存儲器電路及其刷新方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于存儲器電路，特別是有關(guān)于存儲器電路的刷新方法以及應(yīng)用此刷新方法的存儲器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]由于半導(dǎo)體制造工藝微縮，存儲器產(chǎn)品中字線與字線間的互相干擾日益嚴重。在存儲器產(chǎn)品中，當(dāng)某一存儲器區(qū)塊中的多個字線在經(jīng)過連續(xù)存取之后，與該多個字線相鄰的多個字線會因此被干擾而造成所述相鄰字線中的數(shù)據(jù)遺失(cell leak)。有鑒于此，本發(fā)明提出一種存儲器電路及其刷新方法來解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種存儲器電路及其刷新方法，用以解決存儲器產(chǎn)品中相鄰字線由于相互干擾而造成數(shù)據(jù)遺失的問題。
[0004]本發(fā)明的一實施例提供一種存儲器電路。該存儲器電路包括一存儲器陣列以及一存儲器控制器。該存儲器陣列具有多個存儲器區(qū)塊，其中每一該存儲器區(qū)塊對應(yīng)設(shè)置多個字線。該存儲器控制器輸出一存取指令以定址所述字線而存取該存儲器陣列。該存儲器控制器每當(dāng)輸出一刷新指令，則在一刷新周期中循序地對每一所述存儲器區(qū)塊進行刷新操作。其中于該刷新周期，該存儲器控制器于至少一第一時間點，中斷該刷新操作而對所述存儲器區(qū)塊中的一第一存儲器區(qū)塊進行一強制刷新操作，之后再回復(fù)該刷新操作；或是其中該存儲器控制器每隔一特定時間，從所述存儲器區(qū)塊中找出于該特定時間內(nèi)被存取次數(shù)最多的一第二存儲器區(qū)塊，以進行該強制刷新操作。
[0005]本發(fā)明的一實施例一種存儲器電路刷新方法。該存儲器電路刷新方法用以刷新一存儲器陣列中的多個存儲器區(qū)塊。該存儲器電路刷新方法包括輸出一存取指令以定址字線而存取該存儲器陣列；每當(dāng)存儲器控制器輸出一刷新指令，則在一刷新周期中循序地對每一所述存儲器區(qū)塊進行刷新操作；以及于該刷新周期，該存儲器控制器于至少一第一時間點，中斷該刷新操作而對所述存儲器區(qū)塊中的一第一存儲器區(qū)塊進行一強制刷新操作，之后再回復(fù)該刷新操作；或是在每隔一特定時間，該存儲器控制器從所述存儲器區(qū)塊中找出于該特定時間內(nèi)被存取次數(shù)最多的一第二存儲器區(qū)塊，以進行該強制刷新操作。
[0006]本發(fā)明的存儲器電路通過刷新操作加強維護存儲器區(qū)塊的存儲數(shù)據(jù)，從而解決了存儲器產(chǎn)品中相鄰字線由于相互干擾而造成數(shù)據(jù)遺失的問題。
【附圖說明】
[0007]圖1是依據(jù)本發(fā)明的一第一實施例實現(xiàn)的一存儲器電路10的區(qū)塊圖。
[0008]圖2是以流程圖說明第二和第三實施例的存儲器電路刷新方法。
[0009]圖3是以流程圖說明第四實施例的存儲器電路刷新方法。
[0010]符號說明:
[0011]10?存儲器電路；
[0012]100?存儲器控制器；
[0013]101?指令解碼器；
[0014]102?刷新地址解碼器；
[0015]110?檢測器；
[0016]111-1 In?存取計數(shù)器；
[0017]120?存儲器陣列；
[0018]121-12n?存儲器區(qū)塊。
【具體實施方式】
[0019]本發(fā)明所附圖示的實施例或例子將如以下說明。本發(fā)明的范疇并非以此為限。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)能知悉在不脫離本發(fā)明的精神和架構(gòu)的前提下，當(dāng)可作些許更動、替換和置換。在本發(fā)明的實施例中，元件符號可能被重復(fù)地使用，本發(fā)明的數(shù)種實施例可能共用相同的元件符號，但為一實施例所使用的特征元件不必然為另一實施例所使用。
[0020]圖1是依據(jù)本發(fā)明的一第一實施例實現(xiàn)的一存儲器電路10的區(qū)塊圖。在第一實施例中，存儲器電路10包括一存儲器控制器100、一檢測器110以及一存儲器陣列120。存儲器控制器100包括一指令解碼器101、一刷新地址解碼器102以及多個存取計數(shù)器111?lln，其中指令解碼器101分別耦接刷新地址解碼器102以及多個存取計數(shù)器111?lln。存儲器控制器100接收一指令輸入，輸出一存取指令、一刷新指令或是一中斷刷新指令至存儲器陣列120。檢測器110耦接存儲器控制器100以及存儲器陣列120。指令解碼器101接收上述指令輸入，輸出上述存取指令至存儲器陣列120，以及輸出刷新信息或強制中斷信息至刷新地址解碼器102。刷新地址解碼器102依據(jù)刷新信息輸出上述刷新指令至存儲器陣列120，或是依據(jù)強制中斷信息輸出上述中斷刷新指令至存儲器陣列120。存儲器陣列120包括多個存儲器區(qū)塊121?12η。每一多個存儲器區(qū)塊121?12η皆對應(yīng)設(shè)置相同數(shù)量的多個字線。存取計數(shù)器111用以在一既定時間內(nèi)計數(shù)對應(yīng)的存儲器區(qū)塊121被存取的次數(shù)。同理，多個存取計數(shù)器112?lln亦分別用以在該既定時間內(nèi)計數(shù)對應(yīng)的多個存儲器區(qū)塊122?12η被存取的次數(shù)。在第一實施例中，該既定時間等于該刷新周期。因此，每一多個存取計數(shù)器111?lln計數(shù)每一多個存儲器區(qū)塊121?12η在該刷新周期內(nèi)被存取的次數(shù)。
[0021]在第一實施例中，指令解碼器101接收該指令輸入，并判斷該指令輸入是否為一存取指令，例如一 ACT (Act1n)命令。若該指令輸入為一存取指令，則指令解碼器101輸出該存取指令以定址該多個字線而存取存儲器陣列120。刷新地址解碼器102接收來自指令解碼器101的刷新信息，并依據(jù)刷新信息輸出該刷新指令至存儲器陣列120。存儲器控制器100再依據(jù)該刷新指令在一刷新周期中對存儲器陣列120的每一多個存儲器區(qū)塊121?12η進行刷新操作。此外，值得注意的是在存儲器陣列120對某一存儲器區(qū)塊(例如，存儲器區(qū)塊125)執(zhí)行完刷新操作之后，指令解碼器101就會重置某一存儲器區(qū)塊對應(yīng)的存取計數(shù)器(例如，存取計數(shù)器115)中的一計數(shù)值，其中該計數(shù)值為存儲器區(qū)塊125被存取的次數(shù)(例如，存儲器區(qū)塊125接收ACT命令的次數(shù))。
[0022]本發(fā)明的一第二實施例舉例說明本發(fā)明的存儲器電路10如何刷新存儲器陣列120。本發(fā)明的第二實施例沿用第一實施例所述的存儲器電路10。為求方便理解，在第二實施例中，存儲器陣列120具有8個存儲器區(qū)塊121?128 (η = 8)。每一存儲器區(qū)塊121?128皆設(shè)置有8Κ條字線。因此，存儲器陣列120總共設(shè)置有64Κ條字線。在第二實施例中，指令解碼器101選定要執(zhí)行強制刷新操作一第一存儲器區(qū)塊，其中該第一存儲器區(qū)塊可由存儲器控制器100指定得到；或是，存儲器電路10上的檢測器110會檢測多個存儲器區(qū)塊121?12η得到目前數(shù)據(jù)保存功能最差的存儲器區(qū)塊(即衰弱存儲器區(qū)塊)，并告知指令解碼器101將其作為該第一存儲器區(qū)塊；或是，在制造存儲器陣列120時，燒保險絨絲決定該第一存儲器區(qū)塊。
[0023]在第二實施例中，指令解碼器101選定存儲器區(qū)塊122作為該第一存儲器區(qū)塊，但本發(fā)明并不以此為限。接著，指令解碼器101發(fā)出刷新信息至刷新地址解碼器102。刷新信息包括存儲器區(qū)塊122的區(qū)塊信息以及執(zhí)行強制刷新操作的至少一第一時間點。在第二實施例中，指令解碼器101選定存儲器陣列120對存儲器區(qū)塊124執(zhí)行完刷新操作的時間點作為該第一時間點。刷新地址解碼器102接收來自指令解碼器101的刷新信息，并依據(jù)刷新信息輸出一刷新指令至存儲器陣列120。該刷新指令包括要被執(zhí)行刷新操作的所述字線的存儲器地址順序。因此，存儲器陣列120得以依據(jù)該刷新指令中的存儲器地址順序在一刷新周期中對每一多個存儲器區(qū)塊121?128進行刷新操作。
[0024]當(dāng)存儲器陣列120開始執(zhí)行該刷新指令，存儲器陣列120先從存儲器區(qū)塊121的第一條字線刷新至最后一條字線，并依此循序地對存儲器區(qū)塊121?124進行刷新操作。當(dāng)存儲器陣列120刷新完存儲器區(qū)塊124的最后一條字線時(即到達上述第一時間點時)，存儲器陣列120中斷原先的刷新操作，并開始對第一存儲器區(qū)塊122進行一強制刷新操作。在存儲器陣列120強制刷新完第一存儲器區(qū)塊122的最后一條字線之后，存儲器陣列120再回頭循序地對存儲器區(qū)塊125?128進行刷新操作。借由上述方法，第一存儲器區(qū)塊122在一刷新周期中的刷新頻率會是其他存儲器區(qū)塊121和123?128的兩倍。
[0025]在第二實施例中，指令解碼