專利名稱：半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各個實(shí)施例總的來說涉及半導(dǎo)體集成電路，具體地說涉及半導(dǎo)體存儲裝 置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲裝置可以將存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)傳送到位線，通過位線讀出放大 器將傳送到位線的數(shù)據(jù)放大，將放大的數(shù)據(jù)順序地傳送到子輸入/輸出線和局部輸入/輸 出線，并將數(shù)據(jù)輸出到半導(dǎo)體存儲裝置的外部。圖1是說明現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲裝置的的方框圖。現(xiàn)有的半導(dǎo)體可以包括第一開關(guān) 單元10、第一預(yù)充電單元20、第二開關(guān)單元30和第二預(yù)充電單元40。第一開關(guān)單元10可以包括第一晶體管m和第二晶體管N2。第一開關(guān)單元10響 應(yīng)于列選擇信號Yi，將位線BL和BLb連接到子輸入/輸出線SIO和SIOb。第一預(yù)充電單元20可以包括第三至第五晶體管N3至N5。當(dāng)位線均衡信號BLEQ 降低到低電平時，第一預(yù)充電單元20可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb預(yù)充電到位線預(yù) 充電電壓VBLP的電平。第二開關(guān)單元30可以包括第六和第七晶體管N6和N7。當(dāng)位線均衡信號BLEQ升 高到高電平時，第二開關(guān)單元30可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb連接到局部輸入/輸 出線LIO和LIOb。第二預(yù)充電單元40可以包括第八至第十晶體管Pl至P3。第二預(yù)充電單元40可以 將局部輸入/輸出線LIO和LIOb預(yù)充電至核心電壓Vcore的電平。位線預(yù)充電電壓VBLP 的電平可以是核心電壓Vcore的電平的一半。圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置可以通過反復(fù)的刷新操作，來將位線預(yù)充電電壓VBLP 升高。預(yù)充電操作可以跟在每一次刷新操作之后。因此，預(yù)充電操可以與刷新操作一起反 復(fù)進(jìn)行。如圖1所示，第二預(yù)充電單元40可以將局部輸入/輸出線LIO和LIOb預(yù)充電至 核心電壓Vcore的電平，第一預(yù)充電單元20可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb預(yù)充電到 位線預(yù)充電電壓VBLP的電平。而當(dāng)不執(zhí)行預(yù)充電操作時，第二開關(guān)單元30可以將子輸入/ 輸出線SIO和SIOb分別連接到局部輸入/輸入線LIO和LlOb。即，當(dāng)位線均衡信號BLEQ 升高到高電平時，第二開關(guān)單元30可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb分別連接到局部輸 入/輸出線LIO和LlOb。當(dāng)位線均衡信號BLEQ降低到低電平時，第一預(yù)充電單元20可以 將子輸入/輸出線SIO和SIOb預(yù)充電。隨著刷新操作的反復(fù)進(jìn)行，會使預(yù)充電至核心電壓Vcore的電平的局部輸入/輸 出線LIO和LIOb與預(yù)充電至位線預(yù)充電電壓VBLP的電平的子輸入/輸出線SIO和SIOb之間的連接次數(shù)增加。因此，預(yù)充電了的子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓電平可以變得高 于位線預(yù)充電電壓VBLP的電平，這會使位線預(yù)充電電壓VBLP的電平升高。具體地，當(dāng)子輸 入/輸出線SIO和SIOb被預(yù)充電時，半導(dǎo)體存儲裝置可以將位線預(yù)充電電壓VBLP供給子 輸入/輸出線SIO和SIOb。然而，反復(fù)的刷新操作會使子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓 電平升高，并且子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓會流到施加有位線預(yù)充電電壓VBLP的 節(jié)點(diǎn)。因此，會使位線預(yù)充電電壓VBLP的電平升高。當(dāng)位線預(yù)充電電壓VBLP升高時，也會使位線BL和BLb的預(yù)充電電壓電平升高。因 此，當(dāng)存儲單元的數(shù)據(jù)傳送到位線BL和BLb時，位線BL與BLb之間的電壓差小于預(yù)設(shè)定的 電壓差。因此，被配置為讀出并放大位線BL和BLb的電壓電平的位線讀出放大器可能會發(fā) 生異常操作。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要可以克服上述的一個或多個問題的改進(jìn)的位線讀出放大器。因此，本發(fā) 明的各個方面可以提供半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，即使在反復(fù)的刷新操 作期間，也可以防止位線預(yù)充電電壓升高。為了獲得所述優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)如在此具體實(shí)施和寬泛地描述的本發(fā)明的目的，本發(fā) 明的一個示例性方面提供一種半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，包括分壓塊， 被配置為對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓以產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中，第二分壓的電平高于第 一分壓的電平；上拉放大塊，被配置為將第一分壓的電平與位線預(yù)充電電壓線上的位線預(yù) 充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平升高；和下拉放大塊，被配置為將第 二分壓的電平與位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平降低。在此， 與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期間，下拉放大塊可以使位線預(yù)充電電壓的電平更 快地降低到目標(biāo)電平。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性方面，提供一種用于半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電 壓發(fā)生電路，可以包括下拉比較信號發(fā)生塊，被配置為將分壓的電平與位線預(yù)充電電壓的 電平進(jìn)行比較，并產(chǎn)生下拉比較信號；和下拉控制塊，被配置為當(dāng)下拉比較信號被使能時， 使位線預(yù)充電電壓的電平降低。在此，可以通過對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓來產(chǎn)生所述分壓。另 外，與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期間，下拉比較信號發(fā)生塊使下拉比較信號的使 能過渡時間減少得更多。另外，與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期間，下拉控制塊使 位線預(yù)充電電壓的電平降低得更快。根據(jù)本發(fā)明的又一個示例性方面，提供一種半導(dǎo)體存儲裝置的電壓發(fā)生電路，可 以包括分壓塊，被配置為對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓以產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中，第二分 壓的電平高于第一分壓的電平；上拉放大塊，被配置為將第一分壓的電平與位線預(yù)充電電 壓線上的位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平升高；和下拉放大 塊，被配置為將第二分壓的電平與位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使所述位線預(yù)充電 電壓的電平降低。根據(jù)本發(fā)明的又另一個示例性方面，提供一種產(chǎn)生半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電 電壓的方法，可以包括以下步驟對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓并產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中， 第二分壓的電平高于第一分壓的電平；將第一分壓的電平與位線預(yù)充電電壓線上的位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平升高；和將第二分壓的電平與位線 預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平降低到目標(biāo)電平。這里，與在非刷 新操作期間相比，在刷新操作期間，將位線預(yù)充電電壓的電平降低到目標(biāo)電平的步驟完成 得更快。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在下文中進(jìn)行一定程度的闡述，且根據(jù)說明書會在一 定程度上明了、或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來了解這些目的和優(yōu)點(diǎn)。通過權(quán)利要求中具體指 出的要素及其組合，將會認(rèn)識并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解，前面的概述以及下文的詳細(xì)描述都只是示例性和解釋性的，而不是用 于限制本發(fā)明。


包含在說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分的附圖闡述本發(fā)明的各個實(shí)施例，并且 與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是說明現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路 的示例性結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是圖2所示的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路的電路示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，附圖示出了這些實(shí)施例。只要可能，在 所有附圖中，使用相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部件。圖2和圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓 發(fā)生電路的示例性結(jié)構(gòu)。位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路可以包括分壓塊100、上拉放大塊200和 下拉放大塊300。如圖2所示，分壓塊100可以將內(nèi)部電壓(下文中稱為核心電壓‘Vcore’)進(jìn)行分 壓，并產(chǎn)生第一分壓‘Vdl，和第二分壓‘Vd2，，第二分壓‘Vd2，的電平高于第一分壓‘Vdl， 的電平。如圖3所示，分壓塊100可以包括串聯(lián)連接的第一至第三電阻Rll至R13。分壓 塊100的一個端子可以接收核心電壓‘Vcore’，另一個端子連接到接地端子‘VSS’。分壓塊 100可以通過將第一電阻Rll與第二電阻R12彼此連接起來的節(jié)點(diǎn)來輸出第二分壓‘Vd2’， 分壓塊100可通過將第二電阻R12與第三電阻R13彼此連接起來的節(jié)點(diǎn)來輸出第一分壓 ‘Vdl，。上拉放大塊200可以將第一分壓‘Vdl’的電平與位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平 進(jìn)行比較，并可以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平升高。如圖2所示，上拉放大塊200可以包括第一比較單元210和上拉單元220。第一 比較單元210可以將第一分壓‘Vdl’的電平與位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平進(jìn)行比較，并 產(chǎn)生上拉比較信號‘Com_up’。上拉單元220響應(yīng)于上拉比較信號‘Com_up’，可以使位線預(yù) 充電電壓‘VBLP’的電平升高。同時，上拉單元220可以將核心電壓‘Veore’施加到輸出節(jié) 點(diǎn)‘Node_out，?？梢酝ㄟ^輸出節(jié)點(diǎn)‘Node_out，來輸出位線預(yù)充電電壓‘VBLP，。輸出節(jié)點(diǎn)‘N0de_0Ut’可以連接到位線預(yù)充電電壓線。可以通過位線預(yù)充電電壓線，將位線預(yù)充電電 壓‘VBLP’提供至半導(dǎo)體存儲裝置的內(nèi)部。如圖3所示，比較單元210可以包括第一至第五晶體管N11、N12、N13，P11和P12。 在第一晶體管mi中，第一分壓‘Vdl’可以施加到柵極，而源極可以連接到接地端子‘VSS’。 在第二晶體管中，第一分壓‘Vdl’可以施加到柵極，而源極可以連接到第一晶體管Nil 的漏極。在第三晶體管N13中，位線預(yù)充電電壓‘VBLP’可以施加到柵極，而源極可以連接到 第一晶體管mi的漏極。在第四晶體管Pll中，核心電壓‘Veore’可以施加到源極，而漏極 可以連接到第二晶體管W2的漏極。在第五晶體管P12中，核心電壓‘Vcore’可以施加到 源極，柵極可以連接到第四晶體管Pll的柵極，而漏極可以連接到第三晶體管附3的漏極。 同時，可以通過將第二晶體管N12與第四晶體管Pll彼此連接起來的節(jié)點(diǎn)來輸出上拉比較 信號 ‘com—up，。上拉單元220包括第六晶體管P13。在第六晶體管P13中，上拉比較信號‘COm_up’ 可以輸入到柵極，核心電壓‘Veore’可以施加到源極，而漏極可以連接到輸出節(jié)點(diǎn)‘Node_ out' ο下拉放大塊300可以將第二分壓‘Vd2’的電平與位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平 進(jìn)行比較，并執(zhí)行使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低的操作。與在任何其它操作即非刷 新操作期間相比，下拉放大塊300在刷新操作期間可以更快地使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的 電平降低到目標(biāo)電平。如圖2所示，下拉放大塊300可以包括下拉比較信號發(fā)生單元310和下拉控制單 元 320。下拉比較信號發(fā)生單元310可以將第二分壓‘Vd2’的電平與位線預(yù)充電電壓 ‘VBLP’的電平進(jìn)行比較，并產(chǎn)生下拉比較信號‘COm_dOWn’。與在任何其它操作期間相比， 下拉比較信號產(chǎn)生單元310在刷新操作期間可以使下拉比較信號‘COm_dOWn’的使能過渡 時間減少得多得多。下拉控制單元320可以在下拉比較信號‘COm_dOWn’被使能時使位線預(yù)充電電壓 ‘VBLP’的電平降低。特別地，與在任何其它操作期間相比，下拉控制單元320在刷新操作期 間可以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低得更快。下拉比較信號發(fā)生單元310可以包括電流供給控制單元311和第二比較單元312。與在任何其它操作期間相比，電流供給控制單元311在刷新操作期間可以將更大 量的供電電流‘I_supply’提供給第二比較單元312。如圖3所示，電流供給控制單元311可以包括固定電流供給部311-1和刷新電流 供給部311-2。在刷新操作期間或者在任何其它操作期間不論是否提供電流，固定電流供給部 311-1都可以向第二比較單元312提供固定電流‘I_fix’。固定電流供給部311-1可以包括第七晶體管P14。在第七晶體管P14中，第二分壓 ‘Vd2’施加到柵極，核心電壓‘Vcore’可以施加到源極，而固定電流‘I_fix’可以通過漏極輸出。只有在刷新操作期間，刷新電流供給部311-2可以將刷新電流‘I_ref’提供給第 二比較單元312。
刷新電流供給部311-2可以包括第八晶體管P15和第九晶體管P16。在第八晶體 管P15中，反相器IVll的輸出信號可以輸入到柵極，而核心電壓‘Vcore’可以施加到源極。 在第九晶體管P16中，第二分壓‘Vd2’可以施加到柵極，源極可以連接到第八晶體管P15的 漏極，而刷新電流‘I_ref’可以通過漏極輸出。同時，供電電流‘I_supply’是固定電流‘1_ fix，與刷新電流‘I_ref，之和。此外，反相器IVll可以接收刷新信號‘REF，。第二比較單元312可以接收供電電流‘I_supply’，將第二分壓‘Vd2，的電平與位 線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平進(jìn)行比較，并產(chǎn)生下拉比較信號‘COm_dOWn’。如圖3所示，第二比較單元312可以包括第十至第十三晶體管P17、P18、N14和 N150在第十晶體管P17中，第二分壓‘Vd2’可以施加到柵極。在第十一晶體管P18中，位 線預(yù)充電電壓‘VBLP’可以施加到柵極。在第十二晶體管W4中，漏極可以連接到第十晶體 管P17的漏極，而源極可以連接到接地端子‘VSS’。在第十三晶體管P15中，柵極可以連接 到第十二晶體管W4的柵極，漏極可以連接到第十七晶體管P18的漏極，而源極可以連接到 接地端子‘VSS’。同時，下拉比較信號‘COm_dOWn’可以通過將第十晶體管P17與第十二晶 體管N14彼此連接起來的節(jié)點(diǎn)輸出。如圖3所示，下拉控制單元320可以包括下拉部321和可變下拉部322。不論刷新操作或者任何其它操作是否發(fā)生，當(dāng)下拉比較信號‘COm_dOWn’被使能 時，下拉部321可以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低。下拉部321可以包括第十四晶體管附6。在第十四晶體管附6中，漏極可以連接到 輸出節(jié)點(diǎn)‘Nodejut’，下拉比較信號‘COm_dOWn’可以輸入到柵極，而源極可以連接到接地 端子‘VSS’。當(dāng)下拉比較信號‘COm_dOWn’被使能時，只有在刷新操作期間，可變下拉部322可 以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低?？勺兿吕?22可以包括第十五晶體管P19和第十六晶體管附7。在第十五晶體 管P19中，反相器IVll的輸出信號輸入到柵極，而位線預(yù)充電電壓‘VBLP’施加到源極。在 第十六晶體管W7中，下拉比較信號‘COm_dOWn’輸入到柵極，漏極連接到第十五晶體管P19 的源極，而源極連接到接地端子‘VSS’。下面描述根據(jù)一個實(shí)施例的用于半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路的 操作。當(dāng)刷新信號‘REF’降到低電平時，只可以進(jìn)行除了刷新操作之外的操作。下面描 述非刷新操作。當(dāng)位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平低于第一分壓‘Vdl’的電平時，上拉比較信號 ‘COm_up’可以降低到低電平，并且位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平可以升高。當(dāng)位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平高于第二分壓‘Vd2’的電平時，下拉比較信號 'eom.down'被使能為高電平。當(dāng)下拉比較信號‘COm_dOWn’被使能為高電平且刷新信號 iREF'被禁止為低電平時，下拉部321可以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低。下面描述刷新操作。當(dāng)位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平低于第一分壓‘Vdl’的電平時，上拉比較信號 ‘COm_up’被使能為低電平，并且位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平可以升高。即，根據(jù)本發(fā)明 的一個實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路可以在刷新操作期間和在任何其它操作期間基本相同地操作。當(dāng)位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平高于第二分壓‘Vd2’的電平時，下拉比較信號 'com.down'可以被使能為高電平。同時，在刷新操作期間，刷新電流‘I_ref’和固定電流 ‘I_fix’可以被提供給第二比較單元312。因此，與在任何其它操作即非刷新操作期間相比， 第二比較單元312在刷新操作期間使下拉比較信號‘COm_dOWn’過渡到高電平所花的時間更短。在刷新操作期間，可變下拉部322和上拉部321可以響應(yīng)于下拉比較信號‘com_ down'進(jìn)行操作。因此，當(dāng)在刷新操作期間位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平高于第二分壓 ‘Vd2’的電平時，下拉部321和可變下拉部322可以使位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平降低。 因此，與除刷新操作以外的操作(即，只由下拉部321降低位線預(yù)充電電壓VBLP的電平時) 相比，在刷新操作期間，位線預(yù)充電電壓‘VBLP’的電平可以降低得更快。因此，與在任何其它操作期間相比，在刷新操作期間，半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充 電電壓‘VBLP’的電平可以進(jìn)一步提高用于位線預(yù)充電電壓的下拉響應(yīng)速度和下拉能力。因 此，即使半導(dǎo)體存儲裝置反復(fù)進(jìn)行刷新操作，位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路也可以防止位線預(yù) 充電電壓‘VBLP’的電平升高。在包括權(quán)利要求書的所有描述中，術(shù)語“包括”應(yīng)當(dāng)理解為與術(shù)語“包括至少一個” 同義，除非其它地方有相反的說明。雖然參照特定應(yīng)用的說明性實(shí)施例描述了一些實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，所描述的實(shí)施 例只是示例性的。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到本發(fā)明的其他的修改、 應(yīng)用和/或?qū)嵤├约氨景l(fā)明會發(fā)揮重要作用的其他領(lǐng)域。因此，在此公開的位線預(yù)充電 電壓發(fā)生電路不應(yīng)當(dāng)限于所描述的實(shí)施例。確切的說，應(yīng)當(dāng)根據(jù)本發(fā)明所附的權(quán)利要求并 結(jié)合上述的描述和附圖來限定在此描述的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，包括下拉比較信號發(fā)生塊，被配置為將分壓的電平與位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較并產(chǎn) 生下拉比較信號，其中，所述分壓是通過對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓而產(chǎn)生的，并且與在非刷新操 作期間相比，在刷新操作期間，所述下拉比較信號發(fā)生塊使所述下拉比較信號的使能過渡 時間減少得更多；和下拉控制塊，被配置為當(dāng)所述下拉比較信號被使能時，使所述位線預(yù)充電電壓的電平 降低，其中，與在所述非刷新操作期間相比，在所述刷新操作期間，所述下拉控制塊使所述 位線預(yù)充電電壓的電平更快地降低。
2.如權(quán)利要求1所述的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，其中，所述下拉比較信號發(fā)生塊包括比較單元，被配置為將所述分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較并產(chǎn)生 所述下拉比較信號；和電流供給控制單元，被配置為與在所述非刷新操作期間相比，在所述刷新操作期間，向 所述比較單元提供更大量的供電電流。
3.如權(quán)利要求2所述的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，其中，所述電流供給控制單元包括 固定電流供給部，被配置在所述刷新操作期間和所述非刷新操作期間，向所述比較單元提供固定電流；和刷新電流供給部，被配置為在所述刷新操作期間向所述比較單元提供刷新電流， 其中，所述供電電流包括所述固定電流和所述刷新電流。
4.如權(quán)利要求1所述的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，其中，所述下拉控制塊包括下拉單元，被配置為在所述刷新操作期間和所述非刷新操作期間，當(dāng)所述下拉比較信 號被使能時，使所述位線預(yù)充電電壓的電平降低；和可變下拉單元，被配置為在所述刷新操作期間，當(dāng)所述下拉比較信號被使能時，使所述 位線預(yù)充電電壓的電平降低。
5.一種半導(dǎo)體存儲裝置的電壓發(fā)生電路，包括分壓塊，被配置為對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓并產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中，所述第二分 壓的電平高于所述第一分壓的電平；上拉放大塊，被配置為將所述第一分壓的電平與位線預(yù)充電電壓線上的所述位線預(yù)充 電電壓的電平進(jìn)行比較，并使所述位線預(yù)充電電壓的電平升高；和下拉放大塊，被配置為將所述第二分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比 較，并且使所述位線預(yù)充電電壓的電平降低。
6.如權(quán)利要求5所述的電壓發(fā)生電路，其中，與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期 間，所述下拉放大塊使所述位線預(yù)充電電壓的電平更快地降低到目標(biāo)電平。
7.如權(quán)利要求6所述的電壓發(fā)生電路，其中，所述下拉放大塊包括比較單元，被配置為將所述第二分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較并 產(chǎn)生下拉比較信號；電流供給控制單元，被配置為與在所述非刷新操作期間相比，在所述刷新操作期間，向 所述比較單元提供更大量的供電電流；下拉單元，被配置為響應(yīng)于所述下拉比較信號而使所述位線預(yù)充電電壓的電平降低；和可變下拉單元，被配置為在所述刷新操作期間，響應(yīng)于所述下拉比較信號而使所述位 線預(yù)充電電壓的電平降低。
8.如權(quán)利要求7所述的電壓發(fā)生電路，其中，所述電流供給控制單元包括 固定電流供給部，被配置為向所述比較單元提供固定電流；和刷新電流供給部，被配置為在所述刷新操作期間，向所述比較單元提供刷新電流， 其中，所述供電電流包括所述固定電流和所述刷新電流。
9.如權(quán)利要求7所述的電壓發(fā)生電路，其中，所述可變下拉單元響應(yīng)于刷新信號和所 述下拉比較信號而將所述位線預(yù)充電電壓線連接到接地端子。
10.如權(quán)利要求6所述的電壓發(fā)生電路，其中，所述上拉放大塊包括比較單元，被配置為將所述第一分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較， 并產(chǎn)生上拉比較信號；和上拉單元，被配置為響應(yīng)于所述上拉比較信號而將所述內(nèi)部電壓施加到所述位線預(yù)充 電電壓線。
11.一種產(chǎn)生半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓的方法，包括以下步驟對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓并產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中，所述第二分壓的電平高于所 述第一分壓的電平；將所述第一分壓的電平與位線預(yù)充電電壓線上的位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并 使所述位線預(yù)充電電壓的電平升高；和將所述第二分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使所述位線預(yù)充電 電壓的電平降低到目標(biāo)電平，其中，與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期間，將所述位線預(yù)充電電壓的電平降低 到所述目標(biāo)電平的步驟完成得更快。
12.如權(quán)利要求11所述的產(chǎn)生位線預(yù)充電電壓的方法，其中，將所述第二分壓的電平 與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較的步驟包括以下步驟利用比較單元將所述第二分壓的電平與所述位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較以產(chǎn)生 下拉比較信號；與在所述非刷新操作期間相比，在所述刷新操作期間，向所述比較單元提供更大量的 供電電流；響應(yīng)于所述下拉比較信號，使所述位線預(yù)充電電壓的電平降低；和在所述刷新操作期間，響應(yīng)于所述下拉比較信號，使所述位線預(yù)充電電壓的電平降低。
13.如權(quán)利要求12所述的產(chǎn)生位線預(yù)充電電壓的方法，其中，向所述比較單元提供更 大量的供電電流的步驟包括向所述比較單元提供固定電流；和在所述刷新操作期間，向所述比較單元提供刷新電流，其中，所述供電電流包括所述固定電流和所述刷新電流。
全文摘要
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體存儲裝置的位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路的各種實(shí)施例。在一個示例性實(shí)施例中，提供一種位線預(yù)充電電壓發(fā)生電路，可以包括分壓塊，對內(nèi)部電壓進(jìn)行分壓以產(chǎn)生第一分壓和第二分壓，其中，第二分壓的電平高于第一分壓的電平；上拉放大塊，將第一分壓的電平與位線預(yù)充電電壓線上的位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平升高；和下拉放大塊，將第二分壓的電平與位線預(yù)充電電壓的電平進(jìn)行比較，并使位線預(yù)充電電壓的電平降低。
文檔編號G11C11/4063GK102122526SQ20101021619
公開日2011年7月13日 申請日期2010年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者金鍾奐 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司