專利名稱：基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合用于對(duì)形成在基板的周邊部的薄膜進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置等的基板處理裝置及基板處理方法。此外，本發(fā)明涉及適合用于在腐蝕處理后對(duì)基板進(jìn)行清洗處理的清洗裝置等的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術(shù)：
近幾年，取代鋁或鋁合金，利用電阻率低、耐電遷移性高的銅(Cu)作為在半導(dǎo)體晶片等基板上形成電路用的布線材料的動(dòng)向日益顯著。這種銅布線，一般通過在基板的表面設(shè)置的微細(xì)凹坑的內(nèi)部埋入銅來形成。形成該銅布線的方法有CVD、濺射或電鍍的方法，但是，無論哪種方法都是在基板的大致整個(gè)表面上形成銅膜，通過化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)來除去不需要的銅。
銅在半導(dǎo)體制造工序中容易擴(kuò)散到氧化硅膜中，使氧化硅膜的絕緣性變差，所以要求從基板上完全除去形成在電路形成部以外的不需要的銅。尤其在基板的邊緣部(包括邊緣和坡口)形成膜甚至附著的銅，附著在傳送基板的傳送機(jī)械手的臂和收納基板的盒等，該銅進(jìn)行擴(kuò)散，污染其他工序，成為所謂交叉污染的原因。因此，在銅的成膜工序和CMP工序之后，必須立即完全除去在基板的邊緣部形成膜甚至附著的銅。
因此，從過去普遍進(jìn)行向基板供給處理液(腐蝕液)、除去在基板的邊緣部形成膜甚至附著的銅膜的腐蝕處理。該腐蝕處理通過在腔內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)、向旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部供給處理液而進(jìn)行。并且，供給基板的處理液與基板上的銅膜反應(yīng)，并在除去該銅膜之后被回收，再次用于腐蝕處理。
然而，在過去的腐蝕處理方法中產(chǎn)生如下問題由于處理液在從基板離開某種程度的位置向基板供給，到達(dá)基板的處理液飛濺，污染需要高清潔度的腔內(nèi)的氣氛。并且，若采用過去的方法，以基板上的處理液始終更換的方式處理液向基板連續(xù)供給，但是，被供給的處理液中，用于腐蝕的量很少。因此，與實(shí)際上腐蝕所需要的處理液的量相比，不得不向基板供給非常多的處理液，希望減少處理液的使用量。
并且，過去的腐蝕后的清洗處理，一般向整個(gè)基板面大量供給清洗液，這樣，將基板的邊緣部殘存的處理液(腐蝕液)清洗掉。因此，存在的問題是，相對(duì)于需要清洗的部分僅限于基板的邊緣部，向不需要清洗的部分也供給清洗液。并且，當(dāng)大量的清洗液向基板上供給時(shí)，產(chǎn)生包含殘留的處理液的清洗液在基板的表面上或腔內(nèi)飛濺并污染基板的表面上的腐蝕對(duì)象以外的部分的問題。并且，有清洗液附著在腔的壁面等污染腔內(nèi)的氣氛的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決這種過去的問題而做出的，其第1目的是，提供一種基板處理裝置及基板處理方法，能夠不使處理液飛濺向基板供給，能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛，并且能夠減少處理液的使用量。
并且，本發(fā)明的第2目的是，提供一種基板處理裝置及基板處理方法，能夠不使清洗液飛濺僅向基板的需要區(qū)域供給，能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛，并能夠使清洗液的使用量減少。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第1方式的基板處理裝置，其特征在于，具有基板保持部，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)；以及處理液供給部，在旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部以處理液相對(duì)于基板靜止的方式供給該處理液。若采用這樣構(gòu)成的本發(fā)明，能夠不使處理液飛濺向基板上供給處理液。其結(jié)果，能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛，并且使處理液和薄膜的反應(yīng)效率提供，減少處理液的使用量。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，設(shè)置有從基板上除去處理液的處理液除去部。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，上述處理液除去部在結(jié)構(gòu)上吸引基板上的處理液。
這樣，能夠保持基板上存在的處理液的量和存在范圍一定。并且，處理液的絕大部分由處理液除去部除去，從基板上流出的處理液很少，所以，能夠防止腔內(nèi)的氣氛的污染。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，上述處理液除去部具有將吸引的處理液和氣體分離的氣液分離部。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，設(shè)置有再生部，該再生部對(duì)由上述氣液分離部分離后的處理液進(jìn)行再生并供給上述處理液供給部。
這樣，能夠回收處理液再次利用，能夠使所使用的處理液的總量減少。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)上述處理液供給部。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)上述處理液除去部。
這樣，例如將第1處理液供給部配置在基板的邊緣部上方，將第2處理液供給部配置在基板的半徑方向外側(cè)，則能夠切實(shí)處理包括外周端部(側(cè)部)的基板的邊緣部，能夠準(zhǔn)確地處理應(yīng)處理的區(qū)域。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，設(shè)置有向基板的表面供給惰性氣體的凈化機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明的另一方式的基板處理方法，其特征在于，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部以處理液相對(duì)于基板靜止的方式供給該處理液，吸引基板上的處理液。
本發(fā)明的另一方式的基板處理裝置，其特征在于，具有基板保持部，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)；以及清洗液供給部，從基板中心向邊緣部、且與基板的表面成45°以下的仰角開口設(shè)置清洗液噴出口，以0.1m/秒以上的流速向基板的表面供給清洗液。
若采用這樣構(gòu)成的本發(fā)明，能夠使清洗液不飛濺而僅向基板上的需要的區(qū)域供給。其結(jié)果，能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛，并且僅向所需部分供給清洗液，能夠減少其使用量。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，上述清洗液供給部配置在基板的表面附近。這樣，能夠防止清洗液飛濺，對(duì)基板的需要清洗的部分高效率地進(jìn)行清洗。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，具有清洗液的接收部，該接收部配置在與基板的表面相同的平面上，朝向基板上供給清洗液的區(qū)域開口，從該接收部回收清洗液。
這樣，對(duì)基板的需要部進(jìn)行清洗的清洗液由接收部回收，所以，防止清洗液在腔內(nèi)飛濺的問題，并且通過清洗液的回收可以循環(huán)使用。
本發(fā)明的另一方式的基板處理方法，其特征在于，從清洗液噴出口以0.1m/秒以上的流速供給清洗液，對(duì)基板的表面或背面中的至少一個(gè)進(jìn)行清洗，該清洗液噴出口從旋轉(zhuǎn)的基板的中心朝向邊緣部、且與基板的表面成45°以下的仰角開口。
本發(fā)明的另一方式的基板處理方法，其特征在于，向旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部供給處理液，對(duì)基板的邊緣部進(jìn)行處理之后，從清洗液噴出口向包括基板的邊緣部的區(qū)域供給清洗液，除去由處理液進(jìn)行處理后的區(qū)域中殘留的處理液，該清洗液噴出口從基板中心朝向邊緣部、且與基板的表面形成45°以下的仰角。
若采用本發(fā)明，僅向需要部分以不產(chǎn)生其飛濺的方式供給清洗液，所以，防止殘留處理液在基板上的腐蝕對(duì)象以外的部分附著而污染該部分。并且，通過防止腔內(nèi)污染，能夠防止對(duì)處理中和處理后的基板、以及接下來處理的基板的污染。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，從上述清洗液噴出口沿著與基板的表面接近平行的方向朝向基板的邊緣部供給清洗液。
本發(fā)明的良好方式，其特征在于，從清洗液的接收部回收清洗液，該接收部配置在與基板的表面相同的平面上，朝向基板上的供給清洗液的區(qū)域開口。


圖1是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的剖面圖；圖2A是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)的腐蝕部的立體圖，圖2B是圖2A所示的腐蝕部的側(cè)視圖，圖2C是圖2A所示的腐蝕部的俯視圖；圖3A和圖3B是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的藥液供給部的另一例的側(cè)視圖；圖4是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的氣液分離部的概要圖；圖5A是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的氣液分離部和再生部的概要圖，圖5B是表示氣液分離部和再生部的另一例的概要圖；圖6是表示涉及本發(fā)明第2實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的剖面圖；圖7是表示涉及本發(fā)明第2實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)的軋輥軸承座和腐蝕部的立體圖；圖8是表示涉及本發(fā)明第3實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的藥液供給部的側(cè)視圖；圖9A是表示涉及本發(fā)明第4實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的藥液供給部的側(cè)視圖，圖9B是表示涉及本發(fā)明第4實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)的藥液供給部和藥液除去部的另一例的俯視圖；圖10A是表示涉及本發(fā)明第5實(shí)施方式的應(yīng)用于清洗裝置的基板處理裝置的主要部分的側(cè)視圖，
圖10B是圖10A所示的基板處理裝置(清洗裝置)的主要部分的俯視圖；圖11是表示本發(fā)明第5實(shí)施方式的基板處理裝置(清洗裝置)的變形例的側(cè)視圖；圖12A是表示涉及本發(fā)明第6實(shí)施方式的應(yīng)用于清洗裝置的基板處理裝置的主要部分的俯視圖，圖12B是表示圖12A所示的基板處理裝置(清洗裝置)的主要部分的剖面圖；圖13是清洗工序中的基板邊緣部的剖面圖；圖14是表示具有應(yīng)用于本發(fā)明的腐蝕裝置的基板處理裝置的、對(duì)基板進(jìn)行銅電鍍的電鍍裝置的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。而且，在各圖中對(duì)于互相相同一或相當(dāng)?shù)牟考?，?biāo)注同一符號(hào)或類似符號(hào)，省略其重復(fù)的說明。以下記載的實(shí)施方式是為了說明本發(fā)明的目的而記載，本發(fā)明并非限于以下實(shí)施方式。
圖1是表示涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的剖面圖。收容晶片W的腔1具有圓筒形的腔主體1a、以及覆蓋腔主體1a的上端的腔蓋2。腔主體1a在垂直方向上豎立設(shè)置，下側(cè)用底部1b堵塞。腔蓋2形成壓扁的碗形，覆蓋腔主體1a的上端部。腔主體1a的上端部和腔蓋2的外周部緊密接觸，形成為能夠在大氣中密封腔1的內(nèi)部。
底部1b相對(duì)于水平稍微傾斜，在該傾斜的最低部即底部1b和腔主體1 a的連接部，在腔主體1a上形成有兼作排氣和排液的排出管3。
在腔蓋2的中央部形成有開口2a，在垂直方向上貫穿該開口2a設(shè)置有上部軸6。上部軸6在其上端具有圓板狀的凸緣部6a。腔蓋2的開口2a和凸緣6a用波紋狀(折皺狀)的撓性接頭7密封連接。此外，在上部軸6的中心貫穿形成有導(dǎo)管9。惰性氣體供給源12與該導(dǎo)管9相連接，從該惰性氣體供給源12經(jīng)由導(dǎo)管9向晶片W的表面供給氮?dú)?N2)或氬氣(Ar)等惰性氣體。
腔蓋2和上部軸6用連結(jié)部件(未圖示)連結(jié)。該連結(jié)部件具有使上部軸6相對(duì)于腔蓋2移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)，利用該驅(qū)動(dòng)裝置能夠調(diào)節(jié)腔蓋2和上部軸6的相對(duì)位置。上述撓性接頭7與腔蓋2和上部軸6的相對(duì)位置的變化對(duì)應(yīng)而伸縮，能夠維持腔1的內(nèi)部的氣密性。
并且，在上部軸6的下端水平地安裝有圓形平板的上部盤10。上部盤10配置成其下表面與處理對(duì)象的基板即圓形晶片W的表面平行地對(duì)置。優(yōu)選盡量減小上部盤10的下表面和晶片W上表面的間隙S，例如在0.5～20mm范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)節(jié)。優(yōu)選該間隙S為0.8～10mm程度，更好是1～4mm程度，以便經(jīng)由導(dǎo)管9供給的惰性氣體在晶片W的表面上均勻流動(dòng)。通過調(diào)節(jié)該間隙S，能夠用較少量的惰性氣體來保護(hù)晶片W。該間隙S的調(diào)節(jié)能夠通過調(diào)節(jié)上部軸6和腔蓋2的相對(duì)位置來進(jìn)行。而且，由上部軸6、上部盤10和惰性氣體供給源12構(gòu)成凈化機(jī)構(gòu)。
在腔1的內(nèi)部設(shè)置有使晶片W邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)的真空吸盤(基板保持部)11。在該真空吸盤11的內(nèi)部形成有與真空源(未圖示)相連通的通孔11a，該通孔11a與設(shè)置在真空吸盤11的上部的開口部11b相連通。晶片W放置在真空吸盤11的上端面上，由真空源吸附保持在真空吸盤11上。再者，在真空吸盤11上連結(jié)有使真空吸盤11旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)源(未圖示)，由真空吸盤11吸附的晶片W通過驅(qū)動(dòng)源與真空吸盤11一起旋轉(zhuǎn)。在此，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度必須是低速，具體來說，是500min-1以下，最好是5～200min-1。
接著，參照?qǐng)D2說明涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)所具有的腐蝕部。圖2A是表示涉及該實(shí)施方式的基板處理裝置的腐蝕部的立體圖，圖2B是圖2A所示的腐蝕部的側(cè)視圖；圖2C是圖2A所示的腐蝕部的俯視圖。
腐蝕部具有向晶片W供給藥液(處理液)的藥液供給部(處理液供給部)15、以及從晶片W除去藥液的藥液除去部(處理液除去部)20。藥液供給部15具有向晶片W的邊緣部供給藥液的供給噴嘴16、與該供給噴嘴16相連接的藥液導(dǎo)入管17、以及與藥液導(dǎo)入管17相連接的藥液貯存罐18。如圖2B所示，供給噴嘴16在與晶片W的邊緣部鄰接的位置具有開口部16a，藥液貯存罐18內(nèi)的藥液經(jīng)由藥液導(dǎo)入管17從供給噴嘴16的開口部16a供給到晶片W的邊緣部。
在此，晶片的邊緣部是指在晶片的邊緣未形成有電路的區(qū)域，或者在晶片的邊緣即使形成有電路最終也不能夠用作器件的區(qū)域。而且，在本實(shí)施方式中，使用對(duì)銅膜進(jìn)行腐蝕的藥液作為處理液。因此，本實(shí)施方式中的藥液供給部15和藥液除去部20分別構(gòu)成處理液供給部和處理液除去部。
在此，從藥液供給部15供給的藥液是包含無機(jī)酸或有機(jī)酸中的至少一種、還包含作為氧化劑的過氧化氫(H2O2)水或臭氧(O3)水中的至少一種的混合液。無機(jī)酸使用氫氟酸(HF)、鹽酸(HCl)、硝酸(HNO3)、或硫酸(H2SO4)等，有機(jī)酸使用醋酸、甲酸或草酸等。
而且，在成為腐蝕對(duì)象的薄膜是釕膜的情況下，作為從藥液供給部15供給的藥液(處理液)可以是由亞氯酸鹽、亞氯酸鹽或溴酸鹽這樣的鹵素含氧酸鹽溶液所構(gòu)成的強(qiáng)堿性氧化劑溶液。也可以采用氨或四甲基銨氫氧化物或三甲基氨這樣的有機(jī)堿等堿性劑和溴、碘、二氧化氯或臭氧那樣的氧化劑的混合溶液。
在本實(shí)施方式中，從供給噴嘴16供給的藥液的流量和流速設(shè)定得較小。具體來說，最好是藥液的流量為100ml/min以下，更好的是20ml/min以下，更加好的是5ml/min以下。并且，供給噴嘴16的開口部16a和晶片W的表面的距離D最好是5mm以下，更好是1mm以下。
這樣，在以低速旋轉(zhuǎn)的晶片上，從接近晶片的位置供給少量的藥液，所以供給到晶片的藥液相對(duì)于晶片靜止。在此，“藥液相對(duì)于晶片靜止”是指從位于固定位置的藥液供給部15向旋轉(zhuǎn)的晶片供給的藥液，停留在與晶片相接觸的地方，從晶片來看相對(duì)靜止的狀態(tài)。也就是說，供給晶片的藥液在晶片旋轉(zhuǎn)時(shí)不在晶片的旋轉(zhuǎn)方向上移動(dòng)，更不會(huì)因離心力而飛濺到晶片外。因此，若采用本實(shí)施方式，則藥液不從晶片流出，而是停留在晶片上，所以，藥液與晶片接觸的時(shí)間長(zhǎng)，能夠減少藥液使用量。
而且，如圖3A所示，也可以構(gòu)成為供給噴嘴16在晶片W的半徑方向上移動(dòng)。通過這樣構(gòu)成能夠自由調(diào)節(jié)處理目的區(qū)域。這里，處理目的區(qū)域是指在晶片的邊緣部應(yīng)當(dāng)處理的區(qū)域(切邊寬度)，一般從晶片的外周端部(側(cè)部)向內(nèi)側(cè)，設(shè)定為mm單位、例如2～5mm。并且，如圖3B所示，在晶片W的處理后或者晶片W的送出時(shí)也可以使供給噴嘴16從晶片W退讓。通過這樣構(gòu)成能夠很容易地送入和送出晶片。
從藥液供給部15向晶片W供給的藥液由藥液除去部20從晶片W除去。如圖2A所示，該藥液除去部20具有吸引噴嘴21、以及經(jīng)由藥液導(dǎo)出管22與該吸引噴嘴21相連接的吸引源23。該吸引噴嘴21的吸引口(未圖示)在晶片半徑方向上的位置與供給噴嘴16的開口部16a的位置相同。所以，如圖2C所示，由藥液供給部15向晶片W供給的藥液，隨著晶片W的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)到吸引噴嘴21的吸引口，由吸引噴嘴21進(jìn)行吸除。
吸引噴嘴21和晶片W是非接觸的，為了提高藥液的吸引效率，最好是吸引噴嘴21的吸引口盡量接近晶片W。作為吸引源23采用真空泵或噴射器等。
圖4是表示涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)的氣液分離部的概要圖。
如圖4所示，在藥液導(dǎo)出管22中設(shè)置有氣液分離部27。由吸引源23從吸引噴嘴21吸引的藥液和氣體的混合物被導(dǎo)入氣液分離部27的內(nèi)部，僅藥液貯存在氣液分離部27內(nèi)。另一方面，導(dǎo)入到氣液分離部27內(nèi)的氣體由吸引源23吸引。從吸引噴嘴21到吸引源23的路徑，為了提高藥液的吸引效率而確保了氣密性。而且，在氣液分離部27中設(shè)置真空計(jì)和真空壓力調(diào)節(jié)閥，也可以通過調(diào)節(jié)真空壓力來控制藥液除去部20的吸力。
圖5A是表示涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置的氣液分離部和再生部的概要圖，圖5B是表示氣液分離部和再生部的另一例的概要圖。
如圖5A所示，在氣液分離部27的底部連接有再生部32，由氣液分離部27分離的藥液被導(dǎo)入再生部32。被導(dǎo)入到再生部32的藥液由過濾器(未圖示)過濾后，供給上述藥液供給部15的藥液貯存罐18。而且，如圖5B所示，也可以在氣液分離部27中設(shè)置檢測(cè)貯存的藥液的液面位置的液面?zhèn)鞲衅?8，再者，也可以是在藥液吸除結(jié)束后，或者藥液的液面位置達(dá)到預(yù)定位置時(shí)打開閥29，將藥液輸送到再生部32。
這樣，供給到晶片W的藥液，經(jīng)過藥液除去部20、氣液分離部27以及再生部32被回收，從藥液供給部15再次供給晶片W。在本實(shí)施方式中，供給到晶片W的藥液直接在晶片W上被吸引，所以，能夠幾乎不稀釋地回收藥液。也就是說，與以往的、從腔的排出口回收從晶片流出的藥液的方法相比較，藥液的稀釋和污染非常少。再者，在本實(shí)施方式中，由再生部32再生的藥液的濃度下降少，所以，能夠維持重新利用的藥液的處理能力。
接著，說明涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)的動(dòng)作。
在圖1中，首先，用真空吸盤11保持應(yīng)處理的晶片W并使其旋轉(zhuǎn)。然后，向旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部，從藥液供給部15的供給噴嘴16例如供給氫氟酸和過氧化氫的混合液作為腐蝕液。這時(shí)，從導(dǎo)管9朝向晶片W的表面供給氮?dú)獾榷栊詺怏w。
從導(dǎo)管9供給的惰性氣體從晶片W的中心向邊緣部流動(dòng)，所以，能夠通過該惰性氣體的流動(dòng)來防止藥液氣氛和霧流到晶片W的中央部。因此，能夠防止由藥液氣氛和霧造成晶片表面變質(zhì)，并且，能夠防止大氣中的氧和霧的反應(yīng)造成的銅膜氧化。而且，惰性氣體的供給量設(shè)定為藥液氣氛和霧不流到晶片的中央部、而且供給到晶片邊緣部的藥液不向晶片外飛濺的程度的量。
藥液以相對(duì)于旋轉(zhuǎn)的晶片W保持靜止的方式向晶片W上供給。然后，晶片W上的藥液隨著晶片W的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)到藥液除去部20的吸引噴嘴21，由吸引噴嘴21吸除。也就是說，從由藥液供給部15供給到由藥液除去部20除去為止，藥液存在于晶片W上，其間進(jìn)行腐蝕處理。由藥液除去部20吸引的藥液，經(jīng)過氣液分離部27和再生部32供給藥液供給部15，再次從藥液供給部15供給晶片W。當(dāng)腐蝕處理結(jié)束時(shí)，從未圖示的清洗液供給部向晶片W供給超純水，進(jìn)行腐蝕處理所使用的藥液的清洗(沖洗)。
接著參照?qǐng)D6和圖7說明涉及本實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的第2實(shí)施方式。而且，對(duì)未特別說明的結(jié)構(gòu)和工作與第1
圖6是表示涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置的剖面圖。圖7是表示涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置的軋輥軸承座和腐蝕部的立體圖。
在底部1b形成有6個(gè)開口(未圖示)，設(shè)置有貫穿該開口水平地保持晶片W的6個(gè)軋輥軸承座35a～35f。通過6個(gè)軋輥軸承座35a～35f分別同步旋轉(zhuǎn)，使晶片W低速旋轉(zhuǎn)。并且，藥液供給部15和藥液除去部(腐蝕部)20配置在軋輥軸承座35a和35f之間。而且，通過軋輥軸承座35a～35f旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)速度與第1實(shí)施方式相同。
如本實(shí)施方式那樣，即使在使用軋輥軸承座35a～35f作為基板保持部的情況下，也能夠?qū)⑺幰汗┙o部15和藥液除去部20接近晶片W的位置而配置。因此，能夠以藥液相對(duì)于旋轉(zhuǎn)的晶片W靜止的方式供給，并且，能夠從晶片W吸除藥液。
接著，參照?qǐng)D8說明本發(fā)明第3實(shí)施方式。
圖8表示涉及本實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的藥液供給部。
如圖8所示，在本實(shí)施方式中，在供給噴嘴16的前端安裝有海棉36，從海棉36滲出的藥液供給到晶片W的邊緣部。海棉36配置成與晶片W非接觸，海棉36和晶片W的距離與第1實(shí)施方式相同。而且，除海棉以外，也可以使用布等多孔質(zhì)材料。
接著，參照?qǐng)D9A和圖9B說明本發(fā)明第4實(shí)施方式。
圖9A表示涉及本實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置具有的藥液供給部，圖9B表示涉及本實(shí)施方式的基板處理裝置(腐蝕裝置)具有的藥液供給部和藥液除去部的另一例。
如圖9A所示，在晶片W的邊緣部的上方配置有第1供給噴嘴16A，在接近晶片W的邊緣部配置有第2供給噴嘴16B。通過從這樣配置的2個(gè)供給噴嘴16A、16B供給藥液，能夠控制晶片W的處理范圍，并且能夠切實(shí)處理包含晶片W的外周端部的邊緣部。
并且，如圖9B所示，也可以沿著晶片W的圓周方向交替地配置2個(gè)供給噴嘴16A、16B和2個(gè)吸引噴嘴21A、21B。在此情況下，也可以從供給噴嘴16A、16B供給一種藥液，并且也可以從供給噴嘴16A、16B分別供給不同的藥液。無論是哪一種情況，從第1供給噴嘴16A供給的藥液由第1吸引噴嘴21A吸??；從第2供給噴嘴16B供給的藥液由第2吸引噴嘴21B吸取。
供給到晶片W的藥液由藥液除去部除去，但在晶片W上殘留微量的藥液。因此，在基板處理裝置中設(shè)置有用于清洗(沖洗)晶片W的清洗液供給部(未圖示)。清洗液供給部具有配置在晶片W的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊亩鄠€(gè)噴嘴，從噴嘴向晶片W供給清洗液(沖洗液)。而且，使用超純水作為清洗液。
如以上說明的那樣，若采用本發(fā)明，則能夠使處理液不飛濺向基板上供給，所以，能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛，并且能夠提高處理液與基板的反應(yīng)效率，減少處理液的使用量。
接著，參照?qǐng)D10A和圖10B說明涉及本發(fā)明第5實(shí)施方式的應(yīng)用于清洗裝置的基板處理裝置。圖10A是涉及本實(shí)施方式的應(yīng)用于清洗裝置的基板處理裝置的主要部分的側(cè)視圖，圖10B是圖10A所示的基板處理裝置(清洗裝置)的主要部分的俯視圖。圖10A和圖10B所示的基板處理裝置配置在對(duì)銅膜進(jìn)行腐蝕處理的腔(未圖示)內(nèi)。該基板處理裝置也可以與腐蝕處理兼用而使用，也可以作為另外設(shè)置僅用于清洗處理的專用的清洗裝置。該基板處理裝置具有使清洗處理對(duì)象的晶片(基板)W大致保持水平并旋轉(zhuǎn)、由主軸51和臺(tái)子52構(gòu)成的基板保持部54。清洗對(duì)象的晶片W通過真空吸附等固定保持在臺(tái)52的上表面上。在晶片W的表面附近配置有清洗液噴出噴嘴(清洗液供給部)53，清洗液噴出噴嘴53的噴出口53a從晶片W的中心朝向邊緣部、而且與晶片W的表面成45°以下的仰角θ開口。因此，清洗液L與晶片W的表面的入射角度成為45°以下的角度θ。此外，清洗液L以0.1m/s以上的流速供給預(yù)定的清洗對(duì)象區(qū)域。而且，也可以將清洗液噴出噴嘴(清洗液供給部)53配置在晶片W的背面?zhèn)?，并且，也可以配置在晶片W的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)取?br> 清洗液L由具有清洗液供給罐的供給裝置57調(diào)節(jié)為需要的流速，由清洗液噴出噴嘴53噴射。這里，使用適合于將腐蝕處理所使用的殘留處理液(腐蝕液)清除的沖洗液或藥液作為清洗液。
通過清洗液與晶片W的表面成45°以下的角度向所需的清洗區(qū)域噴射，清洗液的水平方向的速度成分大于垂直方向的速度成分。并且，在水平方向的速度成分大的狀態(tài)下，從基板中心向邊緣部供給清洗液。因此，存在于清洗對(duì)象區(qū)域的處理液等迅速地從晶片清洗流出。在進(jìn)行晶片的清洗時(shí)，通過增大從晶片中心朝向邊緣的方向的清洗液的流速，清洗液的更換加快，能夠所使用清洗液量為最小限度，又能夠高效率地進(jìn)行清洗。并且，由于僅向需要清洗的部分供給清洗液，所以能夠進(jìn)一步減少清洗液量。
若射入基板上的清洗液的垂直方向的速度成分大，則由于與晶片的沖擊而造成清洗液飛濺。在本實(shí)施方式中，通過相對(duì)于晶片表面的清洗液的入射角度成45°以下，所以清洗液沖擊到晶片時(shí)的清洗液的垂直方向的速度成分減小，能夠防止清洗液在晶片表面濺起。
根據(jù)以上觀點(diǎn)，最好是盡量減小相對(duì)于晶片表面的入射角度(仰角)，最好是30°以下，更好是15°以下。理想的是將入射角度設(shè)為0°，但是，由于不能夠?qū)⑶逑匆簢姵鰢娮?3等配置成與晶片表面相接觸，所以最好是入射角度(仰角)設(shè)定成清洗液的入射方向盡量與晶片表面相平行。
根據(jù)增大水平方向的速度成分的觀點(diǎn)，清洗液的流速是重要因素。表1表示關(guān)于清洗液的仰角和流速研究了清洗效果的結(jié)果。在該表1中，在縱向上取角度，在橫向取流速。表中○標(biāo)記表示獲得了良好的清洗效果的情況，X標(biāo)記表示未能獲得良好的清洗效果的情況。而且，晶片的旋轉(zhuǎn)速度為100min-1，清洗對(duì)象區(qū)域和清洗液噴出噴嘴的噴出口的間隔為30～50mm。
從表1可知，清洗液的流速為0.1m/s的情況下，用仰角θ為15°～35°能夠獲得良好的清洗效果。并且，若將清洗液的流速設(shè)為1.1m/s，則在仰角θ為15°～60°時(shí)能夠獲得良好的清洗效果。因此，與晶片表面成45°以下的仰角θ供給清洗液，以0.1m/s以上的流速朝向晶片的清洗對(duì)象區(qū)域內(nèi)供給清洗液，能夠獲得良好的清洗效果。尤其，從該表1可知，仰角小對(duì)取得良好的清洗效果比較重要。而且，流速是將清洗液的流量除以清洗液噴出噴嘴的噴出口的開口面積的結(jié)果。
晶片的旋轉(zhuǎn)速度是500min-1以下時(shí)離心力較小，所以，清洗液不從晶片流出而靜止，難以開始清洗液的更換。從晶片內(nèi)側(cè)向外側(cè)以0.1m/s以上的流速供給清洗液，由此低速旋轉(zhuǎn)也能夠有效地清洗。
最好是清洗液噴出噴嘴53能夠移動(dòng)。這樣，能夠?qū)娮?3配置在對(duì)晶片的清洗對(duì)象區(qū)域良好的位置上。并且，在清洗處理后能夠使清洗液噴出噴嘴53從晶片退讓，使晶片的送入和取出較容易。
圖11是表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的主要部分的變形例。在該例中，分別具有噴出口53-1a、53-2a的清洗液噴出噴嘴53-1、53-2配置在晶片W的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)?，這樣，能夠?qū)琖的正反兩面同時(shí)進(jìn)行清洗。因此，作為晶片的基板保持部使用與晶片W的外周端部相接觸、保持晶片W的并使其旋轉(zhuǎn)的卡盤部58。這樣，將清洗液噴出噴嘴53-1、53-2配置在晶片W的正反面?zhèn)龋缟鲜瞿菢?，能夠進(jìn)行基板正反面的同時(shí)清洗。而且，清洗液噴出噴嘴53-1、53-2，不需要對(duì)稱配置，能夠根據(jù)清洗目的任意改變仰角和配置位置等。
圖12A、圖12B和圖13分別表示涉及本發(fā)明第6實(shí)施方式的應(yīng)用于清洗裝置的基板處理裝置。涉及該實(shí)施方式的基板處理裝置(清洗裝置)具有使晶片W大致保持水平并旋轉(zhuǎn)、由卡盤部61a、61b、61c、61d構(gòu)成的基板保持部。而且，也可以使用如圖10A所示的旋轉(zhuǎn)臺(tái)式的基板保持部。并且，該基板處理裝置具有進(jìn)行腐蝕處理的處理部62。從該處理部62向晶片W的邊緣部供給腐蝕液(處理液)，除去形成在邊緣部的銅膜等薄膜。
再者，該基板處理裝置具有在進(jìn)行了晶片W的腐蝕處理后對(duì)晶片W的腐蝕處理對(duì)象區(qū)域中殘留的腐蝕液進(jìn)行清洗的清洗裝置(清洗液供給部)63。清洗裝置63從該清洗液噴出口63a向晶片W的邊緣部的包含腐蝕處理對(duì)象區(qū)域A的區(qū)域B供給清洗液，對(duì)區(qū)域B中殘留的處理液進(jìn)行清除。清洗液的流動(dòng)形成為從晶片W的內(nèi)側(cè)朝向邊緣部沿著半徑方向、而且與晶片W的表面成45°以下的盡量小的仰角。一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)，一邊進(jìn)行該清洗液的供給。并且，在從晶片W的表面的中心向邊緣部供給的清洗液L的液流的延長(zhǎng)線上，設(shè)置有朝向晶片W的清洗液L被供給的區(qū)域開口的清洗液L的接收部65。該接收部65位于和晶片W的表面相同的平面上。接收部65如圖12B所示地具有導(dǎo)水管的形狀，構(gòu)成為接收從晶片W的邊緣部流出的清洗液L。在接收部65上流動(dòng)的處理液經(jīng)過未圖示的排水管回收。
接著，說明該基板處理裝置的工作。首先，用卡盤部61a、61b、61c、61d保持晶片W并使其轉(zhuǎn)動(dòng)。在此狀態(tài)下，向晶片W的邊緣部從處理部62供給腐蝕液，將形成在晶片W的邊緣部的銅膜通過腐蝕清除。通過該腐蝕處理，如圖13所示，除去了銅膜(Cu)的區(qū)域A形成在晶片W上。然后，通過清洗裝置63清洗包含區(qū)域A的區(qū)域B。在該清洗處理中，清洗液從清洗裝置(清洗液供給部)63供給清洗對(duì)象區(qū)域B。這時(shí)，清洗液與晶片W的表面具有入射角度θ，從晶片的中心向邊緣部以0.1m/s以上的流速供給。這里，入射角度θ如上述表1所示，最好是盡量減小。為了清除進(jìn)行過腐蝕處理的區(qū)域A中殘留的處理液，清洗液L被供給的區(qū)域B需要包括區(qū)域A。該情況下，最好是將區(qū)域B設(shè)為盡量小的范圍。若減小區(qū)域B，則能夠盡量減少所使用的清洗液量，而且有效地進(jìn)行清洗。
一邊以較低的速度旋轉(zhuǎn)晶片W，一邊以盡量小的仰角θ且充分的流速來供給清洗液L，能夠高效且可靠地清洗區(qū)域B。若采用該清洗方法，一邊旋轉(zhuǎn)晶片W一邊僅向比較狹小的區(qū)域供給清洗液，所以能夠顯著減少清洗液的使用量。并且，由于清洗液相對(duì)于晶片W的表面的入射角度θ較小，所以防止處理液在晶片W的表面的飛濺。
并且，朝向晶片W的邊緣部供給的清洗液，被導(dǎo)水管形狀的接收部65接收，通過未圖示的排水管進(jìn)行回收。因此，能夠防止從晶片W濺出的清洗液在腔內(nèi)部飛濺，而且能夠回收清洗液重新利用。
而且，上述實(shí)施方式敘述了本發(fā)明實(shí)施例的一種方式。當(dāng)然，不脫離本發(fā)明的宗旨，能夠有各種變形實(shí)施例。
如以上說明的那樣，若采用本發(fā)明，在基板的邊緣部等限定的區(qū)域，以小的仰角供給清洗液，所以，能夠減少清洗液的使用量。并且，能夠防止由清洗液飛濺造成的基板的污染，并且能夠維持腔內(nèi)的清潔氣氛。
接著，參照?qǐng)D14說明具有本發(fā)明實(shí)施方式的應(yīng)用于腐蝕裝置的基板處理裝置的、對(duì)半導(dǎo)體晶片實(shí)施銅電鍍的電鍍裝置。
如圖14所示，電鍍裝置配置在矩形的設(shè)備710內(nèi)，構(gòu)成為能夠連續(xù)地進(jìn)行晶片(基板)的銅電鍍。該設(shè)備710用隔板711分隔成電鍍空間712和清洗空間713，這些各電鍍空間712和清洗空間713能夠分別獨(dú)立地供氣排氣。并且，在上述隔板711上設(shè)置有開關(guān)自如的閘門(未圖示)。并且，清洗空間713的壓力比大氣壓低、而且比電鍍空間712的壓力高，由此，清洗空間713內(nèi)的空氣不會(huì)流出到設(shè)備710的外部，而且，電鍍空間712內(nèi)的空氣不流入清洗空間713內(nèi)。
在上述清洗空間713內(nèi)具有放置基板收納盒的2個(gè)裝卸部715、以及用純水來清洗(沖洗)電鍍處理后的晶片并進(jìn)行干燥的2個(gè)清洗組件716，還具有進(jìn)行晶片傳送的、以固定方式旋轉(zhuǎn)自如的第1機(jī)械手717。例如使用具有向晶片正反兩面供給超純水的清洗液供給噴嘴，使晶片高速旋轉(zhuǎn)而脫水、干燥的形式的組件作為該清洗組件716。
另一方面，在電鍍空間712內(nèi)配置有2個(gè)預(yù)處理組件721，用于對(duì)晶片進(jìn)行電鍍預(yù)處理，用翻轉(zhuǎn)機(jī)720翻轉(zhuǎn)預(yù)處理后的晶片；4個(gè)鍍膜組件722，在晶片的表面上使該表面朝下地實(shí)施銅電鍍處理；以及用于放置保持晶片的2個(gè)第1基板載物臺(tái)723a、723b，還具有進(jìn)行晶片的傳送的、以自動(dòng)行走方式旋轉(zhuǎn)自如的第2機(jī)械手724。
在該電鍍裝置中，配置有位于清洗空間713內(nèi)、用藥液(處理液)對(duì)電鍍后的晶片進(jìn)行腐蝕處理的2個(gè)基板處理裝置(腐蝕裝置)725；以及位于該基板處理裝置725和上述清洗組件716之間的第2基板載物臺(tái)726a、726b，還具有在被2個(gè)基板處理裝置725夾著的位置進(jìn)行晶片的傳送的、以固定方式旋轉(zhuǎn)自如的第3機(jī)械手727。
上述一邊的第1基板載物臺(tái)723b和第2基板載物臺(tái)726b采用能夠?qū)M(jìn)行水洗的結(jié)構(gòu)，并且具有使晶片翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)機(jī)720。
這樣，上述第1機(jī)械手717在放置于上述裝卸部715上的盒、清洗組件716、以及第2基板載物臺(tái)726a、726b之間傳送晶片；第2機(jī)械手724在上述第1基板載物臺(tái)723a、723b、預(yù)處理組件721、以及電鍍成膜組件722之間傳送晶片；第3機(jī)械手727在上述第1基板載物臺(tái)723a、723b、基板處理裝置725、以及第2基板載物臺(tái)726a、726b之間傳送晶片。
并且，在上述設(shè)備710的內(nèi)部?jī)?nèi)置有位于上述第1基板載物臺(tái)723a的下方、收納調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片的容器728，第2機(jī)械手724從容器728中取出調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片，在調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)結(jié)束后再返回容器728中。這樣，將收納調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片的容器728內(nèi)置在設(shè)備710的內(nèi)部，由此能夠防止在調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)從外部送入調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片所伴隨的污染和生產(chǎn)率下降。
而且，如果容器728的配置位置是能夠用任意機(jī)械手取出和收納調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片的位置，在設(shè)備710內(nèi)的任何地方均可，但是通過配置在第1基板載物臺(tái)723a的附近，這樣將從使用了調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)用晶片的調(diào)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)，從預(yù)處理開始經(jīng)過電鍍處理、清洗干燥后收容到容器728內(nèi)。
這里，作為上述機(jī)械手717使用具有落入式的2個(gè)手、設(shè)上側(cè)為干手、設(shè)下側(cè)為濕手的機(jī)械手；作為機(jī)械手724、727使用具有落入式的2個(gè)手、設(shè)兩者均為濕手的機(jī)械手，但是當(dāng)然不僅限于此。
接著，說明該電鍍裝置的晶片的走向概況。晶片使表面(元件形成面、處理面)朝上收納在盒中放置在裝卸部715上。然后，第1機(jī)械手717從盒中取出晶片，移動(dòng)到第2基板載物臺(tái)726a上，把晶片放置在第2基板載物臺(tái)726a上。然后，第3機(jī)械手727將位于第2基板載物臺(tái)726a上的晶片移動(dòng)到第1基板載物臺(tái)723a上。接著，第2機(jī)械手724從第1基板載物臺(tái)723a取得晶片，傳遞到預(yù)處理組件721中，預(yù)處理組件721中的預(yù)處理結(jié)束之后，用翻轉(zhuǎn)機(jī)720來翻轉(zhuǎn)晶片，使晶片表面朝下，再傳遞給第2機(jī)械手724。然后，第2機(jī)械手724將晶片傳遞給電鍍成膜組件722的頭部。
在電鍍成膜組件722中進(jìn)行晶片的電鍍處理和脫液之后，將晶片傳遞給第2機(jī)械手724，第2機(jī)械手724將晶片傳遞給第1基板載物臺(tái)723b。晶片用第1基板載物臺(tái)723b的翻轉(zhuǎn)機(jī)720翻轉(zhuǎn)為表面朝上，用第3機(jī)械手727轉(zhuǎn)移到基板處理裝置725。在基板處理裝置725中實(shí)施過腐蝕處理的晶片，由第3機(jī)械手727來運(yùn)送到第2基板載物臺(tái)726b。接著，第1機(jī)械手717從第2基板載物臺(tái)726b取下晶片，向清洗組件716轉(zhuǎn)移晶片，在清洗組件716中進(jìn)行由純水(包括去離子水)的沖洗和甩干。被干燥后的晶片由第1機(jī)械手717收納在裝卸部715中放置的盒內(nèi)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠應(yīng)用于適合用于對(duì)形成在基板的邊緣部的薄膜進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置等的基板處理裝置和基板處理方法。并且，本發(fā)明能夠應(yīng)用于適合用于在腐蝕處理后對(duì)基板進(jìn)行清洗處理的清洗裝置等的基板處理裝置和基板處理方法。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有基板保持部，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)；以及處理液供給部，在旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部以處理液相對(duì)于基板靜止的方式供給該處理液。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)置有從基板上除去處理液的處理液除去部。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液除去部具有吸引基板上的處理液的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液除去部具有對(duì)吸引的處理液和氣體進(jìn)行分離的氣液分離部。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)置有對(duì)由上述氣液分離部分離后的處理液進(jìn)行再生并供給上述處理液供給部的再生部。
6.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)上述處理液供給部。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)上述處理液除去部。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)置有向基板的表面供給惰性氣體的凈化機(jī)構(gòu)。
9.一種基板處理方法，其特征在于，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)；在旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部以處理液相對(duì)于基板靜止的方式供給該處理液；吸引基板上的處理液。
10.一種基板處理裝置，其特征在于，具有基板保持部，使基板邊保持大致水平邊旋轉(zhuǎn)；以及清洗液供給部，從基板的中心朝向邊緣部、且與基板的表面成45°以下的仰角開口設(shè)置清洗液噴出口，以0.1m/s以上的流速向基板的表面供給清洗液。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，具有配置在與上述基板的表面相同的平面上、朝向基板上被供給清洗液的區(qū)域開口的清洗液的接收部，從該接收部回收清洗液。
12.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，上述清洗液供給部配置在基板的表面附近。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，具有配置在與上述基板的表面相同的平面上、朝向基板上被供給清洗液的區(qū)域開口的清洗液的接收部，從該接收部回收清洗液。
14.一種基板處理方法，其特征在于，從清洗液噴出口以0.1m/s以上的流速供給清洗液，對(duì)基板的表面或背面中的至少一個(gè)進(jìn)行清洗，該清洗液噴出口從旋轉(zhuǎn)的基板的中心朝向邊緣部、且與基板的表面成45°以下的仰角開口。
15.一種基板處理方法，其特征在于，向旋轉(zhuǎn)的基板的邊緣部供給處理液，對(duì)基板的邊緣部進(jìn)行處理之后，從清洗液噴出口向包括基板的邊緣部的區(qū)域供給清洗液，除去由處理液處理后的區(qū)域中殘留的處理液，該清洗液噴出口從基板的中心朝向邊緣部、而且與基板的表面成45°以下的仰角開口。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理方法，其特征在于，沿著與基板的表面接近平行的方向，從上述清洗液噴出口向基板的邊緣部供給清洗液。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理方法，其特征在于，從清洗液的接收部回收清洗液，該接收部配置在與基板的表面相同的平面上，朝向基板上被供給清洗液的區(qū)域開口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置和基板處理方法，適合應(yīng)用于對(duì)形成在基板的邊緣部的薄膜進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置等，還適合應(yīng)用于在腐蝕處理后對(duì)基板進(jìn)行清洗處理的清洗裝置等。用于進(jìn)行腐蝕的基板處理裝置，具有基板保持部(11)，使基板(W)保持大致水平并旋轉(zhuǎn)；以及處理液供給部(15)，在旋轉(zhuǎn)的基板(W)的邊緣部以處理液相對(duì)于基板(W)靜止的方式供給該處理液。此外，對(duì)基板進(jìn)行清洗的基板處理裝置，具有基板保持部(54)，使基板W保持大致水平并旋轉(zhuǎn)；以及清洗液供給部(53)，從基板(W)中心朝向邊緣部、且與基板(W)的表面成45°以下的仰角開口設(shè)置清洗液噴出口(53a)，以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供給清洗液(L)。
文檔編號(hào)H01L21/304GK1879199SQ20038011064
公開日2006年12月13日 申請(qǐng)日期2003年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月30日
發(fā)明者齋藤孝行, 鈴木作, 山田薰, 伊藤賢也, 龜澤正之, 山口健二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所