本公開涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種失效單元的修復(fù)方法、修復(fù)裝置、修復(fù)系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，可以先形成分布有多個晶粒(die)的晶圓(wafer)，然后以晶粒為單位進行切片封裝等各項工序制備形成芯片。在制造過程中，需要對晶圓上的失效單元(fail?bit，fb)進行修復(fù)，來提高芯片的制造良率。然而，現(xiàn)階段芯片的修復(fù)方式有待進一步提高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提出一種失效單元的修復(fù)方法、修復(fù)裝置、修復(fù)系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。其中，本公開實施例提供的一種失效單元的修復(fù)方法，包括：

2、獲取待分析對象在目標測試階段的所有失效單元的屬性信息，所述屬性信息包括位置信息和未通過的測試項目信息；

3、根據(jù)所述失效單元的屬性信息，確定至少一個核心失效單元；

4、將所述核心失效單元作為聚類中心，并將剩余的失效單元歸屬到相應(yīng)的失效單元聚類簇中；

5、根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，所述增強修復(fù)是利用備用電路對潛在失效單元進行修復(fù)。

6、在一些實施例中，所述根據(jù)所述失效單元的屬性信息，確定出至少一個核心失效單元，包括：

7、根據(jù)所述屬性信息，計算任意兩個失效單元之間的加權(quán)歐式距離；

8、獲取搜索半徑，所述搜索半徑與所述待分析對象的最小修復(fù)區(qū)域的尺寸相關(guān)；

9、針對所述所有失效單元中的每個失效單元，利用所述搜索半徑和相應(yīng)失效單元與每個剩余失效單元之間的加權(quán)歐式距離，計算所述相應(yīng)失效單元的局部區(qū)域絕對密度和所述相應(yīng)失效單元與剩余失效單元之間的最小加權(quán)歐式距離；

10、根據(jù)所述局部區(qū)域絕對密度和所述最小加權(quán)歐式距離，確定所述至少核心失效單元。

11、在一些實施例中，所述根據(jù)所述局部區(qū)域絕對密度和所述最小加權(quán)歐式距離，確定所述至少核心失效單元，包括：

12、將所述所有失效單元中的每個失效單元的所述局部區(qū)域絕對密度和所述最小加權(quán)歐式距離進行比較，將所述局部區(qū)域絕對密度和所述最小加權(quán)歐式距離均大于預(yù)設(shè)值對應(yīng)的失效單元作為核心失效單元。

13、在一些實施例中，所述根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，包括：

14、根據(jù)每個失效單元聚類簇中包含的失效單元的數(shù)量，確定是否對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)；

15、在確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)時，根據(jù)每個失效單元聚類簇中各失效單元的形態(tài)，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的方向和數(shù)量。

16、在一些實施例中，所述根據(jù)每個失效單元聚類簇中包含的失效單元的數(shù)量，確定是否對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)，包括：

17、在所述失效單元聚類簇中包含的失效單元的數(shù)量大于第一閾值時，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)。

18、在一些實施例中，所述位置信息包括坐標參數(shù)，所述未通過的測試項目信息包括未通過的測試項目的編號；

19、根據(jù)所述屬性信息，計算任意兩個失效單元之間的加權(quán)歐式距離，包括：

20、分別獲取所述位置信息及未通過的測試項目信息對應(yīng)的加權(quán)值；

21、根據(jù)所述加權(quán)值、所述任意兩個失效單元對應(yīng)的坐標參數(shù)及所述任意兩個失效單元未通過的測試項目的編號，計算任意兩個失效單元之間的加權(quán)歐式距離。

22、在一些實施例中，任意兩個失效單元之間的加權(quán)歐式距離wdab的計算公式為：

23、

24、其中，ga和gb為所述任意兩個失效單元的測試項目的編號；xa和xb為所述任意兩個失效單元的橫坐標；ya和yb為所述任意兩個失效單元的縱坐標；w1、w2、w3分別為所述任意兩個失效單元的橫坐標、縱坐標、測試項目的編號的加權(quán)值，w1+w2+w3＝1。

25、在一些實施例中，每一所述失效單元的局部區(qū)域絕對密度ρi的計算公式為：

26、

27、其中，dij表示兩個所述失效單元之間加權(quán)的歐式距離，dc為搜索半徑；為判斷函數(shù)為，

28、在一些實施例中，所述測試項目包括：功能測試、電流電壓測試、裕量測試。

29、在一些實施例中，所述待分析對象為動態(tài)隨機存取存儲器芯片上的晶粒。

30、本公開實施例還提出一種失效單元的修復(fù)裝置，包括：

31、獲得單元，用于獲取待分析對象在目標測試階段的所有失效單元的屬性信息，所述屬性信息包括位置信息和未通過的測試項目信息；

32、確定單元，用于根據(jù)所述失效單元的屬性信息，確定至少一個核心失效單元；

33、處理單元，用于將所述核心失效單元作為聚類中心，并將剩余的失效單元歸屬到相應(yīng)的失效單元聚類簇中；

34、所述確定單元，還用于根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，所述增強修復(fù)是利用備用電路對潛在失效單元進行修復(fù)。

35、本公開實施例還提出一種失效單元的修復(fù)系統(tǒng)，包括：

36、修復(fù)部，用于檢測待分析對象的失效單元，并將檢測結(jié)果反饋至控制器；

37、控制器，通過執(zhí)行本公開上述實施例中所述的修復(fù)方法對檢測結(jié)果進行分析并確定增強修復(fù)策略，向修復(fù)部發(fā)出指令，指示修復(fù)部根據(jù)增強修復(fù)策略對潛在失效單元進行修復(fù)。

38、本公開實施例還提出一種計算機可讀存儲介質(zhì)，該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)本公開上述實施例中所述的修復(fù)方法中的步驟。

39、本公開實施例提供的失效單元的修復(fù)方法，通過獲得待分析對象在目標測試階段的失效單元信息，然后利用該待分析對象的失效單元的屬性信息可以確定至少一個核心失效單元；然后將確定的至少一個核心失效單元作為聚類中心，并將剩余的失效單元歸屬到相應(yīng)的失效單元聚類簇中；最后根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，所述增強修復(fù)是利用備用電路對潛在失效單元進行修復(fù)；如此，可以減少后段測試階段的測試過程中出現(xiàn)新的失效單元，提高芯片的制造良率，進而降低修復(fù)的成本，從而提高芯片的使用壽命，以及提升企業(yè)形象。

技術(shù)特征：

1.一種失效單元的修復(fù)方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述根據(jù)所述失效單元的屬性信息，確定出至少一個核心失效單元，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述根據(jù)所述局部區(qū)域絕對密度和所述最小加權(quán)歐式距離，確定所述至少核心失效單元，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述根據(jù)每個失效單元聚類簇中包含的失效單元的數(shù)量，確定是否對所述失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述位置信息包括坐標參數(shù)，所述未通過的測試項目信息包括未通過的測試項目的編號；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修復(fù)方法，其特征在于，任意兩個失效單元之間的加權(quán)歐式距離wdab的計算公式為：

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的修復(fù)方法，其特征在于，每一所述失效單元的局部區(qū)域絕對密度ρi的計算公式為：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述測試項目包括：功能測試、電流電壓測試、裕量測試。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述待分析對象為動態(tài)隨機存取存儲器芯片上的晶粒。

11.一種失效單元的修復(fù)裝置，其特征在于，包括：

12.一種失效單元的修復(fù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：

13.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至10任一項所述的修復(fù)方法中的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例公開了一種失效單元的修復(fù)方法、修復(fù)裝置、修復(fù)系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，其中，失效單元的修復(fù)方法包括：獲取待分析對象在目標測試階段的所有失效單元的屬性信息，屬性信息包括位置信息和未通過的測試項目信息；根據(jù)失效單元的屬性信息，確定至少一個核心失效單元；將核心失效單元作為聚類中心，并將剩余的失效單元歸屬到相應(yīng)的失效單元聚類簇中；根據(jù)每個失效單元聚類簇，確定對失效單元聚類簇周圍進行增強修復(fù)的策略，增強修復(fù)是利用備用電路對潛在失效單元進行修復(fù)。

技術(shù)研發(fā)人員：潘志富,楊柳,王敏
受保護的技術(shù)使用者：長鑫科技集團股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/28