專利名稱：用于ic芯片的電感線圈的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種線圈、集成電路、用于形成這種線圈的集成電路和印刷電路板的設置、包括這種線圈的電子裝置、和包括這種線圈和另一線圈的二維天線。該線圈至少部分地由集成在集成電路中的元件形成。
這種小的和便宜的線圈對于在高頻(RF)標簽中感應能量特別有用。此外，這種線圈可用作個人區(qū)域網絡中的天線。
JP-A-2001-284533公開了芯片上線圈。芯片包括其上形成第一絕緣層的基板。第一螺旋繞組設置在第一絕緣層上并位于平行于基板表面的平面內。第二絕緣層設置在第一螺旋繞組上。具有與第一螺旋繞組相同的形狀的第二螺旋繞組設置在第二絕緣層的頂部。第二螺旋繞組與第一螺旋繞組對準，使得它們位于彼此的頂部。在第二絕緣層中，在第一和第二螺旋繞組之間，形成相對小的孔，用鐵電材料填充這些小孔，從而將第一和第二螺旋繞組電互連。在第一和第二螺旋繞組的中心，在第二絕緣層中形成相對大的孔，用鐵電材料填充該孔，從而為平行設置的第一和第二螺旋繞組形成磁芯。電學地和機械地平行設置的第一和第二螺旋繞組與磁芯一起構成緊湊型芯片上線圈，該緊湊型芯片上線圈由于磁芯而具有高電感，并且由于兩個螺旋繞組的平行設置而具有低電阻。
使這個線圈的軸垂直于基板表面。如果通電的話，這種線圈產生基本上垂直于基板表面的平面的磁場?；蛘撸绻米魈炀€，這種線圈對垂直于基板表面的平面的磁場分量最靈敏，并且對于基板表面的平面內的磁場不靈敏。
這種線圈的缺點在于磁芯的尺寸相對較小。
本發(fā)明的目的是提供一種線圈，它至少部分地集成在芯片中，并包括具有較大體積的磁芯。
本發(fā)明的第一方案提供一種如權利要求1中所述的線圈。本發(fā)明的第二方案提供一種如權利要求12中所述的集成電路。本發(fā)明的第三方案提供一種如權利要求16中所述的集成電路和印刷電路板的設置。本發(fā)明的第四方案提供如權利要求17中所述的電子裝置。本發(fā)明的第五方案提供一種如權利要求19中所述的二維天線。在從屬權利要求中限定了有利的實施例。
該線圈包括淀積在基本上平行于芯片的基板表面的平面內的集成電路中的可滲透材料層。該集成電路被定義為包括電子元件、鍵合線、和具有連接到集成電路外部的連接器的芯片外殼的實際芯片裝置。第一導體元件設置在遠離基板的可滲透材料的第一面。第二導體元件設置在可滲透材料的與第一面相對的第二面?；ミB將第一導體的第一端和第二導體的第一端互連起來。將互連、第一導體和第二導體設置成形成圍繞可滲透材料的一匝繞組。該繞組設置在基本上垂直于基板表面的平面內，從而在基本上垂直于基板表面延伸的平面內傳導電流。相反，JP-A-2001-284533的螺旋繞組中的電流基本上平行于基板表面流動。
根據本發(fā)明的這個方案實現的線圈包括被夾置在第一和第二導體元件之間的可滲透材料?？蓾B透材料是線圈的芯，第一和第二導體元件形成圍繞芯的繞組。因此，芯位于第一和第二導體元件之間，并由此，可滲透材料的尺寸不限制為螺旋繞組的中心區(qū)域。優(yōu)選地，可滲透材料是鐵氧體。
在如權利要求7所述的優(yōu)選實施例中，幾個第一和第二導體元件互連，以提供圍繞可滲透材料的多匝繞組。作為芯片一部分的可滲透材料是平行于基板表面設置的層。優(yōu)選地，可滲透材料被淀積在絕緣層上?；ミB的第一和第二導體元件形成圍繞芯的螺旋狀繞組。螺旋狀繞組不必是圓形的。第一和/或第二導體元件可以是平坦的，并且可在基本上平行于基板表面的平面內延伸?；ミB可以被設置成基本上垂直于基板表面。這種線圈具有平行于基板表面的軸。該軸可以是直的或彎曲的。
在如權利要求10所述的實施例中，如果通電的話，這種線圈將產生基本上在平行于基板表面的平面內的磁場。
在如權利要求11所述的實施例中，如果用作天線，則該線圈對平行于基板表面的平面內的磁場分量最靈敏。
在如權利要求2所述的實施例中，第一導體元件是集成電路的一部分。這具有不需要在集成電路外部提供這個導體的優(yōu)點。可以提供多個第一導體元件，以獲得具有多匝繞組的線圈。
在如權利要求3所述的實施例中，第一導體元件是集成電路中的鍵合線。鍵合線被設置成在可滲透材料的遠離基板的一面上跨過該可滲透材料。
在如權利要求4所述的實施例中，第一導體元件是芯片上的導電跡線。在優(yōu)選實施例中，這個導電跡線設置在絕緣層上，該絕緣層在遠離基板的一面上覆蓋可滲透材料。
在如權利要求5所述的實施例中，第二導體元件是芯片的一部分，并設置在可滲透材料和基板之間。優(yōu)選地，第二導體元件淀積在設置在基板上的絕緣層上?？梢蕴峁┡c多個第一導體元件互連的多個第二導體元件，以獲得具有多匝繞組的線圈。
如果第一和第二導體元件都是淀積在芯片上的導電跡線，則利用貫穿絕緣層的過孔在芯片上形成互連。如果第一導體元件是鍵合線，則經由鍵合焊盤和過孔形成互連。
在如權利要求6所述的實施例中，第二導體元件設置在承載集成電路的印刷電路板上。經由集成電路的開口、鍵合線、鍵合焊盤和過孔形成互連。
在如權利要求8所述的實施例中，第一導體元件基本上平行設置。這是在可滲透材料上方設置很多第一導體元件的有效方式。
在如權利要求9所述的實施例中，第二導體元件基本上平行設置。這是在可滲透材料下方設置很多第二導體元件的有效方式。
在優(yōu)選實施例中，第一和第二導體元件都基本上平行設置，以獲得極其類似于繞線線圈的繞組。
在本發(fā)明的第二方案中，集成電路包括芯片。該芯片包括基板、淀積在基本上平行于基板表面的平面內的可滲透材料層。集成電路還包括設置在可滲透材料的遠離基板的第一面上的第一導體元件。此外，為了獲得線圈，第二導體元件設置在可滲透材料的與第一面相對的第二面上，并且提供互連，以將第一導體的第一端和第二導體的第一端互連起來。因此，集成電路至少包括第一導體元件和可滲透材料，以及互連的一部分?；ミB的實際實施方式取決于第一導體(鍵合線或芯片上的跡線)和第二導體(印刷電路板上的跡線或芯片上的跡線)的實際構造。
在如權利要求13所述的實施例中，第二導體也是芯片的一部分。這提供完全位于集成電路中的非常緊湊的線圈。
本發(fā)明的這些和其它方案從下面所述的實施例中是顯而易見的，并將參照下述實施例來進行說明。
根據第五方案，根據本發(fā)明的線圈與已知螺旋線圈在平行于基板表面的平面內相結合。通過提供具有圍繞鐵氧體元件的匝的繞組，使得這些匝位于基本上垂直于該表面的平面內，由此這個鐵氧體元件用于根據本發(fā)明的線圈。根據本發(fā)明的這個線圈產生磁場或對基本上平行于該表面的磁場最靈敏。相同的鐵氧體元件還用作已知螺旋線圈的中心芯，其線匝位于平行于該表面的平面內。這個線圈產生磁場或對基本上垂直于該表面的磁場最靈敏。通過這種方式，可以獲得二維天線，同時只需要單片鐵氧體。淀積鐵氧體元件或單片鐵氧體作為芯片中的一層。
在附圖中

圖1示出包括根據本發(fā)明實施例的線圈的芯片的幾幅圖；圖2示出根據本發(fā)明另一實施例的通過芯片和印刷電路板上的跡線形成的線圈的圖；圖3示出包括根據本發(fā)明另一實施例的線圈的芯片的圖；以及圖4示出包括這種線圈的裝置。
不同附圖中相同的附圖標記表示相同的元件或信號。
圖1示出包括根據本發(fā)明實施例的線圈的芯片的幾幅圖。圖1A示出部分打開的芯片。圖1B示出部分打開的芯片的正視圖。圖1C示出第二導體元件的頂視圖，而圖1D示出第一導體元件的頂視圖。
圖1A示出芯片CH，其包括從底部到頂部的下列層的相鄰疊層具有表面A的基板、淀積在表面A上并被絕緣層3覆蓋的第二導體元件2a、2b、淀積在絕緣層3上并與絕緣層7側面相接的可滲透層4、淀積在可滲透層4上的絕緣層5、和淀積在絕緣層5上的第一導體元件6a、6b。芯片CH部分地打開，以便展示互連8a、8b，所述互連8a、8b將第一導體元件6a、6b的端部與第二導體元件2a、2b的端部互連起來。這些互連8a、8b是按照已知方式設置的導電過孔。
作為例子示出的線圈具有圍繞芯設置的兩個線匝，其中芯是可滲透層4。第一線匝是通過第一導體元件6a、互連8a和第二導體元件2a實現的。第二線匝是通過第一導體元件6b、互連8b和第二導體元件2b實現的。該兩匝線圈具有接點10和11。在實際實施方式中，匝的數量可以在1和大的數之間變化，由導體元件2a、2b、6a、6b的尺寸和芯片CH的尺寸限制。匝的數量不需要是整數。例如，第二導體元件2b可以省略。優(yōu)選是鐵氧體的可滲透材料4優(yōu)選最大程度地填充第一導體元件6a、6b與第二導體元件2a、2b之間的空間，以獲得可滲透材料4的最大體積。
第一導體元件6a、6b基本上彼此平行地延伸。第二導體元件2a、2b也基本上彼此平行地延伸。在圖1A中，作為示例，第一和第二導體元件6a、6b、2a、2b都在平行于基板1的邊緣之一的相同方向上延伸。所有的第一和第二導體元件6a、6b、2a、2b還都可以在不平行于基板1的邊緣的相同方向上延伸。平行設置的第一導體元件6a、6b相對于平行設置的第二導體元件2a、2b還可以具有一個角度。例如，導體元件6b可以是直的元件，其一端位于如圖1A所示的位置上，從而與互連8b協(xié)作。相對于圖1A中示出的情況，直元件6b圍繞互連8b旋轉，使得另一端位于圖1A所示的接點10的位置上，從而經過互連8c連接到直的第二導體元件8a。第一導體元件6a必須圍繞互連8a旋轉，以與第一導體元件6b平行?；蛘?，第二導體元件2a可以是直的，并且可以圍繞互連8a旋轉，使得這個第二導體元件2a的另一端經由互連8c與直的第一導體元件6b協(xié)作。當然，第一和第二導體元件6a、6b、2a、2b的其它構造也是可行的。重要的是導體元件6a、6b、2a、2b形成圍繞可滲透材料的繞組的匝，所述匝沒有設置在平行于表面A的平面內而是設置在垂直于這個表面A的平面內。這種線圈構造具有以下優(yōu)點其允許使用相對大體積的可滲透材料。如果通過輸送電流I通過線圈來給這個線圈通電，則它將產生基本上平行于表面A的磁場B。如果該線圈是天線，則該線圈對于在平行于表面A的平面內產生的磁場將具有其最大的靈敏度。垂直于表面A的磁場將基本上不會把電流感應到該線圈中。
圖1B示出這些層的疊層以及在第一導體元件6a、6b和第二導體元件2a、2b之間的互連8a、8b。可以淀積絕緣層3和7作為單個層。
圖1C示出在基板1的表面A上的第二導體元件2a、2b的實施例。圖1D示出在絕緣層5上的第一導體元件6a、6b的實施例。在圖1C和1D中，為了清楚起見，用小圓圈表示互連8a、8b、8c。第二導體元件2a具有突起12a，以允許經由互連8c將其互連到第一導體元件6b的突起12b上。箭頭表示導體元件2a、2b、8a、8b中的電流I的方向。這個電流I可以通過該線圈接收的變化磁場B來產生。電流I可以經由接點10和11輸送給線圈，以產生磁場B。所有電流I都可具有相反的方向。
圖2示出根據本發(fā)明另一實施例的由芯片和印刷電路板上的跡線形成的線圈的圖。芯片CH1基于圖1的芯片CH。除去了第二導體元件2a、2b。這些第二導體元件現在是印刷電路板PCB上的跡線T1、T2。第一導體元件現在用60a和60b表示。在芯片CH1的外殼當中，只示出了底板EN。實際上，芯片CH1的外殼完全封裝了芯片CH1。示出了集成電路IC的四個管腳P1、P2、P3和P4。這些管腳P1、P2、P3、P4焊接到印刷電路板PCB的背面BS上。管腳P1是線圈的接點之一，并經由鍵合線B1連接到第一導體元件60a的一端。第一導體元件60a的另一端經由鍵合線B2連接到管腳P2。印刷電路板PCB上的跡線T1將管腳P2與管腳P4連接起來。管腳P4經由鍵合線B3連接到第一導體60b的一端。第一導體60b的另一端經由鍵合線B4連接到作為線圈的另一接點的管腳P3上。如果提供印刷電路板PCB上的跡線T2，其回到管腳P1和P4所在的芯片一面，則獲得額外的半匝。通過相同的方式，可以提供只有一匝或具有兩匝以上的線圈。如果用電流I給這個線圈通電，該電流I的方向由參考標記I附近的箭頭來表示，則將在參考標記B附近的箭頭的方向上產生磁場B。電流I和磁場B的極性可以是相反的。優(yōu)選地，使用交流電流I。該線圈也可以用于接收磁場B。集成電路IC包括芯片CH1、鍵合線B1到B4和管腳P1到P4。通常，通過將管腳P1到P4焊接到印刷電路板PCB背面BS上的跡線上，將集成電路IC安裝到印刷電路板上。
還可以實施很多替代的結構。例如，跡線T1和T2可以設置在印刷電路板PCB的正面FS上，并且可以通過將管腳P1到P4焊接到正面FS上的跡線來將集成電路IC安裝到印刷電路板。IC不必具有管腳，也可以具有接觸區(qū)，這些接觸區(qū)被壓在印刷電路板上的相應跡線或接觸區(qū)上。
圖3示出包括根據本發(fā)明另一實施例的線圈的芯片的圖。芯片CH2基于圖1的芯片CH。在芯片CH2中不存在第一導體元件6a、6b。這些第一導體元件現在是集成電路IC的鍵合線BW10、BW11。圖3只示出了芯片CH1的外殼的底板EN。實際上，芯片CH1的外殼完全封裝了芯片CH1。只示出了集成電路IC的管腳P10到P12的頂部。管腳P10是線圈的接點。管腳P10經由鍵合線BW10連接到鍵合焊盤BP10。鍵合焊盤BP10經由互連或過孔V2連接到第二導體元件2a的一端。第二導體元件2a的另一端經由過孔V1連接到鍵合焊盤BP11。鍵合線BW10和第二導體元件2a由此形成圍繞可滲透材料4(圖3中未示出)的線匝。鍵合焊盤BP11經由鍵合線BW11連接到管腳P11。還可以在鍵合焊盤BP11和BP12之間直接提供鍵合線。管腳P11經由鍵合線BW12連接到鍵合焊盤BP12。鍵合焊盤BP12經由過孔V3連接到第二導體元件2b的一端。第二導體元件2b的另一端經由過孔V4連接到鍵合焊盤BP13。鍵合焊盤BP13經由鍵合線BW13連接到管腳P12，所述管腳P12是線圈的接點。鍵合線BW11和第二導體元件2b形成該線圈的第二匝?？梢允乖摼€圈的接點P10、P12為集成電路IC外部的線路。然而，實際上這些接點可以不用作連接到該線圈的線路，而是可以位于芯片CH2中。參考標記B附近的箭頭表示通過這種方式實現的線圈在平行于基板1表面A的平面的平面內產生磁場，并且由此在基板1延伸的平面內。
圖4示出包括這種線圈的裝置。該裝置包括線圈CO和信號處理電路SP。如果線圈用于產生磁場B，則信號處理電路SP響應于信號OS而向線圈CO輸送電流。例如，該線圈可以在無線系統(tǒng)中產生電-磁場。信號處理電路SP產生高頻信號，該高頻信號被調制以含有信號OS。如果該線圈用于接收電磁場，則該信號處理電路SP恢復在高頻載波上被調制的信號OS。
這種線圈可以用在需要發(fā)射和/或接收天線的任何應用中。例如，根據本發(fā)明的線圈可以用在高頻(RF)標簽、個人區(qū)域網絡、或極低功率磁耦合(AURA)或測試芯片中。
應該注意的是，上述實施例只是示意性的，而并不限制本發(fā)明，并且本領域技術人員在不脫離所附權利要求范圍的情況下能設計出很多替換實施例。盡管實施例以具有兩匝的線圈來闡述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于剛好具有兩匝的線圈。如果線圈包括單匝或一匝以上，則相同的方案也是可行的。不需要使匝數正好是整數。相關的是根據本發(fā)明的線圈具有至少一匝的繞組，當通電時，在基本上平行于其上至少淀積了可滲透材料的芯片的基板表面的平面內產生磁場。包括該芯片的集成電路包括至少一組導體元件，這一組導體元件與可以位于芯片上或集成電路外部的第二組導體元件、以及互連一起形成線圈的匝。
可以將根據本發(fā)明的線圈與磁透鏡相結合，或者提供具有兩個正交設置的根據本發(fā)明的線圈的兩個垂直設置的天線。如果存在多個線圈/天線，就可以切換到提供最好的信號條件的線圈/天線。如果線圈/天線完全被集成在集成電路IC中，則不需要外部連接或部件，并且可以獲得線圈/天線和芯片上電路之間優(yōu)異的阻抗匹配。此外，磁場的散布將是非常小的。線圈/天線可用于通過變化的磁場或通過永久磁鐵將磁能感應到RF標簽或處于盤狀功能(in disc like function)的芯片中。這個磁能用于在接收器中產生電源電壓。
在權利要求中，括號中的任何參考標記都不應該被視為對權利要求的限制。使用動詞“包括”及其變化形式不排除存在權利要求中所述的那些元件或步驟以外的元件或步驟。元件前面的冠詞“一個”不排除存在多個這樣的元件。本發(fā)明可以借助包括幾個不同元件的硬件和借助適當編程的計算機來實施。在列舉了幾個裝置的產品權利要求中，這些裝置中的一些可以通過一個同一類硬件來實現。在相互不同的從屬權利要求中陳述某些措施這一簡單的事實并不表示不能使用這些措施的組合來得到益處。
權利要求
1.一種線圈，包括可滲透材料層(4)，淀積在集成電路(IC)的芯片(CH)中基本上平行于該芯片(CH)的基板(1)表面(A)的平面內，第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)，設置在該可滲透材料(4)的遠離該基板(1)的第一面上，第二導體元件(2a、2b；T1、T2)，設置在該可滲透材料(4)的與該第一面相對的第二面上，互連(8a、8b；P2、P4)，用于將該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)的第一端和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)的第一端互連起來，其中該互連(8a、8b；P2、P4)、該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)被設置為用于形成圍繞該可滲透材料(4)的繞組，該繞組在基本上垂直于該基板(1)的表面(A)的平面內延伸。
2.根據權利要求1所述的線圈，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)是該集成電路(IC)的一部分。
3.根據權利要求2所述的線圈，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)包括鍵合線(BW10、BW11)。
4.根據權利要求2所述的線圈，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)包括該芯片(CH)上的導電跡線(60a、60b)。
5.根據權利要求1所述的線圈，其中該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)包括在該芯片(CH)上的導電跡線(2a、2b)，并且被設置在該可滲透材料(4)和該基板(1)之間。
6.根據權利要求1所述的線圈，其中該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)包括設置在用于承載該集成電路(IC)的印刷電路板(PCB)上的導電跡線(T1、T2)。
7.根據權利要求1所述的線圈，其中多個第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)設置在該可滲透材料(4)的遠離該基板(1)的表面(A)的第一面上，多個第二導體元件(2a、2b；T1、T2)設置在該可滲透材料(4)的與該第一面相對的第二面上，并且設置多個互連(8a、8b；P2、P4)，用于將所述多個第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和所述多個第二導體元件(2a、2b；T1、T2)互連成鏈，其中所述互連(8a、8b；P2、P4)、該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)被設置成用于形成圍繞該可滲透材料(4)的繞組，其用于在基本上垂直于該表面(A)的該繞組的匝中傳導電流(I)。
8.根據權利要求7所述的線圈，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)基本上平行設置。
9.根據權利要求7所述的線圈，其中該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)基本上平行設置。
10.根據權利要求1或7所述的線圈，其中當通電時，該線圈產生具有基本上平行于該表面(A)的方向的磁場(B)。
11.根據權利要求1或7所述的線圈，其中該線圈被設置成對于具有平行于該表面(A)的方向的磁場分量(B)是最靈敏的。
12.一種集成電路(IC)，包括具有基板(1)、淀積在基本上平行于該基板(1)的表面(A)的平面內的可滲透材料(4)的層、和設置在該可滲透材料(4)的遠離該基板(1)的第一面上的第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)的芯片(CH)，設置在該可滲透材料(4)的與該第一面相對的第二面上的第二導體元件(2a、2b；T1、T2)，以及用于將該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)的第一端和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)的第一端互連起來的互連(8a、8b；P2、P4)，其中該互連(8a、8b；P2、P4)、該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)被設置為用于形成圍繞該可滲透材料(4)的繞組，該繞組的匝在基本上垂直于該基板(1)的表面(A)的平面內延伸，以形成如權利要求1所述的線圈。
13.根據權利要求12所述的集成電路，其中該芯片(CH)還包括淀積在該基板(1)上的該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)，以及用于將該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)與該可滲透材料(4)相隔離的隔離層(3)，該可滲透材料(4)作為一層淀積在該隔離層(3)上。
14.根據權利要求12所述的集成電路，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)包括鍵合線(BW10、BW11)。
15.根據權利要求12所述的集成電路，其中該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)包括在該芯片(CH)上的導電跡線(2a、2b)，該芯片(CH)還包括設置在該可滲透材料(4)和該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)之間的隔離層(5)。
16.一種用于形成如權利要求1所述的線圈的集成電路(IC)和印刷電路板(PCB)的設置，其中該集成電路(IC)具有與該印刷電路板(PCB)的至少一個導電連接件(P1、P2、P3、P4)，該芯片(CH)包括可滲透材料(4)的層，該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)設置在該可滲透材料(4)的遠離該基板(1)的第一面上，該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)設置在該印刷電路板(PCB)上，并且經由該導電連接件(P2、P4)形成該第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和該第二導體元件(2a、2b；T1、T2)之間的該互連(8a、8b；P2、P4)。
17.一種包括根據權利要求1所述的線圈的電子裝置。
18.根據權利要求17所述的電子裝置，其是標簽。
19.一種二維天線，包括如權利要求1所述的線圈，以及另一線圈，包括設置在基本上平行于所述表面的平面內的該可滲透材料層(4)周圍的導體，其中該可滲透材料層(4)形成首先提到的線圈和所述另一線圈兩者的芯。
全文摘要
一種線圈，包括淀積在基本上平行于芯片(CH)的基板(1)表面(A)的平面內的集成電路(IC)的芯片(CH)中的可滲透材料層(4)。第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)設置在可滲透材料(4)的遠離基板(1)的第一面上。第二導體元件(2a、2b；T1、T2)設置在可滲透材料(4)的與第一面相對的第二面上?；ミB(8a、8b；P2、P4)將第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)的第一端和第二導體元件(2a、2b；T1、T2)的第一端互連起來。設置互連(8a、8b；P2、P4)、第一導體元件(6a、6b；BW10、BW11；60a、60b)和第二導體元件(2a、2b；T1、T2)，以形成圍繞可滲透材料(4)的繞組。該繞組在基本上垂直于基板(1)的表面(A)的平面內延伸，以在基本上垂直于基板(1)的表面(A)的平面中傳導電流(I)。
文檔編號H01F17/00GK1868060SQ200480030059
公開日2006年11月22日 申請日期2004年10月5日 優(yōu)先權日2003年10月16日
發(fā)明者史蒂文·J·W·范萊貝爾蓋, 彼得魯斯·P·范德莫特爾 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司