專利名稱：：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明所揭露是有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，更特別有關(guān)于一種裝置，其具有多種金屬硅化物形式及其制造方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)迅速發(fā)展，集成電路(IC)材料及設(shè)計的技術(shù)使更新時代集成電路(IC)產(chǎn)品更為縮小及復(fù)雜化，然而如此的進(jìn)步將增加制造集成電路(IC)及制程工藝上的復(fù)雜度，因此在制造集成電路(IC)及制程上需有相同的發(fā)展。隨著集成電路(IC)的發(fā)展，當(dāng)尺寸(例如制程所能生產(chǎn)出最小的零件)縮小時，功能性密度(每一晶片面積上互連裝置的數(shù)目)隨之增加，制程的微縮可增加生產(chǎn)效率及降低成本，然而如此的微縮也產(chǎn)生相當(dāng)高的功率消耗，尤其是在使用低功率消耗裝置例如互補型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)時?；パa型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)包括兩個不同的晶體管，一個N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)及一個P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)，已知在瞬間轉(zhuǎn)換時的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)只會有一個晶體管運作，如此在電源線(Vdd)及地線(Vss)間可能會產(chǎn)生高阻抗，暫時忽略轉(zhuǎn)換器的狀態(tài)；因此互補型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)內(nèi)可能包含邏輯柵門以消耗待命電功率(standbypower)。在金氧半場效應(yīng)晶體管(MOSFET)技術(shù)中，可使用自行對準(zhǔn)金屬硅化物(self-alignedsilicide，salicide)結(jié)構(gòu)，其可以包含一金屬硅化物形成于多晶硅線上，其中多晶硅線形成柵極以及用以提供源極及漏極的硅區(qū)域，以制造金氧半場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。金屬硅化物可用以提供金屬線及基底接觸區(qū)，例如多晶硅柵極、硅源極及硅漏極間的界面，將金屬硅化物放在源極及漏極上可以減少金屬接點及下層結(jié)構(gòu)間溝道的平面電阻，然而，雖然在多種晶體管形式一般上使用相同的金屬硅化物，不同晶體管(例如NMOS及PMOS)的平面電阻可能隨其所使用的金屬或金屬硅化物類型而有所不同。因此，需要一種方法使用多種形式的金屬硅化物來制造集成電路(IC)裝置，也提供一種裝置具有多種形式的金屬硅化物，其中每一種形式可以在制造過程中進(jìn)行調(diào)整，甚且，希望在裝置的金屬硅化物部分制造后，在接觸蝕刻過程中能降低金屬硅化物的流失。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明揭露提供一集成電路，具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其中該第一主動區(qū)具有一NMOS晶體管，其具有一第一形式的金屬硅化物圖案及一拉伸應(yīng)力的接觸蝕刻停止層(CESL)結(jié)構(gòu)，以及該第二主動區(qū)具有一PMOS晶體管，其具有一第二形式的金屬硅化物圖案及一壓縮應(yīng)力的接觸蝕刻停止層(CESL)結(jié)構(gòu)。金屬硅化物圖案的第一及第二形式可提供連接于主動區(qū)的較低接點電阻，接觸蝕刻停止層(CESL)結(jié)構(gòu)有助于優(yōu)化制造過程以減少缺陷，以及在接點開口形成過程中易于控制終止點。通過應(yīng)用于主動區(qū)的應(yīng)力，第一及第二接觸蝕刻停止層(CESL)結(jié)構(gòu)更增加集成電路的效能；在一實施例中，通過接觸蝕刻停止層(CESL)的拉伸應(yīng)力，NMOS可具有較佳的載流子移動率，而通過接觸蝕刻停止層(CESL)的壓縮應(yīng)力，PMOS可具有較佳的載流子移動率；在另一實施例中，一接觸蝕刻停止層(CESL)只形成于第一及第二主動區(qū)其中之一。在一實施例中，本發(fā)明揭露提供一半導(dǎo)體裝置具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其形成于一基底中；多個第一金屬硅化物圖形，其由一第一金屬硅化物所形成，位于該第一主動區(qū)內(nèi)；多個第二金屬硅化物圖形，其由一第二金屬硅化物所形成，位于該第二主動區(qū)內(nèi)，其由一第二金屬硅化物所形成，位于該第二主動區(qū)內(nèi)，其中該第二金屬硅化物是異于該第一金屬硅化物，以及其中至少有一金屬硅化物是一合金硅化物；以及一蝕刻停止層，覆蓋該第一主動區(qū)及第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)。在半導(dǎo)體裝置中，第一及第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)是包含一升起式源極及漏極，或一鰭狀結(jié)構(gòu)晶體管(finstructurefieldeffecttransistor，F(xiàn)inFET)結(jié)構(gòu)。該第一主動區(qū)是包含一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)，以及該第二主動區(qū)是包含一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)。該蝕刻停止層是分別具有一第一應(yīng)力于該第一主動區(qū)內(nèi)，及一第二應(yīng)力于該第二主動區(qū)內(nèi)。在一例子中，該第一應(yīng)力是一拉伸應(yīng)力，以及該第二應(yīng)力是一壓縮應(yīng)力。在另一例子中，該第一應(yīng)力具有一拉伸應(yīng)力是大于109帕斯卡(pascal)，該第二應(yīng)力具有一壓縮應(yīng)力是大于109帕斯卡(pascal)。該蝕刻停止層是包含一材料，其選擇自一含氮材料，一含氧材料，及其組合物。該蝕刻停止層是包含一材料，其選擇自氮化硅，氮氧化硅，氧化硅，一高介電值(high-k)材料是具有一k值至少10，及其組合物。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，更包含一接點結(jié)構(gòu)，形成于至少一開口內(nèi)，其中該至少一開口是延伸通過該蝕刻停止層，到達(dá)該第一金屬硅化物圖形及該第二金屬硅化物圖形中的至少一金屬硅化物圖形。在半導(dǎo)體裝置中，該第一金屬硅化物及該第二金屬硅化物中的至少一金屬硅化物是包含一單一金屬硅化物，該第一金屬硅化物及該第二金屬硅化物是包含一材料，其選擇自硅化鎳、硅化鈷、硅化鎢、硅化鉭、硅化鉑、硅化鉺、硅化鈀及其組合物。在半導(dǎo)體裝置中，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含柵極介電層圖形，其中該柵極介電層圖形是包含一材料，其選擇自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介電值(high-k)材料及其組合物，該高介電值(high-k)材料是具有一介電常數(shù)至少10，該高介電值(high-k)材料是包含一材料，其選擇自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物、金屬氮氧化物、金屬鋁酸鹽、硅酸鋯、鋁酸鋯、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、氮氧化鋯(ZrOxNy)、氮氧化鉿(HfOxNy)、硅酸鉿(HfSixOy)、硅酸鋯(ZrSixOy)、氮氧硅鉿(HfSixOyNz)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化鉭(Ta2O5)、三氧化二鑭(La2O3)、二氧化鈽(CeO2)、硅酸鉍(Bi4Si2O12)、氧化鎢(WO3)、氧化釔(Y2O3)、鋁酸鑭(LaAlO3)、鈦酸鋇鍶(Ba1-xSrxTiO3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鋯酸鉛(PbZrO3)、鉭酸鈧鉛(PbSczTa1-zO3，簡稱PST)、鈮酸鋅鉛(PbZnzNb1-zO3，簡稱PZN)、鋯鈦酸鉛(PbZrO3-PbTiO3，簡稱PZT)、氧化鉿(PbMgzNb1-zO3，簡稱PMN)及其組合物。在半導(dǎo)體裝置中，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含柵極電極，該柵極電極是包含一材料，其選擇自含硅材料、含鍺材料、含金屬材料及其組合物，該柵極電極是包含一材料，其選擇自多晶硅、多晶硅鍺、金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、金屬氧化物及其組合物。在半導(dǎo)體裝置中，該基底是包含一元素半導(dǎo)體，譬如硅及鍺，該基底是包含一化合物半導(dǎo)體，該基底是包含一合金半導(dǎo)體，包含一材料，其選擇自含硅材料、含鍺材料及含碳材料，該合金半導(dǎo)體是包含硅鍺，該基底是包含一漸變硅鍺結(jié)構(gòu)，該基底是包含一硅覆蓋絕緣層(silicononinsulator，SOI)結(jié)構(gòu)，譬如硅覆蓋絕緣層圖形。本發(fā)明進(jìn)一步是這樣實現(xiàn)的本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包含一基底，具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；多個第一金屬硅化物圖形，其由一第一金屬硅化物所形成，位于該第一主動區(qū)內(nèi)；多個第二金屬硅化物圖形，其由一第二金屬硅化物所形成，位于該第二主動區(qū)內(nèi)，其中該第二金屬硅化物是異于該第一金屬硅化物，以及其中至少有一金屬硅化物是一合金硅化物；以及一蝕刻停止層，覆蓋該第一主動區(qū)及第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一主動區(qū)是包含一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，以及該第二主動區(qū)是包含一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該蝕刻停止層是分別具有一第一應(yīng)力于該第一主動區(qū)內(nèi)，及一第二應(yīng)力于該第二主動區(qū)內(nèi)。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一應(yīng)力是一拉伸應(yīng)力，以及該第二應(yīng)力是一壓縮應(yīng)力。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，更包含一接點圖形，形成于至少一開口內(nèi)，其中該至少一開口是延伸通過該蝕刻停止層，到達(dá)該第一金屬硅化物圖形及該第二金屬硅化物圖形中的至少一金屬硅化物圖形。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一金屬硅化物及該第二金屬硅化物中的至少一金屬硅化物是包含一單一金屬硅化物。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含柵極介電層圖形，或包含柵極電極。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)是包含一升起式源極及漏極。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)是包含一鰭狀結(jié)構(gòu)晶體管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，該基底是包含元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、合金半導(dǎo)體、漸變硅鍺結(jié)構(gòu)或硅覆蓋絕緣層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其中該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是分別包含一第一金屬硅化物及一第二金屬硅化物；形成一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)上形成一罩幕層；之后離子注入該蝕刻停止層；以及之后移除該罩幕層。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一金屬層；自該第二主動區(qū)選擇性移除該第一金屬層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二金屬層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一金屬硅化物；以及之后于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一蝕刻停止層。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，更包含于該第一主動區(qū)上形成一罩幕層之后，于該第二主動區(qū)內(nèi)離子注入該蝕刻停止層。本發(fā)明又提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，以及于該第二主動區(qū)內(nèi)形成一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一介電層；自該第一主動區(qū)移除該第一介電層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一金屬層；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成多個第一金屬硅化物圖案；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一拉伸應(yīng)力蝕刻停止層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二介電層；自該第二主動區(qū)移除該第二介電層、該拉伸應(yīng)力蝕刻停止層及該第一介電層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二金屬層；于該第二主動區(qū)內(nèi)形成多個第二金屬硅化物圖案；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一壓縮應(yīng)力蝕刻停止層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第三介電層；以及平坦化該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，平坦化該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含自該第二主動區(qū)部分移除該第二介電層。本發(fā)明另還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其中該該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是分別包含一金屬硅化物區(qū)及一第二金屬硅化物區(qū)；形成一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成一第一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力；于該第二主動區(qū)內(nèi)形成一第二蝕刻停止層，其具有一第二應(yīng)力；形成一介電層，以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上的該第一蝕刻停止層及該第二蝕刻停止層；以及形成多個接觸洞，通過該介電層，以及通過該第一蝕刻停止層及該第二蝕刻停止層其中之一，到達(dá)該基底。圖1-1、圖1-2是繪出本發(fā)明所特別揭露的例示結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第一例示方法的流程圖；圖2b-1、圖2b-2至圖2h-1、圖2h-2是依據(jù)圖2a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖3a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第二例示方法的流程圖；圖3b-1、圖3b-2至圖3h-1、圖3h-2是依據(jù)圖3a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖4a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第三例示方法的流程圖；圖4b-1、圖4b-2至圖4l-1、圖41-2是依據(jù)圖4a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖5a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第四例示方法的流程圖；圖5b-1、圖5b-2至圖5i-1、圖5i-2是依據(jù)圖5a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖6a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第五例示方法的流程圖；圖6b-1、圖6b-2至圖6i-1、圖6i-2是依據(jù)圖6a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖7a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第六例示方法的流程圖；圖7b-1、圖7b-2至圖7e-1、圖7e-2是依據(jù)圖7a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖；圖8a是繪出制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)的一第七例示方法的流程圖；圖8b-1、圖8b-2至圖8k-1、圖8k-2是依據(jù)圖8a的方法，制造圖1-1、圖1-2結(jié)構(gòu)過程的剖面示意圖。具體實施例方式本發(fā)明所揭露是有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，更特別有關(guān)于一種裝置，其具有多種金屬硅化物形式及其制造方法。一般而言，NMOS及PMOS裝置皆使用相同金屬或金屬合金硅化物所制造，因為NMOS裝置內(nèi)的硅源極及漏極摻雜形式與PMOS裝置內(nèi)的硅源極及漏極不同，不同摻雜源極及漏極的功函數(shù)(workfunction)有所不同，因此難以選擇一金屬硅化物材料所具有的功函數(shù)可同時降低NMOS及PMOS源極及漏極的接觸平面電阻。2003年8月29日美國專利號碼第60/498,759中所揭露一種具有互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的裝置，其互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)提供不同裝置的互補型金屬硅化物，例如一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)及一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)，此互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)能夠?qū)饘俟杌锊牧线M(jìn)行微調(diào)以獲得一所需的功函數(shù)，其有助于降低多晶硅柵極及源極/漏極區(qū)內(nèi)的接點及串聯(lián)電阻。然而，在稍后的接點蝕刻過程中可能出現(xiàn)額外的問題，例如在深次微米技術(shù)中，譬如0.1μm及其以后的制程，金屬硅化物的厚度通常少于350且對于厚度波動及流失現(xiàn)象較為敏感，此外對于多重金屬硅化物結(jié)構(gòu)難以偵測及控制接點蝕刻的終止點，如果接點蝕刻并不在適當(dāng)時間停止時，可能產(chǎn)生額外的金屬硅化物流失，接點蝕刻過程中的金屬硅化物流失會增加接點的電阻，惡化短溝道效應(yīng)，以及增加接合處的漏電流。在下述說明中將揭示更詳細(xì)的內(nèi)容，一接觸蝕刻停止層在接點蝕刻過程中，可用以將金屬硅化物的流失減到最小。另為方便說明起見，所有圖示中標(biāo)示“*-1”是代表NMOS結(jié)構(gòu)，而“*-2”是代表PMOS結(jié)構(gòu)。參考圖1-1與圖1-2，在一實施例中，在一單一結(jié)構(gòu)中提供一互補型金屬硅化物，是包含一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)100及一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)120，其NMOS100及PMOS120皆在一半導(dǎo)體基底(圖中未示)上所制造。NMOS100是包含一柵極多晶硅區(qū)102，間隔層104及106，柵極介電層108，柵極金屬硅化物區(qū)114，一源極(圖中未示)及一源極金屬硅化物區(qū)116，一漏極(圖中未示)及一漏極金屬硅化物區(qū)118，以及一接觸蝕刻停止層(CESL或ESL)112，譬如一薄膜。PMOS120是包含一柵極多晶硅區(qū)122，間隔層124及126，柵極介電層128，柵極金屬硅化物區(qū)134，一源極(圖中未示)及一源極金屬硅化物區(qū)136，一漏極(圖中未示)及一漏極金屬硅化物區(qū)138，以及一接觸蝕刻停止層(CESL或ESL)132，譬如一薄膜?？衫斫獾氖瞧渌慵蚱渌麑涌赡艽嬖?，但于圖中并不清楚繪示。半導(dǎo)體基底上的NMOS100及PMOS120可通過使用一元素半導(dǎo)體，例如單晶硅、多晶硅、非晶硅、鍺、及鉆石，一合成物半導(dǎo)體，例如碳化硅、砷化鎵，或一合金半導(dǎo)體，例如硅鍺、砷磷化鎵(GaAsP)、銦砷化鋁(AlInAs)、鎵砷化鋁(AlGaAs)、銦磷化鎵(GaInP)及其組合物所制造。再者，此半導(dǎo)體基底可能是絕緣體上的一半導(dǎo)體，例如硅覆蓋絕緣體(SOI)。例如，此半導(dǎo)體基底可能包含一摻雜外延層、一漸變半導(dǎo)體層，或更包含一半導(dǎo)體層覆蓋一相異形式的半導(dǎo)體層，例如于一硅鍺層上形成一硅層。在其他例子中，合成物半導(dǎo)體是包含一多重硅結(jié)構(gòu)或一多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。NMOS100及PMOS120可通過使用一P型阱(P-well)及N型阱(N-well)結(jié)構(gòu)所制造，以及可直接制造于半導(dǎo)體基底上或其內(nèi)，在本發(fā)明例子中，NMOS100及PMOS120之間具有一隔離區(qū)(圖中未示)，此隔離區(qū)可利用隔離技術(shù)來形成，例如局部硅氧化(LOCOS)及淺溝槽隔離(STI)，再者，NMOS及PMOS可具有一升起式(raised)源極及漏極結(jié)構(gòu)、一鰭狀結(jié)構(gòu)晶體管(finstructurefieldeffecttransistor，F(xiàn)inFET)結(jié)構(gòu)、或一雙柵極結(jié)構(gòu)，此外，NMOS及PMOS可包含一高應(yīng)力薄膜。NMOS100內(nèi)的柵極介電層108及PMOS120內(nèi)的柵極介電層128可為任何適合的介電層材料，最好具有較高完整性及低漏電流，可包含氧化硅、氮氧化硅、或一高介電值(highk)介電層，例如氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鉿及氧化鋁(HfO2-Al2O3)合金、或其組合物。NMOS柵極102及PMOS柵極122可以是具有相同或相異摻雜的摻雜多晶硅。位于NMOS柵極102兩側(cè)的間隔層104及106，以及位于PMOS柵極122兩側(cè)的間隔層124及126，可能包含一介電層材料，例如氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮氧化硅及其組合物。NMOS100可包含一源極及一漏極(圖中未示)，其直接形成于半導(dǎo)體基底上，于一P型阱(P-well)結(jié)構(gòu)中，或使用一升起式結(jié)構(gòu)，可以在源極及柵極頂部上方形成金屬硅化物，以分別形成源極金屬硅化物區(qū)116及漏極金屬硅化物區(qū)118，也可以在多晶硅柵極102頂部上方形成金屬硅化物，以形成柵極金屬硅化物區(qū)114，NMOS100中的金屬硅化物區(qū)114、116、118是包含硅化鎳、硅化鈷、硅化鎢、硅化鉭、硅化鈦、硅化鉑、硅化鉺、硅化鈀、或其組合物。PMOS120可包含一源極及一漏極(圖中未示)，其直接形成于半導(dǎo)體基底上，于一N型阱(N-well)結(jié)構(gòu)中，或使用一升起式結(jié)構(gòu)，可以在源極及柵極頂部上方形成金屬硅化物，以分別形成源極金屬硅化物區(qū)136及漏極金屬硅化物區(qū)138，也可以在多晶硅柵極122頂部上方形成金屬硅化物，以形成柵極金屬硅化物區(qū)134，NMOS120中的金屬硅化物區(qū)134、136、138是包含硅化鎳、硅化鈷、硅化鎢、硅化鉭、硅化鈦、硅化鉑、硅化鉺、硅化鈀、或其組合物。接觸蝕刻停止層112及132可包含一種材料形式，在接點蝕刻制程中具有一高耐力，而可以在接點蝕刻制程中保護(hù)下層金屬硅化物，接觸蝕刻停止層112及132的材料可選擇一絕緣材料，例如包含氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化硅及其組合物，可理解的是接觸蝕刻停止層112及132意指分離的相關(guān)數(shù)目層數(shù)，可包含一單一接觸蝕刻停止層。可使用不同方法沉積接觸蝕刻停止層112及132，例如，可以沉積接觸蝕刻停止層112及132以覆蓋一相當(dāng)大的區(qū)域包括NMOS100及PMOS120，在一些實施例中，可圖形化接觸蝕刻停止層112及132以覆蓋選擇性區(qū)域，譬如只有NMOS100或PMOS120、或只有接點區(qū)域如源極、漏極及柵極，若有需要，在接點蝕刻以移除絕緣層材料后，可以自覆蓋區(qū)域移除接觸蝕刻停止層112及132。在一些實施例中，可以選擇及制造接觸蝕刻停止層112及132以符合既定的壓力標(biāo)準(zhǔn)，例如，形成一接觸蝕刻停止層具有一拉伸應(yīng)力(tensilestress)大于1.0gigapascal以覆蓋NMOS100，同樣，形成一接觸蝕刻停止層具有一壓縮應(yīng)力(compressivestress)大于1.0gigapascal以覆蓋PMOS120，每一個接觸蝕刻停止層112及132具有一微調(diào)后的應(yīng)力以增加效能，譬如NMOS100及PMOS120的載體移動率。在圖1-1與圖1-2結(jié)構(gòu)中，于NMOS100的金屬硅化物區(qū)114、116、118(以下總稱NMOS金屬硅化物區(qū))中形成的金屬硅化物，是異于PMOS120的金屬硅化物區(qū)134、136、138(以下總稱PMOS金屬硅化物區(qū))中形成的金屬硅化物，例如，NMOS金屬硅化物區(qū)及PMOS金屬硅化物區(qū)可以都是金屬硅化物，但形式相異，或者可能是不同組成的合金硅化物，或相同組成的合金硅化物但具有不同的材料比例，同樣情況，NMOS金屬硅化物區(qū)可能是金屬硅化物，但PMOS金屬硅化物區(qū)可能是合金硅化物，或相反，這樣的金屬硅化物結(jié)構(gòu)有時稱為互補型金屬硅化物(complementarysilicide)，互補型金屬硅化物提供NMOS金屬硅化物區(qū)及PMOS金屬硅化物區(qū)的可變微調(diào)，以改善接點電阻、粘著力、及一致性。在一互補型金屬硅化物的例子中，可使用鎳及鈷的不同組合，使NMOS金屬硅化物及PMOS金屬硅化物的組成可以微調(diào)以適合所需的功函數(shù)及平面電阻，例如，NMOS金屬硅化物的功函數(shù)可微調(diào)使其小于4.4eV，但PMOS金屬硅化物的功函數(shù)可微調(diào)使其大于4.6eV?？衫斫獾氖腔パa型金屬硅化物不限于NMOS及PMOS結(jié)構(gòu)，但可用以形成任二金屬硅化物區(qū)連接至一基底，其中第一區(qū)具有一第一形式的金屬硅化物且第二區(qū)具有一第二形式的金屬硅化物，每一區(qū)可包含的結(jié)構(gòu)譬如一摻雜硅或摻雜多晶硅區(qū)域、一源極、一漏極及一柵極，再者，每一區(qū)的結(jié)構(gòu)可包含一裝置譬如一NMOS、一PMOS、一CMOS、一鰭狀結(jié)構(gòu)晶體管(finstructurefieldeffecttransistor，F(xiàn)inFET)、一雙極晶體管、一電容器、一電阻器、或其組合物。參考圖2a及圖2b-1至圖2h-2，在一實施例中，可以使用一方法200以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖2b-1至圖2h-2是繪出圖2a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖2a中方法200，圖2b-1至圖2h-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法200不限于對NMOS及PMOS結(jié)構(gòu)的一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成，但可以在一半導(dǎo)體制程過程中用以形成任二區(qū)，其中第一區(qū)具有一組成或材料比例且第二區(qū)具有一相異組成或材料比例。如圖2b-1與圖2b-2所示，在本發(fā)明例子中，第一區(qū)是一NMOS240以及第二區(qū)是一PMOS270，可理解的是可以在進(jìn)行方法2O0之前制造NMOS240及PMOS270的部分，例如，NMOS240是包含一多晶硅柵極242、間隔層244及246、及一柵極介電層248，PMOS270是包含一多晶硅柵極272、間隔層274及276、及一柵極介電層278。特別參照圖2a及圖2c-1與圖2c-2，方法200先依照步驟210中，沉積第一金屬部分250、280(使用相同金屬‘A’)以分別覆蓋NMOS240及PMOS270，第一金屬部分250、280的沉積方法是包含使用物理氣相沉積法(PVD)譬如濺鍍及蒸鍍，或電鍍，或化學(xué)氣相沉積法(CVD)譬如等離子加強CVD(PECVD)、大氣壓力CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、高密度等離子CVD(HDPCVD)及原子層CVD(ALCVD)，或其他沉積制程，在本發(fā)明的例子中使用濺鍍沉積，第一金屬部分250、280可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物。在本發(fā)明例子中，第一金屬部分250、280是包含鎳，在金屬硅化物尺寸小于0.13μm的金屬硅化物技術(shù)時鎳具有一些優(yōu)點，因為鎳比其他適合的金屬需要較低的熱供應(yīng)量，在相當(dāng)?shù)偷臏囟葧r，約攝氏溫度250℃至600℃，可以在單一的加熱步驟中形成硅化鎳，減少基底中硅的消耗量，因此能夠形成極淺的源極/漏極接合?？赏ㄟ^濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖2d-1與圖2d-2及步驟212，可選擇性移除第一金屬部分280，留下完整的第一金屬部分250，先前技術(shù)中已知可使用微影及蝕刻制程以選擇性移除第一金屬部分280，包括在金屬部分250及280上形成光致抗蝕劑，自一光罩轉(zhuǎn)換蝕刻圖案至光致抗蝕劑上，蝕刻，以及剝除光致抗蝕劑，也可以在剝除光致抗蝕劑后進(jìn)行蝕刻，蝕刻制程最好依據(jù)第一金屬部分280，例如，如果材料是鎳，可選擇濕蝕刻制程使用金屬蝕刻溶液如硫酸及過氧化氫混合物(H2SO4+H2O2+H2O)，如果材料是鈷，濕蝕刻溶液可包含無機酸(如HCl)及過氧化氫溶液。參考圖2e-1與圖2e-2及步驟214，沉積第二金屬部分252、282以分別覆蓋NMOS240及PMOS270，使用相同金屬(金屬‘B’)形成第二金屬部分252、282，但是使用不同金屬或金屬合成物以形成第一金屬部分250、280，沉積制程可使用物理氣相沉積法(PVD)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)，第二金屬部分252、282可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第二金屬部分252、282為鈷。參考圖2f-1與圖2f-2及步驟216，在NMOS240及PMOS270上皆形成一金屬硅化物，然而NMOS240上所形成的金屬硅化物異于PMOS270上所形成的金屬硅化物，因為NMOS240上所形成的金屬硅化物包含第一金屬部分250(金屬A或鎳)及第二金屬部分252(金屬B或鈷)(參照合金硅化物)兩者皆有，然而PMOS270上所形成的金屬硅化物只包含第二金屬部分282(鈷)。如圖2f-1與圖2f-2所繪，在NMOS240的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物254、源極金屬硅化物256、及漏極金屬硅化物258，在PMOS270的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物284、源極金屬硅化物286、及漏極金屬硅化物288，柵極金屬硅化物254、源極金屬硅化物256、及漏極金屬硅化物258是合金硅化物(鎳及鈷)，然而柵極金屬硅化物284、源極金屬硅化物286、及漏極金屬硅化物288是硅化鈷。合金硅化物中金屬A/B(例如鎳/鈷)的比例可通過優(yōu)化金屬沉積制程及硅化制程進(jìn)行調(diào)整，以提供所需的功函數(shù)；在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使第二金屬(或第一及第二金屬)及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；參照退火步驟，在一氣體環(huán)境下，如氬、氦、氮或其他惰性氣體，使用一快速熱退火(rapidthermalannealing，RTA)制程，反應(yīng)的金屬硅化物可能在亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))中而需要一第二退火步驟或RTA(例如，在依據(jù)一特定金屬及化合物所選擇的一較高溫度下)，因此形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟218(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖2g-1與圖2g-2及步驟218，可以從NMOS240及PMOS270移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，附著在隔離區(qū)域上的金屬可能未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，需要使用金屬蝕刻溶液進(jìn)行選擇性移除，可在二步驟中完成蝕刻，對于不同金屬可以在每一步驟中使用不同蝕刻溶液及標(biāo)的物，將在多晶硅柵極及源極/漏極接觸區(qū)域上留下完整的金屬硅化物，一般而言，不需要微影制程以圖案化接點的金屬硅化物層，因為通過選擇性反應(yīng)及蝕刻(參照自行對準(zhǔn)金屬硅化物，salicide)可以使金屬硅化物對準(zhǔn)柵極及源極/漏極區(qū)域。參考圖2h-1與圖2h-2及步驟220，形成接觸蝕刻停止層260及290，如上所述，接觸蝕刻停止層260及290對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容(例如，可以良好粘著于金屬硅化物上，不會與其反應(yīng)或擴散至下層金屬硅化物)，接觸蝕刻停止層260及290材料的選擇，可依據(jù)一絕緣層材料(圖中未示)以符合所使用的蝕刻劑，例如，可使用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或氧化硅(若絕緣層材料不是氧化硅)，以形成接觸蝕刻停止層260及290。在本發(fā)明例子中，接觸蝕刻停止層260及290可沉積覆蓋所有區(qū)域包含NMOS240及PMOS270，雖然已知可以使用一選擇性沉積制程，特定沉積方法的選擇可依據(jù)接觸蝕刻停止層260及290所使用的材料，以及可以包含PVD、CVD、或一加熱制程，以及可以在多個步驟中完成，例如，接觸蝕刻停止層260及290可選擇一氮化硅薄膜，通過LPCVD、PECVD、或其他已知方法形成氮化硅薄膜，為了例示的目的使用一PECVD制程，可提供一低溫制程相容于底層結(jié)構(gòu)，在PECVD制程中，可以在等離子中反應(yīng)沉積硅烷(silane)及氨(或氮)，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)，先前技術(shù)已知可使用微影及蝕刻制程圖案化接觸蝕刻停止層260、290。參考圖3a及圖3b-1至圖3h-2，在另一實施例中，可以使用一方法300以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖3b-1至圖3h-2是繪出圖3a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖3a中方法300，圖3b-1至圖3h-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法300不限于一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成，但可以在一半導(dǎo)體制程過程中用以形成任二區(qū)，其中第一區(qū)具有一組成或材料比例且第二區(qū)具有一相異組成或材料比例。如圖3b-1與圖3b-2所示，在本發(fā)明例子中，第一區(qū)是一NMOS340以及第二區(qū)是一PMOS370，可理解的是可以在進(jìn)行方法300之前制造NMOS340及PMOS370的部分，例如，NMOS340是包含一多晶硅柵極342、間隔層344及346、及一柵極介電層348，PMOS370是包含一多晶硅柵極372、間隔層374及376、及一柵極介電層378。特別參照圖3a及圖3c-1與圖3c-2，方法300先依照步驟310中，沉積第一金屬部分350、380(使用相同金屬‘A’)以分別覆蓋NMOS340及PMOS370，第一金屬部分350、380的沉積方法是包含使用PVD或CVD制程，第一金屬部分350、380可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物。在本發(fā)明例子中，第一金屬部分350、380是包含鎳，可通過濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖3d-1與圖3d-2及步驟312，沉積第二金屬部分352、382以分別覆蓋NMOS340及PMOS370，使用相同金屬(金屬‘B’)形成第二金屬部分352、382，但是使用不同金屬或金屬合成物以形成第一金屬部分350、380，沉積制程可使用PVD或CVD，第二金屬部分352、382可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第二金屬部分352、382為鈷。參考圖3e-1與圖3e-2及步驟314，可選擇性移除第二金屬部分382，留下完整的第二金屬部分352，先前技術(shù)中已知可使用微影及蝕刻制程以選擇性移除第二金屬部分382，包括在金屬部分352及382上形成光致抗蝕劑，自一光罩轉(zhuǎn)換蝕刻圖案至光致抗蝕劑上，蝕刻，以及剝除光致抗蝕劑，也可以在剝除光致抗蝕劑后進(jìn)行蝕刻，蝕刻制程最好依據(jù)第二金屬部分382的組成。參考圖3f-1與圖3f-2及步驟316，在NMOS340及PMOS370上皆形成一金屬硅化物，然而NMOS340上所形成的金屬硅化物異于PMOS370上所形成的金屬硅化物，因為NMOS340上所形成的金屬硅化物是一合金硅化物，包含第一金屬部分350(鎳)硅化物及第二金屬部分352(鈷)硅化物兩者皆有，然而PMOS370上所形成的金屬硅化物只包含第一金屬部分380(鎳)硅化物。如圖3f-1與圖3f-2所繪，在NMOS340的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物354、源極金屬硅化物356、及漏極金屬硅化物358，在PMOS370的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物384、源極金屬硅化物386、及漏極金屬硅化物388。柵極金屬硅化物354、源極金屬硅化物356、及漏極金屬硅化物358是合金硅化物(鎳及鈷)，然而柵極金屬硅化物384、源極金屬硅化物386、及漏極金屬硅化物388是硅化鎳。合金硅化物中金屬A/B(例如鎳/鈷)的比例可通過優(yōu)化金屬沉積制程及硅化制程進(jìn)行調(diào)整，以提供所需的功函數(shù)；在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使第二金屬(或第一及第二金屬)及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；反應(yīng)的金屬硅化物可能在亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))中而需要一第二退火步驟或RTA，因此形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟318(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖3g-1與圖3g-2及步驟318，可以從NMOS340及PMOS370移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，附著在隔離區(qū)域上的金屬可能未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，需要使用金屬蝕刻溶液進(jìn)行選擇性移除，將在多晶硅柵極及源極/漏極接觸區(qū)域上留下完整的金屬硅化物，一般而言，不需要微影制程以圖案化接點的金屬硅化物層，因為金屬硅化物是一自行對準(zhǔn)金屬硅化物(salicide)。參考圖3h-1與圖3h-2及步驟320，形成接觸蝕刻停止層360及390，如上所述，接觸蝕刻停止層360及390對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容，接觸蝕刻停止層360及390材料的選擇，可依據(jù)一絕緣層材料(圖中未示)以符合所使用的蝕刻劑，例如，可使用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或氧化硅，以形成接觸蝕刻停止層360及390。在本發(fā)明例子中，接觸蝕刻停止層360及390可沉積覆蓋所有區(qū)域包含NMOS340及PMOS370，雖然已知可以使用一選擇性沉積制程，特定沉積方法的選擇可依據(jù)接觸蝕刻停止層360及390所使用的材料，以及可以包含PVD、CVD、或一加熱制程，以及可以在多個步驟中完成，例如，接觸蝕刻停止層360及390可選擇一氮化硅薄膜，通過LPCVD、PECVD、或其他已知方法形成氮化硅薄膜，為了例示的目的使用一PECVD制程，可提供一低溫制程相容于底層結(jié)構(gòu)，在PECVD制程中，可以在等離子中反應(yīng)沉積硅烷(silane)及氨(或氮)，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)，先前技術(shù)已知可使用微影及蝕刻制程圖案化接觸蝕刻停止層360、390。參考圖4a及圖4b-1至圖41-2，在另一實施例中，可以使用一方法400以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖4b-1至圖4l-2是繪出圖4a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖4a中方法400，圖4b一1至圖4l-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法400不限于一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成，但可以在一半導(dǎo)體制程過程中用以形成任二區(qū)，其中第一區(qū)具有一組成或材料比例且第二區(qū)具有一相異組成或材料比例。如圖4b-1與圖4b-2所示，在本發(fā)明例子中，第一區(qū)是一NMOS440以及第二區(qū)是一PMOS470，可理解的是可以在進(jìn)行方法400之前制造NMOS440及PMOS470的部分，例如，NMOS440是包含一多晶硅柵極442、間隔層444及446、及一柵極介電層448，PMOS470是包含一多晶硅柵極472、間隔層474及476、及一柵極介電層478。特別參照圖4a及圖4c-1與圖4c-2，方法400先依照步驟410中，沉積硬式罩幕部分449、479以分別覆蓋NMOS440及PMOS470，硬式罩幕部分449、479的沉積方法是包含使用PVD制程、CVD制程、或氮氣或氧氣間的一高溫反應(yīng)，硬式罩幕部分449、479可包含氧化硅、氮化硅、碳化硅、或其組合物，例如，可通過高溫CVD、LPCVD、或PECVD形成氮化硅，可以通過二氯硅烷(dichlorosilane，SiCl2H2)及氨(NH3)反應(yīng)以形成LPCVD氮化硅，可通過熱氧化或CVD制程形成氧化硅，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)。參考圖4d-1與圖4d-2及步驟412，可選擇性移除硬式罩幕部分449，留下完整的硬式罩幕部分479，先前技術(shù)中已知可使用微影及蝕刻制程以選擇性移除硬式罩幕部分449，包括在硬式罩幕部分449及479上形成光致抗蝕劑，自一光罩轉(zhuǎn)換蝕刻圖案至光致抗蝕劑上，蝕刻，以及剝除光致抗蝕劑，也可以在剝除光致抗蝕劑后進(jìn)行蝕刻，蝕刻制程最好依據(jù)于形成硬式罩幕的材料，例如，在光致抗蝕劑涂布、曝光、顯影之后，根據(jù)自一光罩上預(yù)先設(shè)計的圖案轉(zhuǎn)換至光致抗蝕劑上，以進(jìn)行干蝕刻碳化硅硬式罩幕。參考圖4e-1與圖4e-2及步驟414，沉積第一金屬部分450、480以分別覆蓋NMOS440及PMOS470，使用相同金屬(金屬‘A’)形成第一金屬部分450、480，沉積制程可使用PVD或CVD，第一金屬部分450、480可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第一金屬部分450、480為鎳。參考圖4f-1與圖4f-2及步驟416，在NMOS440上形成一金屬硅化物，NMOS440上所形成的金屬硅化物只包含第一金屬部分450(例如金屬A或鎳)硅化物，然而，因為PMOS470被硬式罩幕479所覆蓋，包含第一金屬部分480的金屬A(鎳)無法與PMOS470的硅或多晶硅反應(yīng)。如圖4f-1與圖4f-2所示，在NMOS440的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物454、源極金屬硅化物456、及漏極金屬硅化物458，在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使金屬A及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；硅化制程可包含一第二退火步驟，使其退火反應(yīng)的金屬硅化物處于亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))，以及形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟418(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖4g-1與圖4g-2及步驟418，可以從NMOS440及PMOS470移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，其連接于NMOS440的未反應(yīng)金屬是包含步驟418后金屬A的殘留物；連接于隔離區(qū)域、氮化硅/氧化硅間隔層、及PMOS470(硬式罩幕覆蓋于其上)的金屬，未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，而可以使用一金屬蝕刻方式移除，在NMOS440上的多晶硅柵極及源極/漏極接點區(qū)域上留下完整的金屬硅化物。參考圖4h-1與圖4h-2及步驟420，自PMOS470移除硬式罩幕部分479，可通過一蝕刻制程如濕蝕刻或干蝕刻，以移除硬式罩幕部分479，例如在濕蝕刻中，可選擇一蝕刻溶液，在氮化硅及其他材料(包含氧化硅及金屬硅化物)之間具有一高蝕刻選擇比。參考圖4i-1與圖4i-2及步驟422，沉積第二金屬部分452、482以分別覆蓋NMOS440及PMOS470，使用相同金屬(金屬‘B’)形成第二金屬部分452、482，但是使用不同金屬或金屬合成物以形成第一金屬部分450、480，沉積制程可使用PVD或CVD，第二金屬部分452、482可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第二金屬部分452、482為鈷。參考圖4j-1與圖4j-2及步驟424，在NMOS440及PMOS470上皆形成一金屬硅化物，然而NMOS440上所形成的金屬硅化物異于PMOS470上所形成的金屬硅化物，因為NMOS440上所形成的金屬硅化物是一合金硅化物，包含第一金屬部分450(金屬A或鎳)硅化物及第二金屬部分452(金屬B或鈷)硅化物兩者皆有，然而PMOS470上所形成的金屬硅化物只包含第二金屬部分482(鈷)硅化物。如圖4j-1與圖4j-2所繪，在NMOS440的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物454、源極金屬硅化物456、及漏極金屬硅化物458，在PMOS470的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物484、源極金屬硅化物486、及漏極金屬硅化物488，柵極金屬硅化物454、源極金屬硅化物456、及漏極金屬硅化物458是合金硅化物(鎳及鈷)，然而柵極金屬硅化物484、源極金屬硅化物486、及漏極金屬硅化物488是硅化鈷。如前所述，在步驟416過程中，先在NMOS440上形成金屬A的硅化物，在目前的步驟424中，NMOS440上的金屬A硅化物與金屬B反應(yīng)以形成一合金硅化物。合金硅化物中金屬A/B(例如鎳/鈷)的比例可通過優(yōu)化金屬沉積制程及硅化制程進(jìn)行調(diào)整，以提供所需的功函數(shù)；在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使第二金屬(或第一及第二金屬)及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；反應(yīng)的金屬硅化物可能在亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))中而需要一第二退火步驟或RTA，因此形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟426(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖4k-1與圖4k-2及步驟426，可以從NMOS440及PMOS470移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，附著在隔離區(qū)域上的金屬可能未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，需要使用金屬蝕刻溶液進(jìn)行選擇性移除，將在多晶硅柵極及源極/漏極接觸區(qū)域上留下完整的金屬硅化物。參考圖4l-1與圖4l-2及步驟428，形成接觸蝕刻停止層460及490，如上所述，接觸蝕刻停止層460及490對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容，接觸蝕刻停止層460及490材料的選擇，可依據(jù)一絕緣層材料(圖中未示)以符合所使用的蝕刻劑，例如，可使用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或氧化硅，以形成接觸蝕刻停止層460及490。在本發(fā)明例子中，接觸蝕刻停止層460及490可沉積覆蓋所有區(qū)域包含NMOS440及PMOS470，雖然已知可以使用一選擇性沉積制程，特定沉積方法的選擇可依據(jù)接觸蝕刻停止層460及490所使用的材料，以及可以包含PVD、CVD、或一加熱制程，以及可以在多個步驟中完成，例如，接觸蝕刻停止層460及490可選擇一氮化硅薄膜，通過LPCVD、PECVD、或其他已知方法形成氮化硅薄膜，為了例示的目的使用一PECVD制程，可提供一低溫制程相容于底層結(jié)構(gòu)，在PECVD制程中，可以在等離子中反應(yīng)沉積硅烷(silane)及氨(或氮)，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)，先前技術(shù)已知可使用微影及蝕刻制程圖案化接觸蝕刻停止層460、490。參考圖5a及圖5b-1至圖5i-2，在另一實施例中，可以使用一方法500以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖5b-1至圖5i-2是繪出圖5a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖5a中方法500，圖5b-1至圖5i-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法500不限于一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成，但可以在一半導(dǎo)體制程過程中用以形成任二區(qū)，其中第一區(qū)具有一組成或材料比例且第二區(qū)具有一相異組成或材料比例。如圖5b-1與圖5b-2所示，在本發(fā)明例子中，第一區(qū)是一NMOS540以及第二區(qū)是一PMOS570，可理解的是可以在進(jìn)行方法500之前制造NMOS540及PMOS570的部分，例如，NMOS540是包含一多晶硅柵極542、間隔層544及546、及一柵極介電層548，PMOS570是包含一多晶硅柵極572、間隔層574及576、及一柵極介電層578。特別參照圖5a及圖5c-1與圖5c-2，方法500先依照步驟510中，沉積第一金屬部分550、580(使用相同金屬‘A’)以分別覆蓋NMOS540及PMOS570，第一金屬部分550、580的沉積方法是包含使用PVD或CVD制程，第一金屬部分550、580可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物。在本發(fā)明例子中，第一金屬部分550、580是包含鎳，可通過濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖5d-1與圖5d-2及步驟512，沉積第二金屬部分552、582以分別覆蓋NMOS540及PMOS570，使用相同金屬(金屬‘B’)形成第二金屬部分552、582，但是使用不同金屬或金屬合成物以形成第一金屬部分550、580，沉積制程可使用PVD或CVD，第二金屬部分552、582可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第二金屬部分552、582為鈷。參考圖5e-1與圖5e-2及步驟514，沉積第三金屬部分553、583以分別覆蓋NMOS540及PMOS570，使用相同金屬(金屬‘A’)形成第三金屬部分553、583，如同第一金屬部分550、580，形成一“三明治”結(jié)構(gòu)，在兩層金屬A之間形成一層金屬B(鎳/鈷/鎳)，沉積制程可使用PVD或CVD，第三金屬部分553、583可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第三金屬部分553、583為鎳，可通過濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖5f-1與圖5f-2及步驟516，可選擇性移除第三金屬部分583，留下完整的第三金屬部分553，先前技術(shù)中已知可使用微影及蝕刻制程以選擇性移除第三金屬部分583，包括在金屬部分553及583上形成光致抗蝕劑，自一光罩轉(zhuǎn)換蝕刻圖案至光致抗蝕劑上，蝕刻，以及剝除光致抗蝕劑，也可以在剝除光致抗蝕劑后進(jìn)行蝕刻，蝕刻制程最好依據(jù)第三金屬部分583的組成，例如，如果材料是鎳，可選擇濕蝕刻制程使用金屬蝕刻溶液如硫酸及過氧化氫混合物。參考圖5g-1與圖5g-2及步驟518，在NMOS540及PMOS570上皆形成一金屬硅化物，然而NMOS540上所形成的金屬硅化物異于PMOS570上所形成的金屬硅化物，因為NMOS540上所形成的金屬硅化物是一合金硅化物，包含大量的金屬A(例如鎳)，然而PMOS570上所形成的金屬硅化物包含少量的金屬A，換句話說，兩者皆為包含金屬A及B(例如鎳及鈷)的合金化合物，但具有不同的組成。如圖5g-1與圖5g-2所繪，在NMOS540的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物554、源極金屬硅化物556、及漏極金屬硅化物558，在PMOS570的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物584、源極金屬硅化物586、及漏極金屬硅化物588，柵極金屬硅化物554、源極金屬硅化物556、及漏極金屬硅化物558是合金硅化物，包含大量的金屬A(鎳)，然而柵極金屬硅化物584、源極金屬硅化物586、及漏極金屬硅化物588是合金硅化物，包含少量的金屬A。合金硅化物中金屬A/B(例如鎳/鈷)的比例可通過優(yōu)化金屬沉積制程及硅化制程進(jìn)行調(diào)整，以提供所需的功函數(shù)；在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使第二金屬(或第一及第二金屬)及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；反應(yīng)的金屬硅化物可能在亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))中而需要一第二退火步驟或RTA，因此形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟520(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖5h-1與圖5h-2及步驟520，可以從NMOS540及PMOS570移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，附著在隔離區(qū)域上的金屬可能未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，需要使用金屬蝕刻溶液進(jìn)行選擇性移除，將在多晶硅柵極及源極/漏極接觸區(qū)域上留下完整的金屬硅化物。參考圖5i-1與圖5i-2及步驟522，形成接觸蝕刻停止層560及590，如上所述，接觸蝕刻停止層560及590對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容，接觸蝕刻停止層560及590材料的選擇，可依據(jù)一絕緣層材料(圖中未示)以符合所使用的蝕刻劑，例如，可使用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或氧化硅，以形成接觸蝕刻停止層560及590。在本發(fā)明例子中，接觸蝕刻停止層560及590可沉積覆蓋所有區(qū)域包含NMOS540及PMOS570，雖然已知可以使用一選擇性沉積制程，特定沉積方法的選擇可依據(jù)接觸蝕刻停止層560及590所使用的材料，以及可以包含PVD、CVD、或一加熱制程，以及可以在多個步驟中完成，例如，接觸蝕刻停止層560及590可選擇一氮化硅薄膜，通過LPCVD、PECVD、或其他已知方法形成氮化硅薄膜，為了例示的目的使用一PECVD制程，可提供一低溫制程相容于底層結(jié)構(gòu)，在PECVD制程中，可以在等離子中反應(yīng)沉積硅烷(silane)及氨(或氮)，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)，先前技術(shù)已知可使用微影及蝕刻制程圖案化接觸蝕刻停止層560、590。參考圖6a及圖6b-1至圖6i-2，在另一實施例中，可以使用一方法600以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖6b-1至圖6i-2是繪出圖6a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖6a中方法600，圖6b-1至圖6i-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法600不限于一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成，但可以在一半導(dǎo)體制程過程中用以形成任二區(qū)，其中第一區(qū)具有一組成或材料比例且第二區(qū)具有一相異組成或材料比例。如圖6b-1與圖6b-2所示，在本發(fā)明例子中，第一區(qū)是一NMOS640以及第二區(qū)是一PMOS670，可理解的是可以在進(jìn)行方法600之前制造NMOS640及PMOS670的部分，例如，NMOS640是包含一多晶硅柵極642、間隔層644及646、及一柵極介電層648，PMOS670是包含一多晶硅柵極672、間隔層674及676、及一柵極介電層678。特別參照圖6a及圖6c-1與圖6c-2，方法600先依照步驟610中，沉積第一金屬部分650、680(使用相同金屬‘A’)以分別覆蓋NMOS640及PMOS670，第一金屬部分650、680的沉積方法是包含使用PVD或CVD制程，第一金屬部分650、680可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物。在本發(fā)明例子中，第一金屬部分650、680是包含鎳，可通過濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖6d-1與圖6d-2及步驟612，可選擇性移除第一金屬部分680，留下完整的第一金屬部分650，先前技術(shù)中已知可使用微影及蝕刻制程以選擇性移除第一金屬部分680，包括在金屬部分650及680上形成光致抗蝕劑，自一光罩轉(zhuǎn)換蝕刻圖案至光致抗蝕劑上，蝕刻，以及剝除光致抗蝕劑，也可以在剝除光致抗蝕劑后進(jìn)行蝕刻，蝕刻制程最好依據(jù)第一金屬部分680。參考圖6e-1與圖6e-2及步驟614，沉積第二金屬部分652、682以分別覆蓋NMOS640及PMOS670，使用相同金屬(金屬‘B’)形成第二金屬部分652、682，但是使用不同金屬或金屬合成物以形成第一金屬部分650、680，沉積制程可使用PVD或CVD，第二金屬部分652、682可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第二金屬部分652、682為鈷。參考圖6f-1與圖6f-2及步驟616，沉積第三金屬部分653、683以分別覆蓋NMOS640及PMOS670，使用相同金屬(金屬‘A’)形成第三金屬部分653、683，如同第一金屬部分650、680，在NMOS640上形成一“三明治”結(jié)構(gòu)，在兩層金屬A之間形成一層金屬B(鎳/鈷/鎳)，沉積制程可使用PVD或CVD，第三金屬部分653、683可包含鎳、鈷、鎢、鉭、鈦、鉑、鉺、鈀、或任何其他金屬，在一提升的溫度下使其與硅反應(yīng)以形成一低電阻狀態(tài)的金屬硅化物，在本發(fā)明例子中，第三金屬部分653、683為鎳，可通過濺鍍鎳以形成鎳的沉積，在適合的制程步驟中包含浸泡氫氟酸，一濺鍍前的氬蝕刻以準(zhǔn)備硅表面，以及之后的濺鍍鎳。參考圖6g-1與圖6g-2及步驟618，在NMOS640及PMOS670上皆形成一金屬硅化物，然而NMOS640上所形成的金屬硅化物異于PMOS670上所形成的金屬硅化物，因為NMOS640上所形成的金屬硅化物是一合金硅化物，包含大量的金屬A(例如鎳)，然而PMOS670上所形成的金屬硅化物包含少量的金屬A，換句話說，兩者皆為包含金屬A及B(例如鎳及鈷)的合金化合物，但具有不同的組成。如圖6g-1與圖6g-2所繪，在NMOS640的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物654、源極金屬硅化物656、及漏極金屬硅化物658，在PMOS670的柵極、源極、漏極上形成金屬硅化物，產(chǎn)生柵極金屬硅化物684、源極金屬硅化物686、及漏極金屬硅化物688，柵極金屬硅化物654、源極金屬硅化物656、及漏極金屬硅化物658是合金硅化物，包含大量的金屬A(鎳)，然而柵極金屬硅化物684、源極金屬硅化物686、及漏極金屬硅化物688是合金硅化物，包含少量的金屬A。合金硅化物中金屬A/B(例如鎳/鈷)的比例可通過優(yōu)化金屬沉積制程及硅化制程進(jìn)行調(diào)整，以提供所需的功函數(shù)；在依據(jù)特定金屬所選擇的一提升的溫度下，其硅化制程促使第二金屬(或第一及第二金屬)及硅(或多晶硅)之間的反應(yīng)；反應(yīng)的金屬硅化物可能在亞穩(wěn)態(tài)(metastablephase，或稱變換穩(wěn)定態(tài))中而需要一第二退火步驟或RTA，因此形成一穩(wěn)定的金屬硅化物狀態(tài)具有降低的電阻；也可以在步驟620(如下所述)移除未反應(yīng)金屬之后，實行這樣的第二退火步驟；可以理解的是一些金屬硅化物如硅化鎳，可以在一較低溫度下在一步驟RTA中形成。參考圖6h-1與圖6h-2及步驟620，可以從NMOS640及PMOS670移除未反應(yīng)金屬，如同其他區(qū)域(圖中未示)，譬如一隔離結(jié)構(gòu)，附著在隔離區(qū)域上的金屬可能未與氧化硅層或氮化硅層反應(yīng)，需要使用金屬蝕刻溶液進(jìn)行選擇性移除，將在多晶硅柵極及源極/漏極接觸區(qū)域上留下完整的金屬硅化物。參考圖6i-1與圖6i-2及步驟622，形成接觸蝕刻停止層660及690，如上所述，接觸蝕刻停止層660及690對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容，接觸蝕刻停止層660及690材料的選擇，可依據(jù)一絕緣層材料(圖中未示)以符合所使用的蝕刻劑，例如，可使用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或氧化硅，以形成接觸蝕刻停止層660及690。在本發(fā)明例子中，接觸蝕刻停止層660及690可沉積覆蓋所有區(qū)域包含NMOS640及PMOS670，雖然已知可以使用一選擇性沉積制程，特定沉積方法的選擇可依據(jù)接觸蝕刻停止層660及690所使用的材料，以及可以包含PVD、CVD、或一加熱制程，以及可以在多個步驟中完成，例如，接觸蝕刻停止層660及690可選擇一氮化硅薄膜，通過LPCVD、PECVD、或其他已知方法形成氮化硅薄膜，為了例示的目的使用一PECVD制程，可提供一低溫制程相容于底層結(jié)構(gòu)，在PECVD制程中，可以在等離子中反應(yīng)沉積硅烷(silane)及氨(或氮)，可通過三甲基硅烷(trimethylsilane)的PECVD形成碳化硅(SiC)，先前技術(shù)已知可使用微影及蝕刻制程圖案化接觸蝕刻停止層660、690。參考圖7a及圖7b-1至圖7e-2，在另一實施例中，可以使用一方法700以形成雙接觸蝕刻停止層(dualCESL)及圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一NMOS及一PMOS，圖7b-1至圖7e-2是繪出圖7a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖7a中方法700，圖7b-1至圖7e-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法700不限于一互補型金屬硅化物及雙接觸蝕刻停止層(dualCESL)結(jié)構(gòu)的形成。如圖7b-1與圖7b-2所示，在本發(fā)明例子中，方法700先依照步驟710中，提供一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一第一區(qū)，譬如NMOS740，以及一第二區(qū)，譬如PMOS770；例如，NMOS740是包含一多晶硅柵極742、間隔層744及746、及一柵極介電層748，以及一第一金屬硅化物的金屬硅化物圖形754、756、758；PMOS770是包含一多晶硅柵極772、間隔層774及776、及一柵極介電層778，以及一第二金屬硅化物的金屬硅化物圖形784、786、788。可以在實行方法700之前，制造NMOS740及PMOS770的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)；可以在形成接觸蝕刻停止層(CESL)之前，通過一種方法實質(zhì)上類似于方法200至600其中之一，形成NMOS740及PMOS770的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)；例如，可通過一制程，是包含形成一第一金屬層以覆蓋第一區(qū)及第二區(qū)，自第二區(qū)選擇性移除第一金屬層，形成一第二金屬層以覆蓋第一區(qū)及第二區(qū)，在第一區(qū)及第二區(qū)上形成金屬硅化物，以及自第一區(qū)及第二區(qū)移除未反應(yīng)金屬，以形成NMOS740及PMOS770的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)。特別參照圖7a及圖7c-1與圖7c-2，方法700進(jìn)行步驟712，在NMOS740及PMOS770中皆形成一接觸蝕刻停止層(CESL)760，其形成接觸蝕刻停止層(CESL)的方法類似于方法200至600中所述。參考圖7d-1與圖7d-2及步驟714，通過一圖案化制程，譬如一微影制程，在NMOS740上形成一離子注入罩幕765，例如，可以在NMOS740及PMOS770的表面涂布一光致抗蝕劑層，然后使用一微影制程圖案化該光致抗蝕劑，顯影后移除覆蓋于PMOS770的光致抗蝕劑層，留下光致抗蝕劑層覆蓋NMOS740。參考圖7e-1與圖7e-2及步驟716，當(dāng)NMOS740由離子注入罩幕765所保護(hù)時，進(jìn)行一離子注入制程，此離子注入制程能釋放PMOS區(qū)中接觸蝕刻停止層(CESL)760的部分應(yīng)力，讓PMOS區(qū)中的接觸蝕刻停止層(CESL)760可以轉(zhuǎn)換成接觸蝕刻停止層(CESL)790，其具有一不同的應(yīng)力，注入的離子可包含鍺或其他適合的離子，可以微調(diào)離子注入的劑量及能量以得到所需的應(yīng)力。參考圖8a及圖8b-1至圖8k-2，在另一實施例中，可以使用一方法800以形成圖1-1與圖1-2的互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)及雙接觸蝕刻停止層(dualCESL)結(jié)構(gòu)，圖8b-1至圖8k-2是繪出圖8a中相對應(yīng)制造步驟的一例示集成電路的剖面示意圖，下述較詳細(xì)說明圖8a中方法800，圖8b-1至圖8k-2的剖面示意圖對應(yīng)于其所指的目的，可理解的是方法800不限于一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)及一互補型接觸蝕刻停止層(complementaryCESL)的形成。如圖8b-1與圖8b-2所示，在本發(fā)明例子中，方法800先依照步驟810中，提供一互補型金屬硅化物結(jié)構(gòu)具有一第一區(qū)，譬如NMOS840，以及一第二區(qū)，譬如PMOS870，可理解的是可以在進(jìn)行方法800之前，制造NMOS840及PMOS870部分；例如，NMOS840是包含一多晶硅柵極842、間隔層844及846、及一柵極介電層848，PMOS870是包含一多晶硅柵極872、間隔層874及876、及一柵極介電層878。特別參照圖8a及圖8c-1與圖8c-2，方法800進(jìn)行步驟812，形成一第一層間介電層(ILD)862，然后選擇性移除其中至少一部分，可通過先前技術(shù)已知方法形成此第一層間介電層(ILD)，然后選擇性移除，使得第一層間介電層(ILD)862覆蓋NMOS840，然而暴露出PMOS870。參考圖8d-1與圖8d-2及步驟814，通過一適合的方法，使用第一金屬硅化物材料，于PMOS870中形成一第一金屬硅化物的金屬硅化物圖案884、886、及888。參考圖8e-1與圖8e-2及步驟816，通過一類似于方法200至700中所述的方法，形成一第一接觸蝕刻停止層(CESL)863以覆蓋NMOS840及PMOS870，第一接觸蝕刻停止層(CESL)863具有一拉伸應(yīng)力，第一接觸蝕刻停止層(CESL)863的組成及形成類似于方法200至600中所述的接觸蝕刻停止層(CESL)，在一例子中，第一接觸蝕刻停止層(CESL)863可包含氮化硅，其通過一低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)所形成；可通過硅/氮比例及沉積溫度等制程參數(shù)，微調(diào)第一接觸蝕刻停止層(CESL)863的應(yīng)力，更可以通過離子注入制程，譬如鍺離子注入，以微調(diào)應(yīng)力。參考圖8f-1與圖8f-2及步驟818，可以在NMOS及PMOS區(qū)形成一第二層間介電層(ILD)864以覆蓋第一接觸蝕刻停止層(CESL)863。參考圖8g-1與圖8g-2及步驟820，然后通過微影及蝕刻制程的方法，自NMOS840區(qū)選擇性移除第二層間介電層(ILD)864、第一接觸蝕刻停止層(CESL)863、及第一層間介電層(ILD)862。參考圖8h-1與圖8h-2及步驟822，通過一類似于步驟814的方法，使用第二金屬硅化物材料，于NMOS840中形成一第二金屬硅化物的金屬硅化物圖案854、856、及858。參考圖8i-1與圖8i-2及步驟824，形成一第二接觸蝕刻停止層(CESL)865以覆蓋NMOS840及PMOS870兩區(qū)，第二接觸蝕刻停止層(CESL)865可包含一壓縮應(yīng)力，第二接觸蝕刻停止層(CESL)865的組成及形成類似于方法200至600中所述的接觸蝕刻停止層(CESL)，在一例子中，第一接觸蝕刻停止層(CESL)865可包含氮化硅，其通過一等離子加強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)所形成；可通過硅/氮比例及沉積溫度等制程參數(shù)，微調(diào)第一接觸蝕刻停止層(CESL)863的應(yīng)力，更可以通過離子注入制程，譬如鍺離子注入，以微調(diào)應(yīng)力。參考圖8j-1與圖8j-2及步驟826，可形成一第三層間介電層(ILD)866以覆蓋NMOS840及PMOS870的第二接觸蝕刻停止層(CESL)865。參考圖8k-1與圖8k-2及步驟828，可通過一適合的制程，譬如化學(xué)機械研磨法(CMP)，平坦化NMOS840及PMOS870，此平坦化制程可移除PMOS870中金屬硅化物圖案884上方的第三層間介電層(ILD)866及第二接觸蝕刻停止層(CESL)865，以及部分移除相同區(qū)域中的第二層間介電層(ILD)864，因此PMOS870中第二層間介電層(ILD)864及NMOS840中第三層間介電層(ILD)866可以共平面。第一層間介電層(ILD)862、第二層間介電層(ILD)864及第三層間介電層(ILD)866是包含二氧化硅、旋涂式玻璃(spin-onglass，SOG)，氟摻雜硅玻璃(FSG)、聚亞胺(polyimide)、碳摻雜氧化硅、黑鉆石(BlackDiamond，AppliedMaterialsofSantaClara，California)、干凝膠(Xerogel)、氣凝膠(Aerogel)、氟化非晶碳(amorphousfluorinatedcarbon)、聚對一二甲苯基(Parylene)、二環(huán)苯丁烯(bis-benzocyclobutenes，BCB)、SiLK(DowChmical，Midland，Michigan)、或其他材料。層間介電層(ILD)可通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)、旋涂法、物理氣相沉積法(PVD)、原子層沉積法(ALD)或其他制程所形成。第一接觸蝕刻停止層(CESL)863及第二接觸蝕刻停止層(CESL)865對于接點蝕刻制程具有一相當(dāng)高耐力，而且與金屬硅化物相容，第一接觸蝕刻停止層(CESL)863及第二接觸蝕刻停止層(CESL)865的組成及形成，可分別依據(jù)第二層間介電層(ILD)864及第三層間介電層(ILD)866，例如，第一接觸蝕刻停止層(CESL)863及第二接觸蝕刻停止層(CESL)865可包含氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化硅、或其他適合的材料?？捎贜MOS及PMOS區(qū)域形成互連的接點，例如，可以圖案化PMOS870中的第二層間介電層(ILD)864及NMOS840中的第三層間介電層(ILD)866以形成接點開口，使接點開口延伸至PMOS870中的金屬硅化物圖案884、886、及888，以及NMOS840中的金屬硅化物圖案854、856、858。例如，可以先蝕刻層間介電層(ILD)，然后在一后續(xù)的制程中蝕刻接觸蝕刻停止層(CESL)，圖案化的方法是包含微影及蝕刻制程，蝕刻制程更包含多個步驟以移除層間介電層(ILD)結(jié)構(gòu)及接觸蝕刻停止層(CESL)，以暴露金屬硅化物圖案以進(jìn)行連接，接點開口中所填充的導(dǎo)電材料是實質(zhì)上類似于柵極電極842及872的組成，填充的導(dǎo)電材料可通過適合的制程如化學(xué)機械研磨(CMP)以進(jìn)行平坦化而形成接點圖形，使用其他適合的制程，譬如雙鑲嵌制程，以形成其他互連圖形，如介層窗及金屬線。以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。附圖中符號的簡單說明如下N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)100、240、340、440、540、640、740、840P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)120、270、370、470、570、670、770、870多晶硅柵極102、122、242、272、342、372、442、472、542、572、642、672、742、772、842、872間隔層104、106、124、126、244、246、274、276、344、346、374、376、444、446、474、476、544、546、574、576、644、646、674、676、744、746、774、776、844、846、874、876柵極介電層108、128、248、278、348、378、448、478、548、578、648、678、748、778、848、878第一金屬部分250、280、350、380、450、480、550、580、650、680第二金屬部分252、282、352、382、452、482、552、582、652、682柵極金屬硅化物114、134、254、284、354、384、454、484、554、584、654、684、754、784、854、884源極金屬硅化物116、136、256、286、356、386、456、486、556、586、656、686、756、786、856、886漏極金屬硅化物118、138、258、288、358、388、458、488、558、588、658、688、758、788、858、888接觸蝕刻停止層112、132、260、290、360、390、460、490、560、590、660、690、760、790硬式罩幕449、479第三金屬部分553、583、653、683離子注入罩幕765第一層間介電層862第一接觸蝕刻停止層863第二層間介電層864第二接觸蝕刻停止層865第三層間介電層86權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包含一基底，具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；多個第一金屬硅化物圖形，其由一第一金屬硅化物所形成，位于該第一主動區(qū)內(nèi)；多個第二金屬硅化物圖形，其由一第二金屬硅化物所形成，位于該第二主動區(qū)內(nèi)，其中該第二金屬硅化物是異于該第一金屬硅化物，以及其中至少有一金屬硅化物是一合金硅化物；以及一蝕刻停止層，覆蓋該第一主動區(qū)及第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一主動區(qū)是包含一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，以及該第二主動區(qū)是包含一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該蝕刻停止層是分別具有一第一應(yīng)力于該第一主動區(qū)內(nèi)，及一第二應(yīng)力于該第二主動區(qū)內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一應(yīng)力是一拉伸應(yīng)力，以及該第二應(yīng)力是一壓縮應(yīng)力。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包含一接點圖形，形成于至少一開口內(nèi)，其中該至少一開口是延伸通過該蝕刻停止層，到達(dá)該第一金屬硅化物圖形及該第二金屬硅化物圖形中的至少一金屬硅化物圖形。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一金屬硅化物及該第二金屬硅化物中的至少一金屬硅化物是包含一單一金屬硅化物。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含柵極介電層圖形，或包含柵極電極。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)是包含一升起式源極及漏極。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)中的至少一主動區(qū)是包含一鰭狀結(jié)構(gòu)晶體管結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該基底是包含元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、合金半導(dǎo)體、漸變硅鍺結(jié)構(gòu)或硅覆蓋絕緣層結(jié)構(gòu)。11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其中該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是分別包含一第一金屬硅化物及一第二金屬硅化物；形成一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)上形成一罩幕層；之后離子注入該蝕刻停止層；以及之后移除該罩幕層。12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一金屬層；自該第二主動區(qū)選擇性移除該第一金屬層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二金屬層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一金屬硅化物；以及之后于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一蝕刻停止層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，更包含于該第一主動區(qū)上形成一罩幕層之后，于該第二主動區(qū)內(nèi)離子注入該蝕刻停止層。14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，以及于該第二主動區(qū)內(nèi)形成一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一介電層；自該第一主動區(qū)移除該第一介電層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第一金屬層；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成多個第一金屬硅化物圖案；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一拉伸應(yīng)力蝕刻停止層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二介電層；自該第二主動區(qū)移除該第二介電層、該拉伸應(yīng)力蝕刻停止層及該第一介電層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第二金屬層；于該第二主動區(qū)內(nèi)形成多個第二金屬硅化物圖案；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一壓縮應(yīng)力蝕刻停止層；于該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上形成一第三介電層；以及平坦化該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，平坦化該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是包含自該第二主動區(qū)部分移除該第二介電層。16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含提供一基底，其具有一第一主動區(qū)及一第二主動區(qū)，其中該該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)是分別包含一金屬硅化物區(qū)及一第二金屬硅化物區(qū)；形成一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)；于該第一主動區(qū)內(nèi)形成一第一蝕刻停止層，其具有一第一應(yīng)力；于該第二主動區(qū)內(nèi)形成一第二蝕刻停止層，其具有一第二應(yīng)力；形成一介電層，以覆蓋該第一主動區(qū)及該第二主動區(qū)上的該第一蝕刻停止層及該第二蝕刻停止層；以及形成多個接觸洞，通過該介電層，以及通過該第一蝕刻停止層及該第二蝕刻停止層其中之一，到達(dá)該基底。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該半導(dǎo)體裝置是包含一主動區(qū)，其通過使用一第一金屬硅化物形式，形成于一基底上；以及另一主動區(qū)，其通過使用另一金屬硅化物形式，形成于一基底上。該兩種金屬硅化物形式是相異，而且其中至少有一是一金屬合金硅化物。一蝕刻停止層可以覆蓋至少一金屬硅化物區(qū)。文檔編號H01L21/82GK1770450SQ20051010519公開日2006年5月10日申請日期2005年9月30日優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日發(fā)明者林俊杰,李文欽,楊育佳,胡正明申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司