本申請要求2015年5月6日提交的韓國專利申請?zhí)?0-2015-0063228的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各個實施例涉及一種包括半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲器件是在諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、或磷化銦(InP)等的半導(dǎo)體材料上實現(xiàn)的存儲器件。半導(dǎo)體存儲器件分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。

易失性存儲器件在關(guān)閉電源時不保留儲存在其中的數(shù)據(jù)。易失性存儲器件的代表實例包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、以及同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)等。非易失性存儲器件即使在關(guān)閉電源時也保留儲存在其中的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器件的代表實例包括只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、電可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器、相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)等。快閃存儲器件被廣泛使用，并且通常分為NOR(或非)和NAND(與非)型存儲器件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的各個實施例涉及一種包括具有提高的可靠性的半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

本公開的一個實施例提供一種編程存儲系統(tǒng)的方法，所述存儲系統(tǒng)包括具有多個存儲塊的半導(dǎo)體存儲器件，所述方法包括：當(dāng)包括在選定的存儲塊中的至少一個頁包含數(shù)據(jù)時，響應(yīng)編程請求而讀取包括在選定的存儲塊中的目標(biāo)頁；以及當(dāng)包括在從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。

所述方法可以進(jìn)一步包括：當(dāng)包括在讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值時，對不同于所選定的存儲塊的存儲塊的頁執(zhí)行所 述編程。

所述方法可以進(jìn)一步包括：當(dāng)包括在讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值時，對目標(biāo)頁執(zhí)行部分擦除操作；以及在部分擦除操作之后對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。

所述方法可以進(jìn)一步包括：當(dāng)包括在選定的存儲塊中的頁不包含數(shù)據(jù)時，對于目標(biāo)頁執(zhí)行所述編程。

當(dāng)儲存數(shù)據(jù)時，包括在選定的存儲塊中的頁可以具有擦除狀態(tài)和多個編程狀態(tài)。測試讀取電壓可以落在擦除狀態(tài)的電壓范圍與多個編程狀態(tài)中的最低編程狀態(tài)的電壓范圍之間的讀取裕量內(nèi)。

讀取目標(biāo)頁可以包括使用測試讀取電壓、響應(yīng)編程請求而讀取包括在選定的存儲塊中的目標(biāo)頁。

使用測試讀取電壓而讀取目標(biāo)頁可以包括：控制半導(dǎo)體存儲器件以在讀取操作期間產(chǎn)生測試讀取電壓；以及控制半導(dǎo)體存儲器件以對目標(biāo)頁執(zhí)行讀取操作。

所述方法可以進(jìn)一步包括：接收編程請求；以及響應(yīng)編程請求而定義包括在選定的存儲塊中的目標(biāo)頁。

定義目標(biāo)頁可以包括：參考邏輯塊地址與物理塊地址之間的映射信息，將包括在編程請求中的邏輯塊地址轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于目標(biāo)頁的物理塊地址。

本公開的另一個實施例提供一種存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括：包括多個存儲塊的半導(dǎo)體存儲器件，每個存儲塊都包括多個頁；以及控制器，所述控制器配置為，根據(jù)包括目標(biāo)頁的存儲塊中的至少一個頁是否包含數(shù)據(jù)，所述控制器讀取目標(biāo)頁，其中，當(dāng)包括在從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，所述控制器對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。

本公開的另一個實施例提供一種存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括：包括多個存儲塊的半導(dǎo)體存儲器件，每個存儲塊都包括多個頁；以及控制器，所述控制器配置為，根據(jù)在包括目標(biāo)頁的第一存儲塊的頁之中的包含數(shù)據(jù)的頁的數(shù)量是否是預(yù)定數(shù)量或更多，所述控制器讀取目標(biāo)頁，其中，當(dāng)包括在從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，所述控制器對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。

根據(jù)本公開的一個實施例，可以提供一種具有增強(qiáng)的可靠性的存儲系統(tǒng)以及其編程 方法。

附圖說明

在附圖中，為了清楚地示出而可以放大尺寸。而且，應(yīng)該理解的是，當(dāng)一個元件被稱為是在兩個元件之間時，它可以是在兩個元件之間的唯一元件，也可以存在的一個或多個插入元件。在全文中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

圖1是示出根據(jù)本公開的一個實施例的包括半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)的框圖；

圖2是示出根據(jù)本公開的一個實施例的半導(dǎo)體存儲器件的框圖；

圖3是示出根據(jù)本公開的一個實施例的存儲單元陣列的框圖；

圖4是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在編程之前、在最低有效位編程期間以及在最高有效位編程期間存儲單元的閾值電壓狀態(tài)的圖；

圖5是示出根據(jù)本公開的一個實施例操作存儲系統(tǒng)的方法的流程圖；

圖6是示出根據(jù)本公開的一個實施例的映射表的圖；

圖7是示出根據(jù)本公開的一個實施例對目標(biāo)頁進(jìn)行讀取操作的流程圖；

圖8是示出根據(jù)本公開的一個實施例的開放塊信息的圖；

圖9是示出根據(jù)本公開的一個實施例對替代頁執(zhí)行編程的過程的視圖；

圖10是示出根據(jù)本公開的另一個實施例操作存儲系統(tǒng)的方法的流程圖；

圖11是示出根據(jù)本公開的另一個實施例對目標(biāo)頁執(zhí)行編程的過程的視圖；

圖12是示出根據(jù)本公開的一個實施例的控制器的框圖；

圖13是示出根據(jù)本公開的一個實施例的存儲系統(tǒng)的應(yīng)用的框圖；以及

圖14是示出根據(jù)本公開的一個實施例的包括存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)的框圖。

具體實施方式

下文將結(jié)合附圖來具體描述本公開的示例性實施例。在以下描述中，將只描述理解根據(jù)本公開的操作所需要的部分，因此將省略其他部分的解釋，以免使當(dāng)前披露不清楚。因此，本公開不限于以下的實施例，而是可以許多其他實施例及其變體來體現(xiàn)。相反， 提供所描述的實施例，以使本公開徹底和完整，并且將本發(fā)明充分地傳達(dá)給本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。

應(yīng)該理解的是，當(dāng)一個元件被稱為“耦接”或“連接”到另一元件時，它可以直接耦接或連接到另一元件，或者它們之間可以出現(xiàn)插入元件。此外，本文所使用的術(shù)語“包含”或“包括”是包容的、開放的術(shù)語，并且不排除其他未定的元素或方法步驟。

圖1是示出根據(jù)本公開的一個實施例的包括半導(dǎo)體存儲器件100的存儲系統(tǒng)50的框圖。

存儲系統(tǒng)50可以進(jìn)一步包括控制器200，其用于控制半導(dǎo)體存儲器件100的操作。

半導(dǎo)體存儲器件100可以在控制器200的控制下操作。半導(dǎo)體存儲器件100可以包括存儲單元陣列110和用于驅(qū)動存儲單元陣列110的外圍電路120。存儲單元陣列110可以包括多個非易失性存儲單元。非易失性存儲單元可以布置在諸如塊的存儲區(qū)域中。每個存儲區(qū)域可以布置在子區(qū)域中，例如，存儲塊可以布置在多個頁中，每個頁都包括多個存儲單元。

外圍電路120可以在控制器200的控制下操作。外圍電路120可以在控制器200的控制下將數(shù)據(jù)編程進(jìn)存儲單元陣列110中。外圍電路120可以在控制器200的控制下從存儲單元陣列110讀取數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)輸出到控制器200。外圍電路120還可以在控制器200的控制下從存儲單元陣列110擦除數(shù)據(jù)。

例如，在編程操作期間，外圍電路可以從控制器200接收編程命令、物理塊地址以及要被編程的數(shù)據(jù)?？梢酝ㄟ^物理塊地址選擇一個存儲塊和包括在該存儲塊中的一個頁。外圍電路120可以將要被編程的數(shù)據(jù)編程進(jìn)選定的頁中。

在讀取操作期間，外圍電路120可以從控制器200接收讀取命令和物理塊地址?？梢酝ㄟ^物理塊地址選擇一個存儲塊和包括在該存儲塊中的一個頁。外圍電路20可以讀取選定的頁并將讀取的數(shù)據(jù)輸出到控制器200。

在擦除操作期間，外圍電路120可以從控制器200接收擦除命令和物理塊地址。可以通過物理塊地址選擇一個存儲塊或包括在一個存儲塊中的至少一個頁。外圍電路120可以擦除儲存在選定的區(qū)域中的數(shù)據(jù)。

在一個實施例中，半導(dǎo)體存儲器件100可以是快閃存儲器件。

控制器200可以控制半導(dǎo)體存儲器件100的總體操作。例如，控制器200可以配置 為響應(yīng)來自主機(jī)的要求而訪問半導(dǎo)體存儲器件100。

控制器200可以包括隨機(jī)存取存儲器(RAM)210、存儲控制單元220和比較器230。

RAM 210可以在存儲控制單元220的控制下操作。例如，存儲控制單元100可以配置為執(zhí)行一個或多個控制操作，例如，半導(dǎo)體存儲器件100的讀取、編程、擦除和/或后臺操作。存儲控制單元220可以配置為驅(qū)動用于控制半導(dǎo)體存儲器件100的固件。

當(dāng)主機(jī)將編程請求發(fā)送到控制器時，存儲控制單元220可以識別存儲陣列的子區(qū)域，如對應(yīng)于編程請求的頁(下文稱作目標(biāo)頁)。存儲控制單元220可以將包括在編程請求中的邏輯塊地址轉(zhuǎn)換成物理塊地址。在一個實施例中，物理塊地址可以表示存儲陣列的目標(biāo)頁。

在一個實施例中，存儲控制單元220可以執(zhí)行快閃轉(zhuǎn)換層(FTL)的功能。存儲控制單元220可以在RAM 210中儲存和管理映射表，該映射表包括對應(yīng)于存儲單元陣列110的物理塊地址與對應(yīng)于物理塊地址的邏輯塊地址之間映射的關(guān)系。因此，存儲控制單元220可以參考映射表將包括在編程請求中的邏輯塊地址轉(zhuǎn)換成物理塊地址。例如，存儲控制單元220可以將物理塊地址映射到包括在編程請求中的邏輯塊地址。

當(dāng)主機(jī)發(fā)送編程請求時，控制器200從主機(jī)接收要被編程的數(shù)據(jù)。存儲控制單元220可以將要被編程的數(shù)據(jù)暫時儲存在RAM 210中。因此，RAM 210可以用作主機(jī)與半導(dǎo)體存儲器件100之間的緩沖存儲器。

根據(jù)本公開的一個實施例，存儲控制單元220可以在響應(yīng)編程請求而在將編程命令發(fā)送到半導(dǎo)體存儲器件100之前確定包括目標(biāo)頁的存儲塊是否是開放塊，并且可以根據(jù)確定的結(jié)果使用測試讀取電壓讀取目標(biāo)頁。

在一個實施例中，開放存儲塊可以被定義為包括目標(biāo)頁并且還具有至少一個能夠儲存數(shù)據(jù)的頁的存儲塊。例如，當(dāng)存儲塊包括目標(biāo)頁并且還具有已經(jīng)被編程的頁時，所述存儲塊可以被定義為開放塊。在另一個實施例中，開放存儲塊可以被定義為包括目標(biāo)頁并且該存儲塊中至少預(yù)定數(shù)量的頁具有儲存在其中的數(shù)據(jù)的存儲塊。

控制器200可以獲得從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)。比較器230可以將包括在從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量與預(yù)定值進(jìn)行比較。具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量可以表示具有高于測試讀取電壓的閾值電壓的目標(biāo)頁的存儲單元的數(shù)量。相反地，具有第二邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量可以表示具有等于或小于測試讀取電壓的閾值電壓的目標(biāo)頁的存儲單元的數(shù)量。

表達(dá)“具有高于測試讀取電壓的閾值電壓的存儲單元的數(shù)量大于預(yù)定值”可以意味著：盡管事實是對目標(biāo)頁的編程操作還未執(zhí)行，但是大量的存儲單元的閾值電壓已經(jīng)升高。當(dāng)執(zhí)行對具有升高的閾值電壓的存儲單元的編程操作時，儲存在對應(yīng)的存儲單元中的數(shù)據(jù)可能是相對不可靠的。

根據(jù)本公開的實施例，當(dāng)包括在讀取數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值時，存儲控制單元220可以對不同于包括目標(biāo)頁的存儲塊的存儲塊的頁執(zhí)行編程。當(dāng)包括在讀取數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中的具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，存儲控制單元220可以對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。結(jié)果是，要被編程的數(shù)據(jù)可以可靠地儲存在存儲單元陣列100中。因此，可以提供一種具有增強(qiáng)的可靠性的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

參見圖2，提供了根據(jù)本公開的一個實施例的半導(dǎo)體存儲器件。例如，圖2的半導(dǎo)體存儲器件可以是圖1的半導(dǎo)體存儲器件100。

半導(dǎo)體存儲器件100可以包括存儲單元陣列100和外圍電路120。外圍電路120可以包括地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀和寫(讀/寫)電路123、輸入和輸出(輸入/輸出)緩沖器124以及控制邏輯125。

存儲單元陣列110可以包括多個存儲單元。存儲單元可以通過行線RL而與地址解碼器121耦接。存儲單元可以通過位線BL而與讀/寫電路123耦接。

圖3是示出根據(jù)本公開的一個實施例的存儲單元陣列的框圖。例如，圖3的存儲單元陣列可以是圖2的存儲單元陣列110。

參見圖3，存儲單元陣列110可以包括第一至第z存儲塊BLK1至BLKz。第一至第z存儲塊BLK1至BLKz可以共同連接到第一至第m位線BL1至BLm。第一至第m位線BL1至BLm可以形成圖2的位線BL。

在圖3中，為了便于解釋，僅示出多個存儲塊BLK1至BLKz之中的第一存儲塊BLK1的元件。省略包括在其他存儲塊BLK2至BLKz中的元件的圖示。應(yīng)理解的是，存儲塊BLK2至BLKz中的每一個都可以具有與第一存儲塊BLK1相同的配置。

存儲塊BLK1可以包括多個單元串CS1至CSm。第一至第m單元串CS1至CSm可以分別與第一至第m位線BL1至BLm耦接。

第一至第m單元串CS1至CSm中的每一個可以包括漏極選擇晶體管DST、彼此串聯(lián)耦接的多個存儲單元MC1至MCn、以及源極選擇晶體管SST。漏極選擇晶體管DST 可以與漏極選擇線DSL1耦接。第一至第n存儲單元MC1至MCn可以分別與第一至第n字線WL1至WLn耦接。源極選擇晶體管SST可以與源極選擇線SSL1耦接。

漏極選擇晶體管DST的漏極側(cè)可以與對應(yīng)的位線耦接。源極選擇晶體管SST的源極側(cè)可以與參考電壓節(jié)點耦接。在一個實施例中，源極選擇晶體管SST的源極側(cè)可以與公共源極線(未示出)耦接。公共源極線可以由圖2的控制邏輯125來控制。

在第一至第m單元串CS1至CSm中，與每個字線耦接的存儲單元可以形成單頁P(yáng)G。因此，每個存儲塊BLK1可以包括多個頁。

漏極選擇線DSL1、第一至第n字線WL1至WLn、以及源極選擇線SSL1可以包括在圖2的行線RL中。地址解碼器121可以控制漏極選擇線DSL1、第一至第n字線WL1至WLn、以及源極選擇線SSL1。讀/寫電路123可以控制第一至第m位線BL1至BLm。

再次參見圖2，外圍電路120可以包括地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀/寫電路123、輸入/輸出緩沖器124以及控制邏輯125。

地址解碼器121可以通過行線RL而與存儲單元陣列110耦接。地址解碼器121可以配置為在控制邏輯125的控制下操作。地址解碼器121可以通過控制邏輯125接收物理塊地址PA。

半導(dǎo)體存儲器件100的編程操作可以按頁(參見圖3的PG)執(zhí)行。半導(dǎo)體存儲器件100的讀取操作可以按頁執(zhí)行。在編程或讀取操作期間接收的物理塊地址PA可以包括塊地址和行地址。

地址解碼器121可以配置為解碼接收到的物理塊地址PA的塊地址。地址解碼器121可以響應(yīng)解碼的塊地址而從多個存儲塊BLK1至BLKz(參見圖3)中選擇對應(yīng)的存儲塊。

地址解碼器121可以配置為解碼接收到的物理塊地址PA的行地址，并選擇選定的存儲塊的對應(yīng)字線。由此，可以選擇一個頁。

在編程操作期間，地址解碼器121可以將來自電壓發(fā)生器122的高電平編程電壓施加到選定的字線，并且將來自電壓發(fā)生器122的編程通過電壓(program pass voltage)施加到未選定的字線。編程通過電壓可以比編程電壓低。在使用測試讀取電壓的讀取操作期間，地址解碼器121可以將來自電壓發(fā)生器122的測試讀取電壓施加到選定的字線，并且將來自電壓發(fā)生器122的讀取通過電壓(read pass voltage)施加到未選定的字線。讀取通過電壓可以比測試讀取電壓高。

電壓發(fā)生器122可以在控制邏輯125的控制下操作。電壓發(fā)生器122可以使用施加到半導(dǎo)體存儲器件100的外部電源電壓產(chǎn)生內(nèi)部電源電壓。例如，電壓發(fā)生器122可以通過調(diào)整外部電源電壓來產(chǎn)生內(nèi)部電源電壓。產(chǎn)生的內(nèi)部電源電壓可以施加到地址解碼器121、讀/寫電路123、輸入/輸出緩沖器124、以及控制邏輯25，并且可以用作半導(dǎo)體存儲器件100的操作電壓。

電壓發(fā)生器122可以使用外部和內(nèi)部電源電壓中的至少一種來產(chǎn)生多個電壓。在一個實施例中，電壓發(fā)生器122可以包括接收內(nèi)部電源電壓的多個泵送電容器(pumping capacitor)，并且可以在控制邏輯125的控制下通過選擇性地激活多個泵送電容器而產(chǎn)生多個電壓。例如，在編程操作期間，電壓發(fā)生器122可以產(chǎn)生高電平編程電壓以及具有比編程電壓的電平低的電平的編程通過電壓。在另一個實例中，在使用測試讀取電壓的讀取操作期間，電壓發(fā)生器122可以產(chǎn)生測試讀取電壓和讀取通過電壓，所述讀取通過電壓具有比讀取電壓的電平高的電平。所產(chǎn)生的電壓可以提供給地址解碼器121。

讀/寫電路123可以通過位線BL而與存儲單元陣列110耦接。讀/寫電路123可以在控制邏輯125的控制下操作。

在編程操作期間，讀/寫電路123可以將通過輸入/輸出緩沖器124接收的要被編程的數(shù)據(jù)DATA傳送到位線BL。要被編程的數(shù)據(jù)DATA可以儲存在選定的頁中。在讀取操作期間，讀/寫電路123可以通過位線BL從存儲單元陣列110的選定頁讀取數(shù)據(jù)DATA，并且可以將讀取的數(shù)據(jù)輸出到輸入/輸出緩沖器124。

輸入/輸出緩沖器124可以通過數(shù)據(jù)線DL而與讀/寫電路123耦接。輸入/輸出緩沖器124可以在控制邏輯125的控制下操作。輸入/輸出緩沖器124可以與控制器200連通。

控制邏輯125可以配置為控制半導(dǎo)體存儲器件100的總體操作。例如，控制邏輯125可以從主機(jī)接收命令CMD和物理塊地址PA。在讀取操作期間，命令CMD可以是讀取命令。在編程操作期間，命令CMD可以是編程命令。在擦除操作期間，命令CMD可以是擦除命令?？刂七壿?25可以配置為響應(yīng)接收到的命令CMD而控制地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀/寫電路123、以及輸入/輸出緩沖器124。

用于改變半導(dǎo)體存儲器件100的設(shè)定值的參數(shù)設(shè)置信息可以被作為命令CMD接收。參數(shù)設(shè)置信息可以包括用于設(shè)定測試讀取電壓的信息。當(dāng)參數(shù)設(shè)置信息被接收時，在讀取操作期間，控制邏輯125可以控制電壓發(fā)生器122以根據(jù)參數(shù)設(shè)置信息來產(chǎn)生測試讀取電壓。

圖4是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在編程之前、在最低有效位(LSB)編程期 間以及在最高有效位(MSB)編程期間存儲單元的閾值電壓狀態(tài)的圖。在圖4中，水平軸表示閾值電壓，并且豎直軸表示存儲單元的數(shù)量。在參考圖4的以下描述中，假設(shè)每個存儲單元可以儲存兩個比特位。但是，應(yīng)該理解的是，本公開的范圍不限于此。例如，每個存儲單元可以儲存三個比特位，并且存儲單元可以具有八個閾值電壓狀態(tài)。

參見圖4，在執(zhí)行編程操作之前，存儲單元可以具有擦除狀態(tài)E(410)。例如，對應(yīng)于擦除狀態(tài)E的電壓范圍可以低于接地電壓。

作為LSB編程的結(jié)果，存儲單元可以具有兩個閾值電壓狀態(tài)E和LP(420)。存儲單元可以被編程為具有擦除狀態(tài)E或較低編程狀態(tài)(lower program state)LP。每個存儲單元可以儲存對應(yīng)于邏輯值“1”或邏輯值“0”的一個數(shù)據(jù)比特位。

在LSB編程之后，可以執(zhí)行MSB編程(430)。作為MSB編程的結(jié)果，存儲單元可以具有四個閾值電壓狀態(tài)E、UP1、UP2和UP3。根據(jù)要被編程的數(shù)據(jù)，具有擦除狀態(tài)E和較低編程狀態(tài)LP的存儲單元可以被編程為具有擦除狀態(tài)E和第一至第三較高編程狀態(tài)(upper program state)UP1至UP3。例如，具有擦除狀態(tài)E的存儲單元可以被編程為具有擦除狀態(tài)E或第一較高編程狀態(tài)UP1。具有較低編程狀態(tài)LP的存儲單元可以被編程為具有第二較高編程狀態(tài)UP2或第三較高編程狀態(tài)UP3。第一較高編程狀態(tài)UP1可以是在通過MSB編程產(chǎn)生的編程狀態(tài)UP1至UP3中具有最低電壓范圍的編程狀態(tài)。每個存儲單元中可以儲存兩個數(shù)據(jù)比特位。

具有擦除狀態(tài)E的存儲單元的閾值電壓可以因各種因素而升高。作為一個實例，當(dāng)(例如，對于編程操作或讀取操作)訪問存儲塊的每個頁時，具有擦除狀態(tài)E的存儲單元的閾值電壓可以因施加到對應(yīng)的存儲塊的圖3的位線BL1至BLm和圖3的字線WL1至WLn的電壓而不被希望地升高。作為另一個實例，在對應(yīng)的存儲單元和相鄰的存儲單元具有擦除狀態(tài)E和編程狀態(tài)LP和UP1至UP3的情況下，具有擦除狀態(tài)E的存儲單元的閾值電壓可以因與具有高閾值電壓的相鄰存儲單元耦接而升高。即，在對于存儲塊中的特定頁執(zhí)行編程操作的情況下，同一存儲塊的還沒有被編程的頁中的存儲單元可以具有轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE。換句話說，在包括目標(biāo)頁的存儲塊是開放塊的情況下，目標(biāo)頁的存儲單元可以具有轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE。

在圖4所示的實施例中，假設(shè)具有擦除狀態(tài)E的存儲單元的閾值電壓不被希望地升高，因此存儲單元具有轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE。具有轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE的一些存儲單元(在圖4中由陰影線區(qū)域表示)可以具有比測試讀取電壓Vtst高的閾值電壓。隨后，當(dāng)執(zhí)行LSB編程時，要被編程到較低編程狀態(tài)LP的存儲單元可以具有過高的閾值電壓。即，較低編程狀態(tài)LP可以具有比第二電壓范圍RG2更寬和更高的電壓范圍，并且要被編程 到擦除狀態(tài)E的存儲單元可以仍然具有轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE。因此，儲存在存儲單元中的數(shù)據(jù)的可靠性可能變差。此外，執(zhí)行MSB編程時要儲存在存儲單元中的MSB數(shù)據(jù)的可靠性也可能惡化。

在本公開的實施例中，圖1的控制器200可以配置為確定包括目標(biāo)頁的存儲塊是否是開放塊。在確定之后，控制器200然后可以根據(jù)確定的結(jié)果使用測試讀取電壓Vtst讀取目標(biāo)頁。在一個實施例中，測試讀取電壓Vtst可以比接地電壓高。在一個實施例中，測試讀取電壓Vtst可以落在擦除狀態(tài)E的電壓范圍RG1與較低編程狀態(tài)LP的電壓范圍RG2之間的讀取裕量內(nèi)。在另一個實施例中，測試讀取電壓Vtst可以落在擦除狀態(tài)E的電壓范圍RG1與較高編程狀態(tài)UP1至UP3中的最低編程狀態(tài)UP1的電壓范圍RG3之間的讀取裕量內(nèi)。

當(dāng)目標(biāo)頁的存儲單元之中的具有高于測試讀取電壓Vtst的閾值電壓的存儲單元的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，控制器200可以對目標(biāo)頁執(zhí)行編程。當(dāng)目標(biāo)頁的存儲單元之中的具有高于測試讀取電壓Vtst的閾值電壓的存儲單元的數(shù)量大于預(yù)定值時，控制器200可以對另一存儲塊的頁、而不是目標(biāo)頁執(zhí)行編程。因此，要被編程的數(shù)據(jù)可以可靠地儲存在目標(biāo)頁中或另一頁中。因此，可以提供一種具有增強(qiáng)的可靠性的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

參見圖5，根據(jù)本公開的一個實施例，提供了示出操作存儲系統(tǒng)的方法的流程圖。例如，可以通過圖1中的存儲系統(tǒng)50來執(zhí)行圖5的操作。圖6示出根據(jù)本公開的一個實施例的映射表。例如，圖6的映射表可以體現(xiàn)在圖1的RAM 210內(nèi)。圖7是示出根據(jù)本公開的一個實施例對目標(biāo)頁進(jìn)行讀取操作的流程圖。例如，圖7的操作可以是圖5的步驟S140的一個實施例。

現(xiàn)在參見圖5，在步驟S110，可以從主機(jī)接收編程請求。編程請求可以包括邏輯塊地址。

在步驟S120，可以選擇目標(biāo)頁。例如，圖1的存儲控制單元220可以將包括在編程請求中的邏輯塊地址轉(zhuǎn)換成限定目標(biāo)頁的物理塊地址。

在步驟S130，確定數(shù)據(jù)是否儲存在包括在選定的存儲塊中的至少一個頁中。而且，確定選定的存儲塊是否是開放塊。選定的存儲塊可以是包括目標(biāo)頁的存儲塊。存儲控制單元220可以為了獲得關(guān)于選定的存儲塊的映射信息而訪問RAM 210的映射表，并且可以確定包括在選定的存儲塊中的至少一個頁是否已經(jīng)被編程。

在另一個實施例中，存儲控制單元220可以確定在選定的存儲塊的頁之中數(shù)據(jù)是否 儲存在預(yù)定數(shù)量的頁或更多頁中。存儲控制單元220可以通過查詢關(guān)于選定的存儲塊的映射信息的RAM 210的映射表確定在選定的存儲塊的頁之中預(yù)定數(shù)量的頁或更多頁是否已經(jīng)被編程。

參見圖6，映射表MPT示出了映射在存儲塊BLK1至BLKz的相應(yīng)頁P(yáng)G1至PGn中的邏輯塊地址。例如，第一存儲塊BLK1的第一和第二頁P(yáng)G1和PG2可以分別映射到第一和第二邏輯塊地址LA1和LA2。第一存儲塊BLK1的第n頁P(yáng)Gn可以不映射到任何邏輯塊地址，表示第一存儲塊BLK1的第n頁P(yáng)Gn可以不包含任何數(shù)據(jù)。第一存儲塊BLK1可以包括至少一個頁，例如，已經(jīng)包含數(shù)據(jù)的頁P(yáng)G1和PG2。因此，當(dāng)?shù)谝淮鎯KBLK1的第n頁P(yáng)Gn是目標(biāo)頁時，第一存儲塊BLK1可以被識別為開放塊。

第二存儲塊BLK2的第一至第n頁P(yáng)G1至PGn可以不儲存任何數(shù)據(jù)。因此，當(dāng)?shù)诙鎯KBLK2的任何一個頁被定義為目標(biāo)頁時，第二存儲塊BLK2可以不被識別為開放塊。第z存儲塊BLKz的第一和第二頁P(yáng)G1和PG2可以分別映射到第p和第(p+1)邏輯塊地址LAp和LAp+1中。第z存儲塊的第n頁P(yáng)Gn可以不包含數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)趜存儲塊BLKz的第n頁P(yáng)Gn被定義為目標(biāo)頁時，第z存儲塊BLKz可以被識別為開放塊。

再次參見圖5，在步驟S140，可以使用測試讀取電壓Vtst讀取目標(biāo)頁。步驟S140可以在圖7中詳細(xì)示出。

參見圖7，在步驟S210，當(dāng)傳送參數(shù)信息時，半導(dǎo)體存儲器件100可以被控制為在讀取操作期間可以產(chǎn)生測試讀取電壓Vtst。根據(jù)參數(shù)信息，圖2的控制邏輯125可以設(shè)定圖2的電壓發(fā)生器122，以產(chǎn)生測試讀取電壓Vtst。在步驟S220，可以對目標(biāo)頁執(zhí)行讀取操作。存儲控制器220可以將讀取命令和對應(yīng)于目標(biāo)頁的物理塊地址傳送到半導(dǎo)體存儲器件100。半導(dǎo)體存儲器件100可以響應(yīng)讀取命令而對目標(biāo)頁執(zhí)行讀取操作。電壓發(fā)生器122可以產(chǎn)生測試讀取電壓Vtst?？梢酝ㄟ^圖2的地址解碼器121將產(chǎn)生的測試讀取電壓Vtst施加到與目標(biāo)頁耦接的字線。圖2的讀/寫電路123可以從目標(biāo)頁讀取數(shù)據(jù)。可以根據(jù)目標(biāo)頁的存儲單元的閾值電壓是否高于測試讀取電壓來確定從目標(biāo)頁讀取的數(shù)據(jù)。讀取的數(shù)據(jù)可以輸出到控制器200。由此，存儲控制單元220可以獲得目標(biāo)頁的數(shù)據(jù)。

再次參見圖5，在步驟S150，可以確定在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量是否大于預(yù)定值?？梢詫⒆x取的數(shù)據(jù)提供到圖1的比較器230。比較器230可以對在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量進(jìn)行計數(shù)，并且確定該計數(shù)是否大于預(yù)定值。在一個實施例中，預(yù)定值可以是1。換句話說，可以確定在目標(biāo)頁的存儲單元中具有高于測試讀取電壓的閾值電壓的存儲單元的數(shù)量是否大于1。

當(dāng)在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值時，可以執(zhí)行步驟S160，然后執(zhí)行步驟S170。當(dāng)在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量等于或小于預(yù)定值時，那么可以執(zhí)行步驟S170。

在步驟S160，可以對不同于選定的存儲塊的存儲塊的頁(下文稱為替代頁)執(zhí)行編程。圖1的存儲控制單元220可以取消包括在編程請求中的邏輯塊地址與對應(yīng)于目標(biāo)頁的物理塊地址之間的映射，并且可以將包括在編程請求中的邏輯塊地址映射到對應(yīng)于替代頁的物理塊地址?？梢栽谟成浔碇懈略撚成?。存儲控制單元220可以將編程命令、對應(yīng)于替代頁的物理塊地址、以及要被編程的數(shù)據(jù)提供給半導(dǎo)體存儲器件100。半導(dǎo)體存儲器件100可以將要被編程的數(shù)據(jù)編程進(jìn)替代頁中。

在步驟S170，可以對目標(biāo)頁進(jìn)行編程。存儲控制單元220可以將編程命令、對應(yīng)于目標(biāo)頁的物理塊地址、以及要被編程的數(shù)據(jù)提供給半導(dǎo)體存儲器件100。半導(dǎo)體存儲器件100可以將要被編程的數(shù)據(jù)編程進(jìn)目標(biāo)頁中。

圖8是示出根據(jù)本公開的一個實施例的開放塊信息的圖。例如，開放塊信息OBI可以儲存在圖1的RAM 210中。

參見圖8，圖1的存儲控制單元220可以參考圖6的映射表MPT而儲存和管理RAM210中的開放塊信息OBI，以便改進(jìn)存儲器件的操作速度。開放塊信息可以表示第一至第z存儲塊BLK1至BLKz中的每一個是否是開放塊。在圖8的實施例中，第二和第z存儲塊BLK2和BLKz可以是開放塊，并且第一和第三存儲塊BLK1和BLK3可以不是開放塊。

在一個實施例中，可以通過控制器來管理開放塊信息OBI。例如，存儲控制單元220可以在開放塊信息OBI中搜索包含目標(biāo)頁的存儲塊，并且快速確定對應(yīng)的存儲塊是否是開放塊。因此，通過管理開放塊信息OBI，可以快速地執(zhí)行圖5的步驟S130。

圖9示出了根據(jù)本公開的一個實施例的當(dāng)接收編程請求時對替代目標(biāo)頁，替代頁執(zhí)行編程的過程。在圖9的實施例中，目標(biāo)頁TP可以包括在第一存儲塊BLK1中，而替代頁SP可以包括在第二存儲塊BLK2中。例如，可以通過圖1的控制器200來執(zhí)行圖9的過程。

參見圖9，控制器200可以從主機(jī)接收編程請求(“A”)。如果包含目標(biāo)頁TP的第一存儲塊BLK1是開放塊，則控制器200可以使用如圖4所示的測試讀取電壓Vtst而從目標(biāo)頁TP讀取數(shù)據(jù)(“B”)。但是，如果在包括在讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值，則控制器200可以對代替目標(biāo)頁TP的替 代頁SP執(zhí)行編程(“C”)，并且要被編程的數(shù)據(jù)可以儲存在替代頁SP中。

圖10是示出根據(jù)本公開的另一個實施例的操作存儲系統(tǒng)的方法的流程圖。例如，可以通過圖1中的存儲系統(tǒng)50來執(zhí)行圖10的操作。

參見圖10，可以與圖5的步驟S110至S140的方式相同的方式操作步驟S310和S340。下文將省略重復(fù)的說明。

在步驟S350，可以確定在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量是否大于預(yù)定值。如果是，則可以執(zhí)行步驟S360和S370。如果否，則可以執(zhí)行步驟S370。

在步驟S360，可以對目標(biāo)頁執(zhí)行部分擦除操作。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，當(dāng)在讀取的數(shù)據(jù)中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值時，可以對目標(biāo)頁執(zhí)行部分擦除操作。

圖1的存儲控制單元200可以控制半導(dǎo)體存儲器件100用于對目標(biāo)頁執(zhí)行部分擦除操作。在一個實施例中，控制器200可以對目標(biāo)頁執(zhí)行部分擦除操作。例如，響應(yīng)對應(yīng)的部分擦除命令，半導(dǎo)體存儲器件100可以將高平擦除電壓施加到選定的存儲塊的襯底，即存儲單元的本體。半導(dǎo)體存儲器件100可以將接地電壓施加到與目標(biāo)頁耦接的字線(例如，圖3的WLn-1)，并且浮置其他字線(例如，圖3的WL1至WLn-2和WLn)。目標(biāo)頁的存儲單元可以具有因由擦除電壓和接地電壓形成的電場而減少的閾值電壓。在一個實施例中，控制器200可以對包括目標(biāo)頁的子塊執(zhí)行部分擦除操作。例如，半導(dǎo)體存儲器件100可以響應(yīng)對應(yīng)的部分擦除命令而將高平擦除電壓施加到選定的存儲塊的襯底。半導(dǎo)體存儲器件100可以將接地電壓施加到與目標(biāo)頁所屬的子塊耦接的字線(例如，圖3的WLn-1和WLn)，并且可以浮置其他字線WL1至WLn-2。包括在子塊中的存儲單元的閾值電壓可以因由擦除電壓和接地電壓形成的電場而減少。

作為對目標(biāo)頁進(jìn)行部分擦除操作的結(jié)果，目標(biāo)頁可以具有如圖4所示的擦除狀態(tài)E。

在步驟S370，可以對目標(biāo)頁進(jìn)行編程。存儲控制單元220可以將編程命令、對應(yīng)于目標(biāo)頁的物理塊地址、以及要被編程的數(shù)據(jù)提供給半導(dǎo)體存儲器件100。

根據(jù)一個實施例，具有如圖4所示的轉(zhuǎn)換的擦除狀態(tài)EE的目標(biāo)頁由于部分擦除操作而可以具有擦除狀態(tài)E。之后，可以對目標(biāo)頁進(jìn)行編程。因此，可以提供一種具有增強(qiáng)的可靠性的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

圖11示出了根據(jù)本公開的另一個實施例的當(dāng)接收編程請求時對目標(biāo)頁執(zhí)行編程的過程。在圖11中，示出了目標(biāo)頁TP可以包括在第一存儲塊BLK1中的情況。例如，可 以通過圖1的控制器200來執(zhí)行圖9的過程。

參見圖11，控制器200可以從主機(jī)接收編程請求(“D”)。如果第一存儲塊BLK1是開放塊，則控制器200可以使用測試讀取電壓Vtst而從目標(biāo)頁TP讀取數(shù)據(jù)(“E”)。如果在包括在讀取的數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)比特位之中具有第一邏輯值的數(shù)據(jù)比特位的數(shù)量大于預(yù)定值，則控制器200可以對目標(biāo)頁TP執(zhí)行部分擦除操作(“F”)。在對目標(biāo)頁TP進(jìn)行部分擦除操作之后，控制器200可以對目標(biāo)頁TP執(zhí)行編程(“G”)。要被編程的數(shù)據(jù)可以儲存在目標(biāo)頁TP中。

如果要被編程的數(shù)據(jù)是危險的(critical)，則可以執(zhí)行替代頁SP的編程。在此情況下，可以認(rèn)為目標(biāo)頁TP包括具有低可靠性的存儲單元，并且因此可以在映射表MPT中將目標(biāo)頁TP更新為無效頁。另一方面，如果要被編程的數(shù)據(jù)不是危險的，則可以在對目標(biāo)頁TP進(jìn)行部分擦除操作之后對目標(biāo)頁TP執(zhí)行編程。

圖12是示出根據(jù)本公開的一個實施例的控制器的框圖。例如，圖12的控制器可以是圖1的控制器200。

參見圖12，控制器1200可以包括隨機(jī)存取存儲器(RAM)1210、處理單元1220、主機(jī)接口1230、存儲器接口1240、以及錯誤校正塊1250。

處理單元1220可以控制控制器1200的總體操作。RAM 1210可以用作處理單元1220的操作存儲器、半導(dǎo)體存儲器件(例如，圖1的半導(dǎo)體存儲器件100)與主機(jī)之間的高速緩沖存儲器、以及半導(dǎo)體存儲器件100與主機(jī)之間的緩沖器中的至少一種。處理單元1220和RAM 1210可以執(zhí)行圖1的存儲控制單元220和比較器230的功能。例如，處理單元1220可以將編程命令、數(shù)據(jù)文件、和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等加載到RAM 1210中，并運(yùn)行加載的數(shù)據(jù)。以此方式，處理單元1220可以執(zhí)行存儲控制單元220和比較器230的功能。

此外，RAM 1210可以起圖1的RAM 210的作用。雖然在圖12中示出了使用單個的RAM 1210，但是可以使用兩個或更多個RAM。

主機(jī)接口1230可以包括用于在主機(jī)與控制器1200之間執(zhí)行數(shù)據(jù)交換的協(xié)議。在一個示例性實施例中，控制器1200可以配置為通過各種接口協(xié)議中的至少一種與主機(jī)通信，這些接口協(xié)議例如是通用串行總線(USB)協(xié)議、多媒體卡(MMC)協(xié)議、外圍組件互連(PCI)協(xié)議、PCI-快速(PCI-E)協(xié)議、高級技術(shù)附件(ATA)協(xié)議、串行ATA協(xié)議、并行ATA協(xié)議、小型計算機(jī)小型接口(SCSI)協(xié)議、增強(qiáng)小型磁盤接口(ESDI)協(xié)議、以及集成驅(qū)動電路(IDE)協(xié)議、私有協(xié)議等。

存儲器接口1240可以與半導(dǎo)體存儲器件100接口。錯誤校正塊1250可以使用錯誤校正碼(ECC)來檢測和校正從半導(dǎo)體存儲器件100讀取的數(shù)據(jù)中的錯誤。

控制器1200和圖1的半導(dǎo)體存儲器件100可以集成為單個半導(dǎo)體器件。在一個實施例中，控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以集成為單個半導(dǎo)體器件以形成存儲卡。例如，控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以集成為單個半導(dǎo)體器件并形成存儲卡，如，個人計算機(jī)存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA)卡、緊湊型快閃(CF)卡、智能多媒體卡(SMC)、存儲棒多媒體卡(例如，MMC、RS-MMC或MMCmicro)、SD卡(例如，SD、miniSD、microSD或SDHC)、以及通用快閃儲存器(UFS)等。

控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以集成為單個半導(dǎo)體器件，以形成固態(tài)驅(qū)動器(SSD)。當(dāng)控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100實現(xiàn)為SSD時，主機(jī)的操作速度可以極大地提高。

在再一個實施例中，控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以被提供為電子設(shè)備的各種元件中的一種，該電子設(shè)備例如是計算機(jī)、超級移動PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)板、無線電話、移動電話、智能電話、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、游戲機(jī)、導(dǎo)航儀、黑匣子、數(shù)碼相機(jī)、3D電視、數(shù)字錄音機(jī)、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖片記錄儀、數(shù)字圖片播放器、數(shù)字視頻錄像機(jī)、數(shù)字視頻播放器、能夠在無線環(huán)境中傳輸/接收信息的器件、形成家庭網(wǎng)絡(luò)的各種器件中的一種、形成計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子器件中的一種、形成遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子器件中的一種、RFID器件、或形成計算系統(tǒng)的各個元件中的一種等等。

在一個實施例中，控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以安裝在各種類型封裝體中。例如，控制器1200和半導(dǎo)體存儲器件100可以下面的類型來封裝，如，疊加封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級封裝(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、華夫包中裸片(Die in Waffle Pack)、晶片形式的裸片、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形(SOIC)、收縮型小外形封裝(SSOP)、薄型小外形封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級制造封裝(WFP)、或晶片級處理堆棧封裝(WSP)等等。

圖13是示出根據(jù)本公開的一個實施例的存儲系統(tǒng)的應(yīng)用的框圖。例如，圖13的存儲系統(tǒng)可以對應(yīng)于圖1的存儲系統(tǒng)50。

參見圖13，存儲系統(tǒng)2000可以包括半導(dǎo)體存儲器件2100和控制器2200。半導(dǎo)體存儲器件2100可以包括多個存儲芯片。半導(dǎo)體存儲芯片可以分成多個組。

在一個實施例中，示出了多個組中的每一個組都可以通過第一至第k通道CH1至CHk而與控制器2200通信的情況。每個半導(dǎo)體存儲芯片都可以與參考圖1所描述的半導(dǎo)體存儲器件相同的方式配置和操作。

每個組都可以通過一個公共通道而與控制器2200通信。控制器2200可以具有與參考圖1所描述的控制器1200相同的配置，并且可以配置為通過多個通道CH1至CHk而控制半導(dǎo)體存儲器件2100的多個存儲芯片。

在圖13中，示出多個半導(dǎo)體存儲芯片與每個通道耦接。但是，應(yīng)理解的是，存儲系統(tǒng)2000可以修改為使得單個存儲芯片與每個通道耦接。

圖14是示出根據(jù)本公開的一個實施例的包括存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)3000的框圖。例如，計算系統(tǒng)3000可以包括圖13中的存儲系統(tǒng)2000。

參見圖14，計算系統(tǒng)3000可以包括中央處理單元(CPU)3100、隨機(jī)存取存儲器(RAM)3200、用戶接口3300、電源3400、系統(tǒng)總線3500、以及存儲系統(tǒng)2000。

存儲系統(tǒng)2000可以通過系統(tǒng)總線3500而與CPU 3100、RAM 3200、用戶接口3300、以及電源3400耦接。通過用戶接口3300提供的或通過CPU 3100處理的數(shù)據(jù)可以儲存在存儲系統(tǒng)2000中。

在圖14中，示出半導(dǎo)體存儲器件2100通過控制器2200而與系統(tǒng)總線3500耦接。但是，應(yīng)注意到的是，半導(dǎo)體存儲器件2100可以直接與系統(tǒng)總線3500耦接。可以通過CPU 3100和RAM 3200執(zhí)行控制器2200的功能。

在圖14的實施例中，可以如所示的采用存儲系統(tǒng)2000。但是，應(yīng)該注意到的是，可以用參考圖1所描述的存儲系統(tǒng)50來代替存儲系統(tǒng)2000。

根據(jù)本公開的一個實施例，當(dāng)包括目標(biāo)頁的存儲塊是開放塊時，控制器200可以在編程操作之前使用測試讀取電壓執(zhí)行讀取目標(biāo)頁的操作?；谧x取的數(shù)據(jù)，可以確定目標(biāo)頁中的存儲單元的閾值電壓是否已經(jīng)不希望地升高。根據(jù)確定的結(jié)果，可以對目標(biāo)頁進(jìn)行編程。因此，提供了一種具有增強(qiáng)的可靠性的存儲系統(tǒng)以及其編程方法。

雖然出于示意的目的已經(jīng)公開了本公開的示例性實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，各種修改、增加和替代都是可能的。因此，應(yīng)該注意到的是，本發(fā)明的范圍不意在受所述實施例的限制。在閱讀了本公開之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想本發(fā)明的許多其他實施例和變體，而不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍和主旨。