專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
目前研制的半導(dǎo)體器件包括那些在JP-A第H11-297837號、JP-A第2005-39220號和JP-A第2005-57186號中公開的半導(dǎo)體器件。那些半導(dǎo)體器件包括熔絲。在這種半導(dǎo)體器件中，斷開熔絲能夠進(jìn)行諸如調(diào)節(jié)半導(dǎo)體器件中使用的電阻和使缺陷元件無效而用正常元件來代替它等操作。用正常元件和來代替缺陷元件的技術(shù)用于例如保證半導(dǎo)體存儲單元的冗余度。
斷開熔絲的方法包括激光照射和加載電流。前者在JP-A第H11-297837號中被公開，后者在JP-A第2005-39220號和JP-A第2005-57186號中被公開。
圖7為根據(jù)JP-A第H11-297837號的半導(dǎo)體器件的電路圖。圖7示出了根據(jù)熔絲的斷開狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號的信號輸出單元100，以及作為替代目標(biāo)的內(nèi)部電路110。信號輸出單元100包括三個(gè)熔絲101、102和103，因此當(dāng)熔絲101、102和103中的至少一個(gè)斷開時(shí)，NAND門107輸出高電平(下面稱為H電平)信號。具體地說，熔絲101、102和103中的每一個(gè)都具有連接到電源端108的一端，和連接到NAND門107的輸入端的另一端。另外，熔絲101、102和103的另一個(gè)端子分別經(jīng)由下拉電阻104、105和106接地。
在內(nèi)部電路110中，NAND 107的輸出經(jīng)由反相器111被提供給傳輸門112和113。因此，兩個(gè)地址總線114和115根據(jù)NAND 107的輸出進(jìn)行相互切換。
在圖7所示的電路中，如果斷開三個(gè)熔絲101、102和103中的至少一個(gè)，可以從斷開熔絲中獲得期望結(jié)果(例如，使用正常元件來代替缺陷元件)。因此，不太可能發(fā)生熔絲101、102和103的不完全斷開影響信號輸出單元100的輸出。換句話說，基本上進(jìn)一步確保了熔絲的完全斷開。
不過，曾經(jīng)被斷開的熔絲隨著時(shí)間的流逝可以重新連接。因此，減少隨著時(shí)間發(fā)生的這種變化影響信號輸出單元輸出的可能性在提供可靠的半導(dǎo)體器件中也是至關(guān)重要的。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括信號輸出單元，其包括位于半導(dǎo)體襯底上的m個(gè)(其中m≥2)熔絲，以及根據(jù)m個(gè)熔絲的斷開狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號的輸出端；以及判斷單元，其判斷m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)(其中m≥n≥2)或更多個(gè)熔絲被斷開，并且輸出判斷結(jié)果。
這樣構(gòu)建的半導(dǎo)體器件包括判斷單元。判斷單元判斷是否有n或更多個(gè)熔絲被斷開。這里，當(dāng)用p來表示由于隨時(shí)間的變化而重新連接熔絲之一的可能性時(shí)(0＜p＜1)，重新連接所有n個(gè)熔絲的可能性是pn。因此，當(dāng)判斷單元輸出否定的結(jié)果時(shí)(即當(dāng)小于n個(gè)熔絲被斷開時(shí))，再次執(zhí)行斷開以確保n個(gè)或更多個(gè)熔絲被斷開，這會減小隨時(shí)間的變化對信號輸出單元的輸出產(chǎn)生影響的可能性。換句話說，大大減小了熔絲隨時(shí)間變化的可能性。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括信號輸出單元，其包括位于半導(dǎo)體襯底上的m個(gè)(其中m≥2)反熔絲，以及根據(jù)m個(gè)反熔絲的連接狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號的輸出端；以及判斷單元，判斷m個(gè)反熔絲中是否有n個(gè)(其中m≥n≥2)或更多個(gè)反熔絲被連接，并且輸出判斷結(jié)果。
像熔絲那樣，盡管曾被連接起來，但是由于隨時(shí)間的變化反熔絲可以被再次斷開。不過，這樣構(gòu)建的半導(dǎo)體器件包括判斷單元。判斷單元判斷是否有n或更多個(gè)反熔絲被連接。這里，當(dāng)用q來表示由于隨時(shí)間的變化而重新斷開反熔絲z之一的可能性時(shí)(0＜q＜1)，重新斷開所有n個(gè)反熔絲的可能性是qn。因此，當(dāng)判斷單元輸出否定的結(jié)果時(shí)(即當(dāng)小于n個(gè)反熔絲被連接時(shí))，再次執(zhí)行連接以確保n或更多個(gè)反熔絲被連接，這會減小隨時(shí)間的變化對信號輸出單元的輸出產(chǎn)生影響的可能性。
因此，本發(fā)明提供了一種能夠減小熔絲或反熔絲的隨時(shí)間變化的可能性的半導(dǎo)體器件。
下面結(jié)合附圖來進(jìn)行講述，將使本發(fā)明的上述目的、優(yōu)點(diǎn)和特征更加清楚，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路圖；圖3為圖2的半導(dǎo)體器件中的判斷單元的變形的電路圖；圖4為圖2的半導(dǎo)體器件中的判斷單元的另一個(gè)變形的電路圖；圖5為根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變形的電路圖；圖6為根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)變形的電路圖；圖7為現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考解釋性實(shí)施例來在此講述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用本發(fā)明的講解可以實(shí)現(xiàn)許多替代性的實(shí)施例，并且本發(fā)明并不限于用于解釋目的的實(shí)施例。
下面參考附圖來詳細(xì)講述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的示例實(shí)施例。在附圖中，相同的組件被標(biāo)以同樣的標(biāo)號，并且不再對它們進(jìn)行重復(fù)講述。
(第一實(shí)施例)圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路圖。半導(dǎo)體器件1包括信號輸出單元10和判斷單元20。信號輸出單元10包括m個(gè)(m≥2)熔絲12a和12b，NAND門14，電阻元件16a和16b，以及輸出端18。在該實(shí)施例中，m等于2。
熔絲12a和12b是位于半導(dǎo)體襯底(圖中未示出)上的電熔絲。更為詳細(xì)地說，在半導(dǎo)體襯底上有絕緣層(圖中未示出)，并且熔絲12a和12b被布置在絕緣層上。熔絲12a和12b由導(dǎo)電材料構(gòu)成，并且能夠在有超出預(yù)定幅度的電流流過它們時(shí)被斷開。熔絲12a和12b的各自的一端連接到電源端13。熔絲12a和12b的各自的另一個(gè)端經(jīng)由電阻元件16a和16b(下拉電阻)接地，并且還連接到NAND門14的輸入端。
輸出端18用于根據(jù)兩個(gè)熔絲12a和12b的斷開狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號。具體地說，當(dāng)熔絲12a和12b中的至少一個(gè)被斷開時(shí)，輸出端18輸出第一幅度的電位信號，并且當(dāng)熔絲12a和12b都不斷開時(shí)，輸出第二幅度的電位信號。在該實(shí)施例中，輸出端18對應(yīng)于NAND門14的輸出端。因此，NAND門14輸出的H電平和低電平(下文中稱L電平)信號分別對應(yīng)于第一和第二幅度的電位信號。連接到輸出端18的是例如如圖7中所示的內(nèi)部電路110。
判斷單元20判斷在包括在信號輸出單元10中的m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)(m≥n≥2)或更多個(gè)熔絲被斷開，并且輸出判斷結(jié)果。由于在該實(shí)施例中m等于2，因此自然地，n也等于2。判斷單元20包括用于接收熔絲12a和12b的與電源端13相對的各端的電位來作為輸入信號的邏輯門，以便能夠以邏輯門的輸出信號的形式來輸出判斷結(jié)果。
在該實(shí)施例中，判斷單元20是由其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12a和12b的一端的NOR門22組成。因此，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，即當(dāng)兩個(gè)熔絲12a和12b都被斷開時(shí)，在NOR門22的輸出端24輸出H電平電位信號。相反，當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，即當(dāng)兩個(gè)熔絲12a和12b中只有一個(gè)被斷開或兩個(gè)熔絲12a和12b都沒有被斷開時(shí)，在輸出端24輸出L電平電位信號。
半導(dǎo)體器件1具有下述有利效果。半導(dǎo)體器件1包括判斷單元20。判斷單元20判斷兩個(gè)熔絲12a和12b是否都被斷開。這里，當(dāng)用p來表示由于隨時(shí)間的變化而重新連接熔絲之一的可能性時(shí)(0＜p＜1)，重新連接兩個(gè)熔絲的可能性是p2。因此，當(dāng)判斷單元20輸出否定的結(jié)果時(shí)(即當(dāng)斷開的熔絲小于n個(gè)時(shí))，再次執(zhí)行斷開以確保2個(gè)熔絲斷開，這將會減小隨時(shí)間的變化對信號輸出單元10的輸出產(chǎn)生影響的可能性。因此，該實(shí)施例提供了一種能夠減小熔絲隨時(shí)間變化的可能性的半導(dǎo)體器件1。
當(dāng)熔絲12a和12b中的至少一個(gè)被斷開時(shí)，信號輸出單元10的輸出端18輸出第一幅度的電位信號，并且當(dāng)熔絲12a和12b都不斷開時(shí)，輸出第二幅度的電位信號。這種配置大大增加了熔絲的斷開可能性。因此，半導(dǎo)體器件1既能夠提高熔絲的斷開可能性，又能夠減小熔絲隨時(shí)間變化的可能性。
判斷單元20包括用于接收熔絲12a和12b的各端的電位來作為輸入信號的邏輯門，以便能夠以邏輯門的輸出信號的形式來輸出判斷結(jié)果。這種配置在確保能夠輸出肯定的和否定的判斷結(jié)果的同時(shí)，也提供了結(jié)構(gòu)簡化的判斷單元20。
判斷單元20是由其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12a和12b的一端的NOR門22組成的。這種配置進(jìn)一步簡化了判斷單元20的結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施例中，可以用OR門來代替NOR門22。在這種情況下，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，在輸出端24輸出L電平信號，并且當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，在輸出端24輸出H電平信號。另外，當(dāng)這種電路的結(jié)構(gòu)使得當(dāng)熔絲12a和12b被斷開時(shí)為NOR門22的輸入端提供H電平信號，并且當(dāng)熔絲12a和12b不被斷開時(shí)為NOR門22的輸入端提供L電平信號時(shí)，可以使用NAND門或AND門來代替NOR門22。不過需要指出的是，從簡化電路結(jié)構(gòu)的角度來考慮，NOR門或NAND門比OR門或AND門更優(yōu)選。
熔絲12a和12b由電熔絲組成。因此，通過施加電流可以斷開熔絲12a和12b。該方法優(yōu)于下述方面中的激光照射。
當(dāng)通過激光照射來斷開熔絲時(shí)，在斷點(diǎn)和其他元件之間必須保證一定的間隔，以便防止其他元件受到激光照射的影響。這不利于半導(dǎo)體尺寸的減小。除此之外，熔絲的形成額外需要一或兩個(gè)專門的光刻處理，從而導(dǎo)致制造步驟數(shù)和制造成本的增加。更為詳細(xì)地說，由于在熔絲上通常具有中間層膜，因此必須在中間層膜中形成用于激光照射的開口，并且必須調(diào)整熔絲上的中間層膜的厚度。此外，當(dāng)檢查包括這種熔絲的半導(dǎo)體器件時(shí)，在特性測試之后執(zhí)行激光照射以斷開熔絲，然后半導(dǎo)體器件必須再次經(jīng)過特性測試。因此，制造步驟數(shù)和制造成本增加。相反，通過電流進(jìn)行斷開不會發(fā)生上述缺點(diǎn)。
同時(shí)，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了與電熔絲有關(guān)的問題。具體地說，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在斷開電熔絲之后執(zhí)行熱處理可以使熔絲在斷點(diǎn)處重新連接。推測起來，這是由于通過電子遷移的影響使組成電熔絲的材料發(fā)生移動。因此，當(dāng)使用電熔絲時(shí)，本發(fā)明由于能夠減小重新連接對信號輸出單元的輸出產(chǎn)生影響的可能性，因而具有進(jìn)一步的好處。
(第二實(shí)施例)圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路圖。半導(dǎo)體器件2包括信號輸出單元10和判斷單元30。信號輸出單元10包括m個(gè)(m≥2)熔絲12a、12b和12c，NAND門14，電阻元件16a、16b和16c，以及輸出端18。在該實(shí)施例中，m等于3。
熔絲12a、12b和12c的結(jié)構(gòu)與參考圖1所述的那些熔絲類似。熔絲12a、12b和12c的各自的一端連接到電源端13。熔絲12a、12b和12c的各自的另一端經(jīng)由電阻元件16a、16b和16c接地，并且還連接到NAND門14的輸入端。
輸出端18用于根據(jù)三個(gè)熔絲12a、12b和12c的斷開狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號。具體地說，當(dāng)熔絲12a、12b和12c中的至少一個(gè)被斷開時(shí)，輸出端18輸出第一幅度的電位信號，并且當(dāng)熔絲12a、12b和12c都不斷開時(shí)，輸出第二幅度的電位信號。
判斷單元30判斷在包括在信號輸出單元10中的m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)(m≥n≥2)或更多個(gè)熔絲被斷開，并且輸出判斷結(jié)果。這里，作為例子假定n為2。判斷單元30包括用于接收熔絲12a、12b和12c的各端的電位來作為輸入信號的邏輯門，以便能夠以邏輯門的輸出信號的形式來輸出判斷結(jié)果。
在該實(shí)施例中，判斷單元30是由三個(gè)AND門32a、32b和32c以及NOR門34組成的。AND門32a(第一AND門)包括兩個(gè)輸入端，它們分別連接到熔絲12a(第一熔絲)和熔絲12b(第二熔絲)的一端。AND門32b(第二AND門)包括兩個(gè)輸入端，它們分別連接到熔絲12b和熔絲12c(第三熔絲)的一端。AND門32c(第三AND門)包括兩個(gè)輸入端，它們分別連接到熔絲12c和熔絲12a的一端。NOR門34包括三個(gè)輸入端，它們分別連接到AND門32a、32b和32c的輸出端。
因此，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，即當(dāng)熔絲12a、12b和12c中有兩個(gè)或更多熔絲被斷開時(shí)，通過AND門32a、32b和32c輸出L電平信號，在NOR門34的輸出端36輸出H電平電位信號。相反，當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，即當(dāng)熔絲12a、12b和12c中沒有或只有一個(gè)被斷開時(shí)，在輸出端36輸出L電平電位信號。
在這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件2中，由于判斷單元30判斷在熔絲12a、12b和12c中是否有兩個(gè)或更多個(gè)熔絲被斷開，所以可以像半導(dǎo)體器件1中那樣減小熔絲隨時(shí)間變化的可能性。
判斷單元30由這三個(gè)AND門32a、32b和32c以及NOR門34組成。這種配置在確保能夠判斷在三個(gè)熔絲中是否有兩個(gè)或更多熔絲被斷開的同時(shí)，提供了結(jié)構(gòu)簡化的判斷單元30。
這里，判斷單元30可以以各種其他形式構(gòu)成，而不限于圖2。引用幾個(gè)例子，如圖3所示，判斷單元30可以包括其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12a、12b的一端的NAND門42a(第一NAND門)，其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12b、12c的一端的NAND門42b(第二NAND門)，其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12c、12a的一端的NAND門42c(第三NAND門)，以及其三個(gè)輸入端分別連接到NAND門42a、42b和42c的輸出端的NAND門44(第四NAND門)。由于只包括NAND門，因此這種配置進(jìn)一步簡化了判斷單元30的結(jié)構(gòu)。
可替換情況下，如圖4所示，判斷單元30可以包括其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12a、12b的一端的NOR門52a(第一NOR門)，其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12b、12c的一端的NOR門52b(第二NOR門)，其兩個(gè)輸入端分別連接到熔絲12c、12a的一端的NOR門52c(第三NOR門)，以及其三個(gè)輸入端分別連接到NOR門52a、52b和52c的輸出端的NOR門54(第四NOR門)。在這種情況下，由于只包括NOR門，因此這種配置進(jìn)一步簡化了判斷單元30的結(jié)構(gòu)。
這里，在圖3和圖4中，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，在輸出端46和56分別輸出L電平電位信號，并且當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，在輸出端46和56分別輸出H電平電位信號。半導(dǎo)體器件2的其他優(yōu)點(diǎn)如半導(dǎo)體器件1中所述。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件不限于前述實(shí)施例，而是可以進(jìn)行各種修訂。引用幾個(gè)例子，在這些實(shí)施例中可以使用反熔絲來代替熔絲。圖5為包括反熔絲的半導(dǎo)體器件的電路圖。在圖5中，信號輸出單元60包括位于半導(dǎo)體襯底上的m個(gè)(m≥2)反熔絲62a、62b，NOR門64，電阻元件66a、66b，以及輸出端68。在這種變形中，m等于2。當(dāng)反熔絲62a、62b的至少一個(gè)被連接時(shí)，輸出端68輸出第一幅度的電位信號，并且當(dāng)反熔絲62a、62b都沒有被連接時(shí)，輸出第二幅度的電位信號。
判斷單元70判斷在包括在信號輸出單元60中的m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)(m≥n≥2)或更多個(gè)熔絲被連接，并且輸出判斷結(jié)果。由于m等于2，因此自然地，n也等于2。在該變形中，判斷單元70是由其兩個(gè)輸入端分別連接到反熔絲62a、62b的一端的NAND門72組成。因此，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，即當(dāng)兩個(gè)熔絲62a和62b都被連接時(shí)，在NAND門72的輸出端74輸出L電平電位信號。相反，當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，即當(dāng)兩個(gè)熔絲62a和62b只有一個(gè)或都沒有被連接時(shí)，在輸出端74輸出H電平電位信號。
另外，盡管前述實(shí)施例指的是其中(m，n)為(2，2)或(3，2)的情況，但m和n可以是任何整數(shù)，只要滿足m≥n≥2的關(guān)系。圖6示出了表示m＝n＝3情況的電路圖來作為例子。在圖6中，信號輸出單元10的結(jié)構(gòu)類似圖2所示。另外，判決單元80是由其三個(gè)輸入端分別連接到熔絲12a、12b和12c的一端的NOR門82組成的。在NOR門82的輸出端84，當(dāng)判斷結(jié)果為肯定和為否定時(shí)，分別輸出H電平或L電平電位信號。從圖1和圖6中可以明顯看出，當(dāng)m與n相等時(shí)，判斷單元一般可以由具有分別連接到m個(gè)熔絲的一端的m個(gè)輸入端的NOR門組成。
此外，盡管在前述實(shí)施例中使用的是電熔絲，但是也可以使用通過激光照射被斷開的熔絲。
很明顯，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，并且可以對其進(jìn)行修訂和更改，而不偏離本發(fā)明的范圍和主旨。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括信號輸出單元，其包括位于半導(dǎo)體襯底上的m個(gè)熔絲，以及根據(jù)所述m個(gè)熔絲的斷開狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號的輸出端，其中m≥2；以及判斷單元，其判斷所述m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)或更多個(gè)熔絲被斷開，并且輸出判斷結(jié)果，其中m≥n≥2。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中當(dāng)所述m個(gè)熔絲中的至少一個(gè)被斷開時(shí)，所述輸出端輸出第一幅度的電位信號，并且當(dāng)所述m個(gè)熔絲都不被斷開時(shí)，輸出第二幅度的電位信號。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述判斷單元包括用于接收所述熔絲的一端的電位來作為輸入信號的邏輯門，以便以所述邏輯門的輸出信號的形式來輸出所述判斷的所述結(jié)果。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述判斷單元包括用于接收所述熔絲的一端的電位來作為輸入信號的邏輯門，以便以所述邏輯門的輸出信號的形式來輸出所述判斷的所述結(jié)果。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述判斷單元包括NAND門或NOR門，NAND門或NOR門具有連接到每一個(gè)所述熔絲的一端的所述m個(gè)輸入端。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述判斷單元包括NAND門或NOR門，NAND門或NOR門具有連接到每一個(gè)所述熔絲的一端的所述m個(gè)輸入端。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及NOR門，其具有三個(gè)輸入端，它們連接到所述第一AND門、所述第二AND門和所述第三AND門的各輸出端。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三AND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及NOR門，其具有三個(gè)輸入端，它們連接到所述第一AND門、所述第二AND門和所述第三AND門的各輸出端。
9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及第四NAND門，其具有三個(gè)輸入端，分別連接到所述第一NAND門、所述第二NAND門和所述第三NAND門的各個(gè)輸出端。
10.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三NAND門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及第四NAND門，其具有三個(gè)輸入端，它們連接到所述第一NAND門、所述第二NAND門和所述第三NAND門的各輸出端。
11.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及第四NOR門，其具有三個(gè)輸入端，它們連接到所述第一NOR門、所述第二NOR門和所述第三NOR門的各輸出端。
12.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述m等于3；并且所述判斷單元包括第一NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的第一熔絲和第二熔絲的各端，第二NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，它們連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第二熔絲和第三熔絲的各端，第三NOR門，其具有兩個(gè)輸入端，分別連接到所述三個(gè)熔絲中的所述第三熔絲和所述第一熔絲的各端，以及第四NOR門，其具有三個(gè)輸入端，它們連接到所述第一NOR門、所述第二NOR門和所述第三NOR門的各輸出端。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述熔絲是電熔絲。
14.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述熔絲是電熔絲。
15.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述熔絲是電熔絲。
16.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述熔絲是電熔絲。
17.一種半導(dǎo)體器件，包括信號輸出單元，其包括位于半導(dǎo)體襯底上的m個(gè)反熔絲，以及根據(jù)所述m個(gè)反熔絲的連接狀態(tài)來輸出二進(jìn)制信號的輸出端，其中m≥2；以及判斷單元，其判斷所述m個(gè)反熔絲中是否有n個(gè)或更多個(gè)反熔絲被連接，并且輸出判斷結(jié)果，其中m≥n≥2。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括信號輸出單元和判斷單元。信號輸出單元包括m個(gè)熔絲、NAND門、電阻元件以及輸出端，其中m≥2。判斷單元判斷包括在信號輸出單元中的m個(gè)熔絲中是否有n個(gè)或更多個(gè)熔絲被斷開，并且輸出判斷結(jié)果，其中m≥n≥2。當(dāng)m＝n＝2時(shí)，判斷單元由其兩個(gè)輸入端連接到熔絲的各端的NOR門組成。因此，當(dāng)判斷結(jié)果是肯定的時(shí)，在NOR門的輸出端輸出H電平電位信號。另一方面，當(dāng)判斷結(jié)果是否定的時(shí)，在輸出端輸出L電平電位信號。
文檔編號H01L23/525GK1929135SQ20061012815
公開日2007年3月14日 申請日期2006年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月7日
發(fā)明者大洼宏明, 中柴康隆 申請人:恩益禧電子股份有限公司