專利名稱：熔絲讀出裝置、方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
概括地說，本發(fā)明涉及存儲器元件，并且特別涉及一種一次性可編程(OTP)熔絲(fuse)讀出。
背景技術(shù)：
數(shù)字存儲設(shè)備可以包括具有一次性可編程(OTP)存儲器元件的存儲設(shè)備。一種示例性的OTP存儲器元件可以包括熔絲，熔絲可以是非易失性存儲器元件，非易失性存儲器元件可以通過使電流流過熔絲而被編程或者熔斷。通常，熔絲單元兩端的電壓可以被讀出，以便確定熔絲是否已經(jīng)被編程。熔絲單元可以通過將熔絲單元電壓與參考電壓進(jìn)行比較而讀出。對于具有多個OTP存儲器元件的存儲器設(shè)備，每個熔絲可以通過將每個熔絲兩端的電壓與參考電壓進(jìn)行比較而讀出。但是，通常而言，必須使用電路來針對待測量的每個熔絲產(chǎn)生參考電壓。因此，每個熔絲需要指定的電路來產(chǎn)生參考電壓，這可以占據(jù)板上的大量空間。此外，可以使用比較器和/或鎖存器來讀取OTP存儲器元件，以確定每個OTP存儲器元件的狀態(tài)(例如，已編程的或未編程)。然而，與鎖存器和熔絲單獨的工作電壓相比而言，比較器、鎖存器和熔絲的組合通常在比較低的電壓下工作。

發(fā)明內(nèi)容
除了其他方面以外，本發(fā)明還討論了連接到多個熔絲讀出電路的參考電壓發(fā)生器電路。該參考電壓發(fā)生器電路可以被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以連接到參考電壓發(fā)生器電路上，并且還可以連接到多個熔絲中的一個熔絲上。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為使用柵極偏置電壓來對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生在連接到多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以將每個熔絲的熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較，并且可以使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。本發(fā)明提供了一種熔絲讀出裝置，包括:參考電壓發(fā)生器電路，其被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；以及多個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上，并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為對每個熔絲的所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。本發(fā)明還提供了一種熔絲讀出方法，包括:對參考電流進(jìn)行鏡像，以使用參考電壓發(fā)生器電路來產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；使用連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上并且還連接到第一熔絲上的熔絲讀出電路，使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生所述第一熔絲兩端的熔絲讀出電壓，所述熔絲讀出電路是多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路連接到多個熔絲中的一個熔絲上；將所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較；以及使用比較結(jié)果來指示所述第一熔絲的狀態(tài)。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種熔絲讀出系統(tǒng)，包括:處理器；以及參考電壓發(fā)生器電路，其連接到所述處理器上，并且被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；以及多個熔絲讀出電路，其連接到所述處理器上，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上，并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為對每個熔絲的所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。這部分旨在提供對本專利申請的主題的概述。這部分并非旨在提供本發(fā)明的排他性的或詳盡的說明。本文包括了詳細(xì)的描述，以提供關(guān)于本專利申請的進(jìn)一步信息。


在附圖中(這些附圖不一定是按照比例繪制的)，相同的數(shù)字能夠描述不同視圖中的類似部件。具有不同字母后綴的相同數(shù)字能夠表示類似部件的不同示例。附圖通過示例而非限制的方式概括地示例了本申請中討論的各個實施例。圖1概括地示出了包括參考電壓發(fā)生器電路和多個熔絲讀出電路的系統(tǒng)的示例；圖2概括地示出了包括參考電壓發(fā)生器電路和熔絲的熔絲讀出電路的系統(tǒng)的示例；圖3(a)和圖3(b)概括地示出了在熔絲讀出期間信號的示例；以及圖4概括地示出了一種包括讀出熔絲的方法。
具體實施例方式在一個不例中，系統(tǒng)可以包括具有一個或多個處理器的設(shè)備，這一個或多個處理器被配置為通信地(communicatively)連接到存儲器設(shè)備。存儲器設(shè)備可以是任何類型的存儲器設(shè)備，包括只讀存儲器(例如，可編程只讀存儲器(PROM)、現(xiàn)場可編程只讀存儲器(FPROM)、一次性可編程(OTP)非易失性存儲器，等等)。在一些示例中，存儲器設(shè)備可以包括OTP熔絲，OTP熔絲可以通過使電流流過熔絲而被編程或者熔斷。在一些實施例中，系統(tǒng)可以包括參考電壓發(fā)生器電路和通信地連接到多個熔絲的多個熔絲讀出電路。參考電壓發(fā)生器電路和多個熔絲讀出電路可以進(jìn)一步被通信地連接到一個或多個處理器，并且能夠確定存儲器設(shè)備中的哪些存儲器單元是已編程的(或未編程的)。參考電壓發(fā)生器電路可以產(chǎn)生參考電壓，參考電壓能夠用于多個熔絲。參考電壓可以與多個熔絲中的每個熔絲的電壓進(jìn)行比較，以確定哪些熔絲是已編程的(或未編程的)。在一些實施例中，比較器被用于進(jìn)行熔絲的熔絲電壓和參考電壓的比較。鎖存器可以被連接到比較器，以存儲電壓的比較結(jié)果。在一些實施例中，由參考電壓發(fā)生器電路產(chǎn)生的參考電壓可以是接近于用于將熔絲的熔絲電壓和參考電壓進(jìn)行比較的比較器的中間工作范圍的電壓。產(chǎn)生接近于比較器的中間工作范圍的參考電壓可以確保在熔絲的最大未編程(例如，未熔斷)熔絲電阻期間和熔絲的最小未編程(例如，已熔斷)熔絲電阻期間的比較器精度。此外，在一些實施例中，存儲器設(shè)備中的每個存儲器元件的狀態(tài)可以在低電源電壓處被讀出。這在比較器工作于比存儲器單元的工作電壓低的電源電壓下的情形中，是有益的，從而允許存儲器設(shè)備的更準(zhǔn)確的讀出。圖1概括地示出了系統(tǒng)100的示例，系統(tǒng)100包括通信地連接到參考電壓發(fā)生器110的一個或多個處理器105、以及多個熔絲讀出電路115、120和125。一個或多個處理器105可以發(fā)起并且處理通信地連接到多個熔絲讀出電路115、120和125上的存儲器設(shè)備中的熔絲的讀出。參考電壓發(fā)生器110可以被配置為對參考電流(例如，外部產(chǎn)生的參考電流，等等)進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。參考電壓可以與存儲器設(shè)備的多個熔絲的熔絲電壓進(jìn)行比較，以便確定每個熔絲是否已編程或未編程。每個熔絲讀出電路115、120和125可以包括用于確定多個熔絲中的每個熔絲的狀態(tài)(例如，已編程或未編程)。在一些實施例中，每個熔絲讀出電路115、120和125可以包括比較器，以用于將來自參考電壓發(fā)生器電路的參考電壓和被測量的熔絲電壓進(jìn)行比較。在一些實施例中，熔絲讀出電路115、120和125可以進(jìn)一步包括鎖存器，以用于存儲由比較器確定的熔絲的狀態(tài)。鎖存器可以是用于對狀態(tài)進(jìn)行存儲的任何類型的鎖存器。圖2概括地示出了系統(tǒng)200的示例，系統(tǒng)200包括參考電壓發(fā)生器205和用于讀出熔絲245的熔絲讀出電路210。如下文所討論的，參考電壓發(fā)生器電路205可以被連接到多個熔絲讀出電路，并且可以被用于讀出多個熔絲。熔絲讀出電路210可以是經(jīng)由參考電壓節(jié)點(Vref) 270和柵極偏置節(jié)點275連接到參考電壓發(fā)生器205的多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路。熔絲245可以是可編程的任何類型的熔絲單元。在圖2中，電源電壓(Vdd)可以被連接到參考電壓發(fā)生器電路205和熔絲讀出電路210，并且可以提供電壓以操作電路。此外，晶體管215的讀出使能電壓220和比較器250的讀出使能電壓255可以是用于開始讀出熔絲245的過程的任何電壓電平(例如，用于接通晶體管和比較器250的電壓)。在一示例中，參考電流(Iref)可以在參考電壓發(fā)生器205之外被產(chǎn)生，并且可以被用于在柵極偏置電壓節(jié)點275處產(chǎn)生柵極偏置電壓?？梢允褂镁w管230、235來對參考電流(Iref)進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生電流宿(current sink),從而在Vref節(jié)點270處產(chǎn)生參考電壓(例如，從Vdd通過參考晶體管(Rref)的電壓降)。柵極偏置電壓節(jié)點275處的柵極偏置電壓可以進(jìn)一步產(chǎn)生多個電流宿，以產(chǎn)生多個熔絲讀出節(jié)點(多個熔絲中每個熔絲一個節(jié)點，未示出)，例如熔絲讀出節(jié)點280。在圖2的示例中，熔絲245的熔絲讀出電壓可以在電流經(jīng)由晶體管240被鏡像時被產(chǎn)生。比較器250可以將Vref節(jié)點270處的參考電壓和熔絲讀出節(jié)點280處的熔絲245的熔絲讀出電壓進(jìn)行比較。如果熔絲讀出電壓是接近于零伏特的，那么熔絲245可以被編程(例如，已熔斷)，具有高電阻，并且比較器250可以輸出指示熔絲讀出電壓小于參考電壓的值。如果熔絲讀出電壓大于參考電壓，那么熔絲245可以是未編程的(例如，未熔斷)，幾乎沒有電阻，并且比較器250可以輸出指示熔絲讀出電壓大于參考電壓的值。在一些實施例中，一個比較器可以被用于將多個熔絲的熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。例如，不同于具有指定的比較器以用于并聯(lián)地比較多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路，單個比較器可以被連接到多個熔絲讀出電路中的多于一個的或所有的熔絲讀出電路，以依次地將多個熔絲的每個熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。鎖存器260可以被連接到比較器250的輸出端，以存儲熔絲245的狀態(tài)(例如，已編程或未編程)，即使是在比較器250被禁用之后。鎖存器260可以存儲熔絲245的狀態(tài)，使得一個或多個處理器可以確定熔絲245是否是已編程的。在一些實施例中，在熔絲正被讀出時由設(shè)備所消耗的電流可以通過針對參考電壓發(fā)生器電路和多個熔絲讀出電路的部件設(shè)置一個乘法因子來加以控制。這可以通過使用參考電壓發(fā)生器電路205中的額外晶體管(未示出)以乘以任意數(shù)量的級中的電流來完成。例如，晶體管235可以具有乘數(shù)Y，使用一個或一組晶體管表示電流相乘，并且晶體管240可以具有乘數(shù)X，使用一個或一組晶體管表示電流相乘。在一些實施例中，在熔絲正被讀出時由設(shè)備所消耗的電流可以通過設(shè)置多個乘法因子以使得Iref、Rref和Y的乘積大約是Vdd的一半(例如，Iref*Rref*Y ^ Vdd/2)來加以控制?？梢曰诟鞣N設(shè)計因素(例如，Rref可以在板上消耗的區(qū)域、當(dāng)使用較大的乘數(shù)時所消耗的電流，等等)來選擇Rref和Y。假設(shè)Vdd是針對具有特定工作電壓范圍的比較器250的中間軌(mid-rail)電壓值，以這種方式設(shè)置乘數(shù)Y可以導(dǎo)致參考電壓處于中間軌范圍內(nèi)，允許比較器250更準(zhǔn)確地讀出熔絲245。在一些實施例中，晶體管240的乘數(shù)X可以被設(shè)置成使得X和熔絲245的最大未編程(未熔斷)電阻(例如，寄生電阻)的乘積小于Y和Rref的乘積，Y和Rref的乘積可以小于X和熔絲245的最小已編程(已熔斷)電阻(例如，電導(dǎo))的乘積(例如，X*Rmax_unblown << Y*Rref << X*Rmin_blown)。因為參考電壓和熔絲245的熔絲讀出電壓都可以由從電源電壓拉下的宿電流產(chǎn)生，并且因為每個宿電流都可以由柵極偏置電壓275處的相同柵極偏置電壓產(chǎn)生，因此參考電壓和熔絲讀出電壓可以在Vdd和Iref的偏移上互相追蹤，使得比較器能夠更準(zhǔn)確地讀出熔絲245。這樣的轉(zhuǎn)換可以因溫度變化、電源電壓(Vdd)、工藝變化或改變等而發(fā)生。晶體管215、230、235、240可以是能夠進(jìn)行上述操作的任何類型的晶體管，并且每個晶體管都可以被連接到地225。在一些實施例中，低電壓閾值(LVT)設(shè)備可以被用于電流鏡像以及利用比較器250來進(jìn)行電流比較。眾所周知的，由于LVT設(shè)備在斷態(tài)情況(例如，亞閾值區(qū)域)下漏電(leak)，因此標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備可以與任何LVT設(shè)備串聯(lián)地使用，以限制斷態(tài)漏電。在熔絲被讀出之前，鎖存器輸出可以被拉到地，使得熔絲可以假設(shè)為未被編程，直到該熔絲被讀出。為了讀出熔絲，針對鎖存器，可以使上電復(fù)位(POR)信號有效(asserted)(在為讀出過程做準(zhǔn)備，鎖存器輸出被拉到地之后)。一旦POR有效，可以使得讀出使能信號有效，以使得比較器和電流宿讀出熔絲值。然后，鎖存器可以根據(jù)比較器的輸出被切換(toggled)ο 圖3(a)和圖3(b)概括地示出了在熔絲讀出期間的信號的示例。在圖3(a)-(b)中，POR信號在時間Tl處有效。一旦POR信號有效，讀出使能信號可以在POR信號有效之后立刻變得有效，以允許比較器和電流宿讀出熔絲電壓。如在圖3(a)和圖3(b)的示例中所示出的，被拉高的鎖存器(如圖3(a)所示)可以指示已編程或已熔斷的熔絲，而被拉低的鎖存器(如圖3(b)所示)可以指示未編程或未熔斷的熔絲。但是，在其他的示例中，取決于設(shè)計和配置選擇，被拉高的鎖存器可以指示未編程或未熔斷的熔絲，而被拉低的鎖存器可以指示已編程或已熔斷的熔絲。一旦用于讀出的時段已經(jīng)過，讀出使能信號就可以變成無效(dis-assert)(在時間T2處)，并且由比較器和電流宿(Idd)所消耗的電流可以降回到零。圖4概括地示出了包括讀出熔絲的方法400的示例。在操作410中，可以對參考電流進(jìn)行鏡像，以使用參考電壓發(fā)生器電路來產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。在操作415中，可以使用柵極偏置電壓經(jīng)由連接到待讀出的第一熔絲的熔絲讀出電路來對參考電流進(jìn)行鏡像。操作415中的經(jīng)鏡像的參考電流可以產(chǎn)生操作420中第一熔絲兩端的熔絲讀出電壓。在操作425中，比較器可以將熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。在操作430中，比較結(jié)果的輸出可以被發(fā)送到鎖存器，以基于比較結(jié)果來指示第一熔絲的狀態(tài)。額外的說明和示例示例I包括主題(例如，一裝置)，該主題包括參考電壓發(fā)生器電路和多個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路連接到參考電壓發(fā)生器并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上。該參考電壓發(fā)生器可以被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為使用柵極偏置電壓來對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為對每個熔絲的熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。在示例2中，示例I的主題能夠可選地包括每個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路具有比較器，該比較器可以被配置為對熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。在示例3中，示例I和示例2中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括連接到多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路上的比較器。該比較器可以被配置為對連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的每個熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。在示例4中，示例I至示例3中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括具有工作電壓范圍的比較器，其中，參考電壓是在工作電壓范圍內(nèi)的電壓電平。在示例5中，示例I至示例4中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括多個鎖存器，每個鎖存器連接到多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路上。每個鎖存器可以被配置為指示連接到熔絲讀出電路上的熔絲的狀態(tài)。在示例6中，示例I至示例5中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括參考電壓發(fā)生器電路和具有低電壓閾值設(shè)備的多個熔絲讀出電路。在示例7中，示例I至示例6中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括:當(dāng)?shù)谝蝗劢z兩端的第一熔絲讀出電壓是接近于零的值時，連接到多個熔絲讀出電路中的第一熔絲讀出電路上的第一熔絲的第一狀態(tài)指示第一熔絲是已編程的。在示例8中，示例I至示例7中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括:當(dāng)?shù)谝蝗劢z兩端的第一熔絲讀出電壓大于參考電壓的值時，連接到多個熔絲讀出電路中的第一熔絲讀出電路上的第一熔絲的第一狀態(tài)指示第一熔絲是未編程的。示例9包括主題(例如，一方法)，該主題包括對參考電流進(jìn)行鏡像以使用參考電壓發(fā)生器電路來產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。使用連接到該參考電壓發(fā)生器電路上并且還連接到第一熔絲上的第一熔絲讀出電路，使用柵極偏置電壓來對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生第一熔絲兩端的第一熔絲讀出電壓。該熔絲讀出電路可以是多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路被連接到參考電壓發(fā)生器電路上并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上。熔絲讀出電壓可以與參考電壓進(jìn)行比較，并且可以使用比較器來指示第一熔絲的狀態(tài)。在示例10中，示例I至示例9中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括使用熔絲讀出電路中的第一比較器來對第一熔絲電壓和參考電壓進(jìn)行比較。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以具有比較器。在示例11中，示例I至示例10中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括使用比較器來對熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被連接到該比較器上，并且這些熔絲讀出電壓可以被依次地讀出。在示例12中，示例I至示例11中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括使用鎖存器來指示第一熔絲的狀態(tài)。在示例13中，示例I至示例12中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括使用具有工作電壓范圍的比較器來對熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較。該參考電壓可以是在工作電壓范圍內(nèi)的電壓電平。在示例14中，示例I至示例13中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括:當(dāng)?shù)谝蝗劢z兩端的第一熔絲讀出電壓是接近于零的值時，第一熔絲的第一狀態(tài)指示第一熔絲是已編程的。在示例15中，示例I至示例14中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括:在第一熔絲兩端的第一熔絲讀出電壓大于參考電壓的值時，第一熔絲的第一狀態(tài)指示第一熔絲是未編程的。示例16包括主題(例如，一系統(tǒng))，該主題包括處理器、連接到該處理器上的參考電壓發(fā)生器、以及連接到該處理器上的多個熔絲讀出電路。所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被連接到該參考電壓發(fā)生器電路上并且每個熔絲讀出電路還可以被連接到多個熔絲中的一個熔絲上。該參考電壓發(fā)生器可以被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為將使用柵極偏置電壓對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為對每個熔絲的熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。在示例17中，示例I至示例16中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括每個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路具有可以被配置為對熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較的比較器。在示例18中，示例I至示例17中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括具有工作電壓范圍的比較器，其中，參考電壓是在工作電壓范圍內(nèi)的電壓電平。在示例18中，示例I至示例17中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括連接到多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路上的比較器。該比較器可以被配置為對連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的每個熔絲讀出電壓和由參考電壓發(fā)生器電路產(chǎn)生的參考電壓進(jìn)行比較。在示例19中，示例I至示例18中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括使用具有工作電壓范圍的比較器進(jìn)行比較的熔絲讀出電壓和參考電壓，并且其中，該參考電壓是在工作電壓范圍內(nèi)的電壓電平。在示例20中，示例I至示例19中的一個或任意組合的主題能夠可選地包括多個鎖存器，每個鎖存器被連接到多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路上。每個鎖存器可以被配置為指示連接到熔絲讀出電路上的熔絲的狀態(tài)。在示例21中，系統(tǒng)或裝置可以包括，或者能夠可選地與示例I至示例20中的任何一個或多個示例的任何部分的任何部分或組合相結(jié)合以包括，用于執(zhí)行示例I至示例20中的任何一個或多個功能的裝置，或者包括機(jī)器可讀介質(zhì)，所述機(jī)器可讀介質(zhì)包括當(dāng)其被一機(jī)器執(zhí)行時導(dǎo)致該機(jī)器執(zhí)行示例I至示例20中的任何一個或多個功能的指令。這些非限制性的示例可以以任何排列或組合的形式被組合。上文的詳細(xì)描述包括對附圖的參考，附圖形成了詳細(xì)描述的一部分。附圖通過示例的方式示出了其中可以實踐本申請的具體實施例。這些實施例也可以被稱為“示例”。這些示例可以包括除了那些示出或描述之外的元素。然而，本發(fā)明人還考慮了其中僅提供了所示出并且描述的那些元素。此外，關(guān)于特定的示例(或其一個或多個方面)或者關(guān)于其他示例(或其一個或多個方面)，本發(fā)明人還考慮了使用所示出或描述的那些元素(其一個或多個方面)的任意組合或排列的示例。本文所涉及的所有出版物、專利及專利文件全部作為本文的參考內(nèi)容，盡管它們是分別加以參考的。如果本文與參考文件之間存在用途差異，則將參考文件的用途視作本文的用途的補(bǔ)充；若兩者之間存在不可調(diào)和的差異，則以本文的用途為準(zhǔn)。在本文中，與專利文件通常使用的一樣，術(shù)語“一”或“某一”表示包括一個或多個，但其他情況或在使用“至少一個”或“一個或多個”時應(yīng)除外。在本文中，除非另外指明，否則使用術(shù)語“或”指無排他性的或者，使得“A或B”包括:“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“在其中”等同于各個術(shù)語“包括”和“其中”的通俗英語。同樣，在本文中，術(shù)語“包含”和“包括”是開放性的，即，系統(tǒng)、設(shè)備、物品或步驟包括除了權(quán)利要求中這種術(shù)語之后所列出的那些部件以外的部件的，依然視為落在該條權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。而且，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標(biāo)簽，并非對對象有數(shù)量要求。本文所述的方法示例至少部分可以是機(jī)器或計算機(jī)執(zhí)行的。一些示例可包括計算機(jī)可讀介質(zhì)或機(jī)器可讀介質(zhì)，其被編碼有可操作為將電子裝置配置為執(zhí)行如上述示例中所述的方法的指令。這些方法的實現(xiàn)可包括代碼，例如微代碼，匯編語言代碼，高級語言代碼等。該代碼可包括用于執(zhí)行各種方法的計算機(jī)可讀指令。所述代碼可構(gòu)成計算機(jī)程序產(chǎn)品的部分。此外，所述代碼可例如在執(zhí)行期間或其它時間被有形地存儲在一個或多個易失或非易失性有形計算機(jī)可讀介質(zhì)上。這些有形計算機(jī)可讀介質(zhì)的示例包括但不限于，硬盤、移動磁盤、移動光盤(例如，壓縮光盤和數(shù)字視頻光盤)，磁帶，存儲卡或棒，隨機(jī)存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)等。上述說明的作用在于解說而非限制。例如，上述示例(或示例的一個或多個方面)可結(jié)合使用?？梢栽诶斫馍鲜稣f明書的基礎(chǔ)上，利用現(xiàn)有技術(shù)的某種常規(guī)技術(shù)來執(zhí)行其他實施例。遵照37C.F.R.§ 1.72(b)的規(guī)定提供摘要，允許讀者快速確定本技術(shù)公開的性質(zhì)。提交本摘要時要理解的是該摘要不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。同樣，在上面的具體實施方式
中，各種特征可歸類成將本公開合理化。這不應(yīng)理解成未要求的公開特征對任何權(quán)利要求必不可少。相反，本發(fā)明的主題可在于的特征少于特定公開的實施例的所有特征。因此，下面的權(quán)利要求據(jù)此并入具體實施方式
中，每個權(quán)利要求均作為一個單獨的實施例，并且可設(shè)想到這些實施例可以在各種組合或排列中彼此結(jié)合。應(yīng)參看所附的權(quán)利要求，以及這些權(quán)利要求 所享有的等同物的所有范圍，來確定本申請的范圍。
權(quán)利要求
1.一種熔絲讀出裝置，包括: 參考電壓發(fā)生器電路，其被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；以及 多個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上，并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓， 其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為對每個熔絲的所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲讀出裝置，其中，每個熔絲讀出電路包括比較器，所述比較器被配置為對所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲讀出裝置，包括: 多個鎖存器，每個鎖存器連接到所述多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路上，其中，每個鎖存器被配置為指示連接到所述熔絲讀出電路上的所述熔絲的狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲讀出裝置，其中，當(dāng)?shù)谝蝗劢z兩端的第一熔絲讀出電壓是接近于零的值時，連接到所述多個熔絲讀出電路中的第一熔絲讀出電路上的所述第一熔絲的第一狀態(tài)指示所述第一熔絲是已編程的；以及 其中，當(dāng)?shù)谝蝗劢z兩端的第一熔絲讀出電壓是大于所述參考電壓的值時，連接到所述多個熔絲讀出電路中的第一熔絲讀出電路上的所述第一熔絲的第一狀態(tài)指示所述第一熔絲是未編程的。
5.一種熔絲讀出方法，包括:對參考電流進(jìn)行鏡像，以使用參考電壓發(fā)生器電路來產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；使用連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上并且還連接到第一熔絲上的熔絲讀出電路，使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生所述第一熔絲兩端的熔絲讀出電壓，所述熔絲讀出電路是多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路，每個熔絲讀出電路連接到多個熔絲中的一個熔絲上； 將所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較；以及 使用比較結(jié)果來指示所述第一熔絲的狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲讀出方法，其中，將所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較包括使用比較器，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被連接到所述比較器上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲讀出方法，包括:使用鎖存器來指示所述第一熔絲的狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲讀出方法，其中，指示所述第一熔絲的所述狀態(tài)包括: 當(dāng)所述第一熔絲兩端的第一熔絲讀出電壓是接近于零的值時，指示所述第一熔絲是已編程的；以及 當(dāng)所述第一熔絲兩端的第一熔絲讀出電 壓是大于所述參考電壓的值時，指示所述第一熔絲是未編程的。
9.一種熔絲讀出系統(tǒng)，包括: 處理器；以及 參考電壓發(fā)生器電路，其連接到所述處理器上，并且被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓；以及 多個熔絲讀出電路，其連接到所述處理器上，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路連接到所述參考電壓發(fā)生器電路上，并且每個熔絲讀出電路還連接到多個熔絲中的一個熔絲上，其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為使用所述柵極偏置電壓來對所述參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生連接到所述多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓， 其中，所述多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路被配置為對每個熔絲的所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較，并且使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熔絲讀出系統(tǒng)，包括: 多個鎖存器，每個鎖存器連接到所述多個熔絲讀出電路中的一個熔絲讀出電路上，其中，每個鎖存器被配置為指示連接到所述熔絲讀出電路上的所述熔絲的狀態(tài)； 其中，每個熔絲讀出電路包括比較器，所述比較器被配置為對所述熔絲讀出電壓和所述參考電壓進(jìn)行比較。
全文摘要
本發(fā)明涉及熔絲讀出裝置、方法和系統(tǒng)。除了其他方面以外，本發(fā)明還討論了連接到多個熔絲讀出電路的參考電壓發(fā)生器電路。該參考電壓發(fā)生器電路可以被配置為對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生參考電壓和柵極偏置電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以連接到參考電壓發(fā)生器電路上，并且還可以連接到多個熔絲中的一個熔絲上。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以被配置為使用柵極偏置電壓來對參考電流進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生在連接到多個熔絲讀出電路上的每個熔絲兩端的熔絲讀出電壓。多個熔絲讀出電路中的每個熔絲讀出電路可以將每個熔絲的熔絲讀出電壓和參考電壓進(jìn)行比較，并且可以使用比較結(jié)果來指示連接到每個熔絲讀出電路上的每個熔絲的狀態(tài)。
文檔編號G11C17/16GK103187096SQ20121058391
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者T·戴格爾 申請人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司