專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在具有柔軟性薄膜狀基板上安裝著半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在便攜電話或數(shù)碼相機(jī)中所用的薄膜狀基板即薄膜基板上，安裝半導(dǎo)體元件后用樹脂模壓。作為在薄膜基板上安裝半導(dǎo)體元件的方法，已知方式有TAB(Tape Automated Bonding(帶式自動(dòng)鍵合))方式。在TAB方式中，通過(guò)在薄膜基板上形成用于安裝元件的孔，并在該薄膜基板表面層壓金屬箔，且蝕刻該金屬箔，形成突出到上述孔內(nèi)部的多個(gè)指形簧片。對(duì)應(yīng)著這些指形簧片，焊接半導(dǎo)體元件的塊狀電極，把半導(dǎo)體元件安裝在薄膜基板上。
在上述構(gòu)成的以往半導(dǎo)體裝置中，把半導(dǎo)體元件的塊狀電極焊接在薄膜基板的指形簧片上時(shí)，指形簧片接觸半導(dǎo)體元件棱角而使元件損傷的話，會(huì)導(dǎo)致所謂短路的問(wèn)題。為了解決這個(gè)問(wèn)題，在半導(dǎo)體元件上設(shè)置絕緣膜。圖20是日本專利文獻(xiàn)特開平10-340923公報(bào)公開的半導(dǎo)體裝置剖面圖。圖20所示的半導(dǎo)體裝置表示用TAB方式把半導(dǎo)體元件101安裝在薄膜基板103上的狀態(tài)。該半導(dǎo)體裝置中，在突出到薄膜基板103上所形成孔100內(nèi)部的指形簧片104上，熱壓粘合固定著半導(dǎo)體元件101的塊狀電極105。在用于形成半導(dǎo)體元件101的半導(dǎo)體晶片上，用旋轉(zhuǎn)涂布方式涂布絕緣樹脂，并干燥形成在半導(dǎo)體元件101的塊狀電極側(cè)形成的絕緣膜102。這時(shí)，因絕緣膜102覆蓋著半導(dǎo)體晶片上形成的塊狀電極105，絕緣膜102整體表面半蝕刻。從而把絕緣膜102的膜厚度去除到中間位置，塊狀電極105突出到絕緣膜102的上方。把這時(shí)的絕緣膜102膜厚度設(shè)定為塊狀電極105的80～90％。在形成這種絕緣膜102的半導(dǎo)體晶片上采用蝕刻形成切斷用槽。沿該槽切斷半導(dǎo)體晶片，制作各個(gè)半導(dǎo)體元件101。
因在上述半導(dǎo)體元件101的塊狀電極側(cè)形成絕緣膜102，所以，在把指形簧片104焊接在塊狀電極105上時(shí)，能防止指形簧片104與半導(dǎo)體元件101的端部直接觸而短路。把這種半導(dǎo)體元件101安裝在薄膜基板103上后，用樹脂106使塊狀電極105和指形簧片104的結(jié)合部模壓。
在圖20所示的以往半導(dǎo)體裝置中，在薄膜基板103上形成用于安裝半導(dǎo)體元件101的孔100，在該孔100中充填樹脂106并模壓。但是，在最近的半導(dǎo)體裝置中，在薄膜基板103上不形成用于安裝半導(dǎo)體元件101的孔100，而把半導(dǎo)體元件101的塊狀電極104直接與薄膜基板上形成的電極連接。這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件101的塊狀電極105薄膜基板上所形成的電極連接。在這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件101的塊狀電極105配置在薄膜基板上所形成的電極上，并熱壓粘合連接電極與塊狀電極104。在這種半導(dǎo)體元件101和薄膜基板103之間充填樹脂，制造成半導(dǎo)體裝置。
如上所述，在半導(dǎo)體元件101和薄膜基板103之間充填樹脂制造半導(dǎo)體裝置制造的情況下，模壓樹脂必須要在半導(dǎo)體元件與薄膜基板之間的空間中普遍充填而沒(méi)有空洞或氣泡。如果樹脂內(nèi)存在空洞或氣泡，就會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)期使用中的腐蝕、破損、斷線。
但是，在以往半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件101和薄膜基板103間形成如能防止安裝時(shí)短路等的絕緣膜時(shí)，半導(dǎo)體元件101的絕緣膜102和薄膜基板103間只要稍有間隙，就難以在該間隙中以完全沒(méi)有氣泡的狀態(tài)普遍充填樹脂。特別由于電極間距細(xì)小而使充填空間變狹，在這種空間中充填樹脂時(shí)，恐怕會(huì)在樹脂內(nèi)產(chǎn)生空洞或氣泡。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以往結(jié)構(gòu)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，在能完全防止薄膜基板上形成電極與半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)接觸的同時(shí)，能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置采用下述方式構(gòu)成，具有用柔軟樹脂材料制成的薄膜基板、在上述薄膜基板至少一面形成且具有金屬膜電極圖案結(jié)構(gòu)的電極、具有與上述電極連接著的塊狀電極的半導(dǎo)體元件、在上述半導(dǎo)體元件中的上述電極對(duì)置面上形成且防止上述半導(dǎo)體元件與上述電極直接接觸的絕緣保護(hù)部、至少在上述半導(dǎo)體元件和上述薄膜基板之間空間內(nèi)形成且密封上述電極與上述塊狀電極的密封部。這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明完全能防止薄膜基板上形成的電極與半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)的接觸，并且能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓，所以，能提供可信度高的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體裝置具有下述結(jié)構(gòu)，具有用柔軟樹脂材料制成的薄膜基板、在上述薄膜基板至少一面形成且具有金屬膜電極圖案結(jié)構(gòu)的電極、具有與上述電極連接著的塊狀電極且與上述電極對(duì)置面中的外緣部分的角部以鈍角形成的半導(dǎo)體元件、在上述半導(dǎo)體元件和上述薄膜基板之間形成且密封上述電極與上述塊狀電極的密封部。這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明完全能防止薄膜基板上形成的電極與半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)的接觸，并且能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓，所以，能提供可信度高的半導(dǎo)體裝置。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)在上述半導(dǎo)體元件密貼設(shè)置面罩(sheet cover)，該面罩由具有柔軟電磁屏蔽功能的材料形成，容易制造可信度高的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括在半導(dǎo)體元件中具有塊狀電極的面上涂布保護(hù)膜的工序；掩蓋上述半導(dǎo)體元件所需區(qū)域并依次進(jìn)行照射紫外線、顯像、洗滌且硬化各處理而形成絕緣保護(hù)部的工序；在具有電極的薄膜基板上所需位置配置上述半導(dǎo)體元件并加壓加熱連接上述塊狀電極與上述電極的工序；以及在上述半導(dǎo)體元件和上述薄膜基板之間注入樹脂形成密封部的工序。根據(jù)具有這些工序的本發(fā)明制造方法，能防止薄膜基板上形成的電極和半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)接觸，同時(shí)，能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓。
本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體裝置制造方法包括，在半導(dǎo)體元件中具有塊狀電極的面所需位置涂布樹脂的工序；對(duì)上述半導(dǎo)體元件所需位置涂布的樹脂進(jìn)行加熱處理而形成絕緣保護(hù)部的工序，在具有電極的薄膜基板上所需位置配置上述半導(dǎo)體元件并加壓加熱連接上述塊狀電極和上述電極的工序；在上述半導(dǎo)體元件和上述薄膜基板之間注入樹脂形成密封部的工序。根據(jù)具有這些工序的本發(fā)明制造方法，能防止薄膜基板上形成的電極和半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)接觸，同時(shí)，能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓。
本發(fā)明的新特點(diǎn)雖特別記載在附加的權(quán)利要求范圍中，但通過(guò)閱讀與其他目的和特點(diǎn)相結(jié)合的附圖以及以下的詳細(xì)說(shuō)明，能更好地從結(jié)構(gòu)和內(nèi)容雙方理解評(píng)價(jià)本發(fā)明。


圖1是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式1中半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是表示實(shí)施方式1中半導(dǎo)體元件塊狀電極形成面的背面圖；圖3是說(shuō)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件制造方法的示意圖；圖4是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置制造工序中模壓工序的示圖；圖5是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件塊狀電極形成面的背面圖；圖6是說(shuō)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件制造方法的示意圖；圖7是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件塊狀電極形成面的背面圖；圖8是說(shuō)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件制造方法的示意圖；圖9是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件塊狀電極形成面的背面圖；圖10是說(shuō)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件制造方法的示意圖；圖11是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件塊狀電極形成面的背面圖；圖12是說(shuō)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件制造方法的示意圖；圖13是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖14是表示實(shí)施方式6中半導(dǎo)體元件角部剖面形狀的示圖；圖15是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置中角部形成方法的示意圖；圖16是表示實(shí)施方式6的制造方法中蝕刻半導(dǎo)體元件進(jìn)行切斷方法的示意圖；圖17是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置斜視圖；圖18是表示實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)剖面圖；圖19是表示在實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置制造過(guò)程中面罩配置在半導(dǎo)體元件上面且用固定夾具加熱按壓狀態(tài)的示圖；圖20是表示以往半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。
應(yīng)當(dāng)考慮到，圖面的局部或全部是以圖示為目的概述描述，并不限定為忠實(shí)描述所示主要部件實(shí)際相對(duì)大小或位置。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)涉及本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置制造方法的最佳實(shí)施方式1圖1是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)剖面圖。
在實(shí)施方式1中，薄膜基板1是由在其表面具有電極3的薄膜狀柔軟樹脂材料形成的基板。半導(dǎo)體元件2A是從半導(dǎo)體晶片切出的半導(dǎo)體片。電極3是在薄膜基板1上形成的金屬膜電極圖案，由圖案蝕刻形成。半導(dǎo)體元件2A背面形成的塊狀電極4是在從半導(dǎo)體晶片切出半導(dǎo)體片前采用電鍍法制作的部件，是突起狀的金(Au)。半導(dǎo)體元件2A的各端子焊接在薄膜基板1實(shí)施了鍍金(Au)的電極上。另外，塊狀電極4也可以由具有所需厚度的金(Au)柱塊形成的。
如圖1所示，實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件2A的塊狀電極4與在薄膜基板1上形成的電極3連接。在半導(dǎo)體元件2A和薄膜基板1之間模壓環(huán)氧類樹脂即密封部6，完全密封住薄膜基板1上的電極3和半導(dǎo)體元件2A的塊狀電極4的結(jié)合部分。
在實(shí)施方式1中的半導(dǎo)體元件2A中，在形成其塊狀電極4的背面端部上形成有由絕緣樹脂構(gòu)成的絕緣保護(hù)部5A。該絕緣保護(hù)部5A能防止在把半導(dǎo)體元件2A安裝在薄膜基板1上時(shí)或模壓工序中半導(dǎo)體元件2A的端部與電極部分直接接觸。
另外，作為薄膜基板1，例如使用由聚酰亞胺薄膜形成的厚0.01mm～0.2mm范圍內(nèi)的柔軟片。除了這種片以外，也可以用作為一般基板使用的薄膜基板。作為形成密封部6的樹脂也可以使用苯酚類、丙烯酸類樹脂。即使使用其它樹脂，如果具有電絕緣性也可以。
圖2是表示實(shí)施方式1中半導(dǎo)體元件2A的塊狀電極4形成面的背面圖。如圖2所示，在實(shí)施方式1中的半導(dǎo)體元件2A中，在多個(gè)塊狀電極4形成面的外緣部分形成絕緣保護(hù)部5A。
下面對(duì)圖2所示的半導(dǎo)體元件2A中的絕緣保護(hù)部5A的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖3是說(shuō)明實(shí)施方式1中的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2A的制造方法的示意圖。圖4是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置制造工序中模壓工序的示意圖。
圖3的(A)表示半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2A上形成多個(gè)塊狀電極4的狀態(tài)。
圖3的(B)表示圖3(A)的半導(dǎo)體元件2A上旋轉(zhuǎn)涂布正型保護(hù)膜5a的狀態(tài)。在實(shí)施方式1中，作為正型保護(hù)膜5a使用丙烯酸類紫外線硬化型樹脂。另外，作為保護(hù)膜5a的涂布方法并不局限于旋轉(zhuǎn)涂布，也可以利用一般所用的噴涂法等涂布方法。
其次，如圖3(C)所示，掩蓋著半導(dǎo)體元件2A的端部地實(shí)施紫外線照射、顯像、洗滌以及硬化處理。結(jié)果如圖3(D)所示，在半導(dǎo)體元件2A中，除去塊狀電極4形成部分的保護(hù)膜5a，只在塊狀電極4形成面(背面)中的端部制作由絕緣樹脂形成的絕緣保護(hù)部5A。該絕緣保護(hù)部5A以厚度1～5微米范圍的方式形成。把這樣形成的半導(dǎo)體元件2A配置在薄膜基板1上所需位置處。并且，把半導(dǎo)體元件2A的塊狀電極4定位在電極3上，加壓加熱把塊狀電極4熔接在電極3上。
在實(shí)施方式1中，從半導(dǎo)體元件2A背面的絕緣保護(hù)部5A表面至薄膜基板1表面的間隙至少在10微米以上，優(yōu)選數(shù)值在10～15微米范圍內(nèi)。因在這種半導(dǎo)體元件2A和薄膜基板1之間具有所需的間隙，在圖4所示的模壓工序中，可以順利地在半導(dǎo)體元件2A和薄膜基板1之間注入樹脂，能完全形成可信度高的密封部6。并且，在該模壓工序中，即使半導(dǎo)體元件2A的端部(角部)與薄膜基板1上的電極3接觸，因其端部被絕緣保護(hù)部5A覆蓋，不會(huì)損壞電極3。
另外，在實(shí)施方式1中，以只在薄膜基板1一面安裝半導(dǎo)體元件2A為例進(jìn)行了說(shuō)明，但在薄膜基板1兩面安裝半導(dǎo)體元件時(shí)也適用于實(shí)施方式1中的結(jié)構(gòu)。在薄膜基板1兩面安裝半導(dǎo)體元件的情況下，制造時(shí)要變更用于固定半導(dǎo)體裝置的載置臺(tái)結(jié)構(gòu)。在這種情況下，在與薄膜基板上半導(dǎo)體元件對(duì)應(yīng)的部分必須要形成凹部。
實(shí)施方式2下面對(duì)涉及本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中，與上述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體元件上形成的絕緣保護(hù)部形狀及其制造方法。在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中，不形成膜形狀而是形成近半球狀的絕緣保護(hù)部。在實(shí)施方式2的說(shuō)明中，具有與實(shí)施方式1相同功能結(jié)構(gòu)的部分，用相同的標(biāo)號(hào)表示，其詳細(xì)說(shuō)明適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
與實(shí)施方式1一樣，實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件2B的塊狀電極4與在薄膜基板1上形成的電極3連接(參照?qǐng)D1)。半導(dǎo)體元件2B和薄膜基板1之間模壓環(huán)氧類樹脂密封部6，完全密封薄膜基板1上的電極3和半導(dǎo)體元件2B的塊狀電極4的結(jié)合部分。
在實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體元件2B中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面形成由絕緣樹脂構(gòu)成的多個(gè)絕緣保護(hù)部5B。該絕緣保護(hù)部5B能防止半導(dǎo)體元件2B安裝在薄膜基板1上時(shí)或模壓工序中半導(dǎo)體元件2B的端部與電極部分直接接觸。
圖5是表示實(shí)施方式2中半導(dǎo)體元件2B的塊狀電極4形成的四角狀背面。如圖5所示，在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體元件2B中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面四角處形成絕緣保護(hù)部5B。
下面對(duì)圖5所示半導(dǎo)體元件2B中的絕緣保護(hù)部5B的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖6是說(shuō)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2B的制造方法示意圖。
圖6(A)表示半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2B上形成多個(gè)塊狀電極4的狀態(tài)。
圖6(B)表示在圖6(A)的半導(dǎo)體元件2B上用分配器10涂布環(huán)氧類絕緣樹脂的工序。另外，絕緣樹脂也可以使用橡膠類樹脂，例如苯乙烯橡膠類等彈性材料。在用分配器10涂布環(huán)氧類絕緣樹脂的工序中，把半導(dǎo)體元件2B放在載物臺(tái)上。在該載物臺(tái)上設(shè)置著用于固定半導(dǎo)體元件2B的吸引孔，吸引著薄膜基板1地使半導(dǎo)體元件2B固定在工作載物臺(tái)上。對(duì)固定的半導(dǎo)體元件2B用分配器10在半導(dǎo)體元件2的背面所需位置涂布絕緣樹脂。這時(shí)涂布的絕緣樹脂不會(huì)流到半導(dǎo)體元件2B的側(cè)面而污染載物臺(tái)，載物臺(tái)的載置面也可以使用與半導(dǎo)體元件2B同樣大小或比半導(dǎo)體元件2B小的載物臺(tái)。
下面在圖6(C)所示的樹脂硬化工序中，把半導(dǎo)體元件2B配置在加熱著的載物臺(tái)上，例如，以150～200℃加熱約5分鐘。在這種加熱處理的半導(dǎo)體元件2B端部形成近半球狀絕緣保護(hù)部5B。該絕緣保護(hù)部5B以厚度為5～30微米范圍的方式形成。把這種形成的半導(dǎo)體元件2B配置在薄膜基板1上的所需位置。并且，把半導(dǎo)體元件2B的塊狀電極4定位在電極3上，加壓加熱把塊狀電極4溶接在電極3上。在該電極3與塊狀電極4的連接工序中，半導(dǎo)體元件2B的端部(角部)不會(huì)直接接觸薄膜基板1上的電極3，能防止電極3損傷破壞。
在實(shí)施方式2中，因絕緣保護(hù)部5B只在半導(dǎo)體元件2B背面中的四角形成，在模壓工序中容易把樹脂注入半導(dǎo)體元件2B和薄膜基板1之間。因此，在半導(dǎo)體元件2B與薄膜基板1之間的間隙中完全能形成沒(méi)有空洞或氣泡的密封部6。并且，在該模壓工序中，能防止半導(dǎo)體元件2B的端部與薄膜基板1上的電極3接觸。實(shí)施方式2中的絕緣保護(hù)部5B因是由彈性變形的樹脂形成的，半導(dǎo)體元件2B中形成塊狀電極4的面至薄膜基板1的表面間的距離容易設(shè)定成所需值，例如容易設(shè)定成至少10微米以上，優(yōu)選設(shè)置成10～15微米范圍內(nèi)的所需值。由于該實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體元件2B與薄膜基板1之間具有所需的間隙且在阻礙樹脂注入的位置沒(méi)有形成絕緣保護(hù)部5B，所以，在模壓工序中，容易且完全能在半導(dǎo)體元件2B和薄膜基板1之間注入樹脂。
實(shí)施方式3下面對(duì)涉及本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置中，與上述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體元件上形成的絕緣保護(hù)部形狀及其制造方法。在實(shí)施方式3的說(shuō)明中，具有與實(shí)施方式1相同功能結(jié)構(gòu)的部分，用相同的標(biāo)號(hào)表示，其詳細(xì)說(shuō)明適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
與實(shí)施方式1一樣，實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件2C的塊狀電極4與在薄膜基板1上形成的電極3相連。半導(dǎo)體元件2C和薄膜基板1之間模壓環(huán)氧類樹脂密封部6，完全密封薄膜基板1上的電極3和半導(dǎo)體元件2C的塊狀電極4的結(jié)合部分。
在實(shí)施方式3中的半導(dǎo)體元件2C中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面形成由絕緣樹脂構(gòu)成的多個(gè)絕緣保護(hù)部5C。該絕緣保護(hù)部5C能防止半導(dǎo)體元件2C安裝在薄膜基板1上時(shí)或模壓工序中半導(dǎo)體元件2C的端部與電極部分直接接觸。
圖7是表示實(shí)施方式3中形成半導(dǎo)體元件2C中塊狀電極4的四角狀背面。如圖7所示，在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體元件2C中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面端部(角部)形成4個(gè)絕緣保護(hù)部5C。
下面對(duì)圖7所示半導(dǎo)體元件2C中的絕緣保護(hù)部5C的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖8是說(shuō)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2C的制造方法示意圖。
圖8(A)表示半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2C上形成多個(gè)塊狀電極4的狀態(tài)。
圖8(B)表示在圖8(A)的半導(dǎo)體元件2C上用分配器10在半導(dǎo)體元件2C端部涂布環(huán)氧樹脂類絕緣樹脂的工序。另外，絕緣樹脂也可以使用橡膠類樹脂，例如苯乙烯類樹脂等。
然后，在圖8(C)所示的樹脂硬化工序中，把半導(dǎo)體元件2C配置在加熱著的載置臺(tái)上，例如以150～200℃加熱約5分鐘。在這種加熱處理的半導(dǎo)體元件2C背面端部四處形成近半球狀絕緣保護(hù)部5C。該絕緣保護(hù)部5C厚度在5～30微米范圍且位于四角狀背面各邊近中央位置的一處。把這種形成的半導(dǎo)體元件2C配置在薄膜基板1上的所需位置。并且，把半導(dǎo)體元件2C的塊狀電極4定位在電極3上，加壓加熱把塊狀電極4熔接在電極3上。在該電極3與塊狀電極4的連接工序中，半導(dǎo)體元件2C的端部(角部)不會(huì)直接接觸薄膜基板1上的電極3，能防止電極3損傷破壞。另外，在實(shí)施方式3中，以只在半導(dǎo)體元件2C背面中各邊一處形成絕緣保護(hù)部5C為例進(jìn)行說(shuō)明，但也可以相應(yīng)于半導(dǎo)體元件形狀而在多處設(shè)置絕緣保護(hù)部。
在實(shí)施方式3中，因絕緣保護(hù)部5C只在半導(dǎo)體元件2C背面中形成必要的最少個(gè)數(shù)，在模壓工序中容易把樹脂注入半導(dǎo)體元件2C和薄膜基板1之間。因此，在半導(dǎo)體元件2C與薄膜基板1之間的間隙中完全能形成沒(méi)有空洞或氣泡的密封部6。并且，在該模壓工序中，能防止半導(dǎo)體元件2C的端部與薄膜基板1上的電極3接觸。實(shí)施方式3中的絕緣保護(hù)部5C因是由彈性變形的樹脂形成的，半導(dǎo)體元件2C中形成塊狀電極4的面至薄膜基板1的表面間的距離容易設(shè)定成所需值，例如容易設(shè)定成至少10微米以上，優(yōu)選設(shè)置成10～15微米范圍內(nèi)的所需值。該實(shí)施方式3中的半導(dǎo)體元件2C在與薄膜基板1之間具有所需的間隙且在阻礙樹脂注入的位置沒(méi)有形成絕緣保護(hù)部5C，所以，在模壓工序中，容易且完全能在半導(dǎo)體元件2C和薄膜基板1之間注入樹脂。
實(shí)施方式4下面對(duì)涉及本發(fā)明的實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置中，與上述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體元件上形成的絕緣保護(hù)部形狀及其制造方法。在實(shí)施方式4的說(shuō)明中，具有與實(shí)施方式1相同功能結(jié)構(gòu)的部分，用相同的標(biāo)號(hào)表示，其詳細(xì)說(shuō)明適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
與實(shí)施方式1一樣，實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2D的塊狀電極4與在薄膜基板1上形成的電極3連接。半導(dǎo)體元件2D和薄膜基板1之間模壓環(huán)氧類樹脂密封部6，完全密封薄膜基板1上的電極3和半導(dǎo)體元件2D的塊狀電極4的結(jié)合部分。
在實(shí)施方式4中的半導(dǎo)體元件2D中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面形成由絕緣樹脂構(gòu)成的多個(gè)絕緣保護(hù)部5D。該絕緣保護(hù)部5D能防止半導(dǎo)體元件2D安裝在薄膜基板1上時(shí)或模壓工序中半導(dǎo)體元件2D的端部與電極部分直接接觸。
圖9表示實(shí)施方式4中半導(dǎo)體元件2D上形成塊狀電極4的背面。如圖9所示，在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體元件2D中，在形成多個(gè)塊狀電極4的面形成膜狀絕緣保護(hù)部5D。實(shí)施方式4中的絕緣保護(hù)部5D以覆蓋半導(dǎo)體元件2D背面中塊狀電極以外區(qū)域的方式形成。
下面對(duì)圖9所示半導(dǎo)體元件2D中的絕緣保護(hù)部5D的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖10是說(shuō)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2D的制造方法示意圖。
圖10(A)表示半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2D上形成多個(gè)塊狀電極4的狀態(tài)。
圖10(B)表示在圖10(A)的半導(dǎo)體元件2D上旋轉(zhuǎn)涂布正型保護(hù)膜5d的狀態(tài)。在實(shí)施方式4中，作為正型保護(hù)膜5d使用丙烯酸類紫外線硬化型樹脂。本實(shí)施方式所用保護(hù)膜5d的材料選擇相對(duì)密封部6的材料即環(huán)氧類樹脂具有良好濕潤(rùn)性的材料。通過(guò)選擇相對(duì)環(huán)氧類樹脂具有良好濕潤(rùn)性的材料，能提高密封部6的樹脂密封性能。另外，作為保護(hù)膜5d的涂布方法并不局限于旋轉(zhuǎn)涂布，也可以利用常規(guī)使用的涂布方法。
然后，如圖10(C)所示，掩蓋著半導(dǎo)體元件2D中形成塊狀電極4的部分，實(shí)施紫外線照射、顯像、洗滌以及硬化處理。結(jié)果如圖10(D)所示，在半導(dǎo)體元件2D的背面中，除去塊狀電極4形成部分的保護(hù)膜5d，在殘留面上形成由絕緣樹脂形成的絕緣保護(hù)部5D。該絕緣保護(hù)部5D以厚度1～5微米范圍的方式形成。把這樣形成的半導(dǎo)體元件2D配置在薄膜基板1上所需位置處。并且，把半導(dǎo)體元件2D的塊狀電極4定位在電極3上，加壓加熱把塊狀電極4溶接在電極3上。在該電極3與塊狀電極4的連接工序中，半導(dǎo)體元件2D的端部(角部)不會(huì)直接接觸薄膜基板1上的電極3，能防止電極3損傷破壞。
在實(shí)施方式4中，從半導(dǎo)體元件2D背面中的絕緣保護(hù)部5D表面至薄膜基板1的表面的距離有至少10微米以上的間隙，優(yōu)選有10～15微米范圍內(nèi)的間隙。由于這種半導(dǎo)體元件2D與薄膜基板1之間具有所需的間隙，所以，在模壓工序中，容易在半導(dǎo)體元件2D和薄膜基板1之間注入樹脂。因此，半導(dǎo)體元件2D與薄膜基板1之間的間隙中完全能形成無(wú)空洞或氣泡的密封部6。并且，即使在模壓工序中半導(dǎo)體元件2D的端部與薄膜基板1上的電極3接觸，也因其端部被絕緣保護(hù)部5D覆蓋而能防止電極3損傷。
實(shí)施方式5下面，對(duì)涉及本發(fā)明的實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置中，與上述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體元件上形成的絕緣保護(hù)部形狀及其制造方法。在實(shí)施方式5的說(shuō)明中，具有與實(shí)施方式1相同功能結(jié)構(gòu)的部分，用相同的標(biāo)號(hào)表示，其詳細(xì)說(shuō)明適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
與實(shí)施方式1一樣，實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件2E的塊狀電極4與薄膜基板1上形成的電極3連接。半導(dǎo)體元件2E和薄膜基板1之間模壓環(huán)氧類樹脂密封部6，完全密封薄膜基板1上的電極3和半導(dǎo)體元件2E的塊狀電極4的結(jié)合部分。
在實(shí)施方式5中的半導(dǎo)體元件2E中，在形成多個(gè)塊狀電極4的背面上形成由絕緣樹脂構(gòu)成的絕緣保護(hù)部5E。該絕緣保護(hù)部5E能防止半導(dǎo)體元件2E安裝在薄膜基板1上時(shí)或模壓工序中半導(dǎo)體元件2E的端部與電極部分直接接觸。
圖11表示實(shí)施方式5中半導(dǎo)體元件2E上形成的塊狀電極4的背面。如圖11所示，在實(shí)施方式5的半導(dǎo)體元件2E中，在形成多個(gè)塊狀電極4的面上形成膜狀絕緣保護(hù)部5E。在半導(dǎo)體元件2E背面中接近電極4的區(qū)域，在其背面中端部(角部)與塊狀電極4間的區(qū)域形成實(shí)施方式5中的絕緣保護(hù)部5E。
下面對(duì)圖11所示半導(dǎo)體元件2E中的絕緣保護(hù)部5E的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖12是說(shuō)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體元件2E的制造方法示意圖。
圖12(A)表示半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2E上形成多個(gè)塊狀電極4的狀態(tài)。
圖12(B)表示圖12(A)的半導(dǎo)體元件2E上旋轉(zhuǎn)涂布正型保護(hù)膜5e的狀態(tài)。在實(shí)施方式5中，作為正型保護(hù)膜5e使用丙烯酸類紫外線硬化型樹脂。另外，作為保護(hù)膜5e的涂布方法并不局限于旋轉(zhuǎn)涂布，也可以利用常規(guī)使用的涂布方法。
然后，如圖12(C)所示，掩蓋著半導(dǎo)體元件2E背面中除去塊狀電極4外側(cè)區(qū)域的部分，實(shí)施紫外線照射、顯像、洗滌以及硬化處理。結(jié)果如圖11和圖12(D)所示，在半導(dǎo)體元件2E的背面中，在塊狀電極4外側(cè)區(qū)域形成由絕緣樹脂形成的絕緣保護(hù)部5E。該絕緣保護(hù)部5E以厚度1～5微米范圍的方式形成。把這樣形成的半導(dǎo)體元件2E配置在薄膜基板1上所需位置處。并且，把半導(dǎo)體元件2E的塊狀電極4定位在電極3上，加壓加熱把塊狀電極4溶接在電極3上。在該電極3與塊狀電極4的連接工序中，半導(dǎo)體元件2E的端部(角部)不會(huì)直接接觸薄膜基板1上的電極3，能防止電極3損傷破壞。
在實(shí)施方式5中，從半導(dǎo)體元件2E背面中的絕緣保護(hù)部5E表面至薄膜基板1的表面的距離有至少10微米以上的間隙，優(yōu)選有10～15微米范圍內(nèi)的間隙。由于這種半導(dǎo)體元件2E與薄膜基板1之間具有所需的間隙，所以，在模壓工序中，容易在半導(dǎo)體元件2E和薄膜基板1之間注入樹脂。因此，半導(dǎo)體元件2E與薄膜基板1之間的間隙中完全能形成無(wú)空洞或氣泡的密封部6。并且，即使在模壓工序中半導(dǎo)體元件2E的端部與薄膜基板1上的電極3接觸，也因其端部被絕緣保護(hù)部5E覆蓋而能防止電極3損傷。
另外，在實(shí)施方式5中，以接近各塊狀電極4形成絕緣保護(hù)部5E為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不必對(duì)應(yīng)著整個(gè)塊狀電極4形成絕緣保護(hù)部5E，也可以相應(yīng)于半導(dǎo)體元件的形狀，限定較少個(gè)數(shù)的形成位置。
實(shí)施方式6下面對(duì)涉及本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置中，與上述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體元件的形狀及其制造方法。在實(shí)施方式6的說(shuō)明中，具有與實(shí)施方式1相同功能結(jié)構(gòu)的部分，用相同的標(biāo)號(hào)表示，其詳細(xì)說(shuō)明適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
圖13是表示涉及本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)剖面圖。在上述實(shí)施方式1至5中，在半導(dǎo)體元件背面部分形成絕緣保護(hù)部，電極3和半導(dǎo)體元件2沒(méi)有直接的接觸，能防止電極損壞等。另外，在圖13中，表示形成密封部6前的階段，表示出薄膜基板1彎曲的狀態(tài)。在實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置中，如圖13所示，半導(dǎo)體元件2F的角部7以成鈍角的方式形成。該角部7在半導(dǎo)體元件2F中與薄膜基板1對(duì)置的面，即設(shè)計(jì)著塊狀電極4的面的外緣部分上形成。通過(guò)形成這種角部7能防止電極3和半導(dǎo)體元件2F的接觸，并且即使電極3與半導(dǎo)體元件2F的角部接觸也很難對(duì)電極3造成損傷破壞。如圖14(a)所示，半導(dǎo)體元件2F的角部7的剖面形狀近曲面形狀，但是至少如圖14(b)所示，半導(dǎo)體元件的背面和側(cè)面之間近直角的角切斷的形狀也可以。也就是說(shuō)，角部7的剖面形狀也可以保持為超過(guò)至少90度的鈍角形狀。
下面對(duì)半導(dǎo)體元件2F的角部7的制作方法進(jìn)行說(shuō)明。
作為形成半導(dǎo)體元件2F中角部7的方法，雖可以采用研磨形成方法，但由于半導(dǎo)體元件2F具有容易脆裂的結(jié)構(gòu)，所以在實(shí)施方式6中采用以下形成方法。
圖15是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置中角部7形成方法的示意圖。在切斷半導(dǎo)體晶片15的情況下，如圖15(a)所示，形成切口8。該切口8的形成方法可以包括，左右按切塊(切斷)工序中的金鋼石刀片形狀，并在半導(dǎo)體晶片15上所示切斷位置線中進(jìn)行切塊(切斷)。這時(shí)，半導(dǎo)體晶片15固定在水平面的載物臺(tái)上，用垂直配置的金鋼石刀片進(jìn)行切削。這時(shí)所用的具有金鋼石的刀刃形狀根據(jù)切口8的形狀設(shè)定。
其次，如圖15(b)所示，在上述形成的切口8處，使用比上述切塊刀片更細(xì)的刀片切斷半導(dǎo)體晶片15。在這樣切斷形成的半導(dǎo)體片即半導(dǎo)體元件2F中，沿斜行面切斷其角部7。從而，在角部7中呈現(xiàn)無(wú)銳角部分而有鈍角的剖面形狀。
下面對(duì)半導(dǎo)體裝置中角部7的另一種形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在這種形成方法中，采用蝕刻切塊(切斷)半導(dǎo)體晶片15形成半導(dǎo)體元件2F。圖16表示蝕刻切斷半導(dǎo)體晶片15的方法示意圖。在圖16(A)中，半導(dǎo)體晶片15整個(gè)面涂布保護(hù)膜12。該實(shí)施例所用的保護(hù)膜12的材料例如可以是紫外線硬化型樹脂。另外，雖然在圖16中省略掉了，但在半導(dǎo)體晶片15上形成鍍金的塊狀電極4。給半導(dǎo)體晶片15配置上對(duì)置切斷位置部分開口的保護(hù)膜圖案并曝光。配置這種保護(hù)膜圖案進(jìn)行曝光的處理是對(duì)半導(dǎo)體晶片15兩面實(shí)施的(圖16(B))。這時(shí)，依次進(jìn)行顯像、洗滌、硬化各處理。
隨后，如圖16(C)所示，把曝光處理過(guò)的半導(dǎo)體晶片15浸漬在氟酸類蝕刻液20中，在半導(dǎo)體晶片15的所需位置蝕刻。圖16(D)是表示用蝕刻液20溶解切斷的半導(dǎo)體晶片15的狀態(tài)的視圖。這時(shí)所用的蝕刻液20使用等向性蝕刻液。之后，除去保護(hù)膜12，半導(dǎo)體晶片15呈現(xiàn)在所需位置切斷的狀態(tài)(圖16(E))。這樣切斷的半導(dǎo)體晶片15其切斷面呈現(xiàn)沒(méi)有銳角部分的光滑形狀。另外，在上述中已把曝光處理的半導(dǎo)體晶片浸漬在蝕刻液20為例進(jìn)行了說(shuō)明，對(duì)曝光處理的半導(dǎo)體晶片15也可以采用蝕刻液淋洗的方法進(jìn)行切斷。雖對(duì)塊狀電極采用鍍金制作為例進(jìn)行說(shuō)明，但也可以采用塊狀粘結(jié)裝置對(duì)切斷后的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行制作。
如上所述，在實(shí)施方式6的半導(dǎo)體元件2F中，因角部7形成鈍角，所以，即使薄膜基板1上的電極3與角部7接觸也能防止半導(dǎo)體元件2F傷害電極3。
在實(shí)施方式6中，只要附加簡(jiǎn)單的制造工序就能制造可信度高的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置制造方法能適用于高密度安裝的薄膜基板，具有降低高性能機(jī)器制造成本的效果。
另外，由于在實(shí)施方式6中的半導(dǎo)體元件2F上形成角部7，所以，在模壓樹脂形成密封部的工序中容易且完全能注入樹脂。
實(shí)施方式7下面對(duì)涉及本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置中，薄膜基板上的半導(dǎo)體元件上部設(shè)置著面罩20。在實(shí)施方式7中可以使用上述實(shí)施方式1～6中說(shuō)明過(guò)的半導(dǎo)體元件。在實(shí)施方式7的說(shuō)明中具有與實(shí)施方式1相同功能、結(jié)構(gòu)的部分使用相同的標(biāo)號(hào)，其詳細(xì)說(shuō)明也適用于實(shí)施方式1的說(shuō)明。
圖17是涉及本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置斜視圖。圖18是表示實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)剖面圖。
實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置中，在薄膜基板1上形成電極3，通過(guò)其電極3上的塊狀電極4連接半導(dǎo)體元件2G。在實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體元件2G上設(shè)置著面罩20。該面罩20是由具有電磁屏蔽效果的材料形成的且厚度設(shè)定在0.1mm～1.0mm范圍內(nèi)。另外，作為具有電磁屏蔽效果的材料是例如使銅箔疊層的絕緣性樹脂。
如圖17所示，實(shí)施方式7中所用的半導(dǎo)體元件2G其平面形狀是長(zhǎng)方形。相對(duì)該長(zhǎng)方形半導(dǎo)體元件2G以覆蓋其兩側(cè)短邊側(cè)部分的方式把面罩20固定在薄膜基板1上。另外，半導(dǎo)體元件2G中的長(zhǎng)邊側(cè)部分處于從面罩20露出的狀態(tài)。
在實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置制造中，例如把上述實(shí)施方式1～6中說(shuō)明的半導(dǎo)體元件2G配置在具有電極3的薄膜基板1上，加熱加壓，把半導(dǎo)體元件2G通過(guò)塊狀電極4連接到所需電極3上。隨后把面罩20配置在半導(dǎo)體元件2G的上面。這樣配置的面罩20用粘著夾具13加熱按壓。圖19表示這時(shí)的狀態(tài)。如圖19所示，在面罩20的粘著部分和薄膜電極1之間涂布粘合劑14。在實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體元件2G的縱長(zhǎng)方向兩側(cè)把面罩20用粘合劑14粘著在薄膜基板1上。
把上述面罩20對(duì)著半導(dǎo)體元件2G粘著在所需位置后，以覆蓋半導(dǎo)體元件2G的塊狀電極4和電極3的接合部分的方式把樹脂從面罩20的縱長(zhǎng)部分注入半導(dǎo)體元件2G的長(zhǎng)邊側(cè)內(nèi)部。注入樹脂形成半導(dǎo)體裝置的密封部6。
實(shí)施方式7中，因設(shè)置著面罩20，在制造過(guò)程中即使薄膜基板1彎曲時(shí)也不會(huì)發(fā)生半導(dǎo)體元件2G與薄膜基板1的電極3的接觸，即使發(fā)生也不會(huì)產(chǎn)生具有沖擊的劇烈接觸。在半導(dǎo)體裝置制造時(shí)，能防止因接觸而傷害電極3，并能提供可信度高的半導(dǎo)體裝置。
面罩20因具有電磁屏蔽效果，所以還可以提高使用實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置制品的性能。
另外，作為面罩20的材料可以使用薄膜狀絕緣性樹脂，也可以使用與薄膜基板1的材料相同的材料。但是，面罩20的材料如果使用比薄膜基板1更具有柔軟性的薄膜，薄膜基板1彎曲光滑，更能擴(kuò)大制品的通用性。
作為面罩20，為了具有柔軟性，在與薄膜基板1相同材料的情況下可以使用更薄的材料。例如，薄膜基板1厚80微米的情況下，面罩20厚度為其2/3以下。特別是在優(yōu)選厚度在一半分以下也就是40微米程度厚度的話，薄膜基板1的彎曲光滑且不會(huì)產(chǎn)生半導(dǎo)體元件2G與薄膜基板1的電極3接觸，如果產(chǎn)生接觸也不會(huì)產(chǎn)生損害電極3的激烈沖擊。
薄膜基板1的材料如果是聚酰亞胺的話，面罩20的材料可以選擇聚乙烯等柔軟片材，不過(guò)，在耐熱性等特性受限的情況下，在同樣種類的薄膜上也可以使用上述薄的材料。
另外，面罩20的形狀必須具有比半導(dǎo)體元件2G更大的形狀，首先，確定薄膜基板1彎曲方向時(shí)，只要在其方向中形成比半導(dǎo)體元件2G更大的形狀，并從該方向兩側(cè)粘著就可以了。
另外，即使以覆蓋具有半導(dǎo)體元件2角部部分的方式設(shè)置面罩也可以。其次，在安裝多個(gè)半導(dǎo)體元件2的情況下，即使分別設(shè)置面罩，也能進(jìn)行整體覆蓋設(shè)置?？紤]到制造成本等也可以只在必要的半導(dǎo)體元件上設(shè)置面罩。
作為面罩20的粘著方法，可以使用把預(yù)先涂布粘合劑的片狀材料切成所需形狀并從上面貼附在半導(dǎo)體元件上面的方法。或者，在半導(dǎo)體元件上面或薄膜基板所需位置涂布預(yù)設(shè)的粘合劑，在其上貼附上切斷的面罩20。
如上所述，從各實(shí)施方式詳細(xì)說(shuō)明可以看出，根據(jù)本發(fā)明完全能防止薄膜基板上形成的電極與半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)的接觸，同時(shí)能完全且高精度地對(duì)薄膜基板上安裝的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂模壓。并且，即使對(duì)高密度安裝基板，本發(fā)明也能提供能適于通用性高的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置制造方法。
雖然以詳細(xì)的最佳實(shí)施方式說(shuō)明了發(fā)明，但實(shí)施方式公開的內(nèi)容在結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)部分應(yīng)當(dāng)是變化的，各主要部件的組合或順序的變化在不超出權(quán)利要求的發(fā)明范圍和思想也能實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有用柔軟樹脂材料制成的薄膜基板、在所述薄膜基板的至少一個(gè)面上形成且由金屬膜電極圖案形成的電極、具有與所述電極連接著的塊狀電極的半導(dǎo)體元件、在所述半導(dǎo)體元件中的與所述電極相對(duì)的面上形成，防止所述半導(dǎo)體元件與所述電極直接接觸的絕緣保護(hù)部、以及至少在所述半導(dǎo)體元件與所述薄膜基板之間的空間內(nèi)形成，密封所述電極與所述塊狀電極的密封部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件與所述薄膜基板間間隙至少在10微米以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，絕緣保護(hù)部只在所述半導(dǎo)體元件中的與所述電極對(duì)置的面的外緣部分形成，所述絕緣保護(hù)部與所述薄膜電極的間隙具有規(guī)定距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)部與所述半導(dǎo)體元件的所述電極相對(duì)的面為矩形，只在所述矩形面的外緣角部形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)置，其特征在于，所述保護(hù)部在與所述半導(dǎo)體元件的與所述電極對(duì)置的面的外緣部分的一部分中形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，絕緣保護(hù)部在與所述半導(dǎo)體元件的所述電極對(duì)置的面的整個(gè)面上形成，所述絕緣保護(hù)部與所述薄膜電極的間隙具有規(guī)定距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體元件的與所述電極對(duì)置的面上，在所述塊狀電極與外緣部分之間形成絕緣保護(hù)部，所述絕緣保護(hù)部與所述薄膜電極間的間隙具有規(guī)定距離。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有用柔軟樹脂材料制成的薄膜基板、在所述薄膜基板至少一個(gè)面上形成，由金屬膜電極圖案形成的電極、具有與所述電極連接著的塊狀電極，與所述電極對(duì)置的面上的外緣部分的角部以鈍角形成的半導(dǎo)體元件、以及在所述半導(dǎo)體元件和所述薄膜基板之間形成，密封所述電極與所述塊狀電極的密封部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件的所述角部實(shí)質(zhì)上由曲面形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9任一記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件上密貼設(shè)置由柔軟樹脂材料形成的面罩(sheet cover)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～9任一記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件上密貼設(shè)置由柔軟樹脂材料形成的面罩，所述面罩是由具有電磁屏蔽效果的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～9任一記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件的平面形狀是長(zhǎng)方形，所述面罩固定在所述薄膜基板上，并且使其覆蓋所述半導(dǎo)體元件的短邊側(cè)部分，且使長(zhǎng)邊側(cè)部分開放。
13.一種半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體元件中具有塊狀電極的面上涂布保護(hù)膜的工序；掩蓋著所述半導(dǎo)體元件希望的區(qū)域，然后照射紫外線，再依次進(jìn)行顯像、洗滌、硬化各處理，形成絕緣保護(hù)部的工序；在具有電極的薄膜基板上所希望的位置上配置所述半導(dǎo)體元件，利用加壓加熱連接所述塊狀電極與所述電極的工序；以及在所述半導(dǎo)體元件和所述薄膜基板之間注入樹脂形成密封部的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13記載的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，所述密封部的厚度在1～5微米范圍內(nèi)，所述半導(dǎo)體元件與所述薄膜基板間的間隙在10微米以上。
15.一種半導(dǎo)體裝置制造方法，包括在半導(dǎo)體元件中的具有塊狀電極的面的所希望的位置上涂布樹脂的工序、對(duì)所述半導(dǎo)體元件希望位置涂布的樹脂進(jìn)行加熱處理形成絕緣保護(hù)部的工序、在具有電極的薄膜基板上所希望的位置配置所述半導(dǎo)體元件，通過(guò)加壓加熱連接所述塊狀電極與所述電極的工序、以及在所述半導(dǎo)體元件和所述薄膜基板之間注入樹脂形成密封部的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求15記載的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，所述密封部的厚度在5～30微米范圍內(nèi)，所述半導(dǎo)體元件與所述薄膜基板間的間隙至少在10微米以上。
17.根據(jù)權(quán)利要求13～16任一記載的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，使用以下述工序制造的半導(dǎo)體元件，所述工序包括在半導(dǎo)體晶片整個(gè)表面涂布保護(hù)膜的涂布工序、對(duì)所述半導(dǎo)體晶片配置與切斷位置相對(duì)的部分開口的保護(hù)膜圖案，并依次實(shí)施曝光、顯像、洗滌、硬化各處理的曝光工序、以及把所述半導(dǎo)體晶片浸漬于蝕刻液中并在所述半導(dǎo)體晶片的所希望的位置進(jìn)行切斷的切斷工序。
全文摘要
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，以能完全防止薄膜基板上形成的電極與半導(dǎo)體元件端部安裝時(shí)等接觸的方式，在具有電極的薄膜基板至少一面安裝的半導(dǎo)體元件中，在與電極相對(duì)的面的所需位置處形成絕緣保護(hù)部，把半導(dǎo)體元件和薄膜基板間的距離設(shè)定為至少10微米以上。
文檔編號(hào)H01L29/06GK1619784SQ20041010478
公開日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2004年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月30日
發(fā)明者東和司, 吉田浩一, 石谷伸治, 光明寺大道 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社