專利名稱：：校正光刻工藝的方法以及疊合記號的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種校正工藝誤差的方法以及疊合記號(OverlayMark)的形成方法，特別是涉及一種校正光刻工藝的方法以及疊合記號的形成方法，其可以避免半導(dǎo)體工藝中利用疊合記號對準(zhǔn)時會發(fā)生對準(zhǔn)測量錯誤的情形。
背景技術(shù)：
：通常決定一晶片的光刻工藝(PhotolithographyProcess)成敗的因素，除了關(guān)鍵尺寸(CriticalDimension)的控制外，另一重要者即為對準(zhǔn)精確度(AlignmentAccuracy)。因此，對準(zhǔn)精確度的測量，即疊合誤差的測量是半導(dǎo)體工藝中重要的一環(huán)。疊合記號是用來測量疊合誤差的工具，其用來判斷以光刻工藝所圖案化的光致抗蝕劑層圖案與晶片上之前一膜層圖案之間是否有精確的對準(zhǔn)。特別是在金屬內(nèi)連線的應(yīng)用上，當(dāng)內(nèi)連線工藝中的鋁導(dǎo)線材料層已全面性地沉積于晶片后，通常會對定義鋁導(dǎo)線曝光后的光致抗蝕劑層及蝕刻后進(jìn)行對準(zhǔn)記號位置及疊合記號的測量及比對，以確定鋁導(dǎo)線精準(zhǔn)地與下層的接觸窗或插塞(Plug)疊合。若有所偏移，即可對下一次定義鋁導(dǎo)線的光致抗蝕劑層曝光時進(jìn)行補(bǔ)償校正。另一方面，疊合記號通常會設(shè)計在晶片上部分芯片周緣的角落處，且其形成方式與金屬內(nèi)連線的工藝一同進(jìn)行。因此，若在金屬內(nèi)連線的工藝中發(fā)生工藝偏差，會連帶影響疊合記號于晶片上的配置關(guān)系，進(jìn)而影響疊合記號的測量結(jié)果。以鋁導(dǎo)線為例，鋁導(dǎo)線的形成利用濺射(Sputtering)的方式來進(jìn)行。在濺射過程中，由于等離子體的產(chǎn)生與等離子體氣體離子(例如氬氣氣體離子)產(chǎn)生的多少有密切的關(guān)系，亦即具有高能量的電子與等離子體氣體原子碰撞機(jī)率的多少，明顯影響濺射行為的進(jìn)行。于是，為了提高等離子體氣體原子離子化的機(jī)率(亦稱濺擊率(SputteringYield))，優(yōu)選的方式就是讓電子從等離子體消失前所行經(jīng)的距離拉長。目前一般常采用的方法為磁控濺射(MagnetronSputtering)法，其于等離子體反應(yīng)室中的靶材上方，額外配置一旋轉(zhuǎn)磁控(RotatableMagnetron)裝置，如此可藉由此磁控裝置所產(chǎn)生的磁場來影響帶電粒子的移動，進(jìn)而使其移動路徑產(chǎn)生偏折，并呈現(xiàn)螺旋式的移動，而有較多的碰撞機(jī)會。由于電子是一重量很輕的粒子，所以有很小的回旋半徑，且會被束縛在磁力線附近。因電子會在磁場附近回旋運(yùn)動，因此磁力線附近會有較高的離子等離子體密度，而有較多的被轟擊離子產(chǎn)生。加上磁鐵于靶材上方以中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)，于是靶材在經(jīng)過一段時間的使用后，靶材轟擊面會呈現(xiàn)近似同心圓的環(huán)溝，而不再是一平坦的表面，如此將造成部分濺射出的金屬原子將有機(jī)會撞擊至環(huán)溝的側(cè)壁，因而造成往靶材中心與外緣方向的濺射率不同。當(dāng)濺射至晶片上的凹洞或溝槽時，將造成靶材中心方向與外緣方向的側(cè)壁的濺射薄膜厚度不相同。而且隨著濺射不斷進(jìn)行，此近似同心圓的起伏表面的輪廓會越來越明顯，且濺射處的磁力線強(qiáng)度也越來越強(qiáng)，進(jìn)而造成如圖1A與圖1B所示的不對稱(Asymmetry)沉積越來越嚴(yán)重。同時，等離子體氣體離子，因受到磁控裝置的磁場影響，將會以小角度偏射至靶材表面，使得濺射出的金屬原子于反射方向的數(shù)量多于其它方向，平行于旋轉(zhuǎn)方向的磁力線其使等離子體氣體離子偏向垂直于旋轉(zhuǎn)方向而造成的不對稱沉積將因磁控裝置旋轉(zhuǎn)而中和，而垂直于旋轉(zhuǎn)方向的磁力線，則造成平行于旋轉(zhuǎn)方向的不對稱沉積。圖1A與圖1B所示，是繪示現(xiàn)有一種利用磁控直流濺射于晶片的光刻對準(zhǔn)或疊合記號中的溝槽部份沉積薄膜的示意圖。由圖1A與圖1B可知，由于靶材的同心圓環(huán)溝的形成及靶材轟擊面的磁力線所影響等離子體氣體離子對于靶材的濺擊角度，進(jìn)而使得于晶片100上所沉積的薄膜102，其在位于開口104側(cè)壁產(chǎn)生不對稱沉積的問題，進(jìn)而使疊合記號的坐標(biāo)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)方向的偏移(RotationShift)(如標(biāo)號106所示)或是放射狀方向的偏移(RadialShift)(如標(biāo)號108所示)問題。因此，由于對準(zhǔn)或疊合記號的測量乃根據(jù)晶片表面的高低差所呈現(xiàn)出不同亮度的界面來定位，當(dāng)金屬于如凹槽側(cè)壁兩邊的不對稱沉積后，再根據(jù)凹槽兩側(cè)高低差所得到兩點(diǎn)的中心點(diǎn)位置便會有所偏移，而且此不對稱沉積會隨著靶材的消耗，偏移量越來越大。當(dāng)然，雖然目前業(yè)界對于光刻工藝產(chǎn)生偏移的問題，可以藉由一些調(diào)整步驟來解決，但是由于每一沉積機(jī)中以及每一次偏移情況都不盡相同，因此該方法并非是一個有效的解決之道。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種校正光刻工藝的方法，以解決現(xiàn)有沉積的薄膜的不對稱沉積的程度會隨著物理氣相沉積(PVD)的靶材消耗量(TargetConsumption)而加劇，進(jìn)而造成后續(xù)定義的金屬導(dǎo)線會與前一層圖案的疊合記號的偏差量產(chǎn)生變化。本發(fā)明的另一目的就是在提供一種疊合記號的形成方法，以解決現(xiàn)有因利用PVD沉積的薄膜而使疊合記號產(chǎn)生偏移，造成疊合記號測量結(jié)果誤判的問題。本發(fā)明的又一目的就是在提供一種校正光刻工藝的方法，以解決隨著工藝所進(jìn)行的次數(shù)的增加，光刻疊合記號的偏移量會隨之改變，而造成疊合記號測量結(jié)果誤判的問題。本發(fā)明提出一種校正光刻工藝的方法，此方法先進(jìn)行物理氣相沉積工藝，以于晶片上沉積薄膜，其中所沉積的薄膜會使該層的光刻疊合記號產(chǎn)生偏移，并隨著PVD的靶材消耗量而造成偏移量的改變，且靶材消耗量與偏移量之間存在有一關(guān)系式，而且此關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中。此控制系統(tǒng)會計算出經(jīng)由薄膜沉積時的靶材消耗量會造成的疊合記號偏移量所須的補(bǔ)償值，并將此補(bǔ)償值回饋于后續(xù)欲進(jìn)行的光刻工藝。接著，在薄膜上形成光致抗蝕劑層。之后，對光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝，其中在進(jìn)行光刻工藝時，控制系統(tǒng)會將補(bǔ)償值回饋于光刻工藝，以校正薄膜沉積時其隨著PVD的靶材消耗量而存在的偏移量變化。特別是，上述于取得補(bǔ)償值的步驟中，可對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的補(bǔ)償值，或是對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的補(bǔ)償值。本發(fā)明提出一種疊合記號的形成方法，此方法適用于一晶片上，且此晶片上已形成有材料層。此方法先于材料層中形成一溝槽圖案，以作為一外部記號。之后，于材料層的表面上形成第一膜層。然后，移除部分的第一膜層，直到材料層暴露出來。繼之，進(jìn)行物理氣相沉積工藝，以于材料層上形成第二膜層，覆蓋第一膜層。其中，所沉積的第二膜層會隨著PVD的靶材消耗量而存在不同的偏移量，且靶材消耗量與偏移量之間存在有一關(guān)系式，而且此關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中。此控制系統(tǒng)會計算出所須的補(bǔ)償值，并將此補(bǔ)償值回饋于后續(xù)欲進(jìn)行的光刻工藝。接著，在第二膜層上形成一光致抗蝕劑層。然后，對光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝，以形成一內(nèi)部記號。其中，在進(jìn)行光刻工藝時，控制系統(tǒng)會將上述的補(bǔ)償值回饋于光刻工藝，以校正薄膜其隨著PVD的靶材消耗量而存在不同的偏移量。特別是，上述于取得補(bǔ)償值的步驟中，可對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的補(bǔ)償值，或是對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的補(bǔ)償值。本發(fā)明提出又一種校正光刻工藝的方法，此方法先進(jìn)行物理氣相沉積工藝，以于晶片上沉積薄膜，其中所沉積的薄膜會使該層的光刻疊合記號產(chǎn)生偏移，并隨著PVD的靶材消耗量而造成偏移量的改變，且靶材消耗量與偏移量之間存在有一關(guān)系式。然后，由此關(guān)系式取得第一補(bǔ)償值。接著，在薄膜上形成光致抗蝕劑層。之后，將此第一補(bǔ)償值與一校正光刻系統(tǒng)的數(shù)據(jù)結(jié)合，以得到一第二補(bǔ)償值。繼之，對光致抗蝕劑層進(jìn)行一光刻工藝，其中在進(jìn)行此光刻工藝時，會將第二補(bǔ)償值回饋于光刻工藝。由于本發(fā)明利用補(bǔ)償值回饋物理氣相沉積工藝或是其它工藝中所存在不同的偏移量，因此可以避免因所形成的疊合記號的位置偏移，而造成疊合記號測量產(chǎn)生錯誤，進(jìn)而造成定義的膜層與前一層膜層無法對準(zhǔn)的問題。而且，此利用PVD靶材消耗量與光刻偏移量的關(guān)系式提供的校正光刻工藝的方法，可結(jié)合現(xiàn)行的任何一種校正光刻工藝的方法一起應(yīng)用。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。圖1A與圖1B是現(xiàn)有一種利用磁控直流濺射于晶片的光刻對準(zhǔn)或疊合記號中的溝槽部份沉積薄膜的示意圖。圖2是金屬內(nèi)連線工藝中一疊合記號的上視示意圖。圖3A至圖3F是依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合記號的制造流程剖面示意圖。圖4是依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的一種校正光刻工藝的步驟流程圖。簡單符號說明100晶片102薄膜104開口106旋轉(zhuǎn)方向偏移108放射狀偏移200基底202；材料層204外部記號206、206a、208金屬層210沉積偏移方向211光致抗蝕劑層212、214內(nèi)部記號(光致抗蝕劑層)216內(nèi)部記號調(diào)整方向201、203、205信號300、302、304、306、308步驟標(biāo)號具體實施方式本發(fā)明的校正光刻工藝的方法以及疊合記號的形成方法是藉由物理氣相沉積中，靶材消耗量與偏移量之間存在的關(guān)系式計算獲得一補(bǔ)償值，并將此補(bǔ)償值回饋于光刻工藝中，以解決現(xiàn)有因疊合記號的對準(zhǔn)測量結(jié)果錯誤，而造成光刻工藝與晶片前層膜層之間的對準(zhǔn)發(fā)生失誤的問題。以下例舉金屬內(nèi)連線工藝中的疊合記號的形成方法來作說明，唯本發(fā)明并非限于金屬內(nèi)連線工藝的應(yīng)用。此外，以下雖僅以偏移量會隨著靶材消耗量而有所變化的物理氣相沉積來說明本發(fā)明的校正光刻工藝的方法的應(yīng)用，唯本發(fā)明并不限定于此，本發(fā)明亦可以應(yīng)用于偏移量會隨著其它工藝所進(jìn)行的次數(shù)的增加，而有所變化的工藝中。圖2所示，其繪示本發(fā)明一優(yōu)選實施例的一疊合記號的上視示意圖；圖3A至圖3F所示，其繪示本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合記號的制造流程剖面示意圖，其為圖2中由I-I’的剖面圖。請同時參照圖2與圖3A，在金屬內(nèi)連線工藝中，首先提供一基底200，其具有一芯片區(qū)以及一疊合記號區(qū)。接著在基底200上沉積一層材料層202，之后進(jìn)行光刻工藝以及蝕刻工藝，以圖案化材料層202，而于芯片區(qū)的材料層202中形成接觸窗開口(未繪示)，其中材料層202的材料例如是絕緣材料。在此同時，會在基底200的疊合記號區(qū)中形成溝槽圖案204，以作為外部記號之用。在一優(yōu)選實施例中，疊合記號的外部記號由四個溝槽圖案204圍成一矩形所構(gòu)成，且溝槽圖案204的寬度遠(yuǎn)大于接觸窗開口的寬度。請參照圖3B，于材料層202上沉積一層金屬層206，此金屬層206會填入芯片區(qū)的接觸窗開口與疊合記號區(qū)的溝槽204中，然而，因接觸窗開口寬度遠(yuǎn)小于溝槽204的寬度，因此接觸窗開口會被金屬層206填滿，而溝槽204不會被金屬層206填滿。請參照圖3C，移除部分的金屬層206，直到材料層202暴露出來。其中，移除的方法例如是進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械研磨工藝，以移除位于芯片區(qū)中的接觸窗開口以外的金屬層206以形成一插塞結(jié)構(gòu)(未繪示)，在此同時，亦會將疊合記號區(qū)中的溝槽204以外的金屬層206移除，而保留下溝槽204內(nèi)的金屬層206a，且金屬層206a不會填滿溝槽204。請參照圖3D，在形成接觸插塞之后，在介電層202上沉積另一層金屬層208，后續(xù)會將芯片區(qū)中的金屬層208定義成與接觸插塞連接的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。而在疊合記號區(qū)中，形成在外部記號處的金屬層208，亦會填入溝槽204內(nèi)，覆蓋金屬層206a，且因溝槽204的寬度足夠大，因此金屬層208亦不會將溝槽204填滿。于此所形成的金屬層208的材料例如是鈦、鈷、鎳、鉭、鎢、鋁、銅等金屬材料。值得注意的是，由于金屬層208采用磁控直流濺射的方式而形成之，因此當(dāng)磁控直流濺射所使用的靶材使用一段時間之后，會發(fā)生先前所述的問題，亦即在靶材轟擊面會形成近似同心圓狀的起伏表面的表面及因旋轉(zhuǎn)磁控的磁場影響到等離子體離子氣體往靶材表面轟擊的入射角。如此將造成如圖3D所示的不對稱沉積的問題，進(jìn)而造成疊合記號偏移。其中，此沉積偏移除了如圖3D所示為遠(yuǎn)離晶片圓心的方向210偏移之外，亦可能朝向晶片圓心的方向偏移或是為一旋轉(zhuǎn)方向偏移106(如圖1A所示)，其中，旋轉(zhuǎn)方向偏移106例如是順時針方向偏移或是逆時針方向偏移。為了消除金屬層208因不對稱沉積所造成后續(xù)疊合記號的測量產(chǎn)生錯誤的情形，本發(fā)明在光刻工藝之前，進(jìn)行如圖4所示的光刻工藝校正步驟。請參照圖4，在現(xiàn)有技術(shù)中，在物理氣相沉積工藝之后(步驟300)，直接或于抗反射層(ARC)或硬式遮蔽層(HardMask)沉積之后進(jìn)行光致抗蝕劑層形成步驟(步驟304)及之后的光刻工藝步驟(步驟306)，以形成圖案化的光致抗蝕劑層，來定義金屬層208。由于所進(jìn)行的物理氣相沉積工藝(步驟300)，于晶片上所沉積的薄膜會隨著PVD的靶材消耗量而存有不同的偏移量，因此靶材消耗量與偏移量之間存在有一關(guān)系式。而本發(fā)明在物理氣相沉積工藝(步驟300)之后，利用上述的PVD靶材消耗量與偏移量的關(guān)系式取得一偏移的補(bǔ)償值(步驟302)，且在進(jìn)行光致抗蝕劑形成步驟(步驟304)之后，進(jìn)行光刻工藝(步驟306)，并且在進(jìn)行光刻工藝(步驟306)時，將所取得的補(bǔ)償值回饋于光刻工藝中。其中，上述的關(guān)系式例如是記錄于一控制系統(tǒng)中，且此控制系統(tǒng)會依照此關(guān)系式以及靶材消耗量而計算出對應(yīng)的補(bǔ)償值，并將此補(bǔ)償值回饋于光刻工藝，而所使用的控制系統(tǒng)例如是一先進(jìn)工藝控制(AdvancedProcessControl，APC)系統(tǒng)。另外，此關(guān)系式例如是將先前記錄于控制系統(tǒng)中的PVD靶材消耗量與對應(yīng)產(chǎn)生的偏移量進(jìn)行統(tǒng)計而取得，且靶材消耗量的單位并無特別的限制，其端視不同情況的需求而定，其例如是千瓦·小時。特別值得一提的是，此控制系統(tǒng)除了提供光刻工藝對應(yīng)的補(bǔ)償值之外，更可同時記錄每一PVD的靶材消耗量以及對應(yīng)產(chǎn)生偏移量(即同時取得新的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù))，用以提供隨時更新靶材消耗量以及偏移量的關(guān)系式。接著，請參照圖3E與圖4，于金屬層208上形成光致抗蝕劑層211(步驟304)。其中光致抗蝕劑層211的形成方法例如是利用旋轉(zhuǎn)涂布法(SpinCoating)以及熱烘烤等等步驟而形成。之后，請參照圖2、圖3F與圖4，對光致抗蝕劑層211進(jìn)行一光刻工藝(步驟306)，以于芯片上的金屬層208上形成一圖案化的光致抗蝕劑層，并于疊合記號區(qū)的金屬層208上形成疊合記號圖案212，以作為一內(nèi)部記號(InnerMark)。其中在進(jìn)行光刻工藝步驟(步驟306)時，控制系統(tǒng)會將先前所計算出的補(bǔ)償值回饋于光刻工藝的對準(zhǔn)與曝光步驟。于光刻工藝之后，進(jìn)行疊合記號的測量步驟，在圖3F中，虛線201所標(biāo)示之處為外部記號204上方的金屬層208于兩轉(zhuǎn)角處(箭頭所指之處)的中心點(diǎn)信號，同樣的虛線203所標(biāo)示之處為內(nèi)部記號212兩邊緣處(箭頭所指之處)的中心點(diǎn)信號。此外，為了詳述本發(fā)明，于圖3F中亦同時標(biāo)示出未經(jīng)補(bǔ)償值回饋而進(jìn)行光刻工藝所得的內(nèi)部記號214及其中心點(diǎn)信號205。在現(xiàn)有技術(shù)中，采用外部記號204的信號201以及內(nèi)部記號214的信號205，判斷內(nèi)部記號是否精確地與外部記號對準(zhǔn)。在此，外部記號為代表前層圖案的疊合記號，而內(nèi)部記號則代表當(dāng)層，即本金屬層所定義的疊合記號，理論上，比對外部記號的中心點(diǎn)與內(nèi)部記號中心點(diǎn)的距離，即可得知當(dāng)層與前層圖案的偏移量。然而，因為信號204產(chǎn)生之處并非表現(xiàn)在中心點(diǎn)之處，且信號205并未進(jìn)行任何的補(bǔ)償值的校正，所以雖然由A與A’的判斷結(jié)果是內(nèi)部記號214與外部記號204對準(zhǔn)，但是事實上，該次光刻工藝已經(jīng)產(chǎn)生偏移，因此后續(xù)若以此光致抗蝕劑層定義金屬層208時，將會造成接觸窗開口無法與導(dǎo)線精確對準(zhǔn)的問題。在本發(fā)明中，雖然無法如現(xiàn)有一般藉由外部記號204的信號201以及內(nèi)部記號212的信號203，判斷內(nèi)部記號是否精確地與外部記號對準(zhǔn)，進(jìn)而判斷該次光刻工藝是否有對準(zhǔn)失誤的情形，其例如是藉由B與B’數(shù)值來判斷是否對準(zhǔn)失誤。但是，藉由補(bǔ)償值直接調(diào)整內(nèi)部記號212形成的位置，以回饋物理氣相沉積中所造成的偏移，仍可以達(dá)到光刻工藝精確對準(zhǔn)的目的。例如，若沉積偏移朝向210方向偏移，則藉由補(bǔ)償值將內(nèi)部記號212的形成位置朝向216方向直接做對應(yīng)的調(diào)整。如此，除了內(nèi)部記號212的形成位置會因補(bǔ)償值的回饋而有所調(diào)整之外，芯片區(qū)中的圖案化的光致抗蝕劑層的位置亦會因此補(bǔ)償值的回饋，而做對應(yīng)的調(diào)整。因此，本發(fā)明利用補(bǔ)償值回饋物理氣相沉積工藝中所造成的偏移，的確可以解決現(xiàn)有因所形成的疊合記號的位置偏移，而造成疊合記號測量產(chǎn)生錯誤的問題。值得一提的是，在步驟302中可以對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的補(bǔ)償值。當(dāng)然，亦可對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的補(bǔ)償值。而且，當(dāng)此補(bǔ)償值使用一段時間之后，除了可以利用由控制系統(tǒng)依照靶材消耗量以及偏移量所計算出的關(guān)系式，重新取得對應(yīng)的補(bǔ)償值，以進(jìn)行光刻工藝之外，更可將記錄于控制系統(tǒng)的多數(shù)筆靶材消耗量以及對應(yīng)產(chǎn)生偏移量的數(shù)據(jù)重新進(jìn)行統(tǒng)計，以獲得更符合沉積機(jī)中所需的關(guān)系式，并利用此關(guān)系式來進(jìn)行之后的光刻工藝。另外，在又一優(yōu)選實施例中，在利用上述的PVD靶材消耗量與偏移量的關(guān)系式取得一偏移的第一補(bǔ)償值(步驟302)之后，亦可先將此第一補(bǔ)償值與其它校正光刻系統(tǒng)的數(shù)據(jù)結(jié)合，以得到另一補(bǔ)償值(第二補(bǔ)償值)，即先進(jìn)行如圖4所示的結(jié)合其它校正光刻系統(tǒng)的方法(步驟308)，之后再進(jìn)行光刻工藝步驟(步驟306)。其中，其它校正光刻系統(tǒng)例如是針對曝光機(jī)中，如此在進(jìn)行光刻工藝步驟(步驟306)之前，便可以針對該次/批次的光刻工藝進(jìn)行多種校正，以提高光刻工藝準(zhǔn)確度。綜上所述，本發(fā)明至少具有下述的優(yōu)點(diǎn)1、由于本發(fā)明利用補(bǔ)償值回饋物理氣相沉積工藝或是其它工藝中所存在不同的偏移量，因此可以避免因所形成的疊合記號的位置偏移，而造成疊合記號測量產(chǎn)生錯誤，進(jìn)而造成定義的膜層與前一層膜層無法對準(zhǔn)的問題。而且，此利用PVD靶材消耗量與光刻偏移量的關(guān)系式提供的校正光刻工藝的方法，可結(jié)合現(xiàn)行的任何一種校正光刻工藝的方法一起應(yīng)用。2、由于本發(fā)明用來儲存關(guān)系式的控制系統(tǒng)除了提供光刻工藝對應(yīng)的補(bǔ)償值之外，更可同時記錄每一PVD的靶材消耗量以及對應(yīng)產(chǎn)生偏移量(即同時取得新的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù))，以便隨時更新此靶材消耗量以及偏移量的關(guān)系式。3、本發(fā)明的方法對于金屬導(dǎo)線定義工藝來說，可以確保在定義導(dǎo)線時，具有優(yōu)選的對準(zhǔn)精確度。而且，利用本發(fā)明來進(jìn)行金屬導(dǎo)線定義工藝，不需如現(xiàn)有一般，為了彌補(bǔ)因光刻工藝中因?qū)?zhǔn)記號及疊合記號的偏移，而于采取個別調(diào)整疊合偏移的補(bǔ)償校正值來解決此偏移所造成的問題，因此可以使得工藝更為簡便。雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種校正光刻工藝的方法，包括進(jìn)行一物理氣相沉積工藝(PVD)，以于一晶片上沉積一薄膜，其中所沉積的該薄膜會隨著該P(yáng)VD的靶材消耗量(TargetConsumption)而存在有一光刻疊合記號的偏移量的改變，且該靶材消耗量與該偏移量之間存在有一關(guān)系式；由該關(guān)系式取得一補(bǔ)償值；在該薄膜上形成一光致抗蝕劑層；以及對該光致抗蝕劑層進(jìn)行一光刻工藝，其中在進(jìn)行該光刻工藝時，會將該補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。2.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中于取得該補(bǔ)償值的步驟中，對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的該補(bǔ)償值。3.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中于取得該補(bǔ)償值的步驟中，對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的該補(bǔ)償值。4.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中該靶材消耗量與該偏移量之間的該關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中，且該控制系統(tǒng)會計算出該補(bǔ)償值，并將該補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。5.如權(quán)利要求4所述的校正光刻工藝的方法，其中該控制系統(tǒng)還同時紀(jì)錄每一PVD中該靶材消耗量以及該偏移量，用以提供隨時更新該關(guān)系式。6.如權(quán)利要求4所述的校正光刻工藝的方法，其中該控制系統(tǒng)包括一先進(jìn)工藝控制(AdvancedProcessControl，APC)系統(tǒng)。7.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為朝向該晶片圓心的方向偏移。8.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為遠(yuǎn)離該晶片圓心的方向偏移。9.如權(quán)利要求1所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為一旋轉(zhuǎn)方向偏移。10.一種疊合記號(OverlayMark)的形成方法，該方法適用于一晶片上，且該晶片上已形成有一材料層，該方法包括于該材料層中形成一溝槽圖案，以作為一外部記號；于該材料層的表面形成一第一膜層；移除部分該第一膜層，直到該材料層暴露出來；進(jìn)行一物理氣相沉積工藝，以于該材料層上形成一第二膜層，覆蓋該第一膜層，其中所沉積的該第二膜層會隨著該P(yáng)VD的靶材消耗量而存在有一光刻疊合記號的偏移量的改變，且該靶材消耗量與該偏移量之間存在有一關(guān)系式；由該關(guān)系式取得一補(bǔ)償值；在該第二膜層上形成一光致抗蝕劑層；以及對該光致抗蝕劑層進(jìn)行一光刻工藝，以形成一內(nèi)部記號，其中在進(jìn)行該光刻工藝時，會將該補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。11.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中于取得該補(bǔ)償值的步驟中，對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的該補(bǔ)償值。12.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中于取得該補(bǔ)償值的步驟中，對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的該補(bǔ)償值。13.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該靶材消耗量與該偏移量之間的該關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中，且該控制系統(tǒng)會計算出該補(bǔ)償值，并將該補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。14.如權(quán)利要求13所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該控制系統(tǒng)更同時紀(jì)錄每一PVD中該靶材消耗量以及該偏移量，用以提供隨時更新該關(guān)系式。15.如權(quán)利要求13所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該控制系統(tǒng)包括一先進(jìn)工藝控制系統(tǒng)。16.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該偏移為朝向該晶片圓心的方向偏移。17.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該偏移為遠(yuǎn)離該晶片圓心的方向偏移。18.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該偏移為一旋轉(zhuǎn)方向偏移。19.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該材料層為一絕緣材料層。20.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該第一膜層為一第一金屬層。21.如權(quán)利要求10所述的疊合記號(OverlayMark)的形成方法，其中該第二膜層為一第二金屬層。22.一種校正光刻工藝的方法，包括進(jìn)行一物理氣相沉積工藝(PVD)，以于一晶片上沉積一薄膜，其中所沉積的該薄膜會隨著該P(yáng)VD的靶材消耗量(TargetConsumption)而存在有一光刻疊合記號的偏移量的改變，且該靶材消耗量與該偏移量之間存在有一關(guān)系式；由該關(guān)系式取得一第一補(bǔ)償值；在該薄膜上形成一光致抗蝕劑層；將該第一補(bǔ)償值與一校正光刻系統(tǒng)的數(shù)據(jù)結(jié)合，以得到一第二補(bǔ)償值；以及對該光致抗蝕劑層進(jìn)行一光刻工藝，其中在進(jìn)行該光刻工藝時，會將該第二補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。23.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中于取得該第一補(bǔ)償值的步驟中，對于每一片晶片皆取得對應(yīng)的該第一補(bǔ)償值。24.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中于取得該第一補(bǔ)償值的步驟中，對于特定片數(shù)的晶片取得對應(yīng)的該第一補(bǔ)償值。25.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中該靶材消耗量與該偏移量之間的該關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中，且該控制系統(tǒng)會計算出該第一補(bǔ)償值，并將與該校正光刻系統(tǒng)的數(shù)據(jù)結(jié)合所得的該第二補(bǔ)償值回饋于該光刻工藝。26.如權(quán)利要求25所述的校正光刻工藝的方法，其中該控制系統(tǒng)還同時紀(jì)錄每一PVD中該靶材消耗量以及該偏移量，用以提供隨時更新該關(guān)系式。27.如權(quán)利要求25所述的校正光刻工藝的方法，其中該控制系統(tǒng)包括一先進(jìn)工藝控制(AdvancedProcessControl，APC)系統(tǒng)。28.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為朝向該晶片圓心的方向偏移。29.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為遠(yuǎn)離該晶片圓心的方向偏移。30.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中該偏移為一旋轉(zhuǎn)方向偏移。31.如權(quán)利要求22所述的校正光刻工藝的方法，其中該校正光刻系統(tǒng)的數(shù)據(jù)來自校正曝光機(jī)中所得的數(shù)據(jù)。全文摘要一種校正光刻工藝的方法，此方法先進(jìn)行物理氣相沉積工藝(PVD)，以于晶片上沉積薄膜，其中所沉積的薄膜會隨著PVD的靶材消耗量其于溝槽或凹洞側(cè)壁的不對稱沉積程度而有所變化，因而造成疊合記號的偏移量有所變化，且靶材消耗量與偏移量之間存在有一關(guān)系式，而且此關(guān)系式記錄于一控制系統(tǒng)中。此控制系統(tǒng)會計算出補(bǔ)償值，并將此補(bǔ)償值回饋于后續(xù)欲進(jìn)行的光刻工藝。接著，在薄膜上形成光致抗蝕劑層。之后，對光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝，其中在進(jìn)行光刻工藝時，由于控制系統(tǒng)會將補(bǔ)償值回饋于光刻工藝，以校正薄膜其隨著PVD的靶材消耗量所造成的偏移，因此可以避免因所形成的疊合記號的位置偏移，而造成疊合記號測量發(fā)生錯誤的問題。文檔編號H01L21/00GK1740912SQ20041006827公開日2006年3月1日申請日期2004年8月27日優(yōu)先權(quán)日2004年8月27日發(fā)明者陳泰原申請人:茂德科技股份有限公司