技術(shù)特征：
1.一種多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，包括：兩個(gè)或更多個(gè)磁隧道效應(yīng)結(jié)MTJ的疊層，每個(gè)MTJ具有自由層并且通過(guò)在隔離層上形成的播種層與所述疊層中的其他MTJ分開(kāi)，所述疊層用于存儲(chǔ)一位以上的信息，其中直接施加到所述MTJ的不同電流電平使得切換到不同的狀態(tài)，并且其中MTJ的自由層各具有唯一的厚度，從而使得每個(gè)MTJ在唯一切換電流下進(jìn)行狀態(tài)切換。2.如權(quán)利要求1所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，其中：在底部電極頂部形成MTJ疊層的第一MTJ；在第一MTJ的頂部形成MTJ疊層的第二MTJ；以及在第二MTJ的頂部形成頂部電極。3.如權(quán)利要求2所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，還包括在所述底部電極和所述第一MTJ之間形成的第一針扎層。4.如權(quán)利要求3所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，還包括在形成于所述隔離層頂部的所述播種層與所述第二MTJ之間形成的第二針扎層。5.如權(quán)利要求4所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，其中每個(gè)MTJ包括固定層和勢(shì)壘層，所述勢(shì)壘層將所述自由層與所述固定層分開(kāi)。6.如權(quán)利要求5所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，其中每個(gè)MTJ的所述勢(shì)壘層基本由氧化鎂（MgO）制成并可包括以下化合物的一種或多種－氧化鋁（Al2O3）、氧化鈦（TiO2）、氧化鎂（MgOx）、氧化釕（RuO），氧化鍶（SrO）、氧化鋅（ZnO）。7.如權(quán)利要求6所述的多態(tài)電流切換磁存儲(chǔ)器元件，其中每個(gè)MTJ的所述勢(shì)壘層具有唯一厚度，從而使得每個(gè)MTJ具有唯一...