專利名稱：發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，通過在薄膜中生長氮化鎵(GaN)晶體制造發(fā)光器件。生長GaN晶體的最佳選擇是GaN襯底。
然而，由于難以生長GaN晶體等原因?qū)е翯aN襯底非常昂貴。
因此，大部分基GaN的發(fā)光器件在異質(zhì)襯底上生長。異質(zhì)襯底包括藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)等。最近，已經(jīng)廣泛使用的異質(zhì)襯底之一是藍寶石襯底。
圖1a到1e是說明制造基于GaN的發(fā)光器件的常規(guī)方法的剖面圖。如圖1a所示，在藍寶石襯底(20)上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)，各個結(jié)構(gòu)互相間隔開。
這里，多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)中的每一個包括用于產(chǎn)生光的有源層。
另外，在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個上淀積P型電極，使得P型電極與之歐姆接觸，由此穩(wěn)定地將外部電流加到發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
其后，借助于電鍍等手段(圖1b)形成金屬膜(30)，以覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)。
此時，因為金屬膜(30)夾住了發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)，所以在隨后的工藝中容易除去藍寶石襯底(20)。
然后，藍寶石襯底(20)與每個發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)的底部分離(圖1c)。
可以使用激光剝離工藝除去藍寶石襯底(20)。
這里，激光剝離工藝是通過從藍寶石襯底(20)下面照射激光束，從被金屬膜(30)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)上分離并除去藍寶石襯底的工藝。
此時，在金屬膜形成工藝和激光剝離工藝期間產(chǎn)生的能量直接傳送到金屬膜，導(dǎo)致在金屬膜中產(chǎn)生應(yīng)力。
因此，出現(xiàn)例如金屬膜的裂紋或彎曲等缺陷。這些缺陷導(dǎo)致有缺陷的器件，由此降低了器件的產(chǎn)品收得率(production yield)。
如圖1d所示，在藍寶石襯底分離之后，進行劃片工藝，以在彼此間隔開的相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)(10)之間的金屬膜上形成切割槽(40)。
此時，金屬本身的剛性使得在切割槽(40)下面產(chǎn)生裂縫(41)。此外，裂縫(41)可能擴展到發(fā)光結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致發(fā)光器件品質(zhì)的退化。
最后，如圖1e所示，進行擴張和裂片工藝，其中力施加于被金屬膜(30)覆蓋的相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)上，從而逐個分開發(fā)光結(jié)構(gòu)。
在常規(guī)制造工藝中，在金屬膜上形成槽以分割發(fā)光結(jié)構(gòu)，然后用于進行裂片工藝。然而，因為金屬膜的下部有時可能沒有切斷，所以存在不能完全分開所有的發(fā)光結(jié)構(gòu)的問題。
尤其是，如果用高延展性的材料，例如，銅，形成金屬膜，則金屬膜容易拉伸，導(dǎo)致難以分開發(fā)光結(jié)構(gòu)。
另外，如上所述，當(dāng)分開發(fā)光器件時，在劃片工藝期間產(chǎn)生的金屬膜的裂縫(41)擴展到發(fā)光結(jié)構(gòu)的可能性較高。
當(dāng)然，存在通過增加發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的間距來最大限度地減少裂縫擴散到發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法。然而，在這種情況下，減少了集成在單個晶片上器件的數(shù)量，不可避免的導(dǎo)致產(chǎn)量的降低。因為存在應(yīng)當(dāng)改進現(xiàn)有劃片工藝的問題，所以該方法不是合適的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)思本發(fā)明以解決上述問題。本發(fā)明的一個目的是提供發(fā)光器件及其制造方法，其中除去蝕刻膜以互相分離發(fā)光結(jié)構(gòu)的各個側(cè)面，并且除去襯底以彼此分離器件的下部，進一步易于器件的分割。
本發(fā)明的另一個目的是提供發(fā)光器件及其制造方法，其中不進行劃片工藝而分開器件，從而可以減少例如裂縫或彎曲等缺陷的出現(xiàn)，并且不用為劃片工藝保留器件之間的間隔，由此增加了器件的集成度。
根據(jù)實現(xiàn)目的的本發(fā)明的第一方面，提供一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得各個結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成由選擇性可蝕刻材料制成的蝕刻膜；形成覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜的金屬膜；將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜分開；除去蝕刻膜；以及逐個分開被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)。
根據(jù)實現(xiàn)目的的本發(fā)明的第二方面，提供一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得各個結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成高度高于每個發(fā)光結(jié)構(gòu)的高度并且由選擇性可蝕刻材料制成的蝕刻膜；形成金屬膜覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜的側(cè)面，同時露出蝕刻膜的頂部；除去蝕刻膜；以及將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
根據(jù)實現(xiàn)目的的本發(fā)明的第三方面，提供一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得各個結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成高于每個發(fā)光結(jié)構(gòu)的蝕刻膜并且蝕刻膜由選擇性可蝕刻材料制成；形成覆蓋蝕刻膜和多個發(fā)光結(jié)構(gòu)的金屬膜；除去金屬膜的上部以露出蝕刻膜的頂部；除去蝕刻膜；以及將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
根據(jù)實現(xiàn)目的的本發(fā)明的第四方面，提供一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得各個結(jié)構(gòu)互相間隔開；在多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個上形成電極；形成覆蓋多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面和電極側(cè)面的絕緣膜，同時互相隔離多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)；形成覆蓋電極頂部和絕緣膜的整個外表面的籽晶層；在隔開的基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的籽晶層上形成由選擇性可蝕刻材料制成的蝕刻膜；形成覆蓋籽晶層頂部和蝕刻膜的金屬膜；將襯底與多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)分開；除去蝕刻膜；以及逐個分開被金屬膜覆蓋的多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
根據(jù)實現(xiàn)目的的本發(fā)明的第五方面，提供一種發(fā)光器件，包括包括依次疊置的具有第一極性的第一半導(dǎo)體層、有源層和具有第二極性的第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成的具有絕緣性能的高反射膜；在具有第二極性的第二半導(dǎo)體層之上形成的第一電極；以及在具有第一極性的第一半導(dǎo)體層下面形成的第二電極。


圖1a到1e是說明制造基于GaN的發(fā)光器件的常規(guī)方法的剖面圖。
圖2a到2e是說明制造根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的方法的剖面圖。
圖3a到3d是說明制造基于GaN的發(fā)光器件的方法的剖面圖，其中與圖2b的工藝相比較，蝕刻膜高于每個發(fā)光結(jié)構(gòu)。
圖4a到4e是說明制造發(fā)光器件的另一個方法的剖面圖，其中與圖2b的工藝相比較，蝕刻膜高于每個發(fā)光結(jié)構(gòu)。
圖5是示出了在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成的蝕刻膜的平面圖。
圖6a到6e是說明制造根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于GaN的發(fā)光器件的方法的剖面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的剖面圖。
圖9是示出了在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻膜上形成銅膜的不完全連接界面區(qū)域的照片。
圖10是示出了圖9的界面區(qū)域的放大照片。
具體實施例方式
參考圖2a到2e，在異質(zhì)襯底(200)上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)，使得它們互相間隔開(圖2a)。
這里，多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)中的每一個包括依次疊置的n型半導(dǎo)體層(110a)、有源層(110b)和p型半導(dǎo)體層(110c)，如圖7所示。在n型半導(dǎo)體層(110a)、有源層(110b)和p型半導(dǎo)體(110c)的側(cè)面上形成絕緣膜(130)。
這里，絕緣膜(130)優(yōu)選為高反射膜。
另外，最好在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)中的每一個上淀積p型電極，由此p型電極與之歐姆接觸。
此外，異質(zhì)襯底優(yōu)選藍寶石襯底。
然后，如圖2b所示，在彼此間隔開的相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間形成由能夠選擇性蝕刻的材料制成的蝕刻膜(400)。
這里，能夠選擇性蝕刻的材料優(yōu)選光致抗蝕劑或聚酰亞胺。
另外，最好蝕刻膜(400)具有5到50μm的寬度和5到100μm的高度。
其后，如圖2c所示，形成金屬膜(300)以覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)和蝕刻膜(400)。
這里，在異質(zhì)襯底(200)上形成金屬膜(300)，同時覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)以及蝕刻膜(400)的側(cè)面和頂部的一部分。
此時，在蝕刻膜(400)的頂部的一部分上不形成金屬膜(300)，從而在蝕刻膜(400)之上形成空白空間(410)。即，最好由分別包括發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的結(jié)構(gòu)劃分金屬膜(300)。
然后，異質(zhì)襯底(200)與被金屬膜(300)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)和蝕刻膜(400)分離(圖2d)。
這里，異質(zhì)襯底(200)的分離優(yōu)選通過進行從異質(zhì)襯底(200)下面照射激光束的激光剝離工藝實現(xiàn)。
因此，異質(zhì)襯底(200)與發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)、金屬膜(300)和蝕刻膜(400)分離。其后，除去蝕刻膜(400)。
這里，優(yōu)選通過使用有機溶劑，例如，丙酮，或使用有機溶劑噴霧蝕刻的手段除去蝕刻膜(400)。
然后，除去的蝕刻膜(400)在相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間提供空白空間401。
最后，逐個分開被金屬膜(300)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)(圖2e)。
此時，為了解除在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間可能存在的任何結(jié)合力，在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間施加外力，從而金屬膜能夠被分成分別包含發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的單獨的金屬膜(300)的塊。
這里，因為除去了在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間存在的蝕刻膜(400)以產(chǎn)生空白空間并且在蝕刻膜(400)之上分開金屬膜(300)，所以僅用輕微的力就能夠容易地將金屬膜分開為分別包含發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的單獨的金屬膜塊。
優(yōu)選通過施加力同時擴張金屬膜(300)，從而能夠分開金屬膜的擴張和裂片工藝實現(xiàn)分割。
轉(zhuǎn)到圖3a，在互相間隔開的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間形成具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的高度H1更高的高度H2，并且由選擇性可蝕刻材料組成的蝕刻膜(410)。
然后，形成金屬膜(300)以露出蝕刻膜(410)的頂部并且覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)和蝕刻膜(410)的側(cè)面(圖3b)。其后，除去蝕刻膜(410)(圖3c)。
在該工藝中，通過除去蝕刻膜(410)，在覆蓋各個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的金屬膜(300)的相鄰塊之間形成空白空間(411)。因此，被金屬膜(300)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)分割在各個單獨的區(qū)域之內(nèi)。
最后，異質(zhì)襯底(200)與被金屬膜(300)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)分離(圖3d)。
在圖3a到3d的制造基于GaN的發(fā)光器件的方法中，通過除去蝕刻膜(410)以分離器件的側(cè)面和隨后除去襯底以分離器件的底面，能夠容易地分開器件。
參考圖4a到4e，與圖2b的工藝相比較，蝕刻膜高于每個發(fā)光結(jié)構(gòu)。在互相間隔開的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)之間形成具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的高度H1更高的高度H2，并且由選擇性可蝕刻材料組成的蝕刻膜(410)(圖4a)。
然后，形成金屬膜(300)以覆蓋蝕刻膜(410)和多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)(圖4b)。
其后，除去金屬膜(300)的上部，以露出蝕刻膜(410)的頂部(圖4c)。隨后，除去蝕刻膜(410)(圖4d)。
最后，異質(zhì)襯底(200)與被金屬膜(300)覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)分離(圖4e)。
在通過圖4a到4e制造基于GaN的發(fā)光器件的方法中，通過形成金屬膜以覆蓋蝕刻膜的頂部，除去金屬膜的上部以露出蝕刻膜的頂部以及除去蝕刻膜和襯底來分開器件。
圖5是示出了在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成的蝕刻膜的平面圖。在異質(zhì)襯底(200)上形成每個結(jié)構(gòu)互相間隔開的發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)，并且在發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間形成蝕刻膜(400)。
如圖5所示，以網(wǎng)格圖形的方式形成蝕刻膜(400)，以分開發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的各個側(cè)面。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖6a到6e，在異質(zhì)襯底上形成多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)，使得它們互相間隔開。在基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)中的每一個上形成電極(120)。分別形成絕緣膜(130)以覆蓋基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)的側(cè)面和電極(120)的側(cè)面，以及互相隔離多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)。
然后，淀積籽晶層(140)以覆蓋電極(120)的頂部和絕緣膜(130)的整個外表面。
優(yōu)選多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個包括第一極性的第一半導(dǎo)體層、有源層和具有與第一極性相反的第二極性的第二半導(dǎo)體層。如果第一極性是N型，則第二極性是P型。
另外，如果最上層是p型半導(dǎo)體層，則優(yōu)選電極(120)與p型半導(dǎo)體層構(gòu)成歐姆接觸。
此外，絕緣膜(130)可以由具有絕緣性質(zhì)的高反射膜形成。如果這種高反射膜覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)中的每一個的側(cè)面，則它反射通過發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)中的每一個的側(cè)面發(fā)出的光，由此提高光輸出。
此外，使用籽晶層(140)以允許金屬淀積其上，并且通常由UBM(凸點下金屬化(under bump metallization))層形成。
另外，異質(zhì)襯底(210)優(yōu)選為藍寶石(Al2O3)襯底。
接著，在彼此互相間隔開的相鄰的基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)之間的籽晶層(140)上由選擇性可蝕刻材料形成蝕刻膜(450)(圖6b)。這里，選擇性可蝕刻材料優(yōu)選包括光致抗蝕劑或聚酰亞胺。
另一方面，最好蝕刻膜(450)具有5到50μm的寬度和5到100μm的高度。
其后，形成金屬膜(310)以覆蓋籽晶層(140)的頂部和蝕刻膜(450)(圖6c)。
此時，優(yōu)選通過電鍍工藝形成金屬膜(310)。
通過電鍍工藝，由蝕刻膜(450)的頂部到金屬膜的表面形成不完全連接界面區(qū)域(460)。
然后，異質(zhì)襯底(210)與多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(110)分離(圖6d)。
這里，優(yōu)選使用激光束從異質(zhì)襯底下面照射的激光剝離工藝進行異質(zhì)襯底的分離。其后，除去蝕刻膜(450)。
這里，優(yōu)選通過用有機溶劑，例如，丙酮，或使用有機溶劑噴霧蝕刻的手段除去蝕刻膜(450)。
然后，除去的蝕刻膜(450)在相鄰的基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間提供空白空間(451)。
最后，逐個分開被金屬膜(310)覆蓋的多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)(圖6e)。
因為除去了在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)之間存在的蝕刻膜(450)以產(chǎn)生空白空間并且在蝕刻膜(450)之上分開金屬膜(310)，所以僅用輕微的力就能夠容易地斷開金屬膜(130)和籽晶層(140)，并且分開為分別包含發(fā)光結(jié)構(gòu)(100)的單獨的金屬膜(310)的塊。
這里，使用擴張和裂片工藝進行圖6e的分割工藝。
此時，布置在蝕刻層(450)下面的絕緣膜(130)和籽晶層(140)的厚度足夠小，以便容易斷開并且不妨礙器件的分割。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的剖面圖。發(fā)光器件包括具有傾斜側(cè)面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括依次疊置的第一極性的第一半導(dǎo)體層(171)、有源層(172)和第二極性的第二半導(dǎo)體層(173)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)(170)的側(cè)面上形成的具有絕緣性質(zhì)的高反射膜(180)覆蓋第二極性的第二半導(dǎo)體層(173)的第一電極(350)；以及在第一極性的第一半導(dǎo)體層(171)下面形成的第二電極(351)。
這里，因為發(fā)光結(jié)構(gòu)(170)的每個側(cè)面以一定的角度θ傾斜，所以從有源層(172)發(fā)出的光在高反射膜(180)上反射并穿過第一極性的第一半導(dǎo)體層(171)，導(dǎo)致發(fā)光結(jié)構(gòu)(170)向下發(fā)出的光的數(shù)量增加。
圖9是示出了在間隔開的基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間由光致抗蝕劑形成蝕刻膜(500)，然后其上電鍍由銅制成的金屬膜(600)的情況下的電子顯微照片。
通過照片可以看到，由蝕刻膜(500)的頂部到金屬膜(600)的表面形成不完全連接界面區(qū)域(510)。
圖10是圖9的界面區(qū)域(510)的放大照片。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)點在于除去蝕刻膜以互相分離發(fā)光結(jié)構(gòu)的各個側(cè)面，并且除去襯底以彼此分離器件的下部，由此進一步易于器件的分割。
此外，根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)點在于不進行劃片工藝而分開器件，從而可以減少例如裂縫或彎曲等缺陷的出現(xiàn)，并且不用為劃片工藝保留器件之間的間隔，由此增加了器件的集成度。
雖然已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實施例詳細介紹了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于此。不脫離由附帶的權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍進行多種改進和變化，并且這種改進和變化屬于由附帶的權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的范圍對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是容易理解的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得這些結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成由選擇性可蝕刻材料制成的蝕刻膜；形成覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜的金屬膜；將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜分開；除去蝕刻膜；以及逐個分開被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中在蝕刻膜的頂部上至多在部分區(qū)域形成金屬膜，從而在蝕刻膜的頂部上形成空白空間，使得金屬膜被分成多塊，每塊包含至少一個發(fā)光結(jié)構(gòu)。
3.一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得這些結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成蝕刻膜，蝕刻膜的高度高于多個發(fā)光結(jié)構(gòu)的高度，并且由選擇性可蝕刻材料制成；形成覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)和蝕刻膜的側(cè)面的金屬膜，同時露出蝕刻膜的頂部；除去蝕刻膜；以及將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
4.一種發(fā)光器件的制造方法，包括在襯底上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得這些結(jié)構(gòu)互相間隔開；在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成蝕刻膜，蝕刻膜的高度高于多個發(fā)光結(jié)構(gòu)的高度，并且由選擇性可蝕刻材料制成；形成覆蓋蝕刻膜和多個發(fā)光結(jié)構(gòu)的金屬膜；除去金屬膜的上部以露出蝕刻膜的頂部；除去蝕刻膜；以及將襯底與被金屬膜覆蓋的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)分開。
5.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中多個發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個包括依次疊置的n型半導(dǎo)體層、有源層和p型半導(dǎo)體層，并且在n型半導(dǎo)體層、有源層和p型半導(dǎo)體層的側(cè)面上形成絕緣膜。
6.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中襯底包括藍寶石襯底。
7.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中使用激光剝離工藝進行分開襯底的步驟。
8.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中選擇性可蝕刻材料包括光致抗蝕劑或聚酰亞胺。
9.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中蝕刻膜具有大約為5到50μm的寬度和大約為5到100μm的高度。
10.如權(quán)利要求1到4中任何一個所要求的方法，其中除去蝕刻膜的步驟包括通過使用有機溶劑蝕刻除去蝕刻膜。
11.一種發(fā)光器件的制造方法，包括以下步驟在襯底上形成多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得這些結(jié)構(gòu)互相間隔開；在多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個上形成電極；形成覆蓋多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面和電極側(cè)面的絕緣膜，同時互相隔離多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)；形成覆蓋電極頂部和絕緣膜的表面的籽晶層；在隔開的基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的籽晶層上形成由選擇性可蝕刻材料制成的蝕刻膜；形成覆蓋籽晶層頂部和蝕刻膜的金屬膜；將襯底與多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)分開；除去蝕刻膜；以及逐個分開被金屬膜覆蓋的多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所要求的方法，其中多個基于GaN的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的每一個包括第一極性的第一半導(dǎo)體層、有源層和具有與第一極性相反的第二極性的第二半導(dǎo)體層。
13.如權(quán)利要求11所要求的方法，其中絕緣膜包括具有絕緣性質(zhì)的高反射膜。
14.如權(quán)利要求11所要求的方法，其中籽晶層包括凸點下金屬化(UBM)層。
15.如權(quán)利要求11到14中任何一個所要求的方法，其中通過電鍍工藝形成金屬膜。
16.如權(quán)利要求15所要求的方法，其中通過電鍍工藝從蝕刻膜的頂部到金屬膜的表面形成非連接界面區(qū)域。
17.如權(quán)利要求11到14中任何一個所要求的方法，其中選擇性可蝕刻材料包括光致抗蝕劑或聚酰亞胺。
18.如權(quán)利要求17所要求的方法，其中除去蝕刻膜的步驟包括通過使用有機溶劑蝕刻除去蝕刻膜。
19.一種發(fā)光器件，包括依次疊置的具有第一極性的第一半導(dǎo)體層、有源層和具有第二極性的第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成的具有絕緣性能的高反射膜；在具有第二極性的第二半導(dǎo)體層之上形成的第一電極；以及在具有第一極性的第一半導(dǎo)體層下面形成的第二電極。
20.如權(quán)利要求19所要求的發(fā)光器件，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)具有傾斜的側(cè)面。
21.如權(quán)利要求19所要求的發(fā)光器件，其中第一極性是N型，第二極性是P型。
全文摘要
發(fā)光器件及其制造方法具有的優(yōu)點在于除去在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成的蝕刻膜，以互相分離發(fā)光結(jié)構(gòu)的各個側(cè)面，并且除去襯底以彼此分離器件的下部，由此更易于器件的分割。更進一步的優(yōu)點在于不進行劃片工藝而分開器件，從而可以減少例如裂縫或彎曲等缺陷的出現(xiàn)，并且不用為劃片工藝保留器件之間的間隔，由此增加了器件的集成度。
文檔編號H01L21/70GK1933196SQ200610103138
公開日2007年3月21日 申請日期2006年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月5日
發(fā)明者李賢宰, 河俊碩 申請人:Lg電子株式會社, Lg伊諾特有限公司