以舉出在高分子(A)的主鏈中具有金屬絡(luò)合物(B)的結(jié)構(gòu)的高分子；在高分子(A)的末端具有金屬絡(luò)合物(B)的結(jié)構(gòu)的高分子；在高分子(A)的側(cè)鏈中具有金屬絡(luò)合物(B)的結(jié)構(gòu)的高分子。作為上述高分子的例子，可以舉出如下的高分子，即，含有以通式(6)表示的局部結(jié)構(gòu)(重復(fù)單元)，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103108，在其側(cè)鏈、主鏈及/或末端中具有磷光性發(fā)光分子(金屬絡(luò)合物)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的組合物或高分子中的金屬絡(luò)合物的量由于隨著所組合的有機(jī)化合物的種類、想要最佳化的特性而不同，因此沒有特別限定，然而在將有機(jī)化合物的量設(shè)為ioo重量份后，則通常為o.oi80重量份，tt;選0.160重量份。另外，也可以含有2種以上金屬絡(luò)合物。本發(fā)明的組合物或高分子也可以還含有從由空穴輸送性材料、電子輸送性材料及發(fā)光材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種材料。作為電荷輸送性材料可以使用上述的電荷輸送性材料。作為發(fā)光材料，可以使用公知的材料。如果是低分子化合物，例如可以使用萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、聚次甲基系、咕噸系、香豆素系、花青系等色素類、8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物等。本發(fā)明的墨液組合物的特征是，含有上述本發(fā)明的金屬絡(luò)合物、組合物或高分子。作為墨液組合物，只要含有至少一種本發(fā)明的金屬絡(luò)合物即可，另外，除了本發(fā)明的金屬絡(luò)合物以外，還可以含有空穴輸送材料、電子輸送材料、發(fā)光材料、溶劑、穩(wěn)定劑等添加劑。該墨液組合物中的含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的固體物質(zhì)的比例相對于除去溶劑以外的組合物的總重量通常來說為20wt%100wt%，優(yōu)選40wt%100wt%。另外，在墨液組合物中含有溶劑時的溶劑的比例相對于組合物的總重量來說為lwt%99.9wt%，優(yōu)選60wt%99.5wt%，更優(yōu)選80wt%99.0wt%。墨液組合物的粘度根據(jù)印刷法而不同，在噴墨法等墨液組合物經(jīng)由噴出裝置的情況下，為了防止噴出時的堵塞或飛行彎曲，粘度優(yōu)選在25'C下為120mPas的范圍。本發(fā)明的墨液組合物(以下也簡稱為溶液或本發(fā)明的溶液)除了本發(fā)明的金屬絡(luò)合物或組合物以外，也可以含有用于調(diào)節(jié)粘度及/或表面張力的添加劑。作為該添加劑，只要將用于提高粘度的高分子量的高分子化合物(增稠劑)或不良溶劑、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面張力的表面活性劑等適當(dāng)?shù)亟M合使用即可。作為上述的高分子量的高分子化合物(增稠劑)，只要是在與本發(fā)明的金屬絡(luò)合物或組合物相同的溶劑中是可溶性的，不會妨礙發(fā)光或電荷輸送的物質(zhì)即可。例如可以使用高分子量的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。重均分子量優(yōu)選在50萬以上，更優(yōu)選在100萬以上。也可以將不良溶劑作為增稠劑使用。即，通過少量添加相對于溶液中的固體成分的不良溶劑，就可以提高粘度。在出于該目的添加不良溶劑時，只要在溶液中的固體成分不析出的范圍內(nèi)選擇溶劑的種類和添加量即可。如果還考慮保存時的穩(wěn)定性，則不良溶劑的量相對于溶液整體優(yōu)選在50wt%以下，更優(yōu)選在30wt^以下。另外，為了改善保存穩(wěn)定性，本發(fā)明的墨液組合物也可以還含有抗氧化劑。作為抗氧化劑，只要是在與本發(fā)明的金屬絡(luò)合物或組合物相同的溶劑中是可溶性的，不會妨礙發(fā)光或電荷輸送的物質(zhì)即可。作為由溶液進(jìn)行的成膜中所用的溶劑，優(yōu)選可以將本發(fā)明的組合物等成分溶解或均一地分散的溶劑。作為該溶劑可以例示出氯仿、二氯甲垸、1，2—二氯乙烷、1，1，2—三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；四氫呋喃、二噁垸等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；環(huán)己垸、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬垸、正癸烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑；乙二醇、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇單乙醚、丙三醇、1，2—己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑；二甲亞砜等亞砜系溶劑；N—甲基—2—吡咯烷酮、N，N—二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。另外，這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或組合多種使用。上述溶劑當(dāng)中，優(yōu)選含有一種以上如下的有機(jī)溶劑，其具有至少含有一個以上的苯環(huán)的結(jié)構(gòu)，并且熔點(diǎn)在0°。以下，沸點(diǎn)在10(TC以上。作為溶劑的種類，從向有機(jī)溶劑中的溶解性、成膜時的均一性、粘度特性等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選芳香族烴系溶劑、脂肪族烴系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑，優(yōu)選甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、仲丁苯、苯甲醚、乙氧基苯、l一甲基萘、環(huán)己烷、環(huán)己酮、環(huán)己基苯、雙環(huán)己基、環(huán)己烯環(huán)己酮、正庚基環(huán)己烷、正己基環(huán)己垸、2—丙基環(huán)己酮、2—庚酮、3—庚酮、4一庚酮、2—辛酮、2—壬酮、2—癸酮、二環(huán)己基酮，更優(yōu)選含有二甲苯、苯甲醚、環(huán)己基苯、雙環(huán)己基中的至少一種。溶液中的溶劑的種類從成膜性的觀點(diǎn)或元件特性等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為2種以上，更優(yōu)選為23種，進(jìn)一步優(yōu)選為2種。在溶液中含有2種以上溶劑的情況下，從粘度及成膜性的觀點(diǎn)考慮，沸點(diǎn)最高的溶劑優(yōu)選為溶液中的全部溶劑的重量的4090wt%，更優(yōu)選5090wt%，進(jìn)一步優(yōu)選6585wt^。本發(fā)明的墨液組合物優(yōu)選粘度在25i:為1100mPas。本發(fā)明的含有金屬絡(luò)合物的高分子或組合物不僅可以作為發(fā)光材料使用，還可以作為有機(jī)半導(dǎo)體材料、光學(xué)材料或者利用摻雜而作為導(dǎo)電性材料使用。所以，可以使用該金屬絡(luò)合物、該高分子或該組合物制成發(fā)光性薄膜、導(dǎo)電性薄膜或有機(jī)半導(dǎo)體薄膜等膜。下面，對本發(fā)明的光電元件進(jìn)行說明。本發(fā)明的光電元件的特征是，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，具有含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物或本發(fā)明的組合物的層，例如可以作為發(fā)光元件、開關(guān)元件、光電轉(zhuǎn)換元件使用。在該元件為發(fā)光元件的情況下，含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物的層優(yōu)選為發(fā)光層。另外，作為本發(fā)明的光電元件，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，也可以還含有電荷輸送層或電荷阻止層。所謂電荷輸送層是指空穴輸送層或電子輸送層，所謂電荷阻止層是指空穴阻止層或電子阻止層?？梢耘e出如下的發(fā)光元件等，即，在陰極與光電層之間，設(shè)置了電子輸送層或空穴阻止層的發(fā)光元件；在陽極與光電層之間，設(shè)置了空穴輸送層或電子阻止層的發(fā)光元件；在陰極與光電層之間，設(shè)置了電子輸送層或空穴阻止層，并且在陽極與光電層之間，設(shè)置了空穴輸送層或電子阻止層的發(fā)光元件。這里，電子輸送層和空穴阻止層可以像「有機(jī)EL大全」162頁(城戶淳二著、日本實(shí)業(yè)出版)中記載的那樣，使用具有相同的功能，例如構(gòu)成電子輸送層和空穴阻止層的材料相同的層，有時利用材料的特性，更強(qiáng)地反映某種功能?？昭ㄝ斔蛯雍碗娮幼柚箤右蚕嗤?。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，例如可以舉出專利文獻(xiàn)(JournaloftheSID11/1，161—166，2003)中記載的元件結(jié)構(gòu)的例子。另外，還可以舉出在上述至少一方的電極與光電層之間與該電極相鄰地設(shè)置了含有導(dǎo)電性高分子的層的發(fā)光元件；在至少一方的電極與光電層之間與該電極相鄰地設(shè)置了平均膜厚在2nm以下的緩沖層的發(fā)光元件。具體來說，可以例示出以下的a)d)的結(jié)構(gòu)。a)陽極/光電層/陰極b)陽極/空穴輸送層/光電層/陰極c)陽極/光電層/電子輸送層/陰極d)陽極/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/陰極(這里，/表示各層被相鄰地層疊。以下相同。)這里，所謂光電層是具有光電功能的層，即，是具有發(fā)光性、導(dǎo)電性、光電轉(zhuǎn)換功能的薄膜，所謂空穴輸送層是具有輸送空穴的功能的層，所謂電子輸送層是具有輸送電子的功能的層。而且，將電子輸送層和空穴輸送層總稱為電荷輸送層。光電層、空穴輸送層、電子輸送層也可以分別獨(dú)立地使用2層以上。另外，對于與電極相鄰地設(shè)置的電荷輸送層當(dāng)中的、具有改善從電極中的電荷注入效率的功能并具有降低元件的驅(qū)動電壓的效果的層，一般來說有時特別稱作電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。另外，為了提高與電極的密接性或改善從電極中的電荷注入，也可以與電極相鄰地設(shè)置上述的電荷注入層或膜厚在2nm以下的絕緣層，另外，為了提高界面的密接性或防止混合等，也可以在電荷輸送層或光電層的界面插入薄的緩沖層。另外，為了輸送電子并且關(guān)入空穴，也可以在與光電層的界面插入空穴阻止層。對于所層疊的層的順序或數(shù)目以及各層的厚度，可以考慮發(fā)光效率或元件壽命而適當(dāng)?shù)厥褂?。本發(fā)明中，作為設(shè)置了電荷注入層(電子注入層、空穴注入層)的發(fā)光元件，可以舉出與陰極相鄰地設(shè)置了電荷注入層的發(fā)光元件、與陽極相鄰地設(shè)置了電荷注入層的發(fā)光元件。例如，具體來說，可以舉出以下的e)p)的結(jié)構(gòu)。e)陽極/電荷注入層/光電層/陰極f)陽極/光電層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/光電層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/陰極i)陽極/空穴輸送層/光電層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/光電層/電荷輸送層/陰極1)陽極/光電層/電荷輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/光電層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/電荷輸送層/陰極o)陽極/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/電荷注入層/陰極作為電荷注入層的具體的例子，可以例示出如下的層等，S卩，含有導(dǎo)電性高分子的層；設(shè)于陽極與空穴輸送層之間，含有具有陽極材料與空穴輸送層中所含的空穴輸送材料的中間的值的離子化勢的材料的層；設(shè)于陰極與電子輸送層之間，含有具有陰極材料與電子輸送層中所含的電子輸送材料的中間的值的電子親和力的材料的層。在上述電荷注入層是含有導(dǎo)電性高分子的層的情況下，該導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率優(yōu)選在10—5S/cm以上103S/cm以下，為了減小發(fā)光像素之間的漏電流，更優(yōu)選在10_5S/cm以上102S/cm以下，進(jìn)一步優(yōu)選在10—5S/cm以上1(^S/cm以下。通常來說，為了將該導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率設(shè)為l(T5S/cm以上10吆/cm以下，要在該導(dǎo)電性高分子中摻雜適量的離子。對于所摻雜的離子的種類，如果是空穴注入層，則為陰離子，如果是電子注入層，則為陽離子。作為陰離子的例子，可以例示出聚苯乙烯磺酸根離子、垸基苯磺酸根離子、樟腦磺酸根離子等，作為陽離子的例子，可以例示出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。作為電荷注入層的膜厚，例如為lnm100nm，優(yōu)選2nm50nm。電荷注入層中所用的材料只要利用與電極或相鄰的層的材料的關(guān)系適當(dāng)?shù)剡x擇即可，可以例示出聚苯胺及其衍生物、聚氨基苯及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亞苯基亞乙烯及其衍生物、聚亞噻吩基亞乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側(cè)鏈中含有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。膜厚在2nm以下的絕緣層具有使得電荷注入更為容易的功能。作為上述絕緣層的材料，可以舉出金屬氟化物、金屬氧化物、有機(jī)絕緣材料等。作為設(shè)置了膜厚在2nm以下的絕緣層的發(fā)光元件，可以舉出與陰極相鄰地設(shè)置了膜厚在2nm以下的絕緣層的發(fā)光元件、與陽極相鄰地設(shè)置了膜厚在2nm以下的絕緣層的發(fā)光元件。具體來說，例如可以舉出以下的q)ab)的結(jié)構(gòu)。q)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/光電層/陰極r)陽極/光電層/膜厚在2nm以下的絕緣層/陰極s)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/光電層/膜厚在2nm以下的絕緣層/陰極t)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/光電層/陰極u)陽極/空穴輸送層/光電層膽厚在2nm以下的絕緣層/陰極v)陽極順厚在2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/光電層順厚在2nm以下的絕緣層/陰極w)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/光電層/電子輸送層/陰極x)陽極/光電層池子輸送層膽厚在2nm以下的絕緣層/陰極y)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/光電層池子輸送層順厚在2nm以下的絕緣層/陰極z)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/aa)陽極/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/膜厚在2nm以下的絕緣層/ab)陽極/膜厚在2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/光電層/電子輸送層/膜厚在2nm以下的絕緣層/陰極空穴阻止層是具有輸送電子并且將由陽極輸送來的空穴關(guān)入的作用的層，被設(shè)于光電層的陰極側(cè)的界面上，由具有比光電層的離子化勢更大的離子化勢的材料，例如Bathocuproine、8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物等構(gòu)成。作為空穴阻止層的膜厚，例如為lnm100nm，優(yōu)選2nm50nm。具體來說，例如可以舉出以下的ac)an)的結(jié)構(gòu)。ac)陽極/電荷注入層/光電層/空穴阻止層/陰極ad)陽極/光電層/空穴阻止層/電荷注入層/陰極ae)陽極/電荷注入層/光電層/空穴阻止層/電荷注入層/陰極af)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/陰極ag)陽極/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/電荷注入層/陰極ah)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/電荷注入層/陰極ai)陽極/電荷注入層/光電層/空穴阻止層/電荷輸送層/陰極aj)陽極/光電層/空穴阻止層/電荷輸送層/電荷注入層/陰極ak)陽極/電荷注入層/光電層/空穴阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極al)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/電荷輸送層/陰極am)陽極/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極an)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/光電層/空穴阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極在制作本發(fā)明的光電元件之時，不僅是在由溶液將含有電荷輸送材料的光電材料成膜的情況下，在涂布該溶液后利用干燥將溶劑除去，另外在混合了電荷輸送材料或發(fā)光材料的情況下，也可以應(yīng)用相同的方法，在制造上非常有利。作為由溶液進(jìn)行的成膜方法，可以使用旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、輥涂法、拉絲錠涂覆法、浸涂法、噴涂法、網(wǎng)板印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨法等涂布法。另外，在含有電荷輸送材料的發(fā)光材料是比較低的分子的情況下，也可以使用真空蒸鍍法來形成光電層。本發(fā)明的發(fā)光元件中，也可以在光電層即發(fā)光層中混合使用本發(fā)明的光電材料以外的發(fā)光材料。另外，本發(fā)明的光電元件中，也可以將含有本發(fā)明以外的發(fā)光材料的發(fā)光層與含有本發(fā)明的發(fā)光材料的光電層層疊。作為該發(fā)光材料，可以使用公知的材料。如果是低分子化合物，則可以使用例如萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、聚次甲基系、咕噸系、香豆素系、花青系等色素類、8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物等。具體來說，例如可以使用記載于特開昭57—51781號、相同的59—194393號公報中的材料等公知的材料。在本發(fā)明的光電元件具有空穴輸送層的情況下，作為所使用的空穴輸送材料，可以例示出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺的聚硅氧垸衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物或聚(2，5—亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物等。具體來說，作為該空穴輸送材料，可以例示出特開昭63—70257號公報、相同的63—175860號公報、特開平2—135359號公報、相同的2—135361號公報、相同的2—209988號公報、相同的3—37992號公報、相同的3—152184號公報中記載的材料等。它們當(dāng)中，作為空穴輸送層中所用的空穴輸送材料，優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物或聚(2，5—亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物等高分子空穴輸送材料，更優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴輸送材料的情況下，最好分散于高分子粘合劑中使用。聚乙烯基咔唑或其衍生物例如可以由乙烯基單體利用陽離子聚合或自由基聚合獲得。作為聚硅烷或其衍生物，可以例示出化學(xué)綜述(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英國專利GB2300196號公開說明書中記載的化合物等。合成方法雖然也可以使用它們中所記載的方法，然而特別優(yōu)選使用Kipping法。聚硅氧烷或其衍生物由于在硅氧烷骨架結(jié)構(gòu)中基本上沒有空穴輸送性，因此優(yōu)選使用在側(cè)鏈或主鏈上具有上述低分子空穴輸送材料的結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。特別是可以例示出在側(cè)鏈或主鏈上具有空穴輸送性的芳香族胺的物質(zhì)。對于空穴輸送層的成膜的方法沒有限制，然而如果是低分子空穴輸送材料，則可以例示出由與高分子粘合劑的混合溶液進(jìn)行成膜的方法。另外，如果是高分子空穴輸送材料，則可以例示出利用由溶液進(jìn)行成膜的方法。作為由溶液進(jìn)行成膜中所用的溶劑，只要是可以溶解空穴輸送材料的溶劑，就沒有特別限制。作為該溶劑，可以例示出氯仿、二氯甲垸、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。作為由溶液進(jìn)行的成膜方法，可以使用由溶液進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、輥涂法、拉絲錠涂覆法、浸涂法、噴涂法、網(wǎng)板印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨法等涂布法。作為所混合的高分子粘合劑，優(yōu)選不會極度地阻礙電荷輸送的粘合劑，另外優(yōu)選使用對可見光的吸收不強(qiáng)的粘合劑。作為該高分子粘合劑，可以例示出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。作為空穴輸送層的膜厚，最佳值根據(jù)所用的材料而各異，只要以使得驅(qū)動電壓與發(fā)光效率達(dá)到適度的值的方式來選擇即可，至少需要不會產(chǎn)生針孔的厚度，如果太厚，則元件的驅(qū)動電壓變高，因此不夠理想。所以，作為該空穴輸送層的膜厚，例如為lnm到llim，優(yōu)選2nm500nm，進(jìn)一步優(yōu)選5nm200nm。在本發(fā)明的光電元件具有電子輸送層的情況下，作為所用的電子輸送材料，可以使用公知的材料，可以例示出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物或8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。具體來說，可以例示出特開昭63—70527號公報、相同的63—175860號公報、特開平2—135359號公報、相同的2—135361號公報、相同的2—209988號公報、相同的3—37992號公報、相同的3—152184號公報中記載的材料等。它們當(dāng)中，優(yōu)選氨基噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物或8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更優(yōu)選2—(4一聯(lián)苯基)一5—(4一叔丁基苯基)一l，3，4一噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8—羥基喹啉)鋁、聚喹啉。作為電子輸送層的成膜法沒有特別限制，然而如果是低分子電子輸送材料，則可以例示出由粉末進(jìn)行的真空蒸鍍法或由溶液或熔融狀態(tài)進(jìn)行的成膜的方法，如果是高分子電子輸送材料，則可以例示出由溶液或熔融狀態(tài)進(jìn)行的成膜的方法。在由溶液或熔融狀態(tài)進(jìn)行成膜時，也可以并用高分子粘合劑。作為由溶液進(jìn)行的成膜中所用的溶劑，只要是可以溶解電子輸送材料及/或高分子粘合劑的溶劑，就沒有特別限制。作為該溶劑，可以例示出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。作為由溶液或熔融狀態(tài)進(jìn)行的成膜方法，可以使用旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、微型凹版印刷涂覆法、凹版印刷涂覆法、棒涂法、輥涂法、拉絲錠涂覆法、浸涂法、噴涂法、網(wǎng)板印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨法等涂布法。作為所混合的高分子粘合劑，優(yōu)選不會極度地阻礙電荷輸送的粘合劑，另外優(yōu)選使用對可見光的吸收不強(qiáng)的粘合劑。作為該高分子粘合劑，可以例示出聚(N—乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、聚(2，5—亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚硅氧垸等。作為電子輸送層的膜厚，最佳值根據(jù)所用的材料而各異，只要以使得驅(qū)動電壓與發(fā)光效率達(dá)到適度的值的方式來選擇即可，至少需要不會產(chǎn)生針孔的厚度，如果太厚，則元件的驅(qū)動電壓變高，因此不夠理想。所以，作為該電子輸送層的膜厚，例如為lnm到lum，優(yōu)選2nm500nm，進(jìn)一步優(yōu)選5nm200nm。形成本發(fā)明的光電元件的基板只要是形成電極并在形成該光電元件的各層之時不會變化的基板即可，例如可以例示出玻璃、塑料、高分子薄膜、硅基板等。在不透明的基板的情況下，相反的電極最好是透明或半透明的。通常來說，最好由陽極及陰極構(gòu)成的電極中的至少一方是透明或半透明的，陽極側(cè)是透明或半透明的。作為該陽極的材料，可以使用導(dǎo)電性的金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。具體來說，可以使用利用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫及作為它們的復(fù)合體的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等構(gòu)成的導(dǎo)電性玻璃制成的膜(NESA等)或金、鉑、銀、銅等，優(yōu)選ITO、銦'鋅氧化物、氧化錫。作為制作方法，可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、鍍膜法等。另外，作為該陽極，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚氨基苯或其衍生物等有機(jī)的透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚可以考慮光的透過性和電導(dǎo)率而適當(dāng)?shù)剡x擇，例如為lOnm至UlOtim，優(yōu)選20nrn1Pm，更優(yōu)選50nm500nm。另外，在陽極上，為了使電荷注入更為容易，也可以設(shè)置由酞菁衍生物、導(dǎo)電性高分子、碳等構(gòu)成的層或由金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等構(gòu)成的平均膜厚在2nm以下的層。作為本發(fā)明的發(fā)光元件中所用的陰極的材料，優(yōu)選功函數(shù)小的材料。例如可以使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬；及它們中的2種以上的合金；或它們中的一種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的一種以上的合金；石墨或石墨層間化合物等。作為合金的例子，可以舉出鎂一銀合金、鎂一銦合金、鎂一鋁合金、銦一銀合金、鋰一鋁合金、鋰—鎂合金、鋰一銦合金、鈣一鋁合金等。也可以將陰極設(shè)為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。陰極的膜厚可以考慮電導(dǎo)率或耐久性而適當(dāng)?shù)剡x擇，例如為10nm到lOum，優(yōu)選20nmliim，更優(yōu)選50證500nm。作為陰極的制作方法，可以使用真空蒸鍍法、濺射法或?qū)⒔饘俦∧釅航拥膶訅悍ǖ?。另外，在陰極與有機(jī)物層之間，也可以設(shè)置由導(dǎo)電性高分子構(gòu)成的層；或由金屬氧化物或金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等構(gòu)成的平均膜厚在2nm以下的層，在陰極制作后，也可以安裝保護(hù)該發(fā)光元件的保護(hù)層。為了長期穩(wěn)定地使用該發(fā)光元件，最好安裝保護(hù)層及/或保護(hù)罩，以保護(hù)元件免受外部損害。作為該保護(hù)層，可以使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。另外，作為保護(hù)罩，可以使用玻璃板、對表面實(shí)施了低透水率處理的塑料板等，優(yōu)選使用將該罩利用熱固化樹脂或光固化樹脂與元件基板貼合而密閉的方法。如果使用間隔件來維持空間，則很容易防止元件受到損傷。如果向該空間中封入氮?dú)饣驓鍤庵惖亩栊詺怏w，則可以防止陰極的氧化，另外通過在該空間內(nèi)設(shè)置氧化鋇等干燥劑，就很容易抑制在制造工序中吸附的水分對元件造成損傷的情況。優(yōu)選采用它們當(dāng)中的任意一個以上的對策。本發(fā)明的發(fā)光元件可以用于面狀光源、分段顯示裝置、點(diǎn)矩陣、液晶顯示裝置的背光燈或照明中。為了使用本發(fā)明的發(fā)光元件獲得面狀的發(fā)光，只要將面狀的陽極與陰極重合地配置即可。另外，為了獲得圖案狀的發(fā)光，有在上述面狀的發(fā)光元件的表面設(shè)置設(shè)有圖案狀的窗的掩模的方法、極厚地形成非發(fā)光部的有機(jī)物層而實(shí)質(zhì)上變?yōu)椴话l(fā)光的方法、將陽極或陰極的任意一方或雙方的電極制成圖案狀的方法。通過利用它們中的某種方法來形成圖案，以能夠獨(dú)立地開/關(guān)的方式來配置若干個電極，就可以獲得能夠顯示數(shù)字或文字、簡單的記號等的分段型的顯示元件。另外，為了制成點(diǎn)矩陣元件，只要將陽極和陰極都以條紋狀形成而正交地配置即可。利用分涂多種發(fā)光顏色不同的發(fā)光材料的方法、使用濾色片或發(fā)光變換濾片的方法，就可以實(shí)現(xiàn)局部彩色顯示、多色顯示。點(diǎn)矩陣元件既可以是無源驅(qū)動，也可以與TFT等組合而進(jìn)行有源驅(qū)動。這些顯示元件可以作為計算機(jī)、電視、移動終端、移動電話、導(dǎo)航裝置、攝像機(jī)的取景器等顯示裝置使用。另外，上述面狀的發(fā)光元件是自發(fā)光薄型的，可以適于作為液晶顯示裝置的背光燈用的面狀光源或者面狀的照明用光源使用。另外，如果使用柔性的基板，則也可以作為曲面狀的光源或顯示裝置使用。下面，作為本發(fā)明的其他的方式，對光電元件進(jìn)行說明。作為光電元件，例如有光電轉(zhuǎn)換元件，可以例示出在至少一方為透明或半透明的兩組電極之間夾持了含有本發(fā)明的金屬絡(luò)合物或組合物的層的元件、在基板上成膜的含有本發(fā)明的高分子化合物或高分子組合物的層上形成的具有梳形電極的元件。為了提高特性，也可以混合富勒烯或碳納米管等。作為光電轉(zhuǎn)換元件的制造方法，可以例示出日本專利第3146296號公報中記載的方法。具體來說，可以例示出在具有第一電極的基板上形成高分子薄膜并在其上形成第二電極的方法、在形成于基板上的一組梳形電極上形成高分子薄膜的方法。第一或第二電極中的一方為透明或半透明的。對于高分子薄膜的形成方法或混合富勒烯或碳納米管的方法沒有特別限制，然而可以合適地使用在發(fā)光元件中所例示的方法。實(shí)施例下面，為了進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明而給出實(shí)施例，然而本發(fā)明并不受它們限定。(合成例1)化合物(L一l)的合成[化27]Pd(PPh3)4,Ma2C。3甲苯，80oC在反應(yīng)容器中稱取2—碘一5—溴吡啶2.84g(0.01mol)、苯基硼酸1.52g(0.0125mol)、甲苯50mL，添加四(三苯基膦)鈀(0)0.69g(O扁mol)和2M碳酸鈉水溶液(10mL)，在氮?dú)鈿饬飨略?(TC加熱攪拌10小時。在回收了反應(yīng)溶液的有機(jī)層后，用碳酸鈉水溶液(80mL)、飽和食鹽水(20mL)洗滌。在用硫酸鈉干燥后，用硅膠柱色譜(己烷/甲苯)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一l)2.02g(0駕6mo1)。收率為86%。LC一MS(正)m/z:234([M+H]+)'H麗R(300MHz，CDC13)S7.46(m，3H)，S7.63(d，J=8.7Hz，1H)，S7.87(m，1H)，S7.96(m，2H)，S8.74(s,1H).(合成例2)化合物(L一2)的合成[化28]在反應(yīng)容器中稱取對二溴苯29.49g(0.125mol)、三(正丁基)(2—吡啶基)錫18.78gC0.05mo1)、氯化鋰6.36gC0.15mo1)、甲苯200mL，添加雙(三苯基膦)鈀(II)二氯化物1.75g(0.0025mol)，在氮?dú)鈿饬飨禄亓?小時。在空冷后添加氟化鉀飽和水溶液(150mL)，過濾反應(yīng)溶液。在蒸餾除去甲苯后，將殘渣用氯仿(500mL)萃取，用5%碳酸氫鈉水溶液(200mL)洗滌。蒸餾除去溶劑后，用硅膠柱色譜(己烷/甲苯為1/1)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一2)4.15g(0.0177mol)。收率為36%。LC一MS(正)m/z:234([M+H]+)JHNMRG00應(yīng)z，CDC13)S7.24(m，1H)，S7.60(d，2H)，57.72(m，2H)，57.88PdCI2(PPh3)2，UCI甲苯、回流(d，2H)，S8.69(m，1H).(合成例3)化合物(L一3)的合成[化29]在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一l)U7g(0.005mol)、4一苯甲?；交鹚?.41g(0.00625mol)、碳酸鈉1.06g(O.Olmol)、四(三苯基膦)鈀(0)0.35g(0細(xì)3mo1)，添加二甲基甲酰胺/乙醇混合溶液(35mL/5mL)，在氮?dú)鈿饬飨禄亓?小時。將反應(yīng)混合物倒入水(100mL)中，用乙酸乙酯/己烷(1/1)溶液(100mL)萃取后，將有機(jī)層用水(100mL)、5%碳酸氫鈉水溶液(100mL)、飽和食鹽水(lOOmL)洗滌。用硫酸鈉干燥后，用硅膠柱色譜(甲苯/氯仿)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一3)0,28g(0細(xì)83mo1)。收率為17%。LC一MS(正)m/z:336([M+H]+)^NMR(300MHz，CDC13)d7.46(m，1H)，d7.52(dd，J=7.5，7.9Hz，4H)，d7.61(m，1H)，d7.77(d，J=8.3Hz，2H)，d7.85(m，3H)，d7.95(d，J=8.1Hz，2H)，d8.02(dd，J=2.4，8.5Hz，1H)，d8.07(m，2H)，d9.00(s，1H).(合成例4)化合物(L一4)的合成[化30]Pd(PPh3)4,Na2C03DMF、回流在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一l)L17g(0.005mol)、反式一2—苯基乙烯基硼酸0.76g(0篇25mo1)、碳酸鈉1.06g(O.Olmol)、四(三苯基膦)鈀(0)0.35g(0.0003mol)，添加二甲基甲酰胺/乙醇混合溶液(35mL/5mL)，在氮?dú)鈿饬飨禄亓?0小時。將反應(yīng)混合物倒入水(100mL)中，用乙酸乙酯/己烷(1/1)溶液(100mL)萃取后，將有機(jī)層用水(100mL)、5%碳酸氫鈉水溶液(100mL)、飽和食鹽水(100mL)洗滌。用硫酸鈉干燥后，用硅膠柱色譜(甲苯/氯仿)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一4)0.28gC0.00083mo1)。收率為17%。LC一MS(正)m/z:258([M+H]+)H畫R(300MHz,CDC13)S7.15(m，1H)，S7.19(s，1H)，57.31(d，J=7.5Hz，1H)，57.39(m，3H)，S7.49(m，2H)，S7.56(d，J=7.5Hz，2H)，57.75(d，J=8.4Hz，1H)，S7.93(dd，J=2.3，8.3Hz，1H)，S8.03(d，J=8.4Hz，2H)，S8.79(s，1H).(合成例5)化合物(L一5)的合成[化31]在反應(yīng)容器中稱取化合物(L—2)1.64g(0.007mol)、4一苯甲?；交鹚?.98g(0.00875mol)、碳酸鈉1.48g(0.014mol)、四(三苯基膦)鈀(0)0.49g(0.00042mol)，添加二甲基甲酰胺/乙醇混合溶液(50mL/5mL)，在氮?dú)鈿饬飨禄亓?小時。將反應(yīng)混合物倒入水(150mL)中，用乙酸乙酉旨/己垸(1/1)溶液(200mL)萃取后，將有機(jī)層用水(150mL)、5%碳酸氫鈉水溶液(200mL)、飽和食鹽水(lOOmL)洗滌。用硫酸鈉干燥后，用硅膠柱色譜(甲苯/氯仿)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一5)0.69g(0.00206mol)。收率為29%。LC—MS(正)m/z:336([M+H]+)'H麗R(300MHz,CDC13)57.26(m，IH)，37.51(m，2H)，S7.61(m，1H)，S7.80(m，6H)，S7.86(d，J=8.2Hz，2H)，S7.92(d，J=7.5Hz，2H)，58.13(d，J=7.5Hz，2H)，S8.73(m，1H).(合成例6)化合物(L6)的合成[化32]Pd(PPh3)4,Na2C03DMF,回流在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一2)1.17g(0.005mol)、反式一2—苯基乙烯基硼酸0.76g(0雇25mo1)、碳酸鈉1.06g(O.Olmol)、四(三苯基膦)鈀(0)0.35g(0.0003mo1)，添加二甲基甲酰胺/乙醇混合溶液(35mL/5mL)，在氮?dú)鈿饬飨禄亓?0小時。將反應(yīng)混合物倒入水(lOOmL)中，用乙酸乙酯/己烷(1/1)溶液(100mL)萃取后，將有機(jī)層用水(100mL)、5%碳酸氫鈉水溶液(100mL)、飽和食鹽水(100mL)洗滌。用硫酸鈉干燥后，用硅膠柱色譜(甲苯/氯仿)精制，蒸餾除去溶劑，得到了化合物(L一6)0.73g(0麓84mo1)。收率為57%。LC—MS(正)m/z:258([M+H]+)'HNMRG00MHz，CDC13)57.177(s，1H)，S7.182(s，1H)，57.27(m，2H)S7.38(dd，J=7.2，7.9Hz，2H)，S7.55(d，J=7.7Hz，2H)，S7.63(d，J=8.3Hz，2H)，S7.76(m，2H)，S8.02(d，J=8.3Hz，2H)，S8.70(d，J=4.8Hz，1H).(比較例1)金屬絡(luò)合物(M—3)的合成[化33]在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一6)591mgC0.00225mo1)、四氯鉑(II)酸鉀623mgC0.0015mo1)、2—乙氧基乙醇180mL及水60mL，將其在80。C下加熱攪拌8小時?？绽浜螅铀?150mL)而濾出反應(yīng)物，依次用水、甲醇、少量的二氯甲垸洗滌而得到黃色固體。在反應(yīng)容器中稱取黃色固體、乙酰丙酮207mgC0.00207mo1)及2—乙氧基乙醇50mL，向其中添加碳酸鈉731mg(0.0069mol)，在IO(TC下加熱攪拌10小時。蒸餾除去溶劑，將殘渣溶解于二氯甲烷中，用硅膠柱色譜精制(展開溶劑二氯甲烷)。濃縮后添加甲醇，將生成的黃色晶體濾出回收，得到了化合物(M—3)253mg(0扁460mo1)。收率為61%。LC一MS(正)m/z:551([M+H]+)^畫R(300MHz，DMSO—d6)d2.01(s，3H)，d2.04(s,3H)，d5.55(s，1H)，d7.28(m，1H)，d7.39(m，6H)，d7.66(m，4H)，d8.02(m，2H)，d8.89(d，J=5.7Hz，1H).配制了將上述金屬絡(luò)合物(M—3)與聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(以下記作PMMA)以重量比2:98的比率混合了的物質(zhì)的10wt^甲苯溶液。將該溶液向石英基板上滴下，干燥，在石英基板上制成摻雜金屬絡(luò)合物(M—3)的PMMA膜。PMMA使用了AWrich公司制的。使用上述基板，進(jìn)行光致發(fā)光測定，求出了量子效率。光致發(fā)光量子效率是使用(株)OPTEL公司制有機(jī)EL發(fā)光特性評價裝置IES—150，在激發(fā)波長350nm下測定的。對上述金屬絡(luò)合物(M—3)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例0為①-9.9(%)這樣小的值。最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E:S1—T1為AE-0.91(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為fN).256。計算是利用在發(fā)明的詳細(xì)說明中所記載的方法實(shí)施的。具體來說，使用量子化學(xué)計算程序Gaussian03，利用B3LYP水平的密度泛函數(shù)法，進(jìn)行金屬絡(luò)合物(M—3)的基態(tài)的結(jié)構(gòu)最佳化，利用各軌道的布居分析，算出了HOMO中的中心金屬的最外層d軌道所占的比例O。此時，作為基函數(shù)，對于中心金屬使用LANL2DZ，對于除它以外的原子，使用6—31G*。其后，使用同一基底，利用B3LYP水平的時間依賴密度泛函數(shù)法，求出最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)及最低三重態(tài)激發(fā)能量(Tl)，算出能量差A(yù)E:S1—T1以及最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f。(實(shí)施例l)金屬絡(luò)合物(M—l)的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>1)K2PtC!,2—乙氧基乙醇/水乙酰丙酮州32(:032—乙氧塞乙醇在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一3)268mg(0.0008mol)、四氯鉬(II)酸鉀166mg(0.0004mol)、2—乙氧基乙醇45mL及水15mL，將其在80。C下加熱攪拌11小時?？绽浜螅铀?50mL)而濾出反應(yīng)物，依次用水、甲醇、少量的二氯甲烷洗滌而得到黃色固體。在反應(yīng)容器中稱取黃色固體、乙酰丙酮60mg(0.0006mol)及2—乙氧基乙醇15mL，向其中添加碳酸鈉212mg(O麓mol)，在100。C下加熱攪拌5小時。蒸餾除去溶劑，將殘渣溶解于二氯甲垸中，用硅膠柱色譜精制(展開溶劑二氯甲烷)。濃縮后添加甲醇，將生成的黃色晶體濾出回收，得到了化合物(M—O72mgC0.000114mo1)。收率為28%。LC—MS(正)m/z:629([M+H]+)iH畫R(300MHz，DMSO—d6)d1.96(s，3H)，d2.01(s，3H)，d5.60(s，1H),d7.11(m,2H)，d7.43(d，J=7.3Hz，1H)，d7.59(t，J=7.4Hz，2H)，d7.71(m，2H)，d7.79(d，J=7.5Hz，2H)，d7.93(m，4H)，d8.12(d，J=8.6Hz，1H)，d8.46(d，J=7.4Hz，1H)，d9.22(s，1H).使用上述金屬絡(luò)合物(M—l)，與比較例l相同地制成摻雜金屬絡(luò)合-物(M—l)的PMMA膜，測定了光致發(fā)光。觀測到在545nm、583nm具有峰的發(fā)光，其量子效率為比較例1的72.9倍。配制了將下述化合物(CBP)、上述金屬絡(luò)合物(M—l)以97.5:2.5的比率(重量比)混合了的混合物的0.8wt^氯仿溶液，制作了EL元件。而且，CBP使用了從同仁化學(xué)研究所購入的試劑。(CBP)[化35]在利用濺射法以150nrn的厚度附著了ITO膜的玻璃基板上，使用聚(亞乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(Bayer公司，BaytronP)，利用旋轉(zhuǎn)涂覆機(jī)以50nrn的厚度成膜，在加熱平板上20(TC干燥10分鐘。然后，使用上述所配制的氯仿溶液利用旋轉(zhuǎn)涂覆機(jī)以2500rpm的轉(zhuǎn)速成膜。繼而，在將其在氮?dú)鈿夥障乱?3(TC干燥1小時后，作為陰極蒸鍍約5nm的鋇，然后蒸鍍約80nm的鋁，制作了EL元件。而且，在真空度到達(dá)了1X10—Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。通過對所得的元件施加電壓，觀測了在540nm具有最大峰的EL發(fā)光。該元件在18.5V下可以獲得約為100cd/m2的高亮度。利用與比較例1相同的方法，對上述金屬絡(luò)合物(M—l)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例①為①=41.4(%)。最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—Tl為AE=0.42(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為fN).122。(實(shí)施例2)金屬絡(luò)合物(M—2)的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>2—乙氧基乙醇/水2)乙酰丙酮/Na2C032—乙氧基乙醇在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一4)412mg(0.0016mol)、四氯鉬(II)酸鉀332mgC0.0008mo1)、2—乙氧基乙醇卯mL及水30mL，將其在80。C下加熱攪拌10小時?？绽浜?，加水G00mL)而濾出反應(yīng)物，依次用水、甲醇、少量的二氯甲烷洗滌而得到黃色固體。在反應(yīng)容器中稱取黃色固體、乙酰丙酮120mg(0.0012mol)及2—乙氧基乙醇30mL，向其中添加碳酸鈉424mg(0.004mol)，在10(TC下加熱攪拌5小時。蒸餾除去溶劑，將殘渣溶解于二氯甲垸中，用硅膠柱色譜精制(展開溶劑二氯甲烷)。濃縮后添加甲醇，將生成的黃色晶體濾出回收，得到了化合物(M—2)62mg(0.000113mol)。收率為14%。LC一MS(正)m/z:551([M+H]+)!H畫R(300MHz，DMSO—d6)d1.97(s，3H)，d2.07(s，3H)，d5.61(s，1H)，d7.10(m，2H)，d7.34(m，1H)，d7.43(m，5H)，d7.68(m，3H)，d8.01(d，J=8.6Hz，1H)，d8.39(d，J=8.6Hz，1H)，d8.98(s，1H).使用上述金屬絡(luò)合物(M—2)，與實(shí)施例l相同地制成摻雜金屬絡(luò)合物(M—2)的PMMA膜，測定了光致發(fā)光。其量子效率為比較例1的1.3倍。利用與實(shí)施例1相同的方法，對上述金屬絡(luò)合物(M—2)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例O為(P=34.7(%)。最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—T1為AE-0.74(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為f=0.223。(實(shí)施例3)金屬絡(luò)合物(M_4)的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula>在反應(yīng)容器中稱取化合物(L一4)587mg(0.00175mol)、四氯鉬(II)酸鉀581mgC0.0014mo1)、2—乙氧基乙醇120mL及水40mL，將其在80"C下加熱攪拌10小時。空冷后，加水(200mL)而濾出反應(yīng)物，依次用水、甲醇、少量的二氯甲烷洗滌而得到黃色固體。在反應(yīng)容器中稱取黃色固體、乙酰丙酮120mg(0.0012mol)及2—乙氧基乙醇30mL，向其中添加碳酸鈉424mg(0.004mol)，在10(TC下加熱攪拌10小時。蒸餾除去溶劑，將殘渣溶解于二氯甲烷中，用硅膠柱色譜精制(展開溶劑二氯甲垸)。濃縮后添加甲醇，將生成的黃色晶體濾出回收，得到了化合物(M—4)145mg(0.00023lmol)。收率為29%。LC一MS(正)m/z:629([M+H]+)'H雇R(300MHz，DMSO—d6)d2.00(s，3H)，d2.02(s，3H)，d5.62(s，1H)，d7.46(m，2H)，d7.60(m，2H)，d7.70(m，2H),d7.80(m，3H)，d7.88(m，4H)，d8.08(m，2H)，d8.93(d，J=6.1Hz，1H).使用上述金屬絡(luò)合物(M—4)，與實(shí)施例l相同地制成摻雜金屬絡(luò)合物(M—4)的PMMA膜，測定了光致發(fā)光。觀測到在544nm、581nm具有峰的發(fā)光，其量子效率為比較例1的48.6倍。利用與實(shí)施例1相同的方法，對上述金屬絡(luò)合物(M—4)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例O為O=39.1(%)。最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—Tl為AE-0.56(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為fK).093。(實(shí)施例4)利用與金屬絡(luò)合物(M—l)相同的方法，對下述金屬絡(luò)合物(M—5)及(M—6)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例O、最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E:S1—T1及最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f如以下的表1所示。與作為比較例的金屬絡(luò)合物(M—5)相比，本發(fā)明的金屬絡(luò)合物(M_6)的O及f變大，更為優(yōu)良。<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula>(實(shí)施例5)利用與金屬絡(luò)合物(M—l)相同的方法，對下述金屬絡(luò)合物(M—7)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例0為0=37.2(%)，最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—Tl為AE=0.24(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為卜0.033。(實(shí)施例6)利用與金屬絡(luò)合物(M—1)相同的方法，對下述金屬絡(luò)合物(M—8)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例0為0=45.7(%)，最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—T1為AE-0.22(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為M).026。[化40](M—B)(實(shí)施例7)利用與金屬絡(luò)合物(M—l)相同的方法，對下述金屬絡(luò)合物(M—9)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例0為0)=36.6(%)，最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E-S1—Tl為AE^.24(eV)，此外，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為fN).038。[化41]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>(實(shí)施例8)利用與金屬絡(luò)合物(M—l)相同的方法，對下述金屬絡(luò)合物(M—IO)實(shí)施了計算，結(jié)果為，HOMO中的中心金屬M(fèi)的最外層d軌道所占的比例O為0=41.8(%)，最低單重態(tài)激發(fā)能量(Sl)與最低激發(fā)三重態(tài)能量(Tl)的能量差A(yù)E^S1—T1為AE-0.24(eV)，此夕卜，最低單重態(tài)激發(fā)的振子強(qiáng)度f為，0.023。[化42]工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的金屬絡(luò)合物是在中心金屬中使用了與銥相比產(chǎn)量及儲量更多的金屬的絡(luò)合物，在發(fā)光效率、穩(wěn)定性、色純度等方面更為優(yōu)良。所以，通過將本發(fā)明的金屬絡(luò)合物用于電致發(fā)光元件等光電元件中，可以提供特性更為優(yōu)良的元件。權(quán)利要求1.一種金屬絡(luò)合物，其中心金屬M(fèi)為選自由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg構(gòu)成的組中的一種，其特征是，不含有鹵素單齒配位體，在利用計算科學(xué)方法得到的最高占有分子軌道(HOMO)中，中心金屬的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部原子軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例在1/3以上，另外利用計算科學(xué)方法得到的最低單重態(tài)激發(fā)能量(S1)與最低三重態(tài)激發(fā)能量(T1)的能量差(S1-T1)在0.1(eV)以上1.0(eV)以下，最低單重態(tài)激發(fā)中的振子強(qiáng)度(f)在0.005以上1.0以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬絡(luò)合物，其中，上述f與(Sl—TO處于由f^0.24X(SI—Tl)+0.06和f^0.24X(Sl—Tl)一0.06規(guī)定的范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬絡(luò)合物，其中，(Sl—Tl)在O.l(eV)以上0.28(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.005以上。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬絡(luò)合物，其中，(S1—T1)大于0.28(eV)而在l(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.035以上。5.根據(jù)權(quán)利要求13中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其中，(Sl—Tl)在0.15(eV)以上0.2S(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.025以上0.05以下。6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的金屬絡(luò)合物，其中，(S1—T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.07以上0.3以下。7.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的金屬絡(luò)合物，其中，(S1—T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.09以上0.3以下。8.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的金屬絡(luò)合物，其中，(S1—T1)大于0.28(eV)而在1.0(eV)以下，并且振子強(qiáng)度(f)在0.10以上0.25以下。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其是非離子性的。10.根據(jù)權(quán)利要求19中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其具有至少一個以上含有一個以上的芳香環(huán)的多齒螯合配位體。11.一種金屬絡(luò)合物，其特征是，具有以下述通式(l一l)表示的局部結(jié)構(gòu)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(上述通式(l一l)中，M表示上述中心金屬，R^R2以及RaRf分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子，其中R,及R2的至少一個是以下述式(2)表示的基，式(2)中，RR19分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、垸氧基、苯基或鹵原子，另外，波浪線的位置表示結(jié)合位置。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>12.根據(jù)權(quán)利要求110中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其特征是，具有以上述通式(l一O表示的局部結(jié)構(gòu)。13.根據(jù)權(quán)利要求110中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其特征是，具有以下述通式(l一2)表示的局部結(jié)構(gòu)，(所述通式(l一2)中，M表示上述中心金屬，RaRg分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子，R2是以下述通式(3)表示的基，通式(3)中，R^及R22分別獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R23R27分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵原子，另外，波浪線的位置表示結(jié)合位置?！礫化3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>14.一種金屬絡(luò)合物，其特征是，作為局部結(jié)構(gòu)具有以下述通式(4)表示的結(jié)構(gòu)，[化5](上述式(4)中，M表示上述中心金屬，Cl環(huán)、C2環(huán)、C3環(huán)及C4環(huán)分別獨(dú)立地表示也可以帶有取代基的芳香環(huán)，存在于各個環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)的Zl、Z2、Z3及Z4分別獨(dú)立地表示與中心金屬M(fèi)的配位原子。i、j、k及1分別獨(dú)立地表示碳數(shù)為16的亞垸基、碳數(shù)為16的亞鏈烯基或碳數(shù)為16的亞炔基，該亞垸基、該亞鏈烯基及該亞炔基的碳原子分別也可以被氧原子、硫原子、氮原子或磷原子取代。p、q、r、及s分別獨(dú)立地表示0或1。)15.根據(jù)權(quán)利要求110中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物，其特征是，作為局部結(jié)構(gòu)具有以上述通式(4)表示的結(jié)構(gòu)。16.—種以下述通式(M—6)表示的金屬絡(luò)合物。[化6]17.—種組合物，其特征是，含有權(quán)利要求116中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物和電荷輸送性材料。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的組合物，其中，上述電荷輸送性材料是有機(jī)化合物。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的組合物，其中，上述有機(jī)化合物是低分子有機(jī)化合物。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的組合物，其中，上述有機(jī)化合物是高分子。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的組合物，其中，上述高分子是共軛系高分子。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的組合物，其中，上述高分子含有以下述通式(6)表示的重復(fù)單元。[化7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(6)(式中，P環(huán)及Q環(huán)分別獨(dú)立地表示芳香環(huán)，然而P環(huán)也可以不存在。兩個結(jié)合手在P環(huán)存在的情況下，分別存在于P環(huán)及/或Q環(huán)上，在P環(huán)不存在的情況下，分別存在于含有Y的五元環(huán)或六元環(huán)上及/或Q環(huán)上。另外，在芳香環(huán)上及/或含有Y的五元環(huán)或六元環(huán)上也可以帶有取代基。Y表示—O—、一S—、一Se—、一B(R31)—、一N(R35)—、一C(R。(R2)—、一Si(R)(R2)—、一P(R3)—、一PR4(=0)—、—C(R51)(R52)—C(R53)(R54)—、一O—C(R55)(R56)—、一S—C(R57)(R58)—、—N—C(R59)(R60)—、—Si(R6,)(&2)—C(R^)(R^)一、—Si(R65)(R66)—Si(Re)(R68)—、C=C(R70)—、一N=C(R71)—或一Si(R72)=C(R73)—，R廣R4、R3i、1135及1151R73分別獨(dú)立地表示氫原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1價的雜環(huán)基或鹵原子。)23.—種高分子，其特征是，作為局部結(jié)構(gòu)在分子內(nèi)含有權(quán)利要求l16中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的高分子，其是共軛系高分子。25.—種組合物，其特征是，所述組合物含有權(quán)利要求1724中任意一項(xiàng)所述的組合物或高分子，和從由空穴輸送材料、電子輸送材料及發(fā)光材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種材料。26.—種墨液組合物，其特征是，所述墨液組合物含有權(quán)利要求l25中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物、組合物或高分子。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的墨液組合物，其粘度在25"C為l100mPas。28.—種發(fā)光性薄膜，其特征是，含有權(quán)利要求125中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物、組合物或高分子。29.—種光電元件，其特征是，含有權(quán)利要求125中任意一項(xiàng)所述的金屬絡(luò)合物、組合物或高分子。30.—種光電元件，其特征是，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，具有含有權(quán)利要求1725中任意一項(xiàng)所述的組合物或高分子的層。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光電元件，其中，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，還含有電荷輸送層或電荷阻止層。32.根據(jù)權(quán)利要求2931中任意一項(xiàng)所述的光電元件，其中，光電元件為發(fā)光元件。33.—種面狀光源，其特征是，使用了權(quán)利要求32中所述的發(fā)光元件。34.—種分段顯示裝置，其特征是，使用了權(quán)利要求32中所述的發(fā)光元件。35.—種點(diǎn)矩陣顯示裝置，其特征是，使用了權(quán)利要求32中所述的發(fā)光元件。36.—種液晶顯示裝置，其特征是，將權(quán)利要求32中所述的發(fā)光元件作為背光燈。37.—種照明，其特征是，使用了權(quán)利要求32中所述的發(fā)光元件。全文摘要本發(fā)明提供一種金屬絡(luò)合物，是中心金屬M(fèi)為選自由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Pt、Au及Hg構(gòu)成的組中的一種的金屬絡(luò)合物，其特征是，不含有鹵素單齒配位體，在利用計算科學(xué)方法得到的最高占有分子軌道(HOMO)中，中心金屬的最外層d軌道的軌道系數(shù)的平方之和在全部原子軌道系數(shù)的平方之和中所占的比例在1/3以上，另外利用計算科學(xué)方法得到的最低單重態(tài)激發(fā)能量(S1)與最低三重態(tài)激發(fā)能量(T1)的能量差(S1-T1)在0.1(eV)以上1.0(eV)以下，最低單重態(tài)激發(fā)中的振子強(qiáng)度(f)在0.005以上1.0以下。文檔編號H01L51/50GK101305016SQ20068004191公開日2008年11月12日申請日期2006年9月8日優(yōu)先權(quán)日2005年9月9日發(fā)明者關(guān)根千津,岡村玲,秋野喜彥申請人:住友化學(xué)株式會社