專利名稱：具有熱噪聲消除功能的mr讀出傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜磁阻(MR)讀出傳感器，特別涉及用于MR讀出傳感器的導(dǎo)線裝置，這種裝置能夠消除帶有移動磁介質(zhì)的傳感器接觸點(diǎn)上的微粒熱噪聲(thermal asperity noise)。
MR讀出傳感器采用了一個MR條或MR層，它的電阻可對運(yùn)動著的磁介質(zhì)，如旋轉(zhuǎn)式磁盤的磁通流產(chǎn)生響應(yīng)從而發(fā)生變化。流過MR條的傳感器電流，與MR條的電阻的變化成比例地變化。MR條的響應(yīng)是基于電阻的變化是如何跟隨著因磁介質(zhì)感應(yīng)而產(chǎn)生的磁通密度變化。
在傳統(tǒng)的讀頭配置中，MR條是一個薄膜層，它被夾在底端絕緣層G1和頂端絕緣層G2中間，絕緣層又依次夾在底端保護(hù)層S1和頂端保護(hù)層S2中間。保護(hù)層間的距離被稱為“讀間隙”。讀間隙越小，MR讀出傳感器的分辨率越高。通過采用這項(xiàng)技術(shù)，MR讀出傳感器在處理高速數(shù)據(jù)傳輸方面有很大的前途。
MR讀出傳感器遇到的問題之一是在MR條中會產(chǎn)生大的信號瞬變過程，這是因?yàn)樵诖沤橘|(zhì)上具有微粒的傳感器接觸造成的。這被稱作“微粒熱噪聲”。比如，當(dāng)傳感器接觸到旋轉(zhuǎn)磁盤上的微粒時，則在MR條內(nèi)部產(chǎn)生熱量，它改變了MR條的電阻而產(chǎn)生一個大的信號瞬變過程。在磁盤驅(qū)動器上，當(dāng)由傳感器產(chǎn)生的讀回信號被放大時，這樣的信號瞬變過程將表現(xiàn)為噪音。
MR讀出傳感器的另一個問題是在傳感器的空氣支撐表面(ABS)和磁存貯介質(zhì)之間出現(xiàn)電短路。如果傳感器的ABS的電位和介質(zhì)的電位不相同，那么當(dāng)兩者接觸時，會有電流流過傳感器和介質(zhì)之間。和存貯介質(zhì)的接觸或幾乎接觸，會增加短路的可能性。在短路一次的情況下，MR讀出傳感器會被嚴(yán)重地?fù)p傷，使之變得無法再進(jìn)行工作。MR讀出傳感器和介質(zhì)之間的電位差越高，對傳感器的磁盤損傷也越大。
MR讀出傳感器的另一個問題是，當(dāng)由鎳鐵合金構(gòu)成屏蔽層時，在屏蔽層S1、S2和MR條之間可能發(fā)生短路。當(dāng)來自屏蔽層具有導(dǎo)電性的鎳鐵合金越過ABS被弄臟時，則在操作期間，磁盤頭接觸時，會發(fā)生短路。除非置于ABS上的MR條部分或接近等電勢，否則會使磁頭停止工作。現(xiàn)有技術(shù)通過構(gòu)成鐵硅鋁磁合金屏蔽層克服了這個問題，此屏蔽層避免了被弄污。鐵硅鋁磁合金需要高溫處理，它表現(xiàn)在對底層需要大大地增加壓力，因此要求對MR條的磁致伸縮進(jìn)行精密的控制。在MR讀出傳感器準(zhǔn)靜態(tài)測試期間，鐵硅鋁合金也帶來了噪音。另一方面，鎳鐵合金僅需要相對簡單的處理步驟，易于組成磁頭處理過程，且在對短路問題的處理上，此鐵硅鋁磁合金更可取。
此項(xiàng)發(fā)明提供的MR讀出傳感器解決了前面提到的現(xiàn)有技術(shù)問題的三個全部問題。即(1)微粒熱噪聲，(2)MR讀出傳感器的ABS和移動磁介質(zhì)二間者的電短路，和(3)屏蔽層和MR條層兩者間的電短路。這項(xiàng)發(fā)明提供了與MR讀出傳感器的MR條相連接的三根導(dǎo)線。三根導(dǎo)線中的兩個以空間分隔關(guān)系沿著MR條的頂端邊緣相連接，并且第三根導(dǎo)線沿著它的底部邊緣和MR條相連接。第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線均有一個直邊，且第三根導(dǎo)線有一和第二直邊。在MR條的一個薄膜表面的邊界范圍內(nèi)，導(dǎo)線的所有的邊都相互間隔。第一條導(dǎo)線的直邊和第三條導(dǎo)線的第一直邊相對于MR條的縱軸以α角相互面對。第二條導(dǎo)線的直邊和第三條導(dǎo)線的第二垂直邊相對于MR條的縱軸以β角相互面對。角α和角β最好取相等，對于MR條的縱軸近似地為45°角。相同的電流施加到第一和第二導(dǎo)線的每一個，同時第三個沿著MR條的底邊的導(dǎo)線接地。在靜止?fàn)顟B(tài)中，電流從第一條導(dǎo)線流向第三條導(dǎo)線，并且從第二條導(dǎo)線流向第三條導(dǎo)線，這些電流彼此都相等。
通過在第一和第二導(dǎo)線間跨接一個差分前置放大器克服了微粒熱噪聲問題。當(dāng)MR條由于和磁介質(zhì)相接觸而導(dǎo)致溫度上升時，它將對兩個電流造成相同的影響，但這個影響將在差分前置放大器中被共模抑制掉。第二個問題，即MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間的電流短路則通過它的支持設(shè)備將磁介質(zhì)接地來克服。在磁盤驅(qū)動設(shè)備中，可將設(shè)備的主軸接地來達(dá)到這個目的。由于MR條的底邊緣在ABS處也被接地。它將和介質(zhì)具有相同的電位，且MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間的接觸不會產(chǎn)生影響。第三個問題，即在ABS處的MR讀出傳感器的墊片這間的電流短路問題，是通過在MR條把底邊處把第三根導(dǎo)線和兩屏蔽層之一相連，且兩個屏蔽層均接地來克服。這使在MR讀出傳感器的ABS處的全部導(dǎo)電層處于相同的電位，使得在這兒的電流短路沒有作用。在這種安排下，屏蔽層S1和S2可用鎳鐵合金來構(gòu)成，它優(yōu)于鐵硅鋁磁合金。
其它的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)生于這個MR讀出傳感器前面所提到的安排方式中。沿著它的縱軸，MR讀出傳感器可實(shí)現(xiàn)硬偏磁(hard—biased)，從而MR條具有水平的磁化矢量。如果前面提到的角度α和β均是45°，那么當(dāng)MR條處在靜止?fàn)顟B(tài)時，兩條導(dǎo)線間的電流流動方向都和磁化矢量成45°。這對改善MR讀出傳感器的運(yùn)行是一個理想的安排。偏磁將MR條大體上安置在一個單域狀態(tài)中，這樣可大大地消除巴克好森(Barkhansen)噪音，并且電流和磁化矢量間的45°角可提供一個橫向偏壓，使MR的運(yùn)行線性化。
本MR讀出傳感器前面提到安排的另一個優(yōu)點(diǎn)是可將MR應(yīng)用于恢復(fù)伺服信息。伺服信息來自裝載數(shù)據(jù)信息的同一個磁道。這個可以通過和差分前置放大器并行地安排一個求和前置放大器來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)MR讀出傳感器在磁道上時，求和前置放大器輸出為零，并且當(dāng)MR讀出轉(zhuǎn)換器偏離磁道時，求和前置放大器按照傳感器偏離磁道的方向?qū)a(chǎn)生一個正或負(fù)的輸出。
此項(xiàng)發(fā)明的一個目的是提供一個具有以下功能的讀出傳感器消除微粒熱噪聲，消除傳感器和磁介質(zhì)之間的電流短路而造成的損失以及消除在ABS處的MR讀出傳感器導(dǎo)電層間的電流短路而帶來的功能損失。
另一個目的是用MR讀出傳感器來實(shí)現(xiàn)前面所提出的目標(biāo)，前面所提到的目標(biāo)的這個傳感器具有高穩(wěn)定性和線性響應(yīng)性。
另一個目的是在實(shí)現(xiàn)恢復(fù)來自磁介質(zhì)的同一個磁道上的信息和伺服數(shù)據(jù)的同時，實(shí)現(xiàn)前面所提到的目的。
更進(jìn)一層的目的是提供一種MR讀出傳感器，在傳感器和磁介質(zhì)之間沒有電流短路問題情況下，利用共模抑制來消除微粒熱噪聲。
另一更進(jìn)一層的目的是在ABS處的MR讀出傳感器的導(dǎo)電層之間沒有電流短路的情況下，實(shí)現(xiàn)前面提到的目的。
當(dāng)考慮其它目的時，根據(jù)下面對此項(xiàng)發(fā)明的描述，這些目的將變得很清楚。


圖1是一個示例性的磁介質(zhì)驅(qū)動器，它采用了改進(jìn)的MR讀出傳感器。
圖2是在磁盤環(huán)形磁道上的一個MR條的圖解說明。
圖3是具有三根導(dǎo)線相連的MR條的圖解說明。
圖4是圖3中的MR條信號響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖5是為了實(shí)現(xiàn)圖3中所示的硬偏磁安排，對夾在一對永久磁體之間的MR條的圖解說明。
圖6是對在MR條中的磁化矢量和圖5中的永久磁體層的圖解說明。
圖7與圖3相似，不同之處在于在ABS處的第三條導(dǎo)線與屏蔽層中的一個相聯(lián)接且僅在兩磁道寬度的范圍內(nèi)擴(kuò)展。
圖8是圖7中MR條信號響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖9是圖7的一個放大的側(cè)面圖，它顯示了頂端導(dǎo)線之一連接到MR條的頂邊上，并且底端導(dǎo)線連接到MR條底邊和屏蔽層之一的情況。
圖10是一個等距圖解說明，它表示夾在具有合適的電氣連接的第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2間的MR條。
圖11與圖7相似，不同之處在于差分前置放大器和求和放大器相并列地連接，目的是為了恢復(fù)處在裝載數(shù)據(jù)信息的同一磁道上的伺服信息。
圖12是圖11中的MR條對數(shù)據(jù)/伺服磁道運(yùn)載的伺服信息的信號響應(yīng)的微磁道曲線圖。
圖13是當(dāng)MR條被移到數(shù)據(jù)/伺服磁道的右邊或左邊時，MR條信號響應(yīng)的一個磁道曲線圖。
圖14是與圖3相似的這個發(fā)明的另一個實(shí)施例，不同之處在第一和第二導(dǎo)線被連接到MR條的底邊上，并且第三導(dǎo)線被連接到第一和第二導(dǎo)線之間的MR條上。
圖15是對圖14 MR條信號響應(yīng)的一個微磁道曲線圖。
圖16是圖14實(shí)施例的結(jié)構(gòu)技術(shù)的圖解說明，在重疊操作期間，這種結(jié)構(gòu)技術(shù)能保持第一和第二導(dǎo)線間的距離。
現(xiàn)在參考圖形，在圖形中，相似的參考數(shù)據(jù)指示了所有的幾個視圖中相似或類似的地方。在圖1中顯示了一個磁盤驅(qū)動器20，它包括一個旋轉(zhuǎn)磁盤22。磁盤22通過一個主軸24來支持，主軸24通過一個馬達(dá)26來旋轉(zhuǎn)，同時馬達(dá)26被驅(qū)動控制28所控制。一個薄膜MR讀出傳感器30被安裝在滑動器32上，滑動器由支撐裝置34來支撐。典型情況下，傳感器30也包括一個寫磁頭，這樣可以從同一個滑動器32上寫信號和讀出信號。從傳感器30中輸入和輸出的信號以及與磁盤22相關(guān)的此傳感器的運(yùn)動由磁頭信號和控制器36來控制，當(dāng)磁盤22旋轉(zhuǎn)時，滑動器32在一層空氣緩沖墊(空氣支撐)中轉(zhuǎn)動，空氣緩沖墊是由磁盤22的運(yùn)動而產(chǎn)生的。在磁盤22運(yùn)動期間，磁頭30和圖2中38所示的循環(huán)數(shù)據(jù)磁道置成一種傳感關(guān)系?；瑒悠?2和傳感器30的底部表面處在一個被稱為空氣支撐表面(ABS)的平面中。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時，ABS約以0.075μm的距離和磁盤22的表面間隔開來。以上的元件都被裝在機(jī)殼40中。
MR讀出傳感器30包括一個MR層或條42，在圖2中，在環(huán)形磁道38的上面被圖解顯示。如圖9中所示，MR條被夾在一對絕緣間隔層G1和G2之間，G1和G2又被夾在一對屏蔽層S1和S2之間。對MR讀出傳感器完整結(jié)構(gòu)更進(jìn)一步的詳細(xì)描述，參考Heim和Gill的轉(zhuǎn)讓專利申請，專利號為No.08/103,487，在這兒通過說明使它具體化了。MR讀出傳感器的所有層都是薄膜，它們由眾所周知的框架板和光板技術(shù)所構(gòu)成。如圖2所示的，MR條42是一個薄膜，此薄膜具有第一和第二薄膜表面44和46，它們通過頂邊48和底邊50部分地鄰接，底邊50構(gòu)成了MR讀出傳感器的ABS的一部分。
圖3所示給出本發(fā)明60的第一個實(shí)施例。實(shí)施例包括可位于一對硬偏磁層64和66之間的一個MR層或條62。MR條具有一個薄膜表面68，它部分地通過頂邊70和底邊72來鄰接，底邊70包括ABS的一部分。MR條62有一個縱軸74，它基本上平行于ABS及ABS的頂邊70和底邊72。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2以間隔分離關(guān)系連接到MR條的薄膜表面68中，并從MR條的頂邊70向縱軸74方向擴(kuò)展。第三導(dǎo)線與MR條的薄膜表面68相連，并以MR條的底邊72向縱軸74沿伸。底部導(dǎo)線L3最好如圖3中所示的那樣接地。
第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線L2中的任一個都分別有大體上直的邊78和80，且第三條導(dǎo)線L3具有第一和第二直邊82和84。第一導(dǎo)線的直邊78和第三導(dǎo)線的第一直邊82以一種大體上平行的關(guān)系彼此分離開來，且彼此沿一條與MR條的縱軸成α角的關(guān)系相互面對。這條線與表示電流J的箭頭同向，這在下文中將有更詳細(xì)的簡述。第二導(dǎo)線L2的直邊和第三導(dǎo)線L3的第二邊84以一種大體上平行的關(guān)系相互分離開來，并且彼此沿著一條與MR條的縱軸成β角的關(guān)系相互面對。這條線沿著另一電流I的箭頭方向，下文中將有更詳細(xì)的解釋。
相同的直流電流I施加到第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上，通過MR條將傳導(dǎo)電流引導(dǎo)到第三導(dǎo)線L3中，從而電流被接地。電流I習(xí)慣上被稱作“傳感電流”。重要的是傳感電流應(yīng)在相同的電位上，彼此間沒有短路地被采用。差分前置放大器86跨接在第一第二導(dǎo)線L1和L2上，且在靜止?fàn)顟B(tài)期間(磁介質(zhì)磁通流流入前)，當(dāng)電流I通過MR條傳導(dǎo)到第三導(dǎo)線L3上時，放大器沒有輸出。如果MR條接觸到一個移動磁介質(zhì)上，差分前置放大器86的連接可以克服微粒熱噪聲問題。當(dāng)MR讀出傳感器接觸到移動磁介質(zhì)的微粒時，如旋轉(zhuǎn)磁盤時，它們之間的摩擦?xí)贛R條里產(chǎn)生熱量，這樣會增加MR條的電阻。這個電阻可以在兩個電流I之間出現(xiàn)，在前置放大器86中通過共模抑制可消除它。
如圖3，5和6所示，通過與硬偏磁永久磁體層64和66的連續(xù)接觸，MR條62能被硬偏磁。如果磁化矢量在每個永久磁層64和66中水平地向左，則在MR條62中的磁化矢量將通過交接和永久磁層64和66的耦合而水平地向左。在MR條62內(nèi)，磁化矢量的這個相同的方向在圖3和圖6中得到顯示。在來自磁介質(zhì)，如一個磁盤的一個北方磁流通流入時(沒有畫出)，在圖3中位于MR讀出傳感器ABS的下面，在圖3中的磁化矢量M將按順時針方向旋轉(zhuǎn)。磁化矢量M的順時針旋轉(zhuǎn)將減小MR條中電流I從第一導(dǎo)線L1流到第三導(dǎo)線L3的電阻，并且將增加從第二導(dǎo)線L2流向第三導(dǎo)線L3的電流I的電阻。這將導(dǎo)致第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的電勢差。這個差異加在差分前置放大器上，則可提供一個信號輸出，用以表示接收來自如圖2中所表明的數(shù)據(jù)磁道38那樣的一個磁介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道上的信息。一組來自位于ABS之下的磁介質(zhì)的南方磁通流出現(xiàn)時，可得到帶有相反極性的相同的有用信號輸出。如果打點(diǎn)線間的MR條的寬度在一個來自磁介質(zhì)的增量磁通流(點(diǎn)源)上被掃描，則圖4表示了差分前置放大器86的信號輸出?？梢钥吹皆诘谌龑?dǎo)線L3達(dá)到峰值處，在MR條中央處的曲線圖中有一個谷點(diǎn)相對應(yīng)。這是因?yàn)殡娏髟谶@個位置與其它任一位置上相比要小。如果在打點(diǎn)線間通過積分累加曲線下面的面積，可得到差分前置放大器86的輸出，它代表通過MR條寬度上來自磁介質(zhì)的一個磁通流。
圖7中表明了這項(xiàng)發(fā)明的另一個實(shí)施例90。此實(shí)施例和圖3中顯示的實(shí)施例60一致，不同之處在于第三導(dǎo)線L3的寬度被限制MR條的寬度。實(shí)施例90優(yōu)于實(shí)施例60之處可以通過比較圖8和圖4中的微磁道曲線圖而看到。在圖3中，來自第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2的電流I的一部分，通過硬偏磁層64和66被傳到擴(kuò)展很寬的第三導(dǎo)線L3中。這些導(dǎo)通的路徑部分地短接了由MR的組成部分62所產(chǎn)生的信號，并削弱了合成信號。由于圖7中的實(shí)施例90的第三導(dǎo)線L3限于打點(diǎn)線間的磁道寬度范圍，因而這些導(dǎo)通的路徑大部分被取消了，從而增大了信號。
當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)線L3接地時，位于ABS處的MR讀出傳感器和磁介質(zhì)之間會發(fā)生短路，磁介質(zhì)作為和MR讀出傳感器相關(guān)的第二個問題，已在上面作了討論。這個問題可以通過如圖1所示的主軸24接地得以克服。相應(yīng)地，當(dāng)磁盤22由主軸24支撐時，它同樣地被接地。既然MR讀出傳感器在它的ABS處和地相接，而磁盤22又通過主軸24接地(它們的電位相同)，因而這些元件之間的短路沒有影響。
圖9所示了實(shí)施例90或60之一的第三導(dǎo)線L3的一種連接方式，這種連接是為了消除MR讀出傳感器在ABS處的導(dǎo)電層之間的短路，作為和MR讀出傳感器相關(guān)的第三個問題在前面已作了闡述。通過使第三導(dǎo)線L3的厚度足夠厚以使MR條和屏蔽層S1或S2之一進(jìn)行電連接而得以完成。第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2如圖9所述那樣接地。在這種安排下，所有的導(dǎo)電層在ABS處都具有相同的電位，且它們之間的任何電路均不會有影響。這種安排還可以保持這些導(dǎo)電元件均接地，這對阻止這些導(dǎo)電層和位于ABS之下的磁介質(zhì)之間的電短路是很重要的。這種安排還進(jìn)一步地使得屏蔽層S1和S2由鎳鐵合金構(gòu)成，這比選擇鐵硅鋁磁合金更佳。所示的第二導(dǎo)線L2連接于MR條的頂部邊緣。第一導(dǎo)線L1也應(yīng)以同樣方式進(jìn)行連接。MR讀出傳感器的全部電路框圖如圖10所示。第三導(dǎo)線L3連接在MR條和第二屏蔽層S2之間，且第一屏蔽層S1和第二屏蔽層S2均接地，第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2在同一電位接收同樣的電流I，并都接到差分前置放大器86上。
第一導(dǎo)線L1，第二導(dǎo)線L2和第三導(dǎo)線L3的唯一安排，可以使MR讀出傳感器除了從同一個磁介質(zhì)的磁道上獲得數(shù)據(jù)信息外，還可以得到伺服信息。這由圖11所示的實(shí)施例100來實(shí)現(xiàn)。求和前置放大器102和差分前置放大器86并列地連在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2這間。求和前置放大器102的微磁道曲線如圖12所示。這是一個輸出，如果MR條經(jīng)過來自磁介質(zhì)磁道的增量或磁通流而被掃描，則這個輸出可由前置放大器102實(shí)現(xiàn)。由圖13表示了當(dāng)MR條從中央磁道位置移到右邊或左邊時，求和前置放大器102對經(jīng)過MR條寬度的磁通量流的信號響應(yīng)。這可以提供位置錯誤信息(PES)，這個信號用于使MR讀出傳感器回到磁道上。從圖13可以得到，當(dāng)MR讀出傳感器位于磁道中央位置時，會產(chǎn)生一個零位置錯誤信號響應(yīng)。
圖14表示了關(guān)于MR條的第一導(dǎo)線L1。第二導(dǎo)線L2和第三導(dǎo)線L3的另一種不同安排。實(shí)施例110以如在112處所示的一種間隔分離關(guān)系，將第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2連接于MR條的底部邊緣72上。第一導(dǎo)線L1有一條直邊緣114，且第二導(dǎo)線L2有一條直邊緣116。位于第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的是第三導(dǎo)線L3，它和第一導(dǎo)線L1及第二導(dǎo)線L2之間是一種空間分離關(guān)系。第三導(dǎo)線L3具有第一直邊緣118和第二直邊緣120。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2通過電感器122和124接地。第三導(dǎo)線L3由電流源一2I供電。電流I會從第一導(dǎo)線L1的直邊緣114流到第三導(dǎo)線L3的第一直邊118，且另一支電流I會從第二導(dǎo)線L2的直邊緣116流入第三導(dǎo)線L3的第二直邊緣120。這兩支電流I當(dāng)傳感器處于靜態(tài)(即當(dāng)從磁介質(zhì)中接收不到磁通量流時)時大小是相等的。差分前置放大器86跨接在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間，當(dāng)在ABS底部的磁介質(zhì)(未顯示)產(chǎn)生磁通量流時，這個放大器會檢測到電位差。這會導(dǎo)致MR條里面的磁向量M旋轉(zhuǎn)。雖然實(shí)施例110顯示導(dǎo)線的安排可以與原來相反，但這種與原來安排相反的實(shí)施例對于當(dāng)有交流信號通過時，在ABS處的間隔112處產(chǎn)生的第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的短路不會不受影響。基于這個原因，應(yīng)采用前一種實(shí)施例。構(gòu)成實(shí)施例110的安排如圖16所示。第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2以與ABS垂直的關(guān)系122和124而構(gòu)造。相應(yīng)地，當(dāng)傳感器的搭接沒超過連線126時，在ABS處第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2之間的距離可得以保持。
顯然，根據(jù)以上的方法，這頂發(fā)明會有多種改進(jìn)形式和其它形式。因而可以理解，在附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)，這項(xiàng)發(fā)明可以用多于詳細(xì)說明中所述的方式而實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.MR讀出傳感器，其特征在于包括一個延長的MR條，它具有一個縱向軸，該軸位于頂邊和底邊之間；第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的一條邊緣，以一種間隔分離出的關(guān)系和MR條相連，以及第三導(dǎo)線，它沿MR條的另一邊緣和它相邊；第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線均具有一條邊緣，第三導(dǎo)線具有第一和第二邊緣，所有邊緣之間均彼此被隔開；第一導(dǎo)線的邊緣和第三導(dǎo)線的第一邊緣，它們彼此之間以和MR條的縱向軸成α角而相互間隔開來；和第二導(dǎo)線的邊緣和第三導(dǎo)線的第二邊緣，它們彼此之間以和MR條的縱向軸成β角而相互間隔開來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動器其特征在于包括用于轉(zhuǎn)動磁盤的主軸；和主軸被接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；位于第一和第二屏蔽層之間的MR條；沿底部邊緣和MR條相連的任何一個導(dǎo)線被連接到一個屏蔽層；和被接地的第一和第二屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括大體相等的角度α和β。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角度α和β大體均為45°角；和第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線的邊緣延長線大體成90°角；第三導(dǎo)線的第一和第二邊緣延長線大體成90°角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二薄膜層的MR條，薄膜層之間通過頂部和底部邊緣部分鄰接；和扁平狀的導(dǎo)線，被置于第一薄膜層上面，導(dǎo)線的邊緣在第一薄膜層的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，和第一、第二、第三導(dǎo)線相連，用于在第一和第三導(dǎo)線這間傳感電流及在第二和第三導(dǎo)線之間傳感電流；和在第一和第三導(dǎo)線之間的電流與在第二和第三導(dǎo)線之間的電流大致相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，包括一個差分前置放器器，跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括伺服電路器件，包括一個求和前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動器包括MR讀出傳感器，其特征在于包括一個受MR條的底部邊緣支撐的磁盤；和具有環(huán)形磁道的磁盤，用于運(yùn)載信息和伺服數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二間隔分離的邊緣的磁道；和伺服數(shù)據(jù)，包括一個由磁道的第一邊緣擴(kuò)展到其第二邊緣的脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR的底部邊緣，沿MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的底部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括MR條，沿著它的縱向軸被偏磁。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括用于使MR條沿著它的縱向軸發(fā)生硬偏磁的器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括任何沿MR條被接地的底部邊緣和MR條相連的導(dǎo)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；MR條，位于第一和第二屏蔽層中間；沿著底部邊緣，與MR條相連的任何導(dǎo)線，其中底部邊緣被連接到一個屏蔽層上；和被接地的第一和第二屏蔽層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β大體相同。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β均大致45°角；第一和第二導(dǎo)線的邊緣的延長線大致成90°角；和第三導(dǎo)線的第一和第二邊緣的延長線大致成90°角。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路器件，連接在第一和第二、第三導(dǎo)線上，用于傳送第一和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流，且傳送第二和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流；和第一和第三導(dǎo)線中的電流與第二和第三導(dǎo)線中的電流大致相同。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由包括下列內(nèi)容而表明其特征MR條，具有第一和第二薄膜層，薄膜層限制在底部和頂部邊緣之間；和扁平條狀導(dǎo)線，被置于第一薄膜層口，且導(dǎo)線的邊緣在第一薄膜層的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括傳感電路裝置，包括一個差分前置放大器，它跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括伺服電路裝置，包括一個求和前置放大器，它跨接在第一和第二導(dǎo)線上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由MR條的底部邊緣所支撐的磁盤；和具有環(huán)形磁道的磁盤，用于運(yùn)載信息和伺服數(shù)據(jù)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括具有第一和第二間隔分離邊緣的磁盤；和伺服數(shù)據(jù)，包括由磁道的第一邊緣擴(kuò)展到第二邊緣的一個脈沖。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
27.MR讀出傳感器，其特征在于包括延長的MR條，它有一個縱向的軸；MR條，具有第一和第二薄膜層，且薄膜層限于頂部和底部邊緣之間；第一和第二導(dǎo)電帶，和第一薄膜層以一種間隔分離關(guān)系方式相連，并從MR條的邊緣之一擴(kuò)展到所述的縱向軸；第三導(dǎo)電帶，和第一薄膜層相連，并從MR條的另一邊緣擴(kuò)展到所述的縱向軸；任何一個沿所述的接地的底部邊緣和MR條相連的導(dǎo)電帶；第一和第二導(dǎo)電帶均有一條大致直的邊緣，且第三導(dǎo)通帶有第一和第二直邊緣；第一導(dǎo)電帶的直邊緣和第三導(dǎo)電帶的第一直邊緣，它們以大體平行的關(guān)系彼此間隔開來，并且沿一條和MR條的縱向軸成α角彼此相對；第二導(dǎo)通帶的直邊緣和第三導(dǎo)通帶的第二邊緣，它們以大體平行的關(guān)系彼此間隔開來，并且沿一條和MR條的縱向軸成β角彼此相對；和用于使MR條沿著其縱向軸進(jìn)行硬偏磁的器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的磁盤驅(qū)動器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動器其特征在于包括用于旋轉(zhuǎn)磁盤的主軸；和主軸被接地。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括由鎳鐵合金構(gòu)成的第一和第二屏蔽層；MR條，位于第一和第二屏蔽層中間；沿MR條的底部邊緣和MR條相連的任意導(dǎo)線，且底部邊緣被連接到MR條的一個屏蔽層上；和第一和第二屏蔽層被接地。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括大致相等的角α和β；傳感電路裝置，和第一、第二、第三導(dǎo)線相連，用于傳送第一和第三導(dǎo)線間的感應(yīng)電流，且傳送第二和第三導(dǎo)線之間的感應(yīng)電流；知第一和第二導(dǎo)線中的電流與第二和第三導(dǎo)線中的電流大致相等。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的磁盤驅(qū)動器包括MR讀出傳感器，磁盤驅(qū)動器其特征在于包括傳感電路裝置，包括一個差分前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線之間；伺服電路裝置，包括一個求和前置放大器，跨接在第一和第二導(dǎo)線之間；由MR條的底部邊緣支撐的磁盤；這個磁盤具有一個環(huán)形信息磁道；磁道也包括伺服數(shù)據(jù)；磁道有第一和第二間隔分離邊緣；和伺服數(shù)據(jù)，包括由磁道第一邊緣擴(kuò)展到磁道第二邊緣的一個脈沖。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括角α和β大體上均為45°角；第一和第二導(dǎo)電帶邊緣的延長線大體上相交成90°角；和第三導(dǎo)電帶的第一和第二邊緣延長線大體上相交成90°角。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)電帶，沿著MR條的頂部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)電帶，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MR讀出傳感器，其特征在于包括第一和第二導(dǎo)線，沿著MR條的底部邊緣和MR條相連；第三導(dǎo)線，沿著MR條的頂部邊緣和MR條相連；和MR條的底部邊緣，沿著MR傳感器的空氣支撐表面擴(kuò)展。
全文摘要
和MR讀出傳感器的MR條相連的三根導(dǎo)線L1、L2、L3被安排在一個電路中。分別實(shí)施到第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上的等量電流從各自本身以一定角度流向第三導(dǎo)線L3，這個角度的大小應(yīng)和縱向軸或MR條的ABS成45°角。一個差分前置放大器，跨接在第一導(dǎo)線L1和第二導(dǎo)線L2上。第三導(dǎo)線L3和磁介質(zhì)的支持器件均接地。第三導(dǎo)線使MR條與屏蔽層S1和S2之一內(nèi)部互聯(lián)，且兩個保護(hù)層均接地，以防止因這些導(dǎo)電層在ABS處短路而造成的信號損失。
文檔編號G11B5/48GK1127914SQ9411953
公開日1996年7月31日 申請日期1994年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1994年4月15日
發(fā)明者大衛(wèi)·E·海姆, 鮑-康·王 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司