基板處理設(shè)備及基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于處理基板的設(shè)備及方法，更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種利用電漿處理基板的設(shè)備及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)受前端(FEOL:Front End Of Line)工序的襯底，其厚度超過所需要厚度以上，因而需要經(jīng)由背面研磨(Back Grinding)工序而變薄。然而，厚度過薄，襯底不容易操作(Handling)。因此，為襯底操作，利用粘合劑將載體附著于襯底。載體在作為后續(xù)工序的芯片粘接(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)工序后移除。
[0003]載體移除后，襯底在附著于框架環(huán)上所固定的安裝用帶的狀態(tài)下進(jìn)行操作。安裝用帶不僅使得襯底的操作容易，而且在襯底分離為個(gè)別芯片時(shí)防止芯片散開。
[0004]在移除載體的襯底上，粘合劑移除不完全而留下一部分。殘余粘合劑不容易移除。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種基板處理設(shè)備，其能夠容易地移除在移除載體后襯底上的殘余粘合劑。
[0006]另外，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種能夠防止安裝用帶變性的基板處理設(shè)備。
[0007]另外，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種能夠在工序處理時(shí)防止襯底的扭曲或龜裂的基板處理設(shè)備。
[0008]另外，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種能夠在工序處理時(shí)防止對腔室內(nèi)部單元的損壞(Damage)的基板處理設(shè)備。
[0009]本發(fā)明的目的不限定于此，未提及的其他目的為本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)以下記載而明確理解的。
[0010]本發(fā)明提供一種基板處理設(shè)備。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，基板處理設(shè)備包括:工序腔室，其內(nèi)部形成有空間；支撐單元，其位于工序腔室內(nèi)部，支撐處理對象物；氣體供應(yīng)部，其向工序腔室內(nèi)部供應(yīng)工序氣體；且支撐單元包括:基座；陶瓷環(huán)，其環(huán)繞基座來提供；陶瓷環(huán)在其邊緣區(qū)域處形成有引導(dǎo)設(shè)備，以用于誘導(dǎo)處理對象物與基座之間空氣的排出。
[0011]引導(dǎo)設(shè)備以從陶瓷環(huán)的頂部延長至底部的形態(tài)或從陶瓷環(huán)的頂部延長至與底部隔開恒定距離的位置的形態(tài)來提供。
[0012]處理對象物包括:框架環(huán)；安裝用帶，其固定于框架環(huán)的內(nèi)側(cè)面；以及完成背面研磨的襯底，其附著于安裝用帶的頂部；且引導(dǎo)設(shè)備從陶瓷環(huán)的外側(cè)面向內(nèi)側(cè)面形成至與框架環(huán)的底部相向的區(qū)域。
[0013]在處理對象物與陶瓷環(huán)之間提供間隙。
[0014]還包括阻塞構(gòu)件，其覆蓋安裝用帶，以使得安裝用帶不暴露于電漿。
[0015]另外，本發(fā)明提供一種基板處理方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，基板處理方法包括:將完成背面研磨的襯底附著于在框架環(huán)上所固定的安裝用帶以構(gòu)成處理對象物的步驟；使處理對象物位于基座的步驟；以及，利用激發(fā)成電漿的工序氣體來移除襯底表面的粘合劑殘余物的步驟。
[0016]該方法的特征在于，在使處理對象物位于基座的步驟中，該處理對象物經(jīng)配置使框架環(huán)的底部與引導(dǎo)設(shè)備相向。
[0017]該方法的特征在于，在移除粘合劑殘余物的步驟中，將該安裝用帶及該框架環(huán)由阻塞環(huán)覆蓋。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，完全移除在移除載體后襯底上的殘余粘合劑。
[0019]另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，切斷安裝用帶暴露于電漿，因而防止安裝用帶的變性。
[0020]另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為誘導(dǎo)安裝用帶與基座之間空氣的排出，在陶瓷環(huán)上提供引導(dǎo)設(shè)備等，從而能夠容易地進(jìn)行空氣的排出，在工序進(jìn)行時(shí)防止襯底的扭曲或龜裂等。
【附圖說明】
[0021]圖1為示出本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備中提供的處理對象物的立體圖。
[0022]圖2至圖8為依次示出制作圖1所示的處理對象物的過程圖。
[0023]圖9為簡要不出本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備的剖面圖。
[0024]圖10為示出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陶瓷環(huán)的立體圖。
[0025]圖11為示出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基座與阻塞構(gòu)件的俯視圖。
[0026]圖12為展示沿圖11的A-A’線截取的支撐單元320與阻塞構(gòu)件350的剖面圖。
[0027]圖13為示出本發(fā)明另一實(shí)施例的陶瓷環(huán)的立體圖。
[0028]圖14及圖15為示出本發(fā)明實(shí)施例的利用在處理空間內(nèi)部實(shí)施電漿的發(fā)生及處理對象物的處理的基板處理設(shè)備圖。
[0029]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0030]30:基板處理設(shè)備
[0031]50:處理對象物
[0032]51:襯底
[0033]51a:襯底
[0034]51b:襯底
[0035]51c:襯底
[0036]52:硅貫通電極
[0037]52c:襯底
[0038]53:凸塊
[0039]54:載體
[0040]55:粘合劑
[0041]55a:粘合劑/粘合層
[0042]61:芯片粘接
[0043]62:底部填充
[0044]63:成型
[0045]71:框架環(huán)
[0046]72:安裝用帶
[0047]310:工序腔室
[0048]311:主體
[0049]312:密閉蓋
[0050]313:排氣孔
[0051]314:擴(kuò)散空間
[0052]317:排氣管線
[0053]320:支撐單元
[0054]322:基座
[0055]324:陶瓷環(huán)
[0056]324a:容納槽
[0057]324b:引導(dǎo)設(shè)備
[0058]324c:墊片
[0059]330:擋板
[0060]331:分配孔
[0061]340:氣體供應(yīng)部
[0062]342:氣體埠
[0063]344:氣體供應(yīng)管線
[0064]346:氣體儲(chǔ)集部
[0065]350:阻塞構(gòu)件
[0066]351:阻塞環(huán)
[0067]352:主體
[0068]353:內(nèi)側(cè)部
[0069]354:外側(cè)部
[0070]355:升降構(gòu)件
[0071]361:移動(dòng)桿
[0072]362:第一桿
[0073]363:第二桿
[0074]364:第三桿
[0075]365:托片
[0076]368:驅(qū)動(dòng)部
[0077]370:電漿源
[0078]372:天線
[0079]374:電源
[0080]410:排氣板
[0081]411:排氣孔
[0082]G:間隙
【具體實(shí)施方式】
[0083]以下參照附圖，更詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例可變形為多種方式，不得解釋為本發(fā)明的范圍限定于以下實(shí)施例。本發(fā)明實(shí)施例用于向本領(lǐng)域技術(shù)人員更完全地說明本發(fā)明。因此，為更明確地強(qiáng)調(diào)說明，對附圖中組件的形狀進(jìn)行夸大。
[0084]圖1為示出本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備中提供的處理對象物的立體圖，圖2至圖8為依次示出制作圖1所示的處理對象物的過程圖。
[0085]如圖1至圖8所不，提供如圖2所不完成如端(FEOL)工序的襯底51。在襯底51上，如圖3所示依次形成有硅貫通電極(TSV !Through Silicon Via) 52及粘合于載體54的凸塊53。載體54作為硅或玻璃材質(zhì)的板，當(dāng)襯底51經(jīng)過背面研磨工序時(shí)，因厚度非常薄而難以操作，因而，要提供來用于襯底51的操作。載體54通過粘合劑55而粘合于襯底51頂部。
[0086]為減小封裝(Package)的組裝尺寸，將附著有載體54的襯底51提供至背面研磨(Back Grinding)工序。經(jīng)受前端(FEOL)工序的襯底51由于厚度不必要地過厚，因而如圖4所示，在背面研磨工序中將襯底51背面研磨得極薄。
[0087]背面研磨工序后，襯底51a如圖5所示進(jìn)行倒裝(flip)、芯片粘接(chipbonding)61。而且，如圖6所示，依次進(jìn)行底部填充(under fill)62與成型(molding)63工序。
[0088]如圖7所示，完成成型63工序的襯底51b附著于在框架環(huán)71所固定的安裝用帶72上?？蚣墉h(huán)71為具有大于襯底51b的半徑的環(huán)形狀，其以不銹鋼(Stainless)或SUS材質(zhì)來提供。安裝用帶72作為厚度較薄的薄膜，薄膜本身難以支撐襯底51b，因而將其