一種鐵電存儲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，包括：基底層1，上電極層2、上電極緩沖層3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6、粘結(jié)層7和阻擋層8。其中多取代基的硅雜環(huán)己二烯摻雜到鉛鋯鈦薄膜層中，形成鐵電薄膜層4。
【專利說明】—種鐵電存儲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，屬于鐵電薄膜【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]基于半導體的非易失性存儲器在數(shù)據(jù)存儲和作為轉(zhuǎn)盤存儲器的替代物的方面是有用的。已發(fā)現(xiàn)基于閃存EEPROM單元的存儲器越來越多地用在計算機和消費者裝置例如照相機、mp3播放器和PDA中。閃存EEPROM存儲器的成本已降低到這種存儲器正在計算機中用作磁盤驅(qū)動器的替代物的程度。因為半導體磁盤驅(qū)動器需要顯著較低的功率、防震、并且典型地比在膝上計算機系統(tǒng)中利用的常規(guī)磁盤驅(qū)動器更快，所以半導體磁盤驅(qū)動器是對膝上計算機特別有吸引力的。
[0003]鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它采用人工合成的鉛鋯鈦PZT材料形成存儲器結(jié)晶體。鐵電存儲器在掉電后仍然能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。因此，與閃存和EEPROM等較早期的非易失性內(nèi)存技術(shù)比較，鐵電存儲器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。
[0004]PZT鐵電電容作為鐵電存儲器的主要存儲介質(zhì)，具有較大的疲勞速率和較差的漏電流特性，由于在金屬Pt上制備的鐵電薄膜結(jié)晶性能較差，使得PZT鐵電電容的性能差，漏電流大。同時，當前的鐵電存儲器還具有很多缺點。存儲器的成本依據(jù)很高，讀寫壽命不夠長久，容易損壞等問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明在鉛鋯鈦(PZT)材料中摻入有機材料，使得鐵電膜具有如下良好性能--與電極結(jié)合得好，結(jié)晶性能好，漏電流小，疲勞特性優(yōu)良，讀寫速度快，增加鐵電存儲器的壽命，而使得鐵電存儲器不容易損壞。
[0006]一種鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，硅基底層1，它還包括上電極層2、上電極緩沖層3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6、粘結(jié)層7和阻擋層8。
[0007]其中多取代基的硅雜環(huán)己二烯摻雜到鉛鋯鈦薄膜層中，形成鐵電薄膜層4，作為多取代基的硅雜環(huán)己 二烯。
[0008]多種取代基的硅雜環(huán)己二烯:
[0009]
【權(quán)利要求】
1.一種鐵電存儲器的鐵電薄膜電容,包括: 基底層1，上電極層2、上電極緩沖層3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6、粘結(jié)層7和阻擋層8。 其中多取代基的硅雜環(huán)己二烯摻雜到鉛鋯鈦薄膜層中，形成鐵電薄膜層4，多種取代基的硅雜環(huán)己二烯:
2.如權(quán)利要求1所述的鐵電薄膜電容，其特征在于，上述芳基優(yōu)選苯基和取代苯基，所述取代苯例如甲苯基、對甲氧苯基等。上述酮基優(yōu)選-COR，其中R代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述酯基優(yōu)選-COOV，其中V代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述烯基優(yōu)選C2-C8的鏈烯基，例如:乙烯基、丙烯基、丁烯基、戍烯基等。 本發(fā)明的優(yōu)選多取代硅雜環(huán)己二烯選自下列化合物Ia~If:1a:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；
Ib:R1 = R2 = Ph, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；
Ic:R1 = R2 = Me, R3 = COPh, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；
Id:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = (1-丙基)_1_ 戊烯基，R6 = Ph ；
Ie:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Bu, R5 = Et, R6 = Bu ；
If:R1 = R2 = Ph, R3 = COOMe, R4 = Bu, R5 = Et, R6 = Bu。
【文檔編號】H01L51/05GK103762311SQ201410038707
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月26日
【發(fā)明者】常琦 申請人:江蘇巨邦環(huán)境工程集團股份有限公司