專利名稱：樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，特別是涉及裝載了多個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
圖8以現(xiàn)有的MCP(多芯片封裝)為例示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在該圖中，1是支撐半導(dǎo)體芯片的管芯底座，2是通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3其背面被粘結(jié)在管芯底座1的一面即在圖8中的上表面上的第1半導(dǎo)體芯片，4是通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3其背面被粘結(jié)在管芯底座1的另一面即在圖8中的下表面上的第2半導(dǎo)體芯片，5是用于第1、第2半導(dǎo)體芯片2、4與圖中未示出的外部電路連接的外部引線，6是連接第1半導(dǎo)體芯片2的電路面和外部引線5的金屬絲，7是同樣地連接第2半導(dǎo)體芯片4的電路面和外部引線5的金屬絲，8是密封樹(shù)脂，如圖所示那樣覆蓋并密封管芯底座1、第1、第2半導(dǎo)體芯片2、4、金屬絲6、7及外部引線5的內(nèi)端部。
還有，圖9是示出裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。該半導(dǎo)體器件將上述的第1半導(dǎo)體芯片2和第2半導(dǎo)體芯片4采用同一尺寸與圖8同樣地構(gòu)成，進(jìn)一步，通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3將第3半導(dǎo)體芯片9的背面粘結(jié)到第1半導(dǎo)體芯片2的電路面上，在用金屬絲10與外部引線5連接的同時(shí)，由密封樹(shù)脂8如圖所示那樣覆蓋各半導(dǎo)體芯片2、4、9及金屬絲6、7、10。

發(fā)明內(nèi)容現(xiàn)有的MCP如上述那樣構(gòu)成，在圖8所示的裝載2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件中，由于各半導(dǎo)體芯片的厚度約為0.2mm，從外部引線5的下表面到密封樹(shù)脂8的上表面的整個(gè)高度Ha為0.9～1.2mm。與此相反，由于要求更進(jìn)一步的薄型化，當(dāng)將上表面一側(cè)及下表面一側(cè)的密封樹(shù)脂的厚度減薄時(shí)，存在金屬絲6、7露出于封裝表面的問(wèn)題。還有，如圖9所示，當(dāng)裝載3個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，雖然通過(guò)將各半導(dǎo)體芯片的厚度減薄到0.09～0.15mm，從外部引線5的下表面到密封樹(shù)脂8的上表面的整個(gè)高度Hb與圖8的情況大體相同，為0.9～1.2mm，但是，通過(guò)單純的減薄各結(jié)構(gòu)部件的厚度以達(dá)到器件的薄型化，也存在制造上的極限正在顯現(xiàn)出來(lái)的問(wèn)題。
本發(fā)明是為了應(yīng)對(duì)上述問(wèn)題而進(jìn)行的，目的在于提供即使不減薄各結(jié)構(gòu)部件的厚度也能夠減薄半導(dǎo)體器件的整個(gè)高度的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為具備下述構(gòu)件的結(jié)構(gòu)電路面粘結(jié)在管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)在該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別與外部引線連接的金屬絲；以及使上述管芯底座的另一面露出那樣地覆蓋上述管芯底座及上述第1、第2半導(dǎo)體芯片以及上述金屬絲的密封樹(shù)脂，從而可謀求裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的薄型化。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為具備下述構(gòu)件的結(jié)構(gòu)電路面粘結(jié)在管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)在該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的背面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別與外部引線連接的金屬絲；以及使上述管芯底座的另一面露出那樣地覆蓋上述管芯底座及上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片以及上述金屬絲的密封樹(shù)脂，從而可謀求裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的薄型化。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為具備下述構(gòu)件的結(jié)構(gòu)電路面粘結(jié)在管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)在該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的電路面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別與外部引線連接的金屬絲；以及使上述管芯底座的另一面露出那樣地覆蓋上述管芯底座及上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片以及上述金屬絲的密封樹(shù)脂，從而可謀求裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的薄型化。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為具備下述構(gòu)件的結(jié)構(gòu)電路面粘結(jié)在管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)在該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別與外部引線連接的金屬絲以及使上述管芯底座的另一面及上述第2半導(dǎo)體芯片的背面露出那樣地覆蓋上述管芯底座及上述第1、第2半導(dǎo)體芯片以及上述金屬絲的密封樹(shù)脂，從而可謀求裝載2個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件進(jìn)一步薄型化。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為在上述第2半導(dǎo)體芯片的背面的一部分上形成缺口部的結(jié)構(gòu)，從而可謀求提高半導(dǎo)體芯片與密封樹(shù)脂的緊密接觸性。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件作成為將上述外部引線的內(nèi)端大致彎折成L字形的結(jié)構(gòu)，從而可謀求提高半導(dǎo)體器件制造上的加工裕量。
還有，本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件使上述外部引線的彎折成大致呈L字形的前端部背面從上述密封樹(shù)脂露出，作為外部端子，使外部引線和其它的電路部的連接變得容易。


圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施例1的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況的一個(gè)例子的圖。
圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施例2的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況的一個(gè)例子的圖。
圖3是示出實(shí)施例2的一個(gè)例子的剖面圖。
圖4是示出本發(fā)明的實(shí)施例3的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況的另外一個(gè)例子的圖。
圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施例4的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施例5的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施例6的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖8是作為現(xiàn)有的MCP的例子示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖9是作為現(xiàn)有的MCP的例子示出裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1以下，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例1。圖1是示出實(shí)施例1的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況的一個(gè)例子的圖。在該圖中，1是支撐半導(dǎo)體芯片的管芯底座，15是通過(guò)聚酰亞胺或者環(huán)氧樹(shù)脂等的絕緣性粘結(jié)劑3其電路面被粘結(jié)在管芯底座的一面即在圖1中的下表面上的第1半導(dǎo)體芯片，16是通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3其背面被粘結(jié)到第1半導(dǎo)體芯片15的背面上的第2半導(dǎo)體芯片，5是用于第1、第2半導(dǎo)體芯片15、16與沒(méi)有圖示的外部電路連接的外部引線，17是連接第1半導(dǎo)體芯片15的電路面和外部引線5的金屬絲，18是同樣地連接第2半導(dǎo)體芯片16的電路面和外部引線5的金屬絲，8是密封樹(shù)脂，在使管芯底座1的另一面露出的狀態(tài)下如圖中所示那樣地覆蓋管芯底座1、第1、第2半導(dǎo)體芯片15、16、金屬絲17、18即外部引線5的內(nèi)部端并將其密封。
實(shí)施例1如上述那樣構(gòu)成，通過(guò)在管芯底座1的一面上粘結(jié)第1半導(dǎo)體芯片15的電路面，在將第1半導(dǎo)體芯片15的電路面保護(hù)起來(lái)與外界隔絕的同時(shí)，通過(guò)將管芯底座1的另一面露出于外界，能夠使半導(dǎo)體器件整體的厚度減薄。在圖1的情況下，從外部引線5的下表面到密封樹(shù)脂8的上表面，即到管芯底座1的另一面的整個(gè)高度為0.7mm。
實(shí)施例2其次，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例2。圖2是示出實(shí)施例2的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了3個(gè)半導(dǎo)體芯片情況的一個(gè)例子的圖。在該圖中對(duì)與圖1相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以同一符號(hào)而省略其說(shuō)明。與圖1的不同點(diǎn)在于通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3將第2半導(dǎo)體芯片19的電路面粘結(jié)到第1半導(dǎo)體芯片15的背面上，在用金屬絲20將第2半導(dǎo)體芯片19的電路面連接到外部引線5上的同時(shí)，通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3將第3半導(dǎo)體芯片21的背面粘結(jié)到第2半導(dǎo)體芯片19的背面上，用金屬絲22連接該電路面和外部引線5。
實(shí)施例2如上述那樣構(gòu)成，各半導(dǎo)體芯片15、19、21的厚度與圖9的情況同樣，通過(guò)減薄到0.09～0.15mm并露出管芯底座1的另一面，從外部引線5的下表面到管芯底座1的另一面的整個(gè)高度Hd與圖1一樣，能夠作到0.7mm。
此外，在圖2的粘結(jié)狀態(tài)下使第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片15、19、21上下反轉(zhuǎn)，如圖3所示，也能夠作成為通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3將第3半導(dǎo)體芯片21的電路面粘結(jié)到管芯底座1的一面上的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，整個(gè)高度Hd沒(méi)有變化。
實(shí)施例3接著，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例3。圖4是示出實(shí)施例3的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖，是示出裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況的另一個(gè)例子的圖。在該圖中，對(duì)與圖1相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以同一符號(hào)而省略其說(shuō)明。與圖1的不同點(diǎn)在于通過(guò)絕緣性粘結(jié)劑3將圖1中的第2半導(dǎo)體芯片16的電路面粘結(jié)到第1半導(dǎo)體芯片15的背面上，使第2半導(dǎo)體芯片16的背面也露出于外界。
即使第2半導(dǎo)體芯片16的背面露出于外界也不至影響器件的可靠性。
通過(guò)作成這樣的結(jié)構(gòu)，從外部引線5的下表面到管芯底座1的另一面的整個(gè)高度He為0.5mm，能夠比圖1的情況更薄。
實(shí)施例4接著，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例4。圖5是示出實(shí)施例4的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。在該圖中，對(duì)與圖4相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以同一符號(hào)而省略其說(shuō)明。與圖4的不同點(diǎn)在于在圖4中的第2半導(dǎo)體芯片16的背面的整個(gè)周長(zhǎng)上形成缺口部。即，在圖5中，23是在第2半導(dǎo)體芯片16的背面的整個(gè)周長(zhǎng)上形成的缺口部，用刻蝕或者切割法按照在圖5中的上下方向尺寸大致為50μm、左右方向尺寸大致為100μm的程度形成。
由于在圖4中的第2半導(dǎo)體芯片16的側(cè)面上在制造階段附著異物的情況下、不能確保與密封樹(shù)脂8的充分的緊密接觸性，該缺口部23就是以提高密封樹(shù)脂8與第2半導(dǎo)體芯片16的緊密接觸性為目的而形成的。
實(shí)施例5接著，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例5。圖6是示出實(shí)施例5的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。在該圖中，對(duì)與圖4相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以同一符號(hào)而省略其說(shuō)明。與圖4的不同點(diǎn)在于將外部引線5的內(nèi)端彎折成大致呈L字形。即，在圖6中，24是在外部引線5的內(nèi)端形成的大致為L(zhǎng)字形的彎折部，當(dāng)用金屬絲18連接圖4中的第2半導(dǎo)體芯片16的電路面和外部引線5時(shí)，因?yàn)槭窃诩庸ぴＡ坎怀浞值那闆r下形成的，通過(guò)將金屬絲18連接到L字形的彎折部24的前端部24A上，能夠提高加工裕量。
實(shí)施例6接著，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例6。圖7是示出實(shí)施例6的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。在該圖中，與圖6相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以同一符號(hào)而省略其說(shuō)明。與圖6的不同點(diǎn)在于使L字形彎折部24的前端部24A的背面露出于外界，在露出部分上設(shè)置與外部連接用的端子25。該L字形彎折部24A的背面即使露出于外界也不至影響器件的可靠性。
由于作成這樣的結(jié)構(gòu)，使與外部引線5的其它電路部的連接變得容易，使準(zhǔn)確的布線成為可能。
由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂，通過(guò)2個(gè)半導(dǎo)體芯片，例如存儲(chǔ)器和微型計(jì)算機(jī)芯片或者SRAM和閃速存儲(chǔ)器等的組合能夠使電路小型化，使高集成化的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的厚度減薄。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的背面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂，能夠裝載3個(gè)半導(dǎo)體芯片，進(jìn)一步減薄高集成化的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的厚度。還有，由于3個(gè)半導(dǎo)體芯片中的2個(gè)是背面彼此之間粘結(jié)的，能夠作成相同尺寸的半導(dǎo)體芯片。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的電路面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂，能夠裝載3個(gè)半導(dǎo)體芯片，進(jìn)一步減薄高集成化的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的厚度。還有，由于3個(gè)半導(dǎo)體芯片內(nèi)的2個(gè)是背面彼此之間粘結(jié)的，能夠作成相同尺寸的半導(dǎo)體芯片。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面及上述第2半導(dǎo)體芯片的背面露出的密封樹(shù)脂，能夠使裝載了2個(gè)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件的厚度更薄。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件在上述第2半導(dǎo)體芯片的背面的一部分上形成缺口部，即使在制造階段有異物等附著在露出于外界的第2半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上，也能夠使第2半導(dǎo)體芯片與密封樹(shù)脂充分地粘附。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件將上述外部引線的內(nèi)端彎折成大致呈L字形，能夠充分地提高用金屬絲連接半導(dǎo)體芯片和外部引線時(shí)的加工裕量。
還有，由于本發(fā)明的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件使上述外部引線的彎折成大致呈L字狀的前端部背面從上述密封樹(shù)脂露出，作成外部端子，使準(zhǔn)確的布線成為可能。
權(quán)利要求
1.一種樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂。
2.一種樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的背面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂。
3.一種樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；背面被粘結(jié)到該第2半導(dǎo)體芯片的電路面上的第3半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2、第3半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面露出的密封樹(shù)脂。
4.一種樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備將電路面粘結(jié)到管芯底座的一面上的第1半導(dǎo)體芯片；電路面被粘結(jié)到該第1半導(dǎo)體芯片的背面上的第2半導(dǎo)體芯片；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線上的金屬絲；以及覆蓋上述管芯底座、上述第1、第2半導(dǎo)體芯片及上述金屬絲使得上述管芯底座的另一面及上述第2半導(dǎo)體芯片的背面露出的密封樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求4所述的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述第2半導(dǎo)體芯片的背面的一部分上形成缺口部。
6.如權(quán)利要求4或5所述的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于將上述外部引線的內(nèi)端彎折成大致呈L字形。
7.如權(quán)利要求6所述的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件，其特征在于使上述外部引線的彎折成大致呈L字形的前端部背面從上述密封樹(shù)脂露出，作成外部端子。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，提供一種即使不減薄半導(dǎo)體器件各結(jié)構(gòu)部件的厚度也能夠使半導(dǎo)體器件的整個(gè)高度減薄的樹(shù)脂密封型半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)具備將電路面粘結(jié)到管芯底座1的一面上的第1半導(dǎo)體芯片15；背面被粘結(jié)到讀第1半導(dǎo)體芯片15的背面上的第2半導(dǎo)體芯片16；將上述各半導(dǎo)體芯片分別連接到外部引線5上的金屬絲17、18；以及覆蓋上述管芯底座1、上述第1、第2半導(dǎo)體芯片15、16及上述金屬絲17、18使得上述管芯底座1的另一面露出的密封樹(shù)脂8。
文檔編號(hào)H01L25/065GK1453867SQ0215707
公開(kāi)日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2002年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者板東晃司, 石井秀基 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社