、熔絲元件F30以及選通晶體管M30，所述選通晶體管M30的柵極適于輸入選通信號SEL3。所述編程電壓輸入端N30、所述熔絲元件F30以及所述選通晶體管M30的具體連接關系可參考對所述電熔絲存儲單元20的描述，在此不再贅述。
[0053]所述基準PMOS管組31的結構與所述可編程PMOS管組21的結構相同。具體地，所述基準PMOS管組31包括N個基準PMOS管:基準PMOS管P31、基準PMOS管P32、...、基準PMOS管P3N。所述N個基準PMOS管的源極相連并適于輸入所述編程電壓Vp ;所述N個基準PMOS管的漏極耦接所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30，在本實施例中，所述N個基準PMOS管的漏極直接與所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30相連；所述N個基準PMOS管的柵極對應接收所述N位數(shù)字信號，每個基準PMOS管的柵極對應接收一位數(shù)字信號，每位數(shù)字信號對應控制一個基準PMOS管飽和導通或截止。
[0054]具體地，所述基準PMOS管P31的柵極接收所述數(shù)字信號Dl，所述基準PMOS管P32的柵極接收所述數(shù)字信號D2，...，所述基準PMOS管P3N的柵極接收所述數(shù)字信號DN。所述基準PMOS管的尺寸與所述可編程PMOS管的尺寸相同，進一步，若所述N個可編程PMOS管的尺寸均相同，則所述N個基準PMOS管的尺寸也相同，且與所述可編程PMOS管的尺寸相同；若所述N個可編程PMOS管的尺寸不相同，則接收相同數(shù)字信號的基準PMOS管和可編程PMOS管的尺寸相同，即:所述基準PMOS管P31的尺寸和所述可編程PMOS管P21的尺寸相同，所述基準PMOS管P32的尺寸和所述可編程PMOS管P22的尺寸相同，..?，所述基準PMOS管P3N的尺寸和所述可編程PMOS管P2N的尺寸相同。
[0055]所述電壓比較器32的第一輸入端適于輸入?yún)⒖茧妷篤ref，所述參考電壓Vref的電壓值等于所述編程電壓Vp的設計值，所述電壓比較器32的第二輸入端連接所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30。所述電壓比較器32適于比較所述參考電壓Vref和所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30的電壓，在所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30的電壓高于所述參考電壓Vref時產(chǎn)生第一比較信號，否則產(chǎn)生第二比較信號。
[0056]若所述電壓比較器32的第一輸入端為所述電壓比較器32的正端、所述電壓比較器32的第二輸入端為所述電壓比較器32的負端，則所述第一比較信號為低電平信號、所述第二比較信號為高電平信號；若所述電壓比較器32的第一輸入端為所述電壓比較器32的負端、所述電壓比較器32的第二輸入端為所述電壓比較器32的正端，則所述第一比較信號為高電平信號、所述第二比較信號為低電平信號。
[0057]所述N位計數(shù)器33適于接收所述電壓比較器32輸出的比較信號，并在所述比較信號的控制下對時鐘脈沖CLK進行計數(shù)以產(chǎn)生所述N位數(shù)字信號。所述N位計數(shù)器33為可逆計數(shù)器，具體地，所述N位計數(shù)器33在接收到所述第一比較信號時對所述時鐘脈沖CLK進行正向計數(shù)，所述N位計數(shù)器33在接收到所述第二比較信號時對所述時鐘脈沖CLK進行反向計數(shù)。需要說明的是，所述時鐘脈沖CLK可以由獨立的時鐘脈沖信號發(fā)生器提供。在本實施例中，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22還包括適于產(chǎn)生所述時鐘脈沖CLK的時鐘脈沖產(chǎn)生單元34，所述時鐘脈沖產(chǎn)生單元34可以為RC振蕩電路、環(huán)形振蕩器等時鐘信號產(chǎn)生電路。
[0058]對所述電熔絲存儲單元21進行編程時，施加所述編程電壓Vp至所述N個可編程PMOS管相連的源極和所述N個基準PMOS管相連的源極，施加高電平的選通信號SEL2至所述選通晶體管M20的柵極，施加高電平的選通信號SEL3至所述選通晶體管M30的柵極。由于所述基準PMOS管組31的結構和所述可編程PMOS管組21的結構相同，所述基準存儲單元30的結構和所述電熔絲存儲單元20的結構相同，且所述基準PMOS管組31和所述可編程PMOS管組21均由所述N位數(shù)字信號控制，因此，所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端的電壓N30的電壓與所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端的電壓N20的電壓相等。
[0059]當所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30的電壓高于所述參考電壓Vref時，表示所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端N20的電壓值大于所述編程電壓Vp的設計值，所述電壓比較器32產(chǎn)生所述第一比較信號，所述N位計數(shù)器33在所述第一比較信號的控制下對所述時鐘脈沖CLK進行正向計數(shù)，所述N位數(shù)字信號中低電平信號數(shù)量減少、高電平信號數(shù)量增多，減少所述可編程PMOS管組21中處于飽和導通狀態(tài)的可編程PMOS管的數(shù)量，所述可編程PMOS管組21的等效阻抗增大，使所述可編程PMOS管組21的壓降增大，所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端N20的電壓減?。?br>[0060]當所述基準存儲單元30的編程電壓輸入端N30的電壓不大于所述參考電壓Vref時，表示所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端N20的電壓值不大于所述編程電壓Vp的設計值，所述電壓比較器32產(chǎn)生所述第二比較信號，所述N位計數(shù)器33在所述第二比較信號的控制下對所述時鐘脈沖CLK進行反向計數(shù)，所述N位數(shù)字信號中高電平信號數(shù)量減少、低電平信號數(shù)量增多，增加所述可編程PMOS管組21中處于飽和導通狀態(tài)的可編程PMOS管的數(shù)量，所述可編程PMOS管組21的等效阻抗減小，使所述可編程PMOS管組21的壓降減小，所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端N20的電壓增大。
[0061]本實施例提供的所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22采用的是環(huán)路校準，其產(chǎn)生的數(shù)字信號能夠實時地跟隨所述編程電壓Vp變化，提高了所述電熔絲存儲單元20的編程電壓輸入端N20的電壓精度。
[0062]圖4是本發(fā)明實施例提供的另一種所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22的具體電路結構，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22包括檢測單元41和存儲單元42。所述檢測單元41適于檢測所述編程電壓Vp的電壓值以產(chǎn)生與所述編程電壓Vp的電壓值對應的控制信號，所述存儲單元42適于存儲與所述編程電壓的電壓值對應的N位數(shù)字信號，并在接收到所述控制信號時產(chǎn)生與所述編程電壓的電壓值對應的N位數(shù)字信號，所述存儲單元42可以為N位寄存器。
[0063]具體地，通過多次實驗可以獲得所述編程電壓Vp的電壓值與所述N位數(shù)字信號的一一對應關系。以四位數(shù)字信號為例，經(jīng)過多次實驗知曉:當所述編程電壓Vp的電壓值為Pl時，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22需要提供OOOl的四位數(shù)字信號；當所述編程電壓Vp的電壓值為P2時，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22需要提供0011的四位數(shù)字信號；當所述編程電壓Vp的電壓值為P3時，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22需要提供0111的四位數(shù)字信號；當所述編程電壓Vp的電壓值為p4時，所述數(shù)字信號產(chǎn)生單元22需要提供1111的四位數(shù)字信號。因此，電壓值為Pl對應數(shù)字信號0001，電壓值為p2對應數(shù)字信號0011，電壓值為p3對應數(shù)字信號0111，電壓值為p4對應數(shù)字信號1111，所述存儲單元42存儲0001、0011、0111、111