，第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4用于提供參考電壓。
[0084]其中，第三存儲單元列130包括至少一個存儲單元。圖5中舉例示出第三存儲單元列130包括包含第三存儲單元131在內(nèi)的至少I個存儲單元。第三存儲單元131可為第三存儲單元列130中的任意一個存儲單元。其中，第三存儲單元列130包括的上述至少一個存儲單元用于存儲數(shù)據(jù)，其中，所述第三存儲單元列130中的每個存儲單元中可包括一個鐵電電容以及一個晶體管。
[0085]類似的，控制電路200還可用于，在讀取第三存儲單元130列中的第三存儲單元131中所存儲數(shù)據(jù)時，根據(jù)第三存儲單元131的輸出信號，以及第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4提供的參考電壓，獲得第三存儲單元131中所存儲的數(shù)據(jù)；在讀取出了第三存儲單元131所存儲的數(shù)據(jù)后，將與讀取的第三存儲單元131中所存儲的所述數(shù)據(jù)的取值相同的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4，將與讀取的第三存儲單元131中所存儲的所述數(shù)據(jù)的取值不同的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck3。
[0086]例如假設(shè)讀取的第三存儲單元131中所存儲的數(shù)據(jù)的取值為“1”，則在讀取出了第三存儲單元131所存儲的數(shù)據(jù)之后，將取值為“I”的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4，并將取值為“O”的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck3。假設(shè)，讀取的第三存儲單元131中所存儲的數(shù)據(jù)的取值為“0”，則在讀取出了第三存儲單元131所存儲的數(shù)據(jù)之后，將取值為“O”的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4，將取值為“I”的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck3。可以理解，讀取第三存儲單元列130中的其它存儲單元中所存儲數(shù)據(jù)之后，第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4的數(shù)據(jù)回寫機制可以此類推。
[0087]其中，相比于圖4所示的控制電路200，圖5所示的控制電路200還進一步包括第三電壓放大器SA3、第二三極管Q34和第三使能反相器F3。
[0088]其中，第二三極管Q34的第一端連接第三參考單元Ck3的位線，第二三極管Q34的第二端連接第四參考單元Ck4，其中，第二三極管Q34的第一端和第二端均不是第二三極管Q34的導通控制端。例如，第二三極管Q34的第一端可為第二三極管Q34的源極，并且第二三極管Q34的第二端可為第二三極管Q34的漏極，或，第二三極管Q34的第二端為第二三極管Q34的源極，并且第二三極管Q34的第一端為第二三極管Q34的漏極。
[0089]第三使能反相器F3的輸入端連接第三參考單元Ck3的位線，第三使能反相器F3的輸出端連接第四參考單元Ck4的位線。
[0090]第三電壓放大器SA3的放大信號輸入端連接第三存儲單元列130中的第三存儲單元131的位線BL3，第三電壓放大器SA3的參考電壓輸入端連接第三參考單元Ck3的位線。
[0091]其中，圖5示出第三參考單元Ck3與第一存儲單元111可共用相同的位線；第四參考單元Ck4與第二存儲單元121共用相同的位線。當然，也可調(diào)整圖5所示架構(gòu)，使得第三參考單元Ck3與第一存儲單元111不共用相同的位線，和/或，第四參考單元Ck4與第二存儲單元121不共用相同的位線。
[0092]進一步的，參見圖6，相比于圖5所示的鐵電存儲器，圖6所示的鐵電存儲器還進一步包括第四存儲單元列140。
[0093]其中，所述第四存儲單元列140包括至少一個存儲單元。圖6中舉例示出第四存儲單元列140包括包含第四存儲單元141在內(nèi)的至少I個存儲單元。第四存儲單元141可為第四存儲單元列140中的任意一個存儲單元。其中，第四存儲單元列140包括的上述至少一個存儲單元用于存儲數(shù)據(jù)，其中，第四存儲單元列140中的每個存儲單元中可包括一個鐵電電容以及一個晶體管。
[0094]類似的，控制電路200還可用于，在讀取第四存儲單元140列中的第四存儲單元141中所存儲數(shù)據(jù)時，根據(jù)第四存儲單元141的輸出信號，以及第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4提供的參考電壓，獲得第四存儲單元141中所存儲的數(shù)據(jù)；在讀取出了第四存儲單元141所存儲的數(shù)據(jù)后，將與讀取的第四存儲單元141中所存儲的所述數(shù)據(jù)的取值相同的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck2，將與讀取的第四存儲單元141中所存儲的所述數(shù)據(jù)的取值不同的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4。
[0095]例如假設(shè)讀取的第四存儲單元141中所存儲的數(shù)據(jù)的取值為“1”，則在讀取出了第四存儲單元141所存儲的數(shù)據(jù)之后，將取值為“I”的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4，并將取值為“I”的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck3。假設(shè)，讀取的第四存儲單元141中所存儲的數(shù)據(jù)的取值為“0”，則在讀取出了第四存儲單元141所存儲的數(shù)據(jù)之后，將取值為“ I ”的數(shù)據(jù)寫入第四參考單元Ck4，將取值為“O”的數(shù)據(jù)寫入第三參考單元Ck3。可以理解，讀取第四存儲單元列140中的其它存儲單元中所存儲數(shù)據(jù)之后，第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4的數(shù)據(jù)回寫機制可以此類推。
[0096]其中，相比于圖5所示的控制電路200，圖6所示的控制電路200還可進一步包括第四電壓放大器SA4和第四使能反相器F4。
[0097]第四使能反相器F4的輸入端連接所述第四參考單元Ck4的位線，第四使能反相器F4的輸出端連接第三參考單元Ck3的位線。第四電壓放大器SA4的放大信號輸入端連接第四存儲單元列140中的第四存儲單元141的位線BL4，第四電壓放大器SA4的參考電壓輸入端連接第四參考單元Ck4的位線。
[0098]其中，圖6示出第一參考單元Ckl與第三存儲單元131可共用相同的位線。第二參考單元Ck2與第四存儲單元141共用相同的位線。當然，也可調(diào)整圖6所示架構(gòu)，使得第一參考單元Ckl與第三存儲單元131不共用相同的位線，和/或，第二參考單元Ck2與第四存儲單元141不共用相同的位線。
[0099]其中，第一三極管Q12可為P型場效應(yīng)三極管或N型場效應(yīng)三極管。
[0100]其中，第二三極管Q34可為P型場效應(yīng)三極管或N型場效應(yīng)三極管。
[0101]可選的，第一電壓放大器SAl可為交叉耦合型電壓靈敏放大器或其它類型的電壓放大器。第二電壓放大器SA2可為交叉耦合型電壓靈敏放大器或其它類型的電壓放大器。第三電壓放大器SA3可為交叉耦合型電壓靈敏放大器或其它類型的電壓放大器。第四電壓放大器SA4可為交叉耦合型電壓靈敏放大器或其它類型的電壓放大器。
[0102]需要說明的是，圖2、圖4、圖5和圖6所示架構(gòu)中主要以各場效應(yīng)三極管為N型場效應(yīng)三極管為例，當然亦可將圖2、圖4、圖5和圖6所示架構(gòu)中的部分或全部N型場效應(yīng)三極管替換為P型場效應(yīng)三極管。圖2、圖4、圖5和圖6所示架構(gòu)中的各N型場效應(yīng)三極管的漏極和源極的連接關(guān)系也可互換(即可將N型場效應(yīng)三極管的漏極所連接的器件改由N型場效應(yīng)三極管的源極連接，將N型場效應(yīng)三極管的源極所連接的器件改由N型場效應(yīng)三極管的漏極連接)，若將N型場效應(yīng)三極管替換為P型場效應(yīng)三極管，則P型場效應(yīng)三極管的漏極和源極的連接關(guān)系也可互換。例如圖7所示，與圖6所示架構(gòu)的區(qū)別在于，圖7所示架構(gòu)中將第一三極管Q12的漏極和源極的連接關(guān)系進行了互換，圖2、圖4、圖5和圖6所示架構(gòu)中的其它場效應(yīng)三極管的漏極和源極的連接關(guān)系互換的場景可以此類推。
[0103]其中，上述鐵電存儲器中的部分或全部存儲單元列中的部分或全部存儲單元可為ITlC型的鐵電介質(zhì)的存儲單元。其中，ITlC型的鐵電介質(zhì)的存儲單元為包含I個三極管和一個鐵電介質(zhì)電容的存儲單元，一個存儲單元可存儲一位二進制數(shù)，如存儲取值為“O”或“I”的數(shù)據(jù)。
[0104]其中，鐵電存儲器之中的參考單元(例如第三參考單元Ck3、第一參考單元Ckl、第四參考單元Ck4、第二參考單元Ck2等)可為ITlC型的鐵電介質(zhì)的參考單元。ITlC型的鐵電介質(zhì)的參考單元與ITlC型的鐵電介質(zhì)的存儲單元具有類似結(jié)構(gòu)，一個參考單元可存儲I位二進制數(shù)，如存儲取值為“O”或“ I ”的數(shù)據(jù)。
[0105]其中，第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4作為一對參考單元，第三參考單元Ck3和第四參考單元Ck4中的其中I個存儲“O”，另一個存儲“I”。第一參考單元Ckl和第二參考單元Ck2作為一對參考單元，第一參考單元Ckl和第二參考單元Ck2中的其中一個存儲取值為“O”數(shù)據(jù)，另一個存儲取值為“I”數(shù)據(jù)。
[0106]為便于更好理解ITlC型鐵電介質(zhì)的存儲單元的工作原理，下面對ITlC型鐵電介質(zhì)的存儲單元的數(shù)據(jù)讀寫機制進行簡單介紹。參見圖8，圖8所示架構(gòu)包括I個電壓放大器SA-x和I個ITlC型的鐵電介質(zhì)的存儲單元100，存儲單元100的位線BL連接到電壓放大器SA-x的放大信號輸入端。
[0107]其中，存儲單元100的數(shù)據(jù)寫入過程可以如下:
[0108]例如圖8所示，當需向存儲單元100寫入取值為“I”數(shù)據(jù)時，位線BL為高電平，字線WL也為高電平使得N型場效應(yīng)三極管Qx導通，此時，脈沖線PL由低電平變?yōu)楦唠娖?，由于位線BL和脈沖線PL均為高電平，因此，鐵電電容Cfe上下電極之間沒有電壓差，因此其剩余極化方向不變；脈沖線PL上的高電平脈沖過后又變?yōu)榈碗娖?，字線WL的電平也由高變低，寫入取值為“ I ”數(shù)據(jù)的過程完畢。
[0109]當需要向存儲單元100寫入取值為“O”數(shù)據(jù)時，位線BL為低電平，字線WL也為高電平使得N型場效應(yīng)三極管Qx導通，脈沖線PL輸入高電平脈沖時對鐵電電容Cfe進行負向極化；脈沖線PL高電平脈沖過后變?yōu)榈碗娖?，此時鐵電電容Cfe極化方向保持不變，同樣可完成取值為“O”數(shù)據(jù)的寫入。
[0110]存儲單元100的數(shù)據(jù)讀出過程可如下:字線WL由低電平變?yōu)楦唠娖绞沟肗型場效應(yīng)三極管Qx導通，在脈沖線PL輸入的脈沖信號的上升沿，位線BL的寄生電容和鐵電電容Cfe進行電荷分享，以在位線BL上產(chǎn)生不同電壓值，而位線BL上產(chǎn)生的該電壓值將與電壓放大器SA-x的參考電壓輸入端輸入的參考電壓進行比較后，經(jīng)電壓放大器SA-x進行放大后輸出，經(jīng)電壓放大器SA-x放大之后輸出的信號的電壓大小與存儲單元100所存儲數(shù)據(jù)的取值對應(yīng)，例如，電壓放大器SA-x放大之后輸出的信號為高電壓,則可表示讀出的存儲單元100所存儲數(shù)據(jù)的取值為“ I ”，經(jīng)電壓放大器SA-x放大之后輸出的信號為低電壓，則可表示讀出的存儲單元100所存儲數(shù)據(jù)的取值為“O”。
[0111]在讀出存儲單元100中所存數(shù)據(jù)過程中，加在鐵電電容Cfe上的電壓信號可能會破壞鐵電電容原來的極化狀態(tài)(破壞性讀出)，因此，數(shù)據(jù)讀出結(jié)束后脈沖線PL上的脈沖信號由高電平變?yōu)榈碗娖剑酝瓿蓪﹁F電電容Cfe的極化狀態(tài)的恢復