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光記錄方法和采用該方法的裝置的制作方法

文檔序號:102099閱讀:254來源:國知局
專利名稱:光記錄方法和采用該方法的裝置的制作方法
本發(fā)明涉及光記錄方法和采用該方法的裝置,特別是涉及光記錄方法和使用適于利用光記錄介質(zhì)的方法的裝置,在上述光記錄介質(zhì)中信號是根據(jù)以下事實記錄的,當光點照射到光記錄介質(zhì)上時,因為該處的溫度升高,介質(zhì)的光學特性發(fā)生了變化。
如在JP-A-59-68844中所描述的裝置,在其中將激光聚集成大約1微米(μm)的很小直徑的激光束并照射到如覆蓋著光敏記錄材料的旋轉(zhuǎn)光記錄盤上,以使高密度地記錄信號和再現(xiàn)記錄的信號,這種裝置具有下列優(yōu)越性因為高記錄密度,所以可降低每位的存貯成本;可高速存取;在記錄和讀出過程中光學頭和光記錄盤互不接觸并因此改進了光記錄盤和光記錄裝置的可靠性,這樣該裝置已被看成給未來信息化社會提供的新的記錄裝置和介質(zhì)。
作為用于光記錄的記錄介質(zhì),已提出如具有薄記錄膜可由激光的熱能蒸發(fā)在薄膜中產(chǎn)生小孔的介質(zhì)和具有其光密度可由激光的熱能改變的記錄薄膜的介質(zhì)。
另外,對于在其中光密度可改變的記錄薄膜,已報道用非晶薄膜可以可逆地改變光密度。光密度可以可逆地改變的事實意味著信號可以記錄,再現(xiàn)和抹掉;然而,由非晶材料制造的記錄薄膜很不穩(wěn)定,即,非晶材料的晶化也可在室溫下發(fā)生,因而這種薄膜不適于長期儲存記錄的數(shù)據(jù)。(Te),硒(Se)和錫(Sn)用來提高記錄的靈敏度;但這些材料對人體有有害的影響,并且在制造薄膜時或處理上述材料的廢棄物時,有產(chǎn)生污染問題的可能性。另外,高記錄靈敏度意味著薄膜對于溫度,光等的影響是敏感的,它導致保留記錄數(shù)據(jù)的保持問題。
作為光記錄介質(zhì),還發(fā)展了合金,在合金中可在兩個不同的晶體狀態(tài)之間發(fā)生相變,并可用這些晶體間光反射系數(shù)的不同實現(xiàn)信息的記錄和消除。這種合金在JP-A-60-186825和JP-A-61-9542中描述。
對于有高密度記錄能力的記錄介質(zhì),特別需要高速記錄功能去記錄日益增加的信息量。
因此本發(fā)明的目的是提供光記錄方法和使用這種方法的裝置,在其中信息可以高速地記錄。
本發(fā)明的另一目的是提供光記錄方法和使用這種方法的裝置,在其中信息可以高速地消抹和再記錄。
本發(fā)明的另一目的是提供光記錄方法和使用這種方法的裝置,在其中實現(xiàn)高溫加熱和高速冷卻的記錄操作以及進行加熱和緩慢冷卻的消抹操作是很容易完成的。
根據(jù)本發(fā)明的實施方案,光記錄介質(zhì)的記錄位置預熱到低于預定的記錄所需溫度的一個溫度上,并根據(jù)記錄信息將該位置加熱到超過預定溫度的溫度,這樣就將信息記錄下來。更具體地,兩個在位置上相鄰的光點沿著記錄軌道照在光記錄介質(zhì)上,其中的前光點預熱記錄位置,而后光點在其上記錄信息。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施方案,使用光記錄介質(zhì),在其中通過將記錄介質(zhì)加熱至等于或高于第一個溫度的溫度處實現(xiàn)記錄操作,通過將記錄介質(zhì)加熱到第一個溫度與高于第一個溫度的第二個溫度之間的溫度以實現(xiàn)消抹操作,在此兩個相互緊鄰的光點沿著記錄軌道照在光記錄介質(zhì)上,使得前光點將記錄位置加熱到第一個溫度和第二個溫度之間的溫度上,由此抹掉了記錄的信息并同時預熱了記錄位置,而后光點根據(jù)待記錄信息將記錄位置加熱到不低于第一個溫度的溫度上,從而記錄了信息。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施方案,第二個溫度設(shè)在超過室溫處,而第一個溫度則設(shè)在第二個溫度上,其中確定第一個條件(在此條件下冷卻加熱到超過第一個溫度的溫度上的光記錄介質(zhì))的第一個光點和確定第二個條件(在此條件下冷卻加熱到超過第二個溫度但不超過第一個溫度的溫度上的光記錄介質(zhì))的第二個光點照在光記錄介質(zhì)的導導軌上,以便它們位于互相相鄰的位置上,這樣通過控制每個光點的直徑和/或它們的光強在光記錄介質(zhì)上記錄和消抹信號。更具體地,基于實驗確認的造成導致光反射系數(shù)變化的相變所需的溫度和時間之上,作為確定第一個和第二個條件的裝置,提供了兩臺具有不同波長的激光器;而光學系統(tǒng)這樣構(gòu)成,使得由兩臺激光器之一發(fā)射的光束剛好聚焦,而來自另一激光器的光束產(chǎn)生散焦條件??刂泼總€光點的直徑和每個激光束的強度,使得記錄介質(zhì)利用散焦光點預熱或緩慢冷卻,并利用剛好聚焦的光點提高到預定的溫度,從而在記錄介質(zhì)上記錄信號,或消抹記錄的信號。
根據(jù)如下附圖的詳細描述將使本發(fā)明變得很明顯圖1是描述本發(fā)明的實施方案的示意圖;
圖2是用來解釋在光盤上記錄和消抹的基本原理的示意圖;
圖3A-6C是描述根據(jù)本發(fā)明的裝置中記錄和消抹信息的操作的示意圖;
圖7是顯示設(shè)置在盤中的槽的例子的示意圖;
圖8是描述本發(fā)明的另一實施方案的示意圖。
圖2顯示了利用相變記錄和消抹的原理,其中當超過第一個溫度T1時,出現(xiàn)β晶相,顏色變成粉紅色。當溫度迅速至室溫時,出現(xiàn)與β晶相有相同晶體結(jié)構(gòu)的β′晶相,并保持下去。將溫度加到超過第二個溫度T2但不超過第一個溫度T1使β相轉(zhuǎn)變成晶相,然后溫度降至室溫,結(jié)果,晶相被保持而顏色變成銀白色。對于具有如830毫微米(nm)波長的激光,顯示粉紅色和銀白色的晶體具有不同的反射系數(shù)。即,當一定量的光照到晶體上時,反射光的量發(fā)生變化,從而可分辨β′晶相和晶相。
本發(fā)明涉及光記錄方法和使用適合于在光記錄介質(zhì)顯示上述相變時加以利用的方法的裝置。圖1顯示裝置的一個實施方案,其中由具有不同波長的半導體激光器12和14發(fā)出的發(fā)散光通過準直透鏡22和24以獲得平行光i和k。使用兩種不同波長的光是為了避免在兩束光之間發(fā)生干涉和為了分開兩個光束,從而使光束可以檢測。例如,激光器12和14的波長可分別為780毫微米和830毫微米?,F(xiàn)在讓我們假定半導體激光器12用于記錄和再現(xiàn)操作,而激光器14用于消抹操作。因為平行光i用于記錄操作,所以用第一個棱鏡23將光整形成使光束截面的縱向長度和橫向長度的比為1,使得在光盤1的上面形成圓形光點。波長分離濾波器32透過具有半導體激光器12的波長的光并反射具有半導體激光器14的波長的光。包包在從棱鏡23過來的光束中的p偏振光束通過偏振光束分離器31,經(jīng)反射鏡39和四分之一波長4,以便通過物鏡7聚焦,從而在光盤1的上面形成圓形的光點i。平行光k由波長分離濾波器32反射;然后,象對光束i那樣傳輸該光束。然而,光點k沒有經(jīng)過用于整形光束的棱鏡,所以形狀減小的激光束的橢圓形遠場圖形沒有變化,得到的光點是沿軌道方向上具有較長線度的橢圓形狀。光盤1上反射的光在物鏡7,四分之一波長4和反射鏡39上反射。因反射光束兩次通過四分之一波片,即,一次一個方向而另一次相反的方向,結(jié)果得到S偏振光。然后S偏振光在偏振光束分離器31上反射。反射光由波長分離濾波器33分成光束k1和光束i1,i1然后通過波長濾波器33并在反射鏡40上反射;得到的光通過付科棱鏡(Foukault prism)51和透鏡52達到光探測器53。付科棱鏡將光點聚焦到光探測器之上,光點包括半圓形的聚焦光點和在其側(cè)面的跟蹤點。根據(jù)光探測器53的聚焦象的狀態(tài),伺服信號發(fā)生器54產(chǎn)生用于聚焦的伺服信號F和用于跟蹤的伺服信號T。這些伺服信號通過轉(zhuǎn)換開關(guān)80和82,然后由致動電路84放大,再將所得信號加給致動器71,它于是被激勵以實現(xiàn)物鏡7的聚焦和跟蹤。
另一方面,光束k1由波長分離濾波器33反射并通過付科透鏡61和探測透鏡62達到光探測器63,于是伺服信號發(fā)生器64產(chǎn)生用于物鏡7的聚焦和跟蹤的伺服信號。如前面所描述的,通過轉(zhuǎn)換開關(guān)80和82,致動電路84和致動器71驅(qū)動物鏡7去控制聚焦和跟蹤。通過開關(guān)轉(zhuǎn)換裝置86的開關(guān)操作轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換開關(guān)80和82交替選擇兩個伺服信號。通過由操作員激勵的記錄/消抹指令器88,開關(guān)轉(zhuǎn)換裝置86選擇伺服信號發(fā)生器54用于記錄,選擇伺服信號發(fā)生器64用于消抹。當記錄/消抹指令器88在驅(qū)動狀態(tài),激光驅(qū)動電路90和92都產(chǎn)生驅(qū)動信號去驅(qū)動半導體激光器12和14。對于記錄,半導體激光器12的發(fā)射是根據(jù)從輸入端94輸入的信息控制的,以便實現(xiàn)記錄。
物鏡7設(shè)計成位于兩個位置之一的地方上,而位置可用包括伺服信號發(fā)生器54和64,致動電路84和致動器71的伺服機構(gòu)選擇。
光束k和i是有幾乎同樣光強的平行光;然而,透鏡系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)使得光束之一略微發(fā)散,而另一束略微收斂。物鏡7適于能夠處于兩個位置。在物鏡7的一個位置上,光束k和i之一聚焦為最小點,而另一光束散焦成模糊的點,在物鏡7的另一位置上,點的聚焦則相反所以,當物鏡7位于使點i剛好聚焦的位置時,轉(zhuǎn)換開關(guān)80和82作如實線所示的轉(zhuǎn)換;相反,當物鏡7位于使點k剛好聚焦的位置上時,轉(zhuǎn)換開關(guān)80和82作如虛線所示的轉(zhuǎn)換。
根據(jù)這個實施方案,對于記錄操作,點k變得比點i大并且點i被聚焦成最小面積的位置靠前面描述的機構(gòu)選擇進行記錄操作。圖3A-3B分別表示光點在光盤上的位置關(guān)系和待存取的槽處的光照時間與強度變化的關(guān)系。然而在這個圖中,激光器12和14具有幾乎相同的輸出,于是具有較大直徑的光點k的能量密度的最大值小于聚焦到接近衍射極限的點的光點i的能量密度的最大值。如圖3C所示,位于根據(jù)圖3B的強度變化旋轉(zhuǎn)的光盤上的點(槽位置)處的溫度T隨時間在變化。即在這種情況之下,光點k將待存取的槽位置預熱到超過溫度T2但不超過溫度T1的溫度上,以便使記錄光點i加熱槽位置使其溫度T超過T1所需的時間最小。這個預熱操作超著實現(xiàn)高速記錄的作用。由于預熱光點k的直徑大,相當寬的范圍都被預熱;因而,既使在預熱范圍中存在熱耗散,槽位置的溫度也可保持在所需的溫度上,直到道位置被光點i照射。雖然在圖3A中光點k和i相鄰,但是它們的位置是互相稍微分開的,以建立圖3C所示的溫度變化特性。實現(xiàn)設(shè)定介于溫度T1和T2間的T和設(shè)定到等于或高于溫度T1的溫度T依賴于半導體激光器的輸出,光點的直徑和光盤的旋轉(zhuǎn)頻率。這些值是根據(jù)在實驗結(jié)果基礎(chǔ)上的經(jīng)驗定則設(shè)定的。
圖4A是示意圖,描述了光束k也具有較大的直徑并在記錄操作中連續(xù)照射和光束i具有較小直徑只照射記錄槽位置l,m和n的情況。圖4B至4C分別顯示了光束i的強度變化和槽位置處的溫度T的變化。在這種情況下,光點k不用對每個槽開啟和關(guān)閉,即,預熱操作對于若干記錄信號是持續(xù)工作的。如上面所述,記錄部位由前面的光束k預熱,而記錄位置由后面的光束i加熱到等于或高于第一個溫度T1的溫度上,這使得當光記錄介質(zhì)以高速旋轉(zhuǎn)時記錄得以實現(xiàn),而且因為光點k的預熱的效果,可以減小光點i的記錄寬度或使用小的光點i。結(jié)果,與可實現(xiàn)的傳統(tǒng)的高密度記錄相比,改進了存貯器的存取時間,而且提高了實時方式中記錄或再現(xiàn)信號的速度。通常為使高邊緣速度記錄得以實現(xiàn),靠改進材料的選擇和介質(zhì)的結(jié)構(gòu)來提高記錄介質(zhì)的靈敏度;然而,高記錄靈敏度意味著記錄介質(zhì)對于溫度,光,等等的影響是敏感的,它導致了要記錄的數(shù)據(jù)的保存問題。所以,本發(fā)明的在需要記錄時暫時加熱要記錄的部分以提高記錄介質(zhì)的記錄靈敏度的方法也具有改進記錄數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性的效果。
上述的首先預熱記錄介質(zhì)然后記錄的記錄方法不局限于出現(xiàn)由晶相到β晶相的相變的記錄介質(zhì),這種方法也可應用于出現(xiàn)由晶相到非晶相的相變或可形成小孔的記錄介質(zhì)上。
在記錄操作的情形之后,接著將描述消抹操作的情形。圖5A是示意圖,描述進行聚焦控制使得光束k的光點尺寸最小的情形。在這種情況下,如前所述,光束i的光點散焦。這樣光點的直徑變大。當光束k和i照到旋轉(zhuǎn)的光記錄介質(zhì)上時,在盤的槽位置上的強度變化和和溫度變化分別如圖5B和5C所示。即,光束k將相應的槽加熱至超過第二個溫度T2但不超過第一個溫度T1的溫度上,并利用具有擴展光點的光束i延遲緩慢冷卻槽的時間,從而消抹記錄在記錄介質(zhì)上的信息。在這種情況下,相應的槽可由光束i持續(xù)加熱到溫度T1和T2之間的溫度上。因為光束i加熱寬的范圍,相應的槽的部分就有大量余熱,它保證了緩慢的冷卻。
雖然當半導體激光器12和14向記錄和消抹提供恒定的輸出也可在槽的部位上獲得該溫度條件,但是對于最佳的溫度條件,最好根據(jù)記錄/消抹指令器88的指令通過轉(zhuǎn)換激光器驅(qū)動電路90和92來改變激光器12和14的輸出。
圖6是示意圖,描述了相同的或圖5中的光束k和i持續(xù)照射并連續(xù)消抹軌道上的信息的情形。
利用其截面以圖4A至4C中的同樣方法擴展了的光點k,記錄軌道被持續(xù)加熱到介于溫度T1和T2間,這樣,由加熱操作消抹掉軌道中已經(jīng)記錄的信息;另外,通過在同一時間加以類似的預熱,可根據(jù)待記錄的信息由后面的光點i完成記錄。
在圖3至6中描述的記錄和消抹操作中,用每個光束的光點直徑的變化來設(shè)定照射光的能量密度,從而設(shè)定加熱溫度。然而,與改變光點直徑的操作一起,前面的光束k可供給相應的槽,例如以最大的能量加在相應的槽上為了記錄(散焦狀態(tài))和消抹(剛好聚焦狀態(tài)),它將槽加熱至低于T1的溫度使得用光束i照射處的溫度超過溫度T1以進行記錄,而利用激光驅(qū)動電路90通過改變激光器12的輸出使光束i保持在低一些的溫度上用于消抹,由此進一步改進操作特性。
根據(jù)前面所述的本發(fā)明,用致動器71控制物鏡7成如下方式,即使得前面的光束點k有較大的尺寸,而光束點i被聚焦成接近衍射極限的小線度。圖1的探測器53或63的信號可用于控制物鏡7。然而,在使用散焦側(cè)時,要象下面所示的所樣給聚焦信號加偏置。
如圖7所示,光盤1預先設(shè)有導槽11以用于高密度記錄。例如,通過探測槽11的光衍射跟蹤槽11以實現(xiàn)跟蹤。在跟蹤操作中,當伺服控制是由探測器53或63和伺服信號發(fā)生器54或64在剛好聚焦側(cè)完成時,可以更高的靈敏度探測出光點相對于軌道的誤差。所以,通過使用小光點作為跟蹤探測信號,可在最小的誤差下實現(xiàn)跟蹤即光點i和光點k分別用來記錄和消抹。對于再現(xiàn)操作,因為記錄位是利用自然聚焦到接近衍生極限線度的光點讀的,所以用于跟蹤的探測信號也在小光點側(cè)獲得。另外,為用探測器53和63探測作為聚焦伺服的信號,使用了如傳統(tǒng)的利用散光的四部分檢測器。如果兩個和信號(它們每一個都是通過將分別來自檢測器兩個部分的信號相加而得的)的差壓在線性關(guān)系的范圍內(nèi),任何一個光點都可用作偏置加給伺服電路;然而,通過使用如前所述的由槽造成的衍射象已經(jīng)減小的小光點側(cè),可進一步減小聚焦誤差。
圖8是示意圖,描述了通過去掉與圖3的光探測器63有關(guān)的光探測系統(tǒng)而構(gòu)成的另一實施方案,其中的電子電路系統(tǒng)省略了。在這種情況下,用于聚焦和跟蹤操作的伺服信號不是用光束k獲得的,這里只使用了對于光束i的光探測器53。在這個結(jié)構(gòu)中,對于記錄操作其中光束i的光點直徑減小,聚焦和跟蹤操作可以象前面所述的一樣高精度地實現(xiàn);然而,對于消抹操作其中光束i的光點直徑擴大,必須將偏置加到聚焦誤差信號上,所以精度稍有下降。不過在消抹操作中,即使光點有些散焦也不會造成實際的問題。
如前所述,根據(jù)本發(fā)明,由前面的光束點k將記錄槽預熱到不超過相應于相變溫度T1的溫度以用于記錄,而后面的光束點i根據(jù)待記錄信號照射在槽上,以便使其加熱到不低于T1的溫度,這樣,利用聚焦到接近衍射極限的光束直徑就可以高速地完成高密度記錄。
權(quán)利要求
1.光記錄裝置,包括光記錄介質(zhì),其中它的一部分受到光點照射,并保持在第一種結(jié)構(gòu),而當所述部分被加熱到超過預定的高于室溫的溫度并隨后冷卻下來時,所述部分變成第二種結(jié)構(gòu),所述第二種結(jié)構(gòu)的光學特性不同于所述第一種結(jié)構(gòu)的光學特性;其特征在于光學裝置,用來并沿著它的記錄軌道照射所述光記錄介質(zhì)的兩個光點,包括前光點和緊鄰前光點的后光點;光強調(diào)節(jié)裝置,用于調(diào)節(jié)前光點的強度以將所述光記錄介質(zhì)的一部分預熱到超過室溫但不超過預定溫度的溫度范圍內(nèi),并用于向預熱后的部位的至少一部分照射強度大于前光點強度的后光點以使被照射部位的溫度超過預定值,從而形成所述第二種結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的光記錄裝置,其中所述光強調(diào)節(jié)裝置包括前光點調(diào)節(jié)裝置,用于調(diào)節(jié)前光點以使其持續(xù)照在所述光記錄介質(zhì)上,以使被照部分加熱到超過室溫但不超過預設(shè)溫度的溫度范圍內(nèi);后光點調(diào)節(jié)裝置,用于將后光點照到預熱后的部位的至少一部分上,根據(jù)待記錄的信息將記錄部分加熱到超過預設(shè)溫度的溫度上。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1的光記錄裝置,其中所述光學裝置包括聚焦裝置,用于將前光點的大小調(diào)整成大于后光點的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3的光記錄裝置,其中所述光學裝置包括用于前光點的光源;用于后光點的光源;用于將從所述作為前光點的光源和作為后光點的光源發(fā)出的光照到所述光記錄介質(zhì)的裝置;用于將后光點聚焦和將前光點散焦的裝置。
5.光記錄方法,其特征在于如下步驟將前光點照到光記錄介質(zhì)的至少一部分記錄介質(zhì)上,將該部位預熱到不超過在所述記錄介質(zhì)上的實現(xiàn)記錄所需的預設(shè)溫度的溫度上;將光強高于前光點光強的后光點照到由所述步驟預熱的記錄部位上;冷卻加熱的記錄部位。
6.光記錄裝置,包括光記錄介質(zhì),其中被光點照射加熱到超過高于室溫的第一個溫度的溫度上的部位出現(xiàn)第一個相結(jié)構(gòu),當該部位冷卻后代表已記錄了信息的狀態(tài),而被光點照射加熱到介質(zhì)超過室溫但不超過第一個溫度的第二個溫度和第一個溫度之間的溫度上的部位出現(xiàn)第二種相結(jié)構(gòu),當加熱的部位冷卻后代表信息已被抹掉的狀態(tài);其特征在于光學裝置,用來向所述光記錄介質(zhì)上并沿著它的記錄軌道照射兩個光點,包括前光點和緊鄰前光點的后光點;前光點調(diào)整裝置,用來調(diào)整前光點的光強以持續(xù)照在所述光記錄介質(zhì)上,使將該部位加熱到介于第一溫度和第二溫度之間的溫度,從而將加熱部位記錄的信息消抹掉并預熱將要照射的部位;后光點調(diào)整裝置,用于將后光點照射到消抹和預熱后的部位的至少一部分,根據(jù)待記錄的信息將記錄部位加熱到超過第一個溫度的溫度上。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6的光記錄裝置,其中所述光學裝置包括用于前光點的第一個光源;用于后光點的第二個光源;用于把所述光源發(fā)出的光作為前光點和后光點照到所述光記錄介質(zhì)上的裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7的光記錄裝置,其中所述的前光點調(diào)整裝置是用于調(diào)整提供給所述第一個光源的功率,從而調(diào)整從所述第一個光源發(fā)射的光的總量的裝置,所述后光點調(diào)整裝置是用于調(diào)整加在所述第二個光源上的功率,從而調(diào)整從所述第二個光源發(fā)射的光的總量的裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8的光記錄裝置,其中所述前光點調(diào)整裝置包括用于調(diào)整前光點散焦的裝置,所述后光點調(diào)整裝置包括用于調(diào)整后光點聚焦的裝置。
10.光記錄方法,其特征在于如下步驟加熱光記錄介質(zhì)的記錄部位到介于在所述記錄介質(zhì)上實現(xiàn)記錄所需的第一個溫度與超過室溫但不超過第一個溫度的第二個溫度之間的溫度上,所述第二個溫度是消抹記錄在所述記錄介質(zhì)上的信息所需的,從而消抹掉記錄的信息并預熱被照部位;用具有高于前光點光強的后光點根據(jù)要在預熱部位待記錄的信息照射預熱的部位,以便使預熱的部位加熱到超過第一個溫度的溫度,從而記錄下信息;冷卻加熱的記錄部位。
11.光記錄裝置包括光記錄介質(zhì),其中被光點照射的部位被加熱到超過高于室溫的第一溫度的溫度上在加熱部位冷卻后建立了第一個相結(jié)構(gòu),而在被光點照射的加熱到介于第一個溫度與超過室溫但不超過第一個溫度的第二個溫度之間的溫度的情形下在加熱部位冷卻后建立了第二個相結(jié)構(gòu),從而由如下方式記錄信息,即將第一和第二個相結(jié)構(gòu)中的一個對應為記錄了信息的狀態(tài)而將其中的另一個對應為消抹掉信息的狀態(tài);其特征在于光學裝置,用于聚焦兩束光束以形成兩個光點,并用于將兩個光點定位在所述光記錄介質(zhì)上并沿被照射的記錄軌道成為前光點和緊鄰前光點的后光點;用于調(diào)整的第一調(diào)整裝置,使得當將所述光記錄介質(zhì)設(shè)在第一種結(jié)構(gòu)時,減小的前光點的光強使由前光點照射的部位預熱到不超過第一個溫度的溫度上,后光點的光強超過前光點光強,使預熱的部位加熱到超過第一個溫度的溫度上;用于調(diào)整的第二調(diào)整裝置,使得當所述光記錄介質(zhì)設(shè)在第二種結(jié)構(gòu)時,加強的前光點的光強將該部位加熱到介于第一個溫度和第二個溫度之間的溫度上,后光點的光強被用來將加熱的部位的溫度保持在第一個溫度和第二個溫度之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11的光記錄裝置,其中所述光學裝置包括用于前光點的第一光源;用于后光點的第二光源;用于把從所述光源發(fā)出的光作為前光點和后光點照到所述光記錄介質(zhì)上的裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11的光記錄裝置,其中所述第一調(diào)整裝置包括用于將前光點的大小調(diào)整成大于后光點的大小尺寸的裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求
13的光記錄裝置,其中所述第一調(diào)整裝置包括用于將前光點散焦和將后光點聚焦的裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求
11的光記錄裝置,其中所述第二調(diào)整裝置包括用于將前光點的大小調(diào)整成小于后光點的大小尺寸的裝置。
專利摘要
確定光記錄介質(zhì)在被加熱到第一溫度以上之后受到冷卻的第一狀態(tài)的光點,和確定光記錄介質(zhì)在被加熱到室溫以上但不超過第一溫度的第二溫度之后受到冷卻的第二狀態(tài)的光點。即,兩個光點照在光記錄介質(zhì)上,并處在其上的同一導軌中,通過控制每個光點的光點直徑和/或它們的光強,在光記錄介質(zhì)上記錄和消抹信號。
文檔編號G11B7/00GK86107205SQ86107205
公開日1987年5月20日 申請日期1986年10月15日
發(fā)明者坪井信義, 渡部篤美, 佐藤美雄, 田智, 佐佐木宏 申請人:株式會社日立制作所導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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