專利名稱：：Cmp用研磨液及其制備方法以及基板的研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種研磨液，尤其涉及化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing，以下簡(jiǎn)稱“CMP”)用研磨液，具體涉及在256M以上的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器如具有0.13微米以下的設(shè)計(jì)規(guī)則的超大規(guī)模集成電路制造工程中的銅布線工藝的CMP用工藝中對(duì)銅基板的研磨速率高且抑制發(fā)生劃傷現(xiàn)象的CMP用研磨液及其制備方法以及基板的研磨方法。
背景技術(shù)：
：CMP研磨工藝作為半導(dǎo)體加工技術(shù)中的一個(gè)領(lǐng)域，是利用受壓晶片和研磨墊之間的研磨劑同時(shí)進(jìn)行機(jī)械加工與研磨液的化學(xué)蝕刻的半導(dǎo)體加工技術(shù)，自20世紀(jì)80年代后期由美國(guó)IBM公司開(kāi)發(fā)成功以來(lái)，已成為亞微米級(jí)半導(dǎo)體芯片制造中全域平坦化(globalplanarization)技術(shù)所必需的工藝。下面參照?qǐng)D1A至圖1C說(shuō)明CMP工藝和該工藝所需的研磨液。CMP工藝是在半導(dǎo)體工程中使晶片表面的不平整區(qū)域平坦化的工藝，通過(guò)利用酸性或堿性溶液使晶片表面發(fā)生化學(xué)變化，從而在晶片表面瞬間形成結(jié)合較弱的膜之后利用微粒子對(duì)所形成的膜進(jìn)行機(jī)械去除。即，在向晶片表面供給研磨液的同時(shí)向晶片施加壓力，利用研磨液內(nèi)的粒子對(duì)晶片表面進(jìn)行機(jī)械研磨。進(jìn)行CMP工藝的機(jī)構(gòu)具有用于安裝晶片的頭部3和與頭部3沿相同的方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的研磨墊4，頭部3和研磨墊4之間具有包含納米大小的研磨粒子等的研磨液2，晶片通過(guò)表面張力或真空力被安裝到頭部3的晶片卡盤7。在CMP工藝中晶片1通過(guò)研磨墊4和研磨液2進(jìn)行研磨。研磨墊4附著在其上的研磨臺(tái)5進(jìn)行簡(jiǎn)單的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，而頭部3在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行搖動(dòng)，并以一定壓力將晶片1向研磨臺(tái)5方向下壓。由于頭部3的自身重量和所施加的壓力晶片1表面和研磨墊4相互接觸，作為加工液的研磨液在該接觸面之間的微細(xì)空隙，即研磨墊的孔隙8部分之間流動(dòng)。通過(guò)研磨液內(nèi)部的研磨粒子和研磨墊4的表面凸起9實(shí)現(xiàn)機(jī)械去除作用，通過(guò)研磨液內(nèi)部的化學(xué)成分實(shí)現(xiàn)化學(xué)去除作用。并且，由于晶片1的形成器件的突出部分的上方先與研磨粒子或表面凸起進(jìn)行接觸，而且壓力集中到該突出部分，因此突出部分具有相對(duì)其它部分更高的表面去除速度，隨著加工過(guò)程全域內(nèi)的突出部分被均勻地去除掉。研磨液的種類根據(jù)研磨對(duì)象的種類大體分為氧化物(Oxide)用研磨液、金屬用研磨液、多晶硅(Poly-silicon)用研磨液。尤其金屬用研磨液是適用于集成電路內(nèi)的金屬布線層的CMP工藝所使用的研磨液，最近隨著利用銅布線的集成電路制作的興起，正在進(jìn)行CuCMP用研磨液的研究。形成于集成電路內(nèi)的數(shù)百個(gè)有源器件為了形成功能電路而相互連接，并通過(guò)多級(jí)連接方式相互連接。第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層等各金屬布線通過(guò)二氧化硅等介電質(zhì)進(jìn)行電絕緣。尤其，隨著集成電路內(nèi)使用銅作為各金屬布線層材料，并使用低介電常數(shù)(Low-k)物質(zhì)作絕緣物質(zhì)，實(shí)施CMP工藝時(shí)劃傷現(xiàn)象的發(fā)生率變得非常高。雖然，銅布線具有比鋁布線更高的電導(dǎo)率，并具有十分有利于元件的高度集成化的條件，但是由于銅的材質(zhì)比其它金屬軟，因此可能容易發(fā)生劃傷。并且，由于用作絕緣物質(zhì)的低介電常數(shù)(Low-k)物質(zhì)也屬于軟性材質(zhì)，因此易于發(fā)生絕緣物質(zhì)的破壞及損傷。因而，在對(duì)這種銅布線金屬和絕緣層進(jìn)行研磨時(shí)，應(yīng)該使用球形的、粒度分布范圍窄的研磨粒子。由于現(xiàn)有的熱解法二氧化硅(Fumedsilica)、二氧化鈰(Ceria)粒度分布范圍寬且粒子形狀不規(guī)則，因此在研磨銅和低介電常數(shù)(Low-k)物質(zhì)等軟材質(zhì)的薄膜層時(shí)可能誘發(fā)很多微痕。為了改善這種問(wèn)題，最近普遍使用納米大小的膠態(tài)二氧化硅。膠態(tài)二氧化硅與其它粒子相比粒度分布范圍窄、具有規(guī)則的球形形狀，因此用于研磨時(shí)膜表面的劃傷發(fā)生率很低。但是，在銅膜和絕緣層表面仍然會(huì)產(chǎn)生劃傷現(xiàn)象，所以需要改進(jìn)方法以減少劃傷。作為現(xiàn)有技術(shù)，日本專利公報(bào)JP2000-00161519和美國(guó)專利公報(bào)第60/142,706分別公開(kāi)了JSR公司和CABOT公司的用于制備這種CuCMP用研磨液的技術(shù)，公開(kāi)的內(nèi)容包括研磨劑的種類和利用這種研磨劑的劃傷發(fā)生率較低的研磨液制備方法。所述文獻(xiàn)在非常復(fù)雜且廣泛的領(lǐng)域范圍內(nèi)說(shuō)明了CuCMP用研磨液所要求的粒子特性和包含高分子的添加劑種類及利用這些物質(zhì)的制備方法以及工藝。但是，大部分發(fā)明在膠態(tài)二氧化硅或二氧化硅粒子的合成中使用可溶性金屬硅酸鹽，使用這種金屬硅酸鹽進(jìn)行合成時(shí)，由于難以控制膠態(tài)二氧化硅的形狀及粒度，而且需要添加鈉等金屬鹽，因此在以后進(jìn)行半導(dǎo)體加工時(shí)會(huì)引起雜質(zhì)的摻入。并且，現(xiàn)有技術(shù)中表示了研磨液粒子的種類及其范圍或根據(jù)添加物控制劃傷的方法，而且這種制備方法根據(jù)CMP工藝實(shí)施條件可能誘發(fā)很多微痕。并且，沒(méi)有言及如何改造粒子表面或由此引起的劃傷所帶來(lái)的影響等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決如上所述的問(wèn)題而提出的，其目的在于基于研磨液所必需具備的特性根據(jù)制備及工藝條件決定的研磨液粒子特性及有機(jī)改性、大小分布的形狀與研磨的關(guān)系以及表面面積的變化等的綜合而具體的理解提供一種有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅(ORMOSIL)研磨液及其制備方法，通過(guò)恰當(dāng)?shù)倪\(yùn)用各種粒子的預(yù)處理方法及裝置、合成裝備及其實(shí)施方法、化學(xué)添加劑的添加方法及添加量等，用于0.13微米以下的超大規(guī)模集成電路制造工程尤其是銅布線工程的CMP用工藝中。尤其，本發(fā)明的目的在于提供一種CMP用研磨液及其制備方法，通過(guò)提供改變膠態(tài)二氧化硅的表面特性而控制研磨粒子的物理特性、并具有可以有效利用于微細(xì)設(shè)計(jì)規(guī)則的半導(dǎo)體制造工藝的最佳研磨粒子特性的研磨液，從而可以在確保CMP研磨率的同時(shí)抑制劃傷現(xiàn)象。本發(fā)明的另一目的在于提供一種利用所述研磨液對(duì)微細(xì)的設(shè)計(jì)規(guī)則的半導(dǎo)體基板進(jìn)行高效研磨的研磨方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明所提供的包含研磨粒子的CMP用研磨液的研磨粒子包含有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅。并且，所述研磨粒子可能包含粒子的中位值大小為20至150納米的研磨粒子。所述研磨粒子包含粒子的中位值大小為10至120納米的原始粒子，所述原始粒子可能包含粒子的中位值大小為10至100納米的晶粒。并且，所述研磨粒子可以使用有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行有機(jī)改性，而所述有機(jī)金屬醇鹽可以為甲基三甲氧基硅烷(MTMS)、苯基三甲氧基硅烷(PTMS)及乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)中的一種。所述研磨粒子的有機(jī)改性度最好為0.02至70％。并且，所述研磨液還可以包含吸水性添加劑，所述吸水性添加劑可以為烷基乙氧基化物(alkylethoxylate)、直鏈烷基苯磺酸鹽(LAS)、烷基二甲基胺氧化物及烷基羧基甜菜堿(alkylcarboxybetaine)中的一種。所述吸水性添加劑的含量最好為0.0001至10wt％，所述吸水性添加劑最好包含分子量為2000g/mol至50000g/mol的聚合物。并且，所述研磨液還可以包含純水及高分子分散劑，所述高分子分散劑可以為聚氧乙烯(polyethyleneglycol)、兩性聚電解質(zhì)(polyampholyte)及壬酸鉀(potassiumnonanoicacid)中的一種。所述高分子分散劑的含量最好為0.0001至10wt％，所述高分子分散劑最好包含分子量為2000g/mol至50000g/mol的聚合物。并且，所述研磨液還可以包含弱酸、有機(jī)酸或弱堿。并且，所述研磨液還可以包含銅膜研磨用添加劑，所述銅膜研磨用添加劑可以包含氮化物、過(guò)氧化氫水、硝酸、硝酸銨、硝酸鐵、硝酸銅、有機(jī)酸及苯并三唑中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的混合物。依據(jù)本發(fā)明所提供的CMP用研磨液的制備方法包含步驟準(zhǔn)備包含有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的研磨粒子；將所述研磨粒子轉(zhuǎn)變?yōu)樗禒顟B(tài)；及向所述研磨粒子混合純水、吸水性添加劑及分散劑。所述研磨粒子可以通過(guò)溶膠—凝膠法進(jìn)行合成。并且，在準(zhǔn)備所述研磨粒子的步驟中，向有機(jī)金屬醇鹽添加有機(jī)溶劑和酸合成有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅粒子。并且，準(zhǔn)備所述研磨粒子的步驟包含步驟向可溶性金屬硅酸鹽或金屬醇鹽的水溶液添加酸而合成純膠態(tài)二氧化硅粒子；及向所述純膠態(tài)二氧化硅粒子添加有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行攪拌。并且，所述轉(zhuǎn)變?yōu)樗禒顟B(tài)的步驟可以利用交叉過(guò)濾法。并且，在向所述研磨粒子混合純水、吸水性添加劑及分散劑的步驟之后，還可以包含向所述混合物質(zhì)添加銅膜研磨用添加劑的步驟。依據(jù)本發(fā)明所提供的基板的研磨方法其特征在于使用所述CMP用研磨液對(duì)預(yù)定基板進(jìn)行研磨。所述預(yù)定基板上可能形成銅、氮化鉭及鉭膜。圖1A及圖1B為CMP裝備的簡(jiǎn)要示意圖及剖面圖。圖1C為表示CMP工藝的簡(jiǎn)要剖面圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明所提供的研磨液的制備工藝圖。圖3或圖4為表示利用本發(fā)明所提供的研磨液實(shí)施CuCMP之后的凹陷和腐蝕結(jié)果的曲線圖。主要符號(hào)說(shuō)明1為晶片，2為研磨液，3為頭部，4為研磨墊，5為研磨臺(tái)，6為底片(backingfilm)，7為晶片卡盤，8為孔隙，9為表面凸起。具體實(shí)施例方式下面將內(nèi)容分為依據(jù)本發(fā)明所提供的CMP用研磨液的制備方法部分和由該方法最終制備的研磨液的特性分析部分來(lái)對(duì)各部分內(nèi)容進(jìn)行具體說(shuō)明。并且，將在后述的通過(guò)具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的部分采用有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅作為一種研磨劑，并采用去離子水(DIWater)、吸水性添加劑及高分子分散劑作為添加劑及分散劑來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。然后，說(shuō)明如此制備的有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅研磨液的制備方法及根據(jù)工藝條件的銅及鉭膜的研磨速度和表面特性等的CMP結(jié)果。下面描述的本發(fā)明可以變更為各種不同形式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并非限定于此。作為本發(fā)明的一種情況，有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅研磨液包含膠態(tài)二氧化硅粉末、去離子水、吸水性添加劑及高分子分散劑、弱酸或弱堿等添加物而制備。如圖2所示，這種研磨用膠態(tài)二氧化硅研磨液的制備方法大致如下所述。利用有機(jī)金屬醇鹽制備有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅(S1)，并通過(guò)排除有機(jī)溶劑進(jìn)行水系變換(S2)。通過(guò)添加吸水性添加劑及分散劑使膠態(tài)二氧化硅的表面分散穩(wěn)定(S3)，通過(guò)分散器(highenergydispersionmachine)進(jìn)行機(jī)械的分散穩(wěn)定(S4)。在根據(jù)上述方法制備的研磨液中添加用于銅膜研磨的氧化劑、防腐劑、螯合劑等添加劑，從而提高對(duì)銅膜的研磨特性(S5)，再添加弱酸或弱堿、有機(jī)酸、緩沖劑等PH緩沖劑之后，利用高速攪拌器進(jìn)行攪拌而使研磨液穩(wěn)定。將研磨液的重量百分比(wt％)，即固態(tài)重量調(diào)節(jié)到所要求的范圍之內(nèi)(S6)，并通過(guò)過(guò)濾濾除超大粒子而防止沉淀及研磨期間產(chǎn)生的劃傷現(xiàn)象(S7)，然后通過(guò)追加的熟化過(guò)程使研磨液穩(wěn)定(S8)。下面在“膠態(tài)二氧化硅研磨液的制備方法”中詳細(xì)說(shuō)明如上所述的CMP用研磨液的制備工藝。1.膠態(tài)二氧化硅的制備本發(fā)明所提供的膠態(tài)二氧化硅研磨液的制備步驟首先從通過(guò)溶膠-凝膠法合成膠態(tài)二氧化硅溶膠而制備球形的、粒度分布較窄的膠態(tài)二氧化硅的步驟開(kāi)始。利用溶膠-凝膠法合成粒子時(shí)所使用的前驅(qū)物質(zhì)的種類有可溶性金屬硅酸鹽、金屬醇鹽、有機(jī)金屬醇鹽等，所合成的二氧化硅可能為單分散的膠質(zhì)二氧化硅、硅膠、熱解法二氧化硅或沉淀二氧化硅。通常，二氧化硅可以在將可溶性金屬硅酸鹽或金屬醇鹽的水溶液與由無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸及二氧化碳組成的酸進(jìn)行混合之后，通過(guò)水解反應(yīng)和縮合反應(yīng)而制備。即，通過(guò)向均勻的溶液添加水或酒精等水溶劑或無(wú)水溶劑產(chǎn)生前驅(qū)物質(zhì)的水解反應(yīng)之后，添加堿引起縮合反應(yīng)而生成二氧化硅粒子?？s合反應(yīng)一般持續(xù)二十小時(shí)以上，此時(shí)通過(guò)控制溫度來(lái)初現(xiàn)粒子的特性。并且，可以根據(jù)使用兩種以上有機(jī)溶劑作為添加的有機(jī)溶劑的共溶劑(co-solvent)、前驅(qū)物質(zhì)的濃度、堿的量來(lái)控制粒子的特性。在如上所述的二氧化硅粒子的制備過(guò)程中，本發(fā)明需要制備有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅。既可以在合成二氧化硅粒子時(shí)使用有機(jī)金屬醇鹽作為前驅(qū)物質(zhì)而制備有機(jī)改性的二氧化硅粒子，也可以在合成的純膠態(tài)二氧化硅上利用有機(jī)金屬醇鹽涂層二氧化硅粒子表面。由于如此制備的膠態(tài)二氧化硅的表面被有機(jī)化，因而在進(jìn)行CMP工藝時(shí)可以使膠態(tài)二氧化硅的表面與銅膜之間的摩擦力最小。并且，由于硬度(hordness)比純膠態(tài)二氧化硅小，因而可以最大限度地減少劃傷及凹陷現(xiàn)象。當(dāng)利用有機(jī)金屬醇鹽作為前驅(qū)物質(zhì)合成有機(jī)改性的二氧化硅粒子時(shí)，所述有機(jī)金屬醇鹽前驅(qū)物質(zhì)可以使用甲基三甲氧基硅烷(MTMS，Methyltrimethoxysilane)、苯基三甲氧基硅烷(PTMS，Phenyltrimethoxysilane)、乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS，Vinyltrimethoxysilane)等。將如上所述的前驅(qū)物質(zhì)添加到醇系有機(jī)溶劑，以使其均勻(Homogenize)。此時(shí)，有機(jī)溶劑在酸性環(huán)境下使用，因而可以促進(jìn)被添加的前驅(qū)物質(zhì)的均勻性及水解反應(yīng)。即，通過(guò)混合硝酸、鹽酸等促進(jìn)前驅(qū)物質(zhì)的均勻性及水解反應(yīng)。在水解反應(yīng)中產(chǎn)生硅酸(Silicicacid)，硅酸是溶膠-凝膠反應(yīng)中分子單位的反應(yīng)物，因而以此為單體(monomer)發(fā)生聚合(polymerization)反應(yīng)。然后，如果添加作為堿性物質(zhì)的氨或其它堿性物質(zhì)，則經(jīng)水解反應(yīng)形成的硅酸單體與其它單體反應(yīng)而引起縮合反應(yīng)，并經(jīng)過(guò)二聚體(dimer)、低聚物(oligomer)增大到聚合體(polymer)。通過(guò)持續(xù)進(jìn)行這種反應(yīng)，最終長(zhǎng)大成三維粒子。如上所述，在合成膠態(tài)二氧化硅時(shí)通過(guò)使用有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行水解及縮合反應(yīng)，從而合成有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅粒子，該合成反應(yīng)如下式所示。由于烷氧基硅烷不與水混合，因而為了使其均勻而添加醇。進(jìn)行水解(Hydrolysis)反應(yīng)之后，還根據(jù)ROH進(jìn)行酯化(esterification)反應(yīng)，在此通過(guò)縮合(Condensation)反應(yīng)而生成的ROH、H2O參與反應(yīng)。此時(shí)，最終合成的粒子特性可能根據(jù)烷基(alkylgroup)種類而有所變化，而且可以通過(guò)調(diào)節(jié)前驅(qū)物質(zhì)及氫氧化物、有機(jī)溶劑、所添加的酸或堿的量來(lái)合成各種特性的有機(jī)改性的二氧化硅粒子(ORMOSIL，organicallymodifiedsilicate)。另外，可以通過(guò)利用有機(jī)金屬醇鹽涂層純膠態(tài)二氧化硅粒子的方法來(lái)制備有機(jī)改性的二氧化硅粒子。即，在原硅酸四乙酯(TEOS，tetraethlyorthosilicate)的水溶液中添加甲醇、乙醇等醇和堿，通過(guò)溶膠-凝膠公法合成純膠態(tài)二氧化硅。如果在合成的純膠態(tài)二氧化硅中添加甲基三甲氧基硅烷(MTMS)、苯基三甲氧基硅烷(PTMS)、乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)等有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行攪拌，則二氧化硅粒子表面會(huì)被涂層含有有機(jī)成分的二氧化硅，從而可以使粒子表面被有機(jī)化。如上所述，由于本發(fā)明所提供的有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的表面被有機(jī)化，因而在進(jìn)行CMP工藝時(shí)尤其可以使較軟材質(zhì)的銅膜與膠態(tài)二氧化硅的表面之間的摩擦力最小，從而可以提高研磨特性，而且由于硬度(Hardness)比純膠態(tài)二氧化硅小，因而可以最大限度地減少劃傷及凹陷現(xiàn)象。所述有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的研磨粒子最好包含其粒子的中位值大小為20至150nm的研磨粒子。并且，所述研磨粒子最好包含其粒子的中位值大小為10至120nm的原始粒子，所述原始粒子最好包含其粒子的中位值大小為10至100的晶粒。如果使用大小大于所述范圍的粒子進(jìn)行CuCMP工藝，則會(huì)在較軟的銅膜表面上磨出很多劃痕，尤其會(huì)導(dǎo)致作為絕緣膜的低介電常數(shù)(low-k)膜的脫層(delamination)現(xiàn)象而可能使元件受損。并且，如果使用大小小于所述范圍的較小粒子，則因研磨粒子過(guò)小而很難得到所期望的研磨特性。2.交叉過(guò)濾由于通過(guò)所述方法合成的膠態(tài)二氧化硅處于分散在有機(jī)溶劑中的狀態(tài)，因此為了在制備CMP用研磨液時(shí)使用，需要排除有機(jī)溶劑而制備出水系狀態(tài)的膠態(tài)二氧化硅。此時(shí)所采用的溶劑排除法可以為使有機(jī)溶劑蒸發(fā)而替換為水的蒸發(fā)交換法(Evaporationexchange)、高溫加熱之后經(jīng)過(guò)高壓條件下以噴霧形式排出有機(jī)溶劑而回收粒子的噴霧干燥工序之后再次分散于水中的噴霧干燥法(spraydrying)、使有機(jī)溶劑通過(guò)數(shù)納米大小的有機(jī)隔膜(membrane)而回收二氧化硅粒子的過(guò)濾法(Filtrationmethod)等各種方法。本發(fā)明使用在應(yīng)用所述過(guò)濾法持續(xù)地抽取而排除有機(jī)溶劑的同時(shí)添加水，從而同時(shí)進(jìn)行抽取和清洗的交叉過(guò)濾法(cross-filteringmethod)。由于該方法在進(jìn)行溶劑的水系變換的同時(shí)除去粒子表面的殘留物(by-product)而進(jìn)行清洗，因而可以提高研磨液的特性。即，由于同時(shí)進(jìn)行有機(jī)溶劑的排除、水系變換和粒子表面的清洗，因而既可以提高效率，又可以對(duì)進(jìn)行水系變換時(shí)發(fā)生的內(nèi)聚現(xiàn)象和粒子表面的殘留物進(jìn)行控制。3.分散穩(wěn)定化所述制備的膠態(tài)二氧化硅水溶液的分散穩(wěn)定性較差，這是由于有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的粒子表面具有疏水性(hydrophobic)。因此，為了研磨液的內(nèi)部分散而添加用于改造這種表面性質(zhì)的吸水性添加劑。所述吸水性添加劑可以從由烷基乙氧基化物(alkylethoxylate)、直鏈烷基苯磺酸鹽(LAS，Linearalkylbenzenesulfonate)、烷基二甲基胺氧化物、烷基羧基甜菜堿(alkylcarboxybetaine)等構(gòu)成的組中進(jìn)行選擇。所述吸水性添加劑的含量最好為0.0001至10重量百分比(wt％)，而所述吸水性添加劑最好包含分子量為2000(g/mol)至50000(g/mol)的聚合體。并且，為了使本發(fā)明所提供的研磨液分散穩(wěn)定而添加分散劑。此時(shí)所使用的高分子分散劑有聚氧乙烯(polyethyleneglycol)、兩性聚電解質(zhì)(polyampholyte)、壬酸鉀(potassiumnonanoicacid)等。所述分散劑的含量最好為0.0001至10重量百分比(wt％)，而所述分散劑最好包含2000(g/mol)至50000(g/mol)以上的聚合體。這是由于當(dāng)分散劑的分子量超過(guò)50000(g/mol)時(shí)，可以由橋鍵(bridging)等現(xiàn)象再次引發(fā)粒子間的內(nèi)聚現(xiàn)象而促進(jìn)超大粒子的生成。并且，本發(fā)明所提供的研磨液包含用于調(diào)節(jié)PH和穩(wěn)定研磨液的弱酸、有機(jī)酸或弱堿。這些還需要對(duì)隨后添加的各種添加劑起到使其穩(wěn)定的作用。4.機(jī)械分散及穩(wěn)定化為了使所述膠態(tài)二氧化硅研磨液產(chǎn)生粗粒子及分散，通過(guò)高能分散器(highenergydispersionmachine)進(jìn)行機(jī)械分散。這種機(jī)械分散可以除去研磨液中的內(nèi)聚粒子，并通過(guò)機(jī)械分散使比表面積較高的納米大小的二氧化硅粒子穩(wěn)定。如此制備的研磨液即使經(jīng)過(guò)一段時(shí)間也不會(huì)發(fā)生內(nèi)聚現(xiàn)象，而且由于利用高速力進(jìn)行攪拌，因而可以制備粒子大小減小并穩(wěn)定的研磨液。此時(shí)，為了防止分散器的攪拌器和儲(chǔ)液灌(tank)內(nèi)部的金屬污染可以涂層特弗隆(tefloncoating)或內(nèi)襯(lining)特弗隆。為了使研磨粒子(膠態(tài)二氧化硅粒子)的濃度，即固體重量在5至40重量百分比(wt％)以內(nèi)，最好在10至30重量百分比(wt％)以內(nèi)，使其與去離子水或純水進(jìn)行混合。雖然，固體重量百分比越高生產(chǎn)效率也越高，但若維持過(guò)高的固體重量百分比會(huì)導(dǎo)致研磨液的粘度過(guò)高、內(nèi)聚現(xiàn)象發(fā)生得相對(duì)較多，因而可能無(wú)法進(jìn)行機(jī)械性工藝。因此，需要維持最佳范圍的固體重量百分比。5.添加用于研磨銅膜的添加劑通常，進(jìn)行銅布線CMP時(shí)所使用的研磨液以兩種溶液的形態(tài)供應(yīng)。首先，第一溶液用于提高銅的研磨速度以及提高對(duì)氮化鉭及氧化膜的選擇性。所述第一溶液中使用酸性的氮化物或過(guò)氧化氫水(H2O2)等作為促進(jìn)銅膜氧化的氧化劑，并使用乙酸、檸檬酸、酒石酸等有機(jī)酸作為通過(guò)引發(fā)銅膜腐蝕(corrosion)而促進(jìn)研磨的腐蝕劑。并且，在進(jìn)行腐蝕工序的同時(shí)使用苯并三唑等作為防腐蝕劑，以用于防止銅膜的針孔部分、裂縫(crack)部分發(fā)生腐蝕，從而進(jìn)行鏡面研磨。將上述添加劑添加到研磨液中進(jìn)行混合，再添加弱酸、弱堿等添加劑來(lái)調(diào)節(jié)PH值以使研磨液穩(wěn)定，然后添加PH緩沖劑(bufferingagent)使PH值穩(wěn)定。并且，第二溶液為通過(guò)使銅與鉭、氮化鉭及氧化膜具有相同的選擇性，從而用于預(yù)防在進(jìn)行銅布線的CMP時(shí)發(fā)生的銅的凹陷(dishing)現(xiàn)象及腐蝕(erosion)等缺陷的研磨劑。第二溶液中使用氮化物、硝酸、硝酸銨、硝酸鐵(ironnitrate)、硝酸銅(coppernitrate)等作為用于提高對(duì)鉭化物研磨率的物質(zhì)，這些物質(zhì)也可以混合使用。并且，通過(guò)添加防腐劑及有機(jī)酸混合物等使銅膜與鉭化物的研磨率相同。包含所述添加劑的研磨液通過(guò)使用高速攪拌器(highspeedmixer)進(jìn)行混合，以使研磨液內(nèi)的添加劑分布均勻及穩(wěn)定。下面將詳細(xì)說(shuō)明添加上述添加劑的用于研磨銅膜的研磨液的CMP結(jié)果。6.調(diào)節(jié)固體重量百分比(wt％)及除去超大粒子如上所述，完成研磨液的分散穩(wěn)定工藝之后將膠態(tài)二氧化硅研磨液的固體重量百分比(wt％)調(diào)節(jié)到所期望的范圍之內(nèi)，并通過(guò)過(guò)濾而濾除可能引發(fā)CMP的劃傷和沉淀及內(nèi)聚現(xiàn)象的超大粒子。超大粒子越多重力引起的力比粒子間的反作用力引起的分散力越大，而且由于超大粒子的比表面積比微細(xì)粒子的表面積小，因而超大粒子的分散率比微細(xì)粒子還小?；谏鲜鰞煞N原因產(chǎn)生較多的內(nèi)聚現(xiàn)象及沉淀而使整個(gè)研磨液處于不穩(wěn)定狀態(tài)，因而需要濾除超大粒子。如果濾除這種超大粒子的過(guò)濾器增加其過(guò)濾次數(shù)，則可以進(jìn)一步減少超大粒子。7.研磨液的熟化過(guò)程通過(guò)熟化過(guò)程使研磨液穩(wěn)定的步驟為在儲(chǔ)液灌中攪拌研磨液并通過(guò)24小時(shí)混合而使研磨液更加穩(wěn)定的過(guò)程。該過(guò)程可以對(duì)完成制備的研磨液補(bǔ)充實(shí)施，還可以根據(jù)需要省略該步驟。下面按照如上所述的研磨液制備方法在各不同條件下制備膠態(tài)二氧化硅及研磨液，并觀察所制備的研磨液的研磨特性及研磨液特性。首先介紹用于進(jìn)行各種分析的測(cè)定裝置。粒度分布使用美國(guó)MatecAppliedScience公司的APS進(jìn)行測(cè)定1)有機(jī)改性度使用HR-TEM、日本JEOL公司制造、利用相(Phase)面積比進(jìn)行測(cè)定2)界面電位狀態(tài)(分散穩(wěn)定性)使用美國(guó)MatecAppliedScience公司的ESA9800進(jìn)行測(cè)定3)粘度使用布氏(Brookfield)粘度計(jì)DVII+進(jìn)行測(cè)定4)PH使用美國(guó)Orion公司的PH測(cè)定計(jì)(Meter)進(jìn)行測(cè)定[研磨液1至研磨液5利用有機(jī)金屬醇鹽前驅(qū)物質(zhì)合成]研磨液1至研磨液5按照如上所述的方法制備，只是在合成二氧化硅時(shí)使用有機(jī)金屬醇鹽作為前驅(qū)物質(zhì)而制備有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅。研磨液1至研磨液5為雖然按照相同方法制備，但根據(jù)有機(jī)溶劑的濃度、添加的醇種類及前驅(qū)物質(zhì)的濃度使有機(jī)改性度互不相同的膠態(tài)二氧化硅研磨液。合成時(shí)使研磨粒子的原始粒子的粒度為40nm，表1示出了其特性。所述用于表示每個(gè)研磨粒子的有機(jī)改性程度的有機(jī)改性度最好在0.02至70％范圍之內(nèi)。當(dāng)研磨粒子的有機(jī)改性度小于0.02％時(shí)，由于粒子表面沒(méi)有被有機(jī)化，因而進(jìn)行CMP研磨時(shí)不能使摩擦力減小并可能引發(fā)很多劃痕。反之，當(dāng)研磨粒子的有機(jī)改性度較高時(shí)，雖然會(huì)在CMP研磨時(shí)可以使研磨粒子與銅膜的摩擦力和硬度變小，從而有效地減少劃痕，但是當(dāng)有機(jī)改性度超過(guò)70％以上時(shí)會(huì)顯著減小研磨速度，并難以起到研磨粒子的作用。因此，需要綜合考慮研磨速度和劃傷而適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)研磨粒子的有機(jī)改性度。研磨液6至研磨液10按照如上所述的方法制備，只是在制備膠態(tài)二氧化硅粒子時(shí)在合成純膠態(tài)二氧化硅粒子之后添加有機(jī)金屬醇鹽來(lái)涂層粒子表面。即，在原硅酸四乙酯(TEOS，tetraethlyorthosilicate)的水溶液中添加甲醇(MeOH)、乙醇(EtOH)及氨水(NH4OH)，通過(guò)溶膠-凝膠公法而合成純膠態(tài)二氧化硅之后，添加相對(duì)于原硅酸四乙酯(TEOS)為10至30體積分?jǐn)?shù)(vol％)的有機(jī)金屬醇鹽并攪拌3至40個(gè)小時(shí)。研磨液6至研磨液10為雖然按照相同過(guò)程制備，但根據(jù)有機(jī)溶劑的濃度、所添加的醇種類及前驅(qū)物質(zhì)的濃度而使合成的有機(jī)改性度互不相同的膠態(tài)二氧化硅研磨液。表2示出了其特性。下面將按照如上所述的方法制備的膠態(tài)二氧化硅研磨液制備成銅布線CMP時(shí)所使用的第一次研磨液及第二次研磨液進(jìn)行了針對(duì)銅膜及鉭膜的研磨特性試驗(yàn)。在此，CMP研磨裝置使用了美國(guó)Strasbaugh公司的6DS-SP，對(duì)象晶片采用在8英尺的晶片整個(gè)表面涂層銅(Cu)而形成7000_銅膜的晶片和在8英尺的晶片整個(gè)表面涂層氮化鉭(TaN)而形成約750_氮化鉭膜的晶片，其測(cè)試條件及消耗材料如下所述。1)研磨墊IC1400(美國(guó)Rodel)公司的銷售產(chǎn)品)2)膜厚度測(cè)定器4pointprobe(韓國(guó)PSIA公司的銷售產(chǎn)品)3)研磨臺(tái)速度(tablespeed)70rpm4)軸速度(SpindleSpeed)70rpm5)下降力(DownForce)4psi6)背壓(BackPressure)0psi7)研磨液供應(yīng)量200ml/min8)測(cè)定殘留粒子及劃痕使用美國(guó)KLA-Tencor公司的SurfscanSP1進(jìn)行測(cè)定利用上述研磨液1至研磨液10制備用于對(duì)銅布線進(jìn)行CMP的第一次研磨液1至第一次研磨液10。第一次研磨液用于提高銅的研磨速度并提高對(duì)于氮化鉭及氧化膜的選擇性，添加有氮化物或過(guò)氧化氫水等作為用于促進(jìn)銅膜氧化的氧化劑，或者添加有乙酸、檸檬酸、酒石酸等有機(jī)酸用于引發(fā)銅膜腐蝕。在研磨液1至研磨液10中混合上述添加劑之后，通過(guò)使PH值穩(wěn)定而制備第一次研磨液1至第一次研磨液10。使用如此制備的第一次研磨液1至第一次研磨液10對(duì)晶片的整個(gè)表面研磨一分鐘之后，根據(jù)通過(guò)研磨而去除的厚度變化來(lái)測(cè)定研磨速度。細(xì)微劃痕通過(guò)SurfscanSP1進(jìn)行測(cè)定。針對(duì)所述準(zhǔn)備的無(wú)圖形晶片(blankwafer)實(shí)施三次以上各研磨液的研磨性能之后測(cè)定研磨特性結(jié)果，表3示出了計(jì)算平均值之后的結(jié)果。首先，從表中可以總結(jié)出第一次研磨液1至第一次研磨液10針對(duì)Cu、Ta、TaN的研磨率均處于可使用范圍之內(nèi)，表示Cu比Ta(或TaN)研磨率的選擇比也比較適當(dāng)。并且，從表3中可以得出利用有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的第一次研磨液的Cu研磨率比利用沒(méi)有有機(jī)改性的純膠態(tài)二氧化硅的比較例1、比較例2小，而且二氧化硅研磨粒子的有機(jī)改性度越高Cu研磨率越小。這是由于有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的表面被有機(jī)化，因而有機(jī)改性度越高與銅膜之間的摩擦力越小。并且，由于有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅硬度較小，因而可以減小劃傷及凹陷現(xiàn)象。通常，研磨率隨著研磨液內(nèi)研磨粒子的固體重量增加而上升。本發(fā)明通過(guò)使研磨液與去離子水或純水混合，將固體重量控制在5至40重量百分比(wt％)以內(nèi)，最好控制在10至30重量百分比(wt％)以內(nèi)。此外，利用上述研磨液1至研磨液10制備用于進(jìn)行銅布線CMP的第二次研磨液1至第二次研磨液10。第二次研磨液通過(guò)使銅與鉭、氮化鉭及氧化膜具有相同的選擇性，從而用于預(yù)防對(duì)銅布線進(jìn)行CMP時(shí)發(fā)生的凹陷現(xiàn)象及腐蝕等缺陷，添加有用于提高對(duì)鉭化物的研磨率的氮化物、硝酸、硝酸銨、硝酸鐵、硝酸銅等，或者添加有防腐劑及有機(jī)酸的混合物。在研磨液1至研磨液10中混合上述添加劑之后，使研磨液內(nèi)添加劑分布均勻及穩(wěn)定，由此制備第二次研磨液1至第二次研磨液10。使用如此制備的第二次研磨液1至第二次研磨液10對(duì)晶片的整個(gè)表面研磨一分鐘之后，根據(jù)通過(guò)研磨而去除的厚度變化來(lái)測(cè)定研磨速度。細(xì)微劃痕通過(guò)SurfscanSP1進(jìn)行測(cè)定。針對(duì)所準(zhǔn)備的無(wú)圖形晶片(blankwafer)實(shí)施三次以上各研磨液的研磨性能之后測(cè)定研磨特性結(jié)果，表4示出了計(jì)算平均值之后的結(jié)果。首先，從表中可以總結(jié)出第二次研磨液1至第二次研磨液10針對(duì)銅、鉭、氮化鉭、氧化膜的研磨率均處于可使用范圍之內(nèi)，而且可以得知對(duì)于銅、鉭、氧化膜的研磨率選擇比為1∶1∶1。并且，由于有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅硬度較小，因而可以減小劃傷及凹陷現(xiàn)象。即，從表4中可以得出利用有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的第二次研磨液相對(duì)比利用沒(méi)有有機(jī)改性的純膠態(tài)二氧化硅的比較例3、比較例4沒(méi)有發(fā)生劃傷現(xiàn)象。并且，二氧化硅研磨粒子的有機(jī)改性度越高銅膜的研磨率越小。這是由于有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的表面被有機(jī)化，因而有機(jī)改性度越高與銅膜之間的摩擦力越小。此外，使用蒸鍍銅及氮化鉭的有圖形晶片(CMP測(cè)試用SKW_Cu)進(jìn)行凹陷及腐蝕現(xiàn)象的評(píng)價(jià)。CMP的工藝條件與平板晶片的工藝條件相同，其結(jié)果分別在圖3及圖4中示出。如圖所示，本發(fā)明所提供的利用有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的CuCMP用研磨液與利用沒(méi)有有機(jī)改性的純膠態(tài)二氧化硅的研磨液相比可以顯著降低凹陷和腐蝕現(xiàn)象。因此，依據(jù)本發(fā)明可以制備出具有優(yōu)良的研磨特性的研磨液，該研磨液通過(guò)改變膠態(tài)二氧化硅的表面特性來(lái)控制研磨粒子的物理特性，并在確保CMP研磨率的同時(shí)使劃傷現(xiàn)象最少。下面說(shuō)明利用所述研磨液的基板研磨方法。根據(jù)本發(fā)明所提供的基板研磨方法使用如上所述的研磨液來(lái)研磨預(yù)定基板。通過(guò)合成粒度分布范圍較窄、具有球形形狀的有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅制備出改造膠態(tài)二氧化硅的表面、控制研磨粒子的物理特性的研磨液。最好準(zhǔn)備形成銅膜和鉭膜的基板，并使用研磨液來(lái)研磨所述基板，該研磨液通過(guò)改變膠態(tài)二氧化硅的表面特性、控制研磨粒子的物理特性而確保CMP研磨率，并最大限度地減少細(xì)微劃痕。依據(jù)本發(fā)明通過(guò)使用有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅制備研磨液，從而可以得到提高性能的研磨液。尤其，在針對(duì)用于半導(dǎo)體金屬布線工藝的銅布線的CMP工藝中，可以有效地減少現(xiàn)存的研磨液引發(fā)的劃傷及凹陷現(xiàn)象等問(wèn)題。因此，依據(jù)本發(fā)明可以制備出針對(duì)作為CuCMP用研磨劑所必須具備的各種特性具有優(yōu)良的物質(zhì)特性的研磨液，當(dāng)使用這種研磨液作為CuCMP用研磨劑時(shí)，可以適用于超大規(guī)模集成電路工藝中要求的多種圖案，并可以得到對(duì)應(yīng)的研磨率、研磨選擇比、使表示研磨均勻度的晶片內(nèi)不均勻性WIWNU)及細(xì)微劃痕最小的顯著效果。權(quán)利要求1.包含研磨粒子的一種化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨粒子包含有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨粒子包含粒子的中位值大小為20至150納米的研磨粒子。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨粒子包含粒子的中位值大小為10至120納米的原始粒子，所述原始粒子包含粒子的中位值大小為10至100納米的晶粒。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨粒子使用有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行有機(jī)改性。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述有機(jī)金屬醇鹽為甲基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨粒子的有機(jī)改性度為0.02至70％。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨液還包含吸水性添加劑。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述吸水性添加劑為烷基乙氧基化物、直鏈烷基苯磺酸鹽、烷基二甲基胺氧化物及烷基羧基甜菜堿中的一種。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述吸水性添加劑的含量為0.0001至10的重量百分比。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述吸水性添加劑包含分子量為2000g/mol至50000g/mol的聚合物。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨液還包含純水及高分子分散劑。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述高分子分散劑為聚氧乙烯、兩性聚電解質(zhì)及壬酸鉀中的一種。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述高分子分散劑的含量為0.0001至10的重量百分比。14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述高分子分散劑包含分子量為2000g/mol至50000g/mol的聚合物。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨液還包含弱酸、有機(jī)酸或弱堿。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述研磨液還包含銅膜研磨用添加劑。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液，其特征在于所述銅膜研磨用添加劑包含氮化物、過(guò)氧化氫水、硝酸、硝酸銨、硝酸鐵、硝酸銅、有機(jī)酸及苯并三唑中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的混合物。18.一種化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于包含步驟準(zhǔn)備包含有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的研磨粒子；將所述研磨粒子轉(zhuǎn)變?yōu)樗禒顟B(tài)；及向所述研磨粒子混合純水、吸水性添加劑及分散劑。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于所述研磨粒子通過(guò)溶膠-凝膠法進(jìn)行合成。20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于在準(zhǔn)備所述研磨粒子的步驟中，向有機(jī)金屬醇鹽添加有機(jī)溶劑和酸合成有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅粒子。21.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于準(zhǔn)備所述研磨粒子的步驟包含步驟向可溶性金屬硅酸鹽或金屬醇鹽的水溶液添加酸而合成純膠態(tài)二氧化硅粒子；及向所述純膠態(tài)二氧化硅粒子添加有機(jī)金屬醇鹽進(jìn)行攪拌。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于所述轉(zhuǎn)變?yōu)樗禒顟B(tài)的步驟利用交叉過(guò)濾法。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的化學(xué)機(jī)械研磨用研磨液的制備方法，其特征在于在向所述研磨粒子混合純水、吸水性添加劑及分散劑的步驟之后，還包含向所述混合物質(zhì)添加銅膜研磨用添加劑的步驟。24.一種基板的研磨方法，其特征在于使用權(quán)利要求1所述的研磨液對(duì)預(yù)定基板進(jìn)行研磨。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的基板的研磨方法，其特征在于所述預(yù)定基板上形成銅、氮化鉭及鉭膜。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)CMP用研磨液及制備該CMP用研磨液的方法，所述研磨液包含具有有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的研磨粒子，所述CMP用研磨液的制備方法包含步驟準(zhǔn)備包含有機(jī)改性的膠態(tài)二氧化硅的研磨粒子；將所述研磨粒子轉(zhuǎn)變?yōu)樗禒顟B(tài)；及向所述研磨粒子混合純水、吸水性添加劑及分散劑。所述研磨粒子可以通過(guò)溶膠—凝膠法進(jìn)行合成。因此，依據(jù)本發(fā)明可以制備出通過(guò)改變膠態(tài)二氧化硅的表面特性控制研磨粒子的物理特性，并在確保CMP研磨率的同時(shí)將劃傷減少到最低限度而具有優(yōu)良的研磨特性的研磨液。文檔編號(hào)H01L21/304GK1896172SQ20061008850公開(kāi)日2007年1月17日申請(qǐng)日期2006年5月31日優(yōu)先權(quán)日2005年6月3日發(fā)明者白云揆,樸在勤,金相均,金禮桓,徐明源,金大亨申請(qǐng)人:K.C.科技股份有限公司,漢陽(yáng)大學(xué)校產(chǎn)業(yè)協(xié)力團(tuán)