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磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性體的制作方法

文檔序號(hào):6770581閱讀:468來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性體,例如適用于將具有永磁體功能的ε-Fe2O3在成膜對(duì)象上成膜的適宜材料。
背景技術(shù)
以往,作為屬于納米級(jí)粒子,同時(shí)在室溫條件下表現(xiàn)出20k0e這樣的巨大矯頑力的材料,已知有ε-Fe2O3的晶體結(jié)構(gòu)體(例如,參見非專利文獻(xiàn)1、非專利文獻(xiàn)2及非專利文獻(xiàn)3)。另外,在具有絕緣性的同時(shí)也具有永磁體功能的ε-Fe2O3是通過(guò)將前體在約 1000°C下焙燒而制作的。因此,制作具有ε-Fe2O3晶體結(jié)構(gòu)體的磁性膜等磁性體時(shí),使用將通過(guò)焙燒處理制成的ε -Fe2O3粒子在規(guī)定的粘結(jié)劑成分共存下形成涂布液,然后涂布在膜等成膜對(duì)象上的制造方法;或者將ε -Fe2O3粒子分散在熔融或溶解的熱塑性樹脂材料或熱固性樹脂材料等樹脂材料中,然后通過(guò)擠出成型法或注射成型法等成型方法來(lái)進(jìn)行制作的制造方法?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 Jian Jin, Shinichi Ohkoshi and Kazuhito Hashimoto (作者), ADVANCED MATERIALS 2004,16,No. 1,January 5,pp. 48-51(《先進(jìn)材料》,2004 年第 16 卷第1期,1月5日,第48-51頁(yè))非專利文獻(xiàn)2 Jian Jin, Kazuhito Hashimoto and Shinichi Ohkoshi (作者), JOURNAL OF MATERIALS CHIMISTRY 2005,15,pp. 1067-1071(《材料化學(xué)雜志》,2005 年第 15 期,第 1067-1071 頁(yè))非專禾丨J文獻(xiàn)3 :Shunsuke Sakurai, Jian Jin,Kazuhito Hashimoto and Shinichi Ohkoshi (作者),JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN Vol. 74,No. 7, July, 2005, pp. 1946-1949(《日本物理學(xué)會(huì)雜志》,第74卷,第7期,7月,2005年,第1946-1949頁(yè))

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題可是,對(duì)于具有ε -Fe2O3晶體結(jié)構(gòu)體且通過(guò)上述制造方法制作的磁性體,如

圖16 所示,剩余磁化強(qiáng)度Mr相對(duì)于飽和磁化強(qiáng)度Ms之比(以下也將其稱為矩形比)Mr/Ms為0. 5 左右,對(duì)ε -Fe2O3晶體結(jié)構(gòu)體固有的磁特性僅僅可以利用一半左右。因此,將磁性體應(yīng)用于磁記錄等領(lǐng)域中時(shí),由于該磁性體的剩余磁化變得重要,因此,即使對(duì)于具備在具有絕緣性的同時(shí)具有永磁體功能的ε -Fe2O3晶體結(jié)構(gòu)體的磁性體, 也期待著與以前相比提高剩余磁化。因而鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于,提供在具有絕緣性的同時(shí)具備具有永磁體功能,并且與以往相比剩余磁化能夠得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性
權(quán)利要求
1.磁性薄膜的制造方法,其特征在于,具備涂布工序,將含有包含ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子的涂布液涂布在成膜對(duì)象上,其中ε型氧化鐵系化合物具有絕緣性同時(shí)具有永磁體功能;和形成磁性薄膜的形成工序,在對(duì)涂布于前述成膜對(duì)象上的前述涂布液施加規(guī)定強(qiáng)度的外部磁場(chǎng)的狀態(tài)下,使前述涂布液固化而形成磁性薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述磁性粒子由球狀或棒狀組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述磁性粒子由球狀組成,前述涂布工序中使用前述溶液粘度為約50cP以下的涂布液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述形成工序中前述外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度為約2T以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述涂布工序中使用的前述涂布液是由磁性材料漿液制作的,所述磁性材料漿液按照將含有99重量%以上前述ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子分散在溶液中的方式含有磁性粒子,且前述磁性粒子的動(dòng)態(tài)光散射法平均粒徑與通過(guò)透射型電子顯微鏡觀察到的觀察平均粒徑之比為5以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述ε型氧化鐵系化合物包括ε -Fe2O3^ ε _AxFe2_x03 (但是,A是除!^之外的元素,0 < χ < 2)及 ε -ByCzFe2_y_z03 (但是,B及C是A及除!^之外的元素,且相互不同的元素,0 < y < 1,0 < ζ < 1)中的至少任意1種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述涂布液混入有水溶性高分子或水分散性高分子。
8.磁性薄膜,其特征在于,含有包含ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子,其中,ε型氧化鐵系化合物具有絕緣性同時(shí)具有永磁體功能,前述磁性粒子適應(yīng)形成薄膜時(shí)施加的外部磁場(chǎng)而按規(guī)定方向取向。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁性薄膜,其特征在于,前述磁性粒子由球狀或棒狀組成。
10.權(quán)利要求8或9所述的磁性薄膜,其特征在于,含有99重量%以上前述ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子以分散的方式配置,在形成最高為10 μ m的膜厚范圍時(shí)濁度在40% 以下。
11.權(quán)利要求8 10中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜,其特征在于,前述ε氧化鐵系化合物包括 ε -Fe2O3^ ε -AXF%_X03 (但是,A 是除!^ 之外的元素,0 < χ < 2)及 ε -ByCfe2_y_z03(但是,B及C是A及除!^之外的元素,且相互不同的元素,0<y< 1,0<ζ< 1)中的至少任意1種。
12.權(quán)利要求8 11中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜,其特征在于,規(guī)定區(qū)域的磁性粒子沿前述規(guī)定方向取向,與前述規(guī)定區(qū)域不同的其他區(qū)域的磁性粒子沿著與前述規(guī)定方向不同的其它方向取向。
13.權(quán)利要求8 12中任一項(xiàng)所述的磁性薄膜,其特征在于,吸收30 300GHz的毫米波區(qū)域的電磁波。
14.磁性體,其特征在于,成膜對(duì)象具備權(quán)利要求8 13中任一項(xiàng)所述的前述磁性薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供在具有絕緣性的同時(shí),具有永磁體功能,并且與以往相比剩余磁化能夠得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性體。形成磁性薄膜3時(shí),對(duì)于包含含有在具有絕緣性的同時(shí)具有永磁體功能ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子的涂布液,施加規(guī)定強(qiáng)度的外部磁場(chǎng),使該涂布液固化而形成磁性薄膜3,從而可以使含有該ε型氧化鐵系化合物的磁性粒子在沿磁化方向規(guī)則取向的狀態(tài)下進(jìn)行固化,這樣一來(lái),就可以提供在具有絕緣性的同時(shí),具有永磁體功能,并且與以往相比剩余磁化能夠得到提高的磁性薄膜3的制造方法、磁性薄膜3及磁性體1。
文檔編號(hào)G11B5/845GK102473519SQ20108002685
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月24日
發(fā)明者大越慎一, 富田浩太郎, 生井飛鳥, 高見和之 申請(qǐng)人:同和電子科技有限公司, 國(guó)立大學(xué)法人東京大學(xué)
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