專(zhuān)利名稱(chēng)：雙晶片覆晶體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體元件，特別是一種雙晶片覆晶體。
早期晶片封裝覆晶體包括將一晶片封裝于覆晶體內(nèi)。然而，縱使其體積再小，也只能并置于電路板上，而受限于電路板的面積，所以并無(wú)法放置更多的覆晶體，因此使電路板上所能擺設(shè)的覆晶體的個(gè)數(shù)受到限制。
如

圖1所示，早期的覆晶體模組，其覆晶體101僅能在固定的電路板102面積上設(shè)置，無(wú)法擴(kuò)充其數(shù)量。
后來(lái)，為了減小電路板的空間設(shè)置，在同樣大小的電路板上設(shè)置更多的覆晶體。于是，針對(duì)早期晶片封裝結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，提出了目前可堆疊式的覆晶體。該可堆疊覆晶體可往上堆疊，因此，覆晶體的數(shù)量不會(huì)因?yàn)殡娐钒迳系拿娣e而受限制。然而，該可堆疊的覆晶體仍有缺失存在。即此種結(jié)構(gòu)的覆晶體不易散熱，而且，若與早期的晶片封裝結(jié)構(gòu)比較，可堆疊式的覆晶體雖可節(jié)省占用電路板的面積，但在材料上的應(yīng)用上并沒(méi)有比早期的覆晶體減少，因此也不符合環(huán)保概念，成本仍然很高。
如圖2所示，目前可堆疊式覆晶體201，其一可堆疊式的覆晶體201可使另一可堆疊式覆晶體21得以連接于其上，而其他覆晶體201亦可繼續(xù)往上堆疊，其數(shù)量系根據(jù)需求而定。
而在現(xiàn)今的社會(huì)里，產(chǎn)品若欲受到消費(fèi)者的歡迎及廠(chǎng)商的喜愛(ài)，就必須不斷追求進(jìn)步，不僅要成本低、應(yīng)用空間大，還要符合環(huán)保觀(guān)念。
本實(shí)用新型的目的是提供一種成本低、占用電路板空間小、符合環(huán)保意識(shí)的雙晶片覆晶體。
本實(shí)用新型包括以背對(duì)背疊置的第一晶片及第二晶片；第一晶片及第二晶片正面具有焊墊區(qū)，并于焊墊區(qū)上設(shè)有復(fù)數(shù)以供打線(xiàn)的焊墊。
其中第一晶片下方設(shè)有承置第一晶片的基板。
基板具有設(shè)置復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第一表面；基板第一表面上的復(fù)數(shù)接點(diǎn)經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)與第一晶片上的復(fù)數(shù)焊墊電連接。
基板第一表面設(shè)有復(fù)數(shù)球狀導(dǎo)體。
基板具有設(shè)置復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第二表面；基板第二表面的上的復(fù)數(shù)接點(diǎn)經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)與第二晶片上的復(fù)數(shù)焊墊電連接。
基板上設(shè)有與第一晶片焊墊區(qū)相對(duì)應(yīng)的鏤空區(qū)；并于鏤空區(qū)內(nèi)填滿(mǎn)固定及保護(hù)金屬導(dǎo)線(xiàn)的絕緣黏劑。
第一、二晶片及基板上方設(shè)有封裝于第一、二晶片及基板表層的封裝體。
背對(duì)背疊置的第一、二晶片之間具有黏膠層，以令第二晶片藉由黏膠層固定于第一晶片上。
由于本實(shí)用新型包括以背對(duì)背疊置的第一晶片及第二晶片；第一晶片及第二晶片正面具有焊墊區(qū)，并于焊墊區(qū)上設(shè)有復(fù)數(shù)以供打線(xiàn)的焊墊。其背對(duì)背疊置的第一、二晶片可節(jié)省占用電路板的面積，并可節(jié)省材料，不僅成本低、占用電路板空間小，而且符合環(huán)保意識(shí)，從而達(dá)到本實(shí)用新型的目的。
圖1、為習(xí)用覆晶體并列于電路板上示意圖。
圖2、為可堆疊覆晶體堆疊于電路板上示意圖。
圖3、為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意側(cè)視圖。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
如3圖所示，本實(shí)用新型包括以背對(duì)背疊置的第一晶片301、第二晶片302、基板303及封裝體314。背對(duì)背疊置的第一、二晶片301、302之間具有黏膠層312，以令第二晶片302藉由黏膠層312固定于第一晶片301上。
第一晶片301及第二晶片302正面分別具有焊墊區(qū)308，并于焊墊區(qū)308上設(shè)有復(fù)數(shù)以供打線(xiàn)(wire bonding)的焊墊309。
基板303具有第一、二表面304、305，并于第一表面304具有復(fù)數(shù)接點(diǎn)313及復(fù)數(shù)為球狀導(dǎo)體的金屬球311。于第二表面305具有復(fù)數(shù)接點(diǎn)313。于基板303上設(shè)有鏤空區(qū)306。為了使復(fù)數(shù)金屬球311散布于基板303第一表面304上，亦可于基板303上根據(jù)需要增加鏤空區(qū)306的數(shù)量。
為球狀導(dǎo)體的金屬球311系含有鉛及錫成份，其系由網(wǎng)印方式制作而成，并以一對(duì)一的方式與基板303的第一表面304及第二表面305的復(fù)數(shù)接點(diǎn)313電連接。
第一晶片301置于基板303上，令其上焊墊區(qū)308相對(duì)基板303的鏤空區(qū)306。第一晶片301以其上的復(fù)數(shù)焊墊309經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)307以打線(xiàn)(wirebonding)技術(shù)與基板303的第一表面304的復(fù)數(shù)接點(diǎn)313電連接，并于基板303的鏤空區(qū)306內(nèi)填滿(mǎn)環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy-based resin)絕緣黏劑310。
第二晶片302上的復(fù)數(shù)焊墊309亦經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)307以打線(xiàn)(wirebonding)技術(shù)與基板303的第二表面305的復(fù)數(shù)接點(diǎn)313電連接。
封裝體314系封裝于第一、二晶片301、302及基板303表層。
由上所述，本實(shí)用新型成本較低、符合經(jīng)濟(jì)效益及符合環(huán)保概念。
權(quán)利要求1.一種雙晶片覆晶體，其特征在于它包括以背對(duì)背疊置的第一晶片及第二晶片；第一晶片及第二晶片正面具有焊墊區(qū)，并于焊墊區(qū)上設(shè)有復(fù)數(shù)以供打線(xiàn)的焊墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的于第一晶片下方設(shè)有承置第一晶片的基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的基板具有設(shè)置復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第一表面；基板第一表面上的復(fù)數(shù)接點(diǎn)經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)與第一晶片上的復(fù)數(shù)焊墊電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的基板第一表面設(shè)有復(fù)數(shù)球狀導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的基板具有設(shè)置復(fù)數(shù)接點(diǎn)的第二表面；基板第二表面的上的復(fù)數(shù)接點(diǎn)經(jīng)由復(fù)數(shù)金屬導(dǎo)線(xiàn)與第二晶片上的復(fù)數(shù)焊墊電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的基板上設(shè)有與第一晶片焊墊區(qū)相對(duì)應(yīng)的鏤空區(qū)；并于鏤空區(qū)內(nèi)填滿(mǎn)固定及保護(hù)金屬導(dǎo)線(xiàn)的絕緣黏劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的第一、二晶片及基板上方設(shè)有封裝于第一、二晶片及基板表層的封裝體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙晶片覆晶體，其特征在于所述的背對(duì)背疊置的第一、二晶片之間具有黏膠層，以令第二晶片藉由黏膠層固定于第一晶片上。
專(zhuān)利摘要一種雙晶片覆晶體。為提供一種成本低、占用電路板空間小、符合環(huán)保意識(shí)的半導(dǎo)體元件,提出本實(shí)用新型,它包括以背對(duì)背疊置的第一晶片及第二晶片;第一晶片及第二晶片正面具有焊墊區(qū),并于焊墊區(qū)上設(shè)有復(fù)數(shù)以供打線(xiàn)的焊墊。
文檔編號(hào)H01L21/50GK2450782SQ0025383
公開(kāi)日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2000年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月29日
發(fā)明者杜修文, 彭國(guó)峰, 陳文銓, 何孟南, 邱詠盛, 陳明輝, 葉乃華 申請(qǐng)人:勝開(kāi)科技股份有限公司