技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種鐵電存儲(chǔ)器抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固方法，包括選取樣品芯片并按照輻照劑量分組；輻照樣品并經(jīng)與未輻照樣品對(duì)比，去除性能?chē)?yán)重退化的樣品芯片；將得到的性能正常的樣品芯片在重離子加速器上進(jìn)行單粒子翻轉(zhuǎn)測(cè)試；同時(shí)將未經(jīng)輻照的相同批次的樣品芯片作為對(duì)照組，在相同的實(shí)驗(yàn)環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試；得到不同累積劑量下該樣品芯片的單粒子翻轉(zhuǎn)截面；分析e中的截面數(shù)據(jù)，得到能夠滿(mǎn)足加固需求的最佳累積劑量，并將其作為該款鐵電存儲(chǔ)器的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固的標(biāo)準(zhǔn)劑量。本發(fā)明是一種外部加固方法，不改變芯片的版圖、生產(chǎn)工藝，也不改變芯片的封裝尺寸以及工作時(shí)序，因此經(jīng)過(guò)加固的芯片可直接用于替換未加固的芯片，無(wú)需重新設(shè)計(jì)電路。

技術(shù)研發(fā)人員：郭紅霞;魏佳男;羅尹虹;丁李利;張鳳祁;張陽(yáng);潘霄宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西北核技術(shù)研究所
文檔號(hào)碼：201611247460
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.29
技術(shù)公布日：2017.06.13