專利名稱：半導(dǎo)體存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體地說，涉及一種使用磁性隧道結(jié)元件(MTJ) 的半導(dǎo)體存儲裝置。
背景技術(shù)：
大體而言，動態(tài)隨機(jī)存取存儲(DRAM)裝置及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(SRAM)裝置是易 失性存儲裝置，因此具有在切斷對該裝置的供電時存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)丟失的缺點。 因此，近來，積極地進(jìn)行了對非易失性存儲裝置的研究。磁性隨機(jī)存取存儲(MRAM)裝置是 一種磁存儲裝置。具體地說，MRAM裝置具有非易失特性，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高集成度。此外， MRAM裝置能夠進(jìn)行高速操作，并且具有低功耗特性。因此，MRAM作為下一代半導(dǎo)體存儲裝 置而吸引了相當(dāng)多的關(guān)注。MRAM裝置的存儲單元包括用于響應(yīng)于從外部提供的地址而進(jìn)行開關(guān)操作的一個 晶體管以及用于存儲信息的磁性隧道結(jié)元件(MTJ)。作為一種磁存儲元件的MTJ的磁電阻 (MR)根據(jù)兩種鐵磁性物質(zhì)的磁化方向而變化。MRAM裝置通過檢測磁電阻的變化來確定存 儲在MTJ中的數(shù)據(jù)是邏輯高狀態(tài)“ 1，，還是邏輯低狀態(tài)“0”。圖1例示了典型半導(dǎo)體存儲裝置的存儲單元的結(jié)構(gòu)。參照圖1，存儲單元包括一個晶體管TR及一個磁性隧道結(jié)元件MTJ。在激活操作中，晶體管TR響應(yīng)于地址而進(jìn)行開關(guān)操作。因此，晶體管TR包括源極 線SL與磁性隧道結(jié)元件MTJ之間的源極-漏極路徑，以及連接到字線WL的柵極。結(jié)果，晶 體管TR根據(jù)字線WL是否被激活而導(dǎo)通/截止。磁性隧道結(jié)元件MTJ包括自由層130A、隧道絕緣層130B及固定層(pinned layer) 130C。此處，自由層130A由鐵磁性物質(zhì)形成，且其磁化方向被外部脈沖(例如，施加 給磁性隧道結(jié)元件MTJ的電流)改變。固定層130C的磁化方向不會被外部脈沖改變。為 了例示的目的，固定層130C的磁化方向由牽制層(pinning layer)(由反鐵磁性物質(zhì)形成) (未示出)確定。隧道絕緣層130B可以由氧化鎂(MgO)層形成。根據(jù)耦合到磁性隧道結(jié)元件MTJ的兩端的電壓，隧道電流流過磁性隧道結(jié)元件 MTJ,并且自由層130A的磁化方向根據(jù)該隧道電流的方向來確定。在自由層130A的磁化方 向與固定層130C的磁化方向相一致的情況下，磁性隧道結(jié)元件MTJ的電阻比較低。另一方 面，在自由層130A的磁化方向與固定層130C的磁化方向不一致的情況下，磁性隧道結(jié)元件 MTJ的電阻比較高(例如，高于所述比較低的電阻)。大體而言，自由層130A的磁化方向與 固定層130C的磁化方向相一致的狀態(tài)對應(yīng)于數(shù)據(jù)“0”，而其相反狀態(tài)對應(yīng)于數(shù)據(jù)“1”。圖2A及圖2B例示了用于解釋圖1中所描述的磁性隧道結(jié)元件MTJ的數(shù)據(jù)寫入操作的圖。圖2A示出了將數(shù)據(jù)“0”寫入到磁性隧道結(jié)元件MTJ的操作，圖2B描述了將數(shù)據(jù) “1”寫入到磁性隧道結(jié)元件MTJ的操作。為了例示的目的，假定字線WL被激活。在這種情 況下，磁性隧道結(jié)元件MTJ包括在連接位線BL與源極線SL的電流路徑中。首先，參照圖1及圖2A來描述將數(shù)據(jù)“0”寫入到磁性隧道結(jié)元件MTJ的操作。在寫入數(shù)據(jù)“0”的操作中，寫入驅(qū)動電路(未示出)利用寫入電源電壓來驅(qū)動位 線BL，并利用地電壓VSS來驅(qū)動源極線SL。換言之，在寫入數(shù)據(jù)“0”的操作中，將大于特定 電平的預(yù)定電壓提供給自由層130A，該預(yù)定電壓比提供給固定層130C的電壓高，以使得沿 位線BL —磁性隧道結(jié)元件MTJ —源極線SL的方向產(chǎn)生高于臨界電流的電流。在這種情況 下，自由層130A的磁化方向與固定層130C的磁化方向相同。即，磁性隧道結(jié)元件MTJ的電 阻減小，寫入數(shù)據(jù)“0”的操作完成。然后，參照圖1及圖2B來描述將數(shù)據(jù)“1”寫入到磁性隧道結(jié)元件MTJ的操作。在與寫入數(shù)據(jù)“0”的操作相反的寫入數(shù)據(jù)“1”的操作中，將大于特定電平的預(yù)定 電壓提供給固定層130C，該預(yù)定電壓比提供給自由層130A的電壓高，以使得沿源極線SL — 磁性隧道結(jié)元件MTJ —位線BL的方向產(chǎn)生高于臨界電流的電流。在這種情況下，自由層 130A的磁化方向與固定層130C的磁化方向相反。S卩，磁性隧道結(jié)元件MTJ的電阻比較高， 寫入數(shù)據(jù)“1”的操作完成。圖3例示了示出圖1中所例示的磁性隧道結(jié)元件MTJ的根據(jù)溫度及電壓的隧道磁 電阻(TMR)特性的曲線圖。如從圖3可以看到的，磁性隧道結(jié)元件MTJ具有磁滯性及根據(jù)流過包括磁性隧道 結(jié)元件MTJ的電流路徑的臨界電流及該臨界電流的方向的兩種穩(wěn)定狀態(tài)(即，低電阻狀態(tài) 及高電阻狀態(tài))。即使切斷對裝置的供電，這些穩(wěn)定狀態(tài)也能得以保持。因此，半導(dǎo)體存儲 裝置確保存儲在其中的數(shù)據(jù)的非易失特性。同時，磁性隧道結(jié)元件MTJ的開關(guān)電流通常根據(jù)溫度而變化。此處，開關(guān)電流是指 將數(shù)據(jù)“0”或“1”寫入到磁性隧道結(jié)元件MTJ時的電流。如從圖3中由虛線指示的區(qū)域可 以看到的，磁性隧道結(jié)元件MTJ的開關(guān)電流在高溫(例如，70°C)時比較低，而其在低溫(例 如，0°C)時比較高。磁性隧道結(jié)元件MTJ的該特性導(dǎo)致根據(jù)工藝、電壓及溫度(PVT)的不 穩(wěn)定的寫入操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例旨在提供一種能夠在數(shù)據(jù)寫入操作中根據(jù)溫度來控制提供給磁 性隧道結(jié)元件(MTJ)的電源電流的半導(dǎo)體存儲裝置。本發(fā)明的另一實施例旨在提供一種能夠在數(shù)據(jù)寫入操作中根據(jù)溫度來控制施加 給位線及源極線的電源電壓的半導(dǎo)體存儲裝置。本發(fā)明的再一實施例旨在提供一種能夠在數(shù)據(jù)寫入操作中通過根據(jù)溫度來控制 流向MTJ的驅(qū)動電流的電平或字線的激活期(其控制用于形成存儲單元的電流路徑的開關(guān) 電路)以控制該驅(qū)動電流的量的半導(dǎo)體存儲裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲 單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過所述第 一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；以及電流控制塊，被構(gòu)造成在寫
6入操作中響應(yīng)于溫度信息而控制提供給所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電源電流。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存 儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過所述 第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在寫入 操作中響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線；以及電壓控制塊，被構(gòu) 造成響應(yīng)于溫度信息而控制提供給所述寫入驅(qū)動塊的電源電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存 儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過所述 第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在寫入 操作中利用第一電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線中的與輸入數(shù)據(jù)相對 應(yīng)的驅(qū)動線；以及附加寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成響應(yīng)于溫度信息而利用第二電源電壓來附加 地驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線中的與所述數(shù)據(jù)相對應(yīng)的驅(qū)動線。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存 儲元件，被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過該存儲元件的電流路徑的電流的方向而確定的 數(shù)據(jù)；開關(guān)元件，被構(gòu)造成在字線的激活期期間形成包括所述存儲元件、第一驅(qū)動線及第二 驅(qū)動線的電流路徑；以及驅(qū)動電流控制塊，被構(gòu)造成通過根據(jù)溫度信息來控制所述開關(guān)元 件以控制流過所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的驅(qū)動電流的量。根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體存儲裝置能夠在數(shù)據(jù)寫入操作中通過根據(jù)溫度來控 制流向MTJ的驅(qū)動電流的量或提供給MTJ的電源電壓以調(diào)整施加給該半導(dǎo)體存儲裝置的開 關(guān)電流。此外，該半導(dǎo)體存儲裝置能夠通過上述對開關(guān)電流的調(diào)整來確保所期望的穩(wěn)定的 數(shù)據(jù)寫入操作。


圖1例示了典型半導(dǎo)體存儲裝置的存儲單元的結(jié)構(gòu)。圖2A及圖2B例示了用于解釋圖1中所描述的MTJ的數(shù)據(jù)寫入操作的圖。圖3例示了示出圖1中所例示的MTJ的根據(jù)溫度及電壓的隧道磁電阻(TMR)特性 的曲線圖。圖4例示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。圖5例示了用于輸出圖4中的溫度信息的溫度信息生成塊的框圖。圖6例示了用于解釋圖4中的電壓控制塊的圖。圖7例示了用于解釋圖5中所例示的溫度信息生成塊及圖6中所描述的電壓控制 塊的示意操作的波形圖。圖8例示了圖4中的寫入驅(qū)動塊的電路圖。圖9例示了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。圖10例示了圖9中所描述的寫入驅(qū)動塊及附加寫入驅(qū)動塊的電路圖。圖11例示了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。圖12及圖13例示了用于解釋圖11中的驅(qū)動電流控制塊的框圖。圖14例示了圖13中的激活期控制單元的電路圖。圖15例示了用于解釋圖14中的激活期控制單元的操作的波形圖。
具體實施例方式本發(fā)明的其他目的及優(yōu)點可以通過以下描述而被理解，并且參照本發(fā)明的實施例 而變得顯而易見。圖4例示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。參照圖4，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲單元410、寫入驅(qū)動塊430及電壓控制塊 450。存儲單元410存儲有其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過位線BL及源極線SL的電流的方向而確 定的數(shù)據(jù)，因此包括以串聯(lián)方式連接在位線BL與源極線SL之間的磁性隧道結(jié)元件MTJ及 開關(guān)元件TR。在寫入操作中，寫入驅(qū)動塊430響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)DAT而驅(qū)動位線BL及源極線SL， 因此通過接收寫入使能信號WREN及輸入數(shù)據(jù)DAT而利用寫入電源電壓V_WD或地電壓VSS 來驅(qū)動相對應(yīng)的線。換言之，在輸入數(shù)據(jù)DAT為“0”的情況下，寫入驅(qū)動塊430利用寫入 電源電壓V_WD來驅(qū)動位線BL并利用地電壓VSS來驅(qū)動源極線SL。另一方面，在輸入數(shù)據(jù) DAT為“1”的情況下，寫入驅(qū)動塊430利用地電壓VSS來驅(qū)動位線BL并利用寫入電源電壓 V_WD來驅(qū)動源極線SL。此處，在半導(dǎo)體存儲裝置的寫入操作中，寫入使能信號WREN可以被 使能。電壓控制塊450響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而控制作為提供給寫入驅(qū)動塊430的電 源電壓的寫入電源電SV_WD。根據(jù)本發(fā)明的寫入電源電壓V_WD的電壓電平是基于溫度信 息INF_TMP來確定的。此處，根據(jù)不同的設(shè)計要求，溫度信息INF_TMP可以是模擬信號或數(shù) 字信號。下文中，為了例示的目的，將溫度信息INF_TMP是數(shù)字信號的情況作為示例來描 述。圖5例示了用于輸出圖4中的溫度信息INF_TMP的溫度信息生成塊的框圖。參照圖5，溫度信息生成塊生成根據(jù)半導(dǎo)體存儲裝置的溫度而變化的溫度信息 INF_TMP,并且包括溫度電壓產(chǎn)生單元510及溫度信息輸出單元530。溫度電壓產(chǎn)生單元510產(chǎn)生其電壓電平基于溫度而確定的第一溫度電壓V_TMP1 及具有預(yù)定電壓電平的第二溫度電壓V_TMP2。溫度信息輸出單元530根據(jù)第一溫度電壓V_TMP1及第二溫度電壓V_TMP2的電壓 電平來輸出邏輯高或邏輯低的溫度信息INF_TMP。將參照圖7來再次描述根據(jù)溫度的溫度 信息INF_TMP與第一溫度電壓V_TMP1及第二溫度電壓V_TMP2的關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明實施例 的溫度信息INF_TMP在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的情況下為邏輯低，而其在施 加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高(例如，高于所述相對低的溫度)的情況下為邏輯高。圖6例示了用于解釋圖4中所描述的電壓控制塊450的圖。參照圖6，電壓控制塊450包括電壓產(chǎn)生單元610，用于產(chǎn)生電壓電平與溫度信 息INF_TMP相對應(yīng)的第一電壓VH及第二電壓VL ；以及驅(qū)動單元630，用于響應(yīng)于溫度信息 INF_TMP而利用第一電壓VH或第二電壓VL來驅(qū)動寫入電源電壓(V_WD)端子。此處，第一 電壓VH及第二電壓VL的電壓電平彼此不同，將參照圖7來再次對其進(jìn)行描述。此外，驅(qū)動單元630包括第一 PMOS晶體管PMl，用于響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而 利用第一電壓VH來驅(qū)動V_WD端子；以及第二 PMOS晶體管PM2，用于響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而利用第二電壓VL來驅(qū)動V_WD端子。此處，第一 PMOS晶體管PMl包括形成在第一電壓(VH)節(jié)點與V_WD端子之間的源 極-漏極路徑以及接收溫度信息INF_TMP的柵極，第二 PMOS晶體管PM2包括形成在第二電 壓(VL)節(jié)點與V_WD端子之間的源極-漏極路徑以及接收溫度信息INF_TMP的反轉(zhuǎn)信號的 柵極。下文中將參照圖7來描述該操作。圖7例示了用于解釋圖5中所描述的溫度信息生成塊及圖6中所描述的電壓控制 塊450的示意操作的波形圖。參照圖4至圖7，溫度電壓產(chǎn)生單元510產(chǎn)生隨溫度上升而增大的第一溫度電壓 V.TMP1以及無論溫度如何都保持恒定的電壓電平的第二溫度電壓V_TMP2。溫度信息輸出 單元530將第一溫度電壓V_TMP1與第二溫度電壓V_TMP2相比較，以輸出比較結(jié)果作為溫 度信息INF_TMP。因此，溫度信息INF_TMP在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的時段中 為邏輯低，而在所述溫度相對高的時段中為邏輯高。此外，電壓控制塊450響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而利用電壓電平相對高的第一電 壓VH或電壓電平相對低的第二電壓VL來驅(qū)動V_WD端子。S卩，在驅(qū)動單元630的結(jié)構(gòu)中， 在溫度信息INF_TMP為邏輯低的情況下，第一 PMOS晶體管PMl導(dǎo)通，因此利用第一電壓VH 來驅(qū)動V_WD端子，而在溫度信息INF_TMP為邏輯高的情況下，第二 PMOS晶體管PM2導(dǎo)通， 因此利用第二電壓VL來驅(qū)動V_WD端子。圖8例示了圖4中的寫入驅(qū)動塊430的電路圖。參照圖8，寫入驅(qū)動塊430包括控制信號生成單元810，用于響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)DAT 及寫入使能信號WREN而生成第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2 ；以及第一 線驅(qū)動單元830及第二線驅(qū)動單元850，用于分別響應(yīng)于第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū) 動控制信號CTR2來驅(qū)動位線BL及源極線SL。此處，第一線驅(qū)動單元830及第二線驅(qū)動單 元850接收根據(jù)本發(fā)明而產(chǎn)生的寫入電源電壓V_WD，并響應(yīng)于與寫入使能信號WREN及輸入 數(shù)據(jù)DAT相對應(yīng)的第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2而利用寫入電源電壓 V_WD或地電壓VSS來驅(qū)動其相對應(yīng)的線。根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體存儲裝置能夠根據(jù)溫度信息INF_TMP來調(diào)整提 供給V_WD端子的電源電壓。因此，在第一實施例中，在寫入使能信號WREN的激活期中，在 寫入驅(qū)動塊430根據(jù)輸入數(shù)據(jù)DAT來驅(qū)動位線BL或源極線SL時，可以使用其電壓電平根 據(jù)溫度信息INF_TMP而被調(diào)整的寫入電源電壓V_WD。此處，通過能夠根據(jù)溫度來調(diào)整在驅(qū) 動位線BL及源極線SL時使用的寫入電源電壓V_WD，可以調(diào)整提供給磁性隧道結(jié)元件MTJ 的電源電流。換言之，在溫度相對低的情況下，可以通過增大寫入電源電壓V_WD的電壓電 平來增大提供給磁性隧道結(jié)元件MTJ的電源電流。在溫度相對高的情況下，可以通過減小 寫入電源電壓V_WD的電壓電平來減小提供給磁性隧道結(jié)元件MTJ的電源電流。 歸根結(jié)底，電壓控制塊450根據(jù)溫度信息INF_TMP來控制提供給位線BL及源極線 SL的電源電流。此處，電壓控制塊450充當(dāng)用于控制用于位線BL及源極線SL的電源電流 的電路。圖9例示了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。參照圖9，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲單元910、寫入驅(qū)動塊930及附加寫入驅(qū)動 塊950。為了例示的目的，如同第一實施例中那樣，將第二實施例中的溫度信息INF_TMP是數(shù)字信號的情況作為示例來描述。存儲單元910存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過位線BL及源極線SL的電流的方向而確定 的數(shù)據(jù)，因此包括以串聯(lián)方式連接在位線BL與源極線SL之間的磁性隧道結(jié)元件MTJ及開 關(guān)元件TR。在寫入操作中，寫入驅(qū)動塊930利用第一電源電壓V_WD1或地電壓VSS來驅(qū)動位 線BL及源極線SL中的與輸入數(shù)據(jù)DAT相對應(yīng)的線。在針對第一實施例中的寫入驅(qū)動塊 430的輸入數(shù)據(jù)為“0”的情況下，寫入驅(qū)動塊930利用第一電源電壓V_WD1來驅(qū)動位線BL 并利用地電壓VSS來驅(qū)動源極線SL。另一方面，在輸入數(shù)據(jù)為“1”的情況下，寫入驅(qū)動塊 930利用地電壓VSS來驅(qū)動位線BL并利用第一電源電壓V_WD1來驅(qū)動源極線SL。附加寫入驅(qū)動塊950附加地響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而利用第二電源電壓V_WD2 來驅(qū)動位線BL及源極線SL中的與驅(qū)動控制信號CTR相對應(yīng)的線。此處，驅(qū)動控制信號CTR 是與輸入數(shù)據(jù)DAT相對應(yīng)的信號，將參照圖10來再次描述它。在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體存儲裝置中，寫入驅(qū)動塊930可以根據(jù)輸入數(shù) 據(jù)DAT來驅(qū)動位線BL及源極線SL，并且附加寫入驅(qū)動塊950可以附加地根據(jù)溫度信息INF_ TMP及輸入數(shù)據(jù)DAT來驅(qū)動位線BL及源極線SL。因此，可以根據(jù)附加寫入驅(qū)動塊950是否 操作來控制提供給位線BL及源極線SL的電源電流。在本發(fā)明的第二實施例中，盡管附加 地利用第二電源電壓V_WD2來驅(qū)動位線BL及源極線SL，但是根據(jù)不同的設(shè)計要求，也可以 利用地電壓VSS來驅(qū)動位線BL及源極線SL。圖10例示了圖9中所描述的寫入驅(qū)動塊930及附加寫入驅(qū)動塊950的電路圖。參照圖9及圖10，寫入驅(qū)動塊930包括控制信號生成單元1010、位線驅(qū)動單元 1030A及源極線驅(qū)動單元1030B?？刂菩盘柹蓡卧?010響應(yīng)于寫入使能信號WREN及輸入數(shù)據(jù)DAT而生成第一驅(qū) 動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2。在這點上，在寫入使能信號WREN被使能為邏 輯高的時段中，第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2的邏輯電平與輸入數(shù)據(jù) DAT相對應(yīng)。S卩，在輸入數(shù)據(jù)DAT為“0”的情況下，第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制 信號CTR2為邏輯低，而在輸入數(shù)據(jù)DAT為“1”的情況下，第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū) 動控制信號CTR2為邏輯高。位線驅(qū)動單元1030A包括以串聯(lián)方式連接在第一電源電與地電壓VSS之 間的第一 PMOS晶體管Pl及第一 NMOS晶體管附。第一 PMOS晶體管Pl通過其柵極來接收 第一驅(qū)動控制信號CTR1，第一 NMOS晶體管m通過其柵極來接收第二驅(qū)動控制信號CTR2。 第一 PMOS晶體管Pl及第一 NMOS晶體管m的公共節(jié)點連接到位線BL，并且位線BL是響應(yīng) 于第一驅(qū)動控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2而利用第一電源電壓V_WD1或地電壓 VSS來驅(qū)動的。源極線驅(qū)動單元1030B包括以串聯(lián)方式連接在第一電源電壓V_WD1與地電壓VSS 之間的第二 PMOS晶體管P2及第二 NMOS晶體管N2。第二 PMOS晶體管P2通過其柵極來接收第二驅(qū)動控制信號CTR2的反轉(zhuǎn)信號，第二 NMOS晶體管N2通過其柵極來接收第一驅(qū)動控制信號CTRl的反轉(zhuǎn)信號。第二 PMOS晶體管 P2及第二 NMOS晶體管N2的公共節(jié)點連接到源極線SL，并且源極線SL是響應(yīng)于第一驅(qū)動 控制信號CTRl及第二驅(qū)動控制信號CTR2而利用第一電源電壓V_WD1或地電壓VSS來驅(qū)動
10的。此外，附加寫入驅(qū)動塊950包括位線附加驅(qū)動單元1050A及源極線附加驅(qū)動單元 1050B。為了例示的目的，第二電源電壓V_WD2的電壓電平可以與第一電源電壓V_WD1的電 壓電平相等或不同。位線附加驅(qū)動單元1050A響應(yīng)于溫度信息INF_TMP及第一驅(qū)動控制信號CTRl而 利用第二電源電壓V_WD2來驅(qū)動位線BL，并且包括具有形成在第二電源電壓V_WD2與位線 BL之間的源極-漏極路徑以及接收與溫度信息INF_TMP相對應(yīng)的信號及第一驅(qū)動控制信號 CTRl的柵極的第三PMOS晶體管P3。源極線附加驅(qū)動單元1050B響應(yīng)于溫度信息INF_TMP及第二驅(qū)動控制信號CTR2 而利用第二電源電壓V_WD2來驅(qū)動源極線SL，并且包括具有形成在第二電源電壓V_WD2與 源極線SL之間的源極-漏極路徑以及接收與溫度信息INF_TMP相對應(yīng)的信號及第二驅(qū)動 控制信號CTR2的柵極的第四PMOS晶體管P4。本發(fā)明的第二實施例例示了溫度信息INF_TMP可以是如圖7中所示出的數(shù)字信 號。即，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的情況下，溫度信息INF_TMP變?yōu)檫壿嫷停?而在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高的情況下，溫度信息INF_TMP變?yōu)檫壿嫺摺Ｒ虼耍?在溫度相對低時，位線附加驅(qū)動單元1050A及源極線附加驅(qū)動單元1050B被激活，并且根據(jù) 輸入數(shù)據(jù)DAT而利用第二電源電壓V_WD2來附加地驅(qū)動位線BL及源極線SL。下文中，將簡要地描述寫入驅(qū)動單元1010、1030A及1030B以及附加寫入驅(qū)動單元 1050A及1050B的操作。在寫入操作中，半導(dǎo)體存儲裝置的寫入使能信號WREN變?yōu)檫壿嫺?。此時，在施加 給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的情況下，溫度信息INF_TMP變?yōu)檫壿嫷?，因此位線附加 驅(qū)動單元1050A及源極線附加驅(qū)動單元1050B被激活。因此，位線驅(qū)動單元1030A及位線 附加驅(qū)動單元1050A，以及源極線驅(qū)動單元1030B及源極線附加驅(qū)動單元1050B根據(jù)輸入數(shù) 據(jù)DAT而利用相對應(yīng)的電源電壓來驅(qū)動位線BL及源極線SL。即，在輸入數(shù)據(jù)為“0”的情況 下，利用第一電源電壓V_WD1及第二電源電壓V_WD2來驅(qū)動位線BL。在輸入數(shù)據(jù)為“1”的 情況下，利用第一電源電壓V_WD1及第二電源電壓V_WD2來驅(qū)動源極線SL。此外，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高的情況下，溫度信息INF_TMP變?yōu)?邏輯高，因此位線附加驅(qū)動單元1050A及源極線附加驅(qū)動單元1050B被去活。S卩，在輸入數(shù) 據(jù)為“0”的情況下，利用第一電源電壓V_WD1來驅(qū)動位線BL。在輸入數(shù)據(jù)為“1”的情況下， 利用第一電源電壓V_WD1來驅(qū)動源極線SL。在用于驅(qū)動位線BL及源極線SL的電源電壓根據(jù)溫度信息INF_TMP而改變的情況 下，提供給連接在位線BL與源極線SL之間的存儲單元910(參照圖9)的電源電流根據(jù)溫 度信息INF_TMP而改變。即，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，如同第一實施例中那樣，能夠根據(jù) 溫度信息INF_TMP來控制提供給位線BL及源極線SL的電源電流。此處，就位線BL及源極 線SL而言，附加寫入驅(qū)動塊950充當(dāng)用于控制電源電流的電路。圖11例示了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體存儲裝置的框圖。參照圖11，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲單元1110、寫入驅(qū)動塊1130及驅(qū)動電流控 制塊1150。存儲單元1110包括磁性隧道結(jié)元件MTJ及開關(guān)元件TR。磁性隧道結(jié)元件MTJ是用于存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過位線BL及源極線SL的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)的存儲元 件。在字線WL的激活期期間，開關(guān)元件TR形成通過位線BL、磁性隧道結(jié)元件MTJ及源極線 SL的電流路徑。寫入驅(qū)動塊1130響應(yīng)于寫入使能信號WREN及輸入數(shù)據(jù)DAT而驅(qū)動位線BL及源 極線SL。位線BL及源極線SL是根據(jù)輸入數(shù)據(jù)DAT而分別地利用寫入電源電壓V_WD或地 電壓VSS來驅(qū)動的。根據(jù)寫入驅(qū)動塊1130的操作，將與輸入數(shù)據(jù)DAT相對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲在 存儲單元1110中。驅(qū)動電流控制塊1150根據(jù)激活命令A(yù)CT及溫度信息INF_TMP來控制開關(guān)元件TR， 以由此控制流過位線BL及源極線SL的驅(qū)動電流的量。根據(jù)本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動電流 控制塊1150可以在激活操作中通過根據(jù)施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度來調(diào)整開關(guān)元件TR 的激活期或電流驅(qū)動能力以控制流過位線BL及源極線SL的驅(qū)動電流的量。下文中，將參 照圖12及圖13來描述驅(qū)動電流控制塊1150的各種結(jié)構(gòu)。圖12及圖13例示了用于解釋圖11中的驅(qū)動電流控制塊1150的框圖。參照圖12，驅(qū)動電流控制塊1150響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而控制開關(guān)元件TR的 電流驅(qū)動能力。因此，驅(qū)動電流控制塊1150包括電壓控制單元1210，用于根據(jù)溫度信息 INF_TMP來控制提供給字線驅(qū)動單元1230的驅(qū)動電源電壓V_WL ；以及字線驅(qū)動單元1230， 用于響應(yīng)于激活命令A(yù)CT而利用驅(qū)動電源電壓V_WL來驅(qū)動字線WL。此處，在激活操作中激 活命令A(yù)CT被使能，并響應(yīng)于該激活命令A(yù)CT而激活字線WL。為了例示的目的，字線驅(qū)動單 元1230激活開關(guān)元件TR與激活命令A(yù)CT被使能的時段相對應(yīng)的預(yù)定時間。在圖12中所描述的驅(qū)動電流控制塊1150中，驅(qū)動電源電壓V_WL的電壓電平根據(jù) 溫度信息INF_TMP而改變。即，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的情況下，驅(qū)動電源 電壓V_WL的電壓電平變高，而在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高的情況下，驅(qū)動電源 電壓V_WL的電壓電平變低。如在圖12中的驅(qū)動電流控制塊1150中，如果驅(qū)動電源電壓V_ WL的電壓電平根據(jù)溫度信息INF_TMP而改變，則被激活預(yù)定時間的字線WL的驅(qū)動電壓的電 壓電平也改變。字線WL的驅(qū)動電壓的電壓電平確定開關(guān)元件TR的電流驅(qū)動能力。S卩，可 以通過確定開關(guān)元件TR的導(dǎo)通程度來調(diào)整流過位線BL、磁性隧道結(jié)元件MTJ及源極線SL 的驅(qū)動電流的量。歸根結(jié)底，可以根據(jù)溫度來改變流過磁性隧道結(jié)元件MTJ的驅(qū)動電流的 量。同時，參照圖13，驅(qū)動電流控制塊1150響應(yīng)于溫度信息INF_TMP而調(diào)整開關(guān)元件 TR的激活期。驅(qū)動電流控制塊1150包括使能信號生成單元1310，用于生成在預(yù)定時段中 響應(yīng)于激活命令A(yù)CT而被使能的激活使能信號ACTEN ；以及激活期控制單元1330，用于響應(yīng) 于溫度信息INF_TMP而控制激活使能信號ACTEN的激活期。作為圖13中所描述的驅(qū)動電 流控制塊1150的結(jié)果，根據(jù)溫度信息INF_TMP來改變字線WL的激活期。圖14例示了圖13中的激活期控制單元1330的電路圖。參照圖14，激活期控制單元1330包括第一延遲部1410，用于在第一傳輸部TGl 被激活的情況下接收激活使能信號ACTEN ；第二延遲部1430，用于在第二傳輸部TG2被激活 的情況下接收激活使能信號ACTEN ；以及輸出部1450，用于將與第一延遲部1410及第二延 遲部1430的輸出信號相對應(yīng)的信號輸出給字線WL。此處，對第一傳輸部TGl或第二傳輸部 TG2的使能是響應(yīng)于溫度信息INF_TMP及/INF_TMP來確定的，并且第一傳輸部TGl及第二傳輸部TG2分別地響應(yīng)于對其輸入的激活使能信號ACTEN而反映不同的延遲量Tl及T2。在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高的情況下，由于溫度信息INF_TMP變?yōu)檫?輯高而反轉(zhuǎn)溫度信息/INF_TMP變?yōu)檫壿嫷?，因此激活使能信號ACTEN被輸入到第一延遲部 1410。同時，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低的情況下，由于溫度信息INF_TMP變?yōu)?邏輯低而反轉(zhuǎn)溫度信息/INF_TMP變?yōu)檫壿嫺?，因此激活使能信號ACTEN被輸入到第二延 遲部1430。此處，在溫度信息INF_TMP是模擬信號的情況下，可以相應(yīng)地改變激活期控制 單元1330的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，激活期控制單元1330可以包括用于將與溫度信息INF_ TMP相對應(yīng)的延遲時間反映到激活使能信號ACTEN的延遲電路以及用于在延遲時間期間輸 出用于激活字線WL的信號的輸出電路。圖15例示了用于解釋圖14中的激活期控制單元1330的操作的波形圖。為了例 示的目的，圖15中的溫度信息INF_TMP用作如圖7中那樣響應(yīng)于具有預(yù)定電壓電平的第二 溫度電壓V_TMP2而轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷突蜻壿嫺叩男盘柕氖纠?。參照圖14及圖15，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對低(即，溫度信息INF_ TMP為邏輯低)的情況下，第二傳輸部TG2導(dǎo)通，因此與第二延遲部1430相對應(yīng)的延遲時間 T2被反映在激活使能信號ACTEN中。因此，從輸出部1450輸出到字線WL的信號的脈沖寬 度與延遲時間T2相對應(yīng)。此處，與延遲時間T2相對應(yīng)的脈沖寬度是指在施加給半導(dǎo)體存 儲裝置的溫度相對低的情況下激活圖13中的開關(guān)元件TR較長時間。這意味著流過磁性隧 道結(jié)元件MTJ的驅(qū)動電流的量增大。因而，在施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度相對高(即，溫度信息INF_TMP為邏輯高) 的情況下，第一傳輸部TGl導(dǎo)通，因此與第一延遲部1410的延遲時間Tl被反映在激活使能 信號ACTEN中。因此，輸出到字線WL的信號的脈沖寬度與延遲時間Tl相對應(yīng)。這意味著 流過磁性隧道結(jié)元件MTJ的驅(qū)動電流的量減小。根據(jù)圖11至圖14中所描述的本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體存儲裝置能夠通過根據(jù) 溫度信息INF_TMP來控制開關(guān)元件TR的電流驅(qū)動能力或激活期以控制流過磁性隧道結(jié)元 件MTJ的驅(qū)動電流的量。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實施例至第三實施例的半導(dǎo)體存儲裝置能夠根據(jù)溫度 來控制提供給磁性隧道結(jié)元件MTJ的電源電流或流過磁性隧道結(jié)元件MTJ的驅(qū)動電流的 量。這意味著能夠根據(jù)不同的裝置特性來調(diào)整磁性隧道結(jié)元件MTJ的開關(guān)電流。因此，能 夠確保穩(wěn)定的寫入操作以及對由PVT導(dǎo)致的問題的改進(jìn)。而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒃趯?shù) 據(jù)存儲在磁性隧道結(jié)元件MTJ中時所需的功耗最小化。根據(jù)本發(fā)明，即使溫度改變，也能夠通過根據(jù)施加給半導(dǎo)體存儲裝置的溫度來控 制磁性隧道結(jié)元件MTJ的開關(guān)電流以確保對期望數(shù)據(jù)的穩(wěn)定的寫入操作。此外，根據(jù)本發(fā)明，即使在半導(dǎo)體存儲裝置中出現(xiàn)由PVT導(dǎo)致的變化，也能夠確保 對輸入數(shù)據(jù)的穩(wěn)定的寫入操作。而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠通過根據(jù)溫度來控制磁性隧道結(jié)元件MTJ的開關(guān)電流以 使數(shù)據(jù)存儲所需的功耗最小化。雖然已關(guān)于特定實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在不 背離如以下權(quán)利要求書中所限定的本發(fā)明的精神及范疇的情況下進(jìn)行各種改變及修改。例如，在上述實施例中，所例示的邏輯門及晶體管可以根據(jù)對其輸入的信號的極
13性而實現(xiàn)為具有不同的位置及類型。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括存儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；以及電流控制塊，被構(gòu)造成在寫入操作中響應(yīng)于溫度信息來控制提供給所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電源電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲單元包括存儲元件，被構(gòu)造成根據(jù)流過其電流路徑的電流的方向來存儲電阻；以及開關(guān)元件，被構(gòu)造成在字線的激活期期間形成包括所述存儲元件、所述第一驅(qū)動線及 所述第二驅(qū)動線的電流路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲元件包括磁性隧道結(jié)器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括溫度信息生成塊，被構(gòu)造成生成根 據(jù)溫度而變化的所述溫度信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述溫度信息生成塊包括溫度電壓產(chǎn)生單元，被構(gòu)造成產(chǎn)生其電壓電平基于溫度而確定的第一溫度電壓及具有 預(yù)定電壓電平的第二溫度電壓；以及溫度信息輸出單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述第一溫度電壓及所述第二溫度電壓而輸出所 述溫度信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在所述寫入 操作中響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而利用相對應(yīng)的電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動 線。
7.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括存儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流 過所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在寫入操作中響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第 二驅(qū)動線；以及電壓控制塊，被構(gòu)造成響應(yīng)于溫度信息而控制提供給所述寫入驅(qū)動塊的電源電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述電源電壓的電壓電平是基于所述 溫度信息而確定的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述電壓控制塊包括電壓產(chǎn)生單元，被構(gòu)造成產(chǎn)生其電壓電平基于所述溫度信息而確定的電壓；以及驅(qū)動單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述溫度信息而利用由所述電壓產(chǎn)生單元產(chǎn)生的電壓來驅(qū) 動所述寫入驅(qū)動塊的電源電壓端子。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲單元包括存儲元件，被構(gòu)造成根據(jù)流過其電流路徑的電流的方向來存儲電阻；以及開關(guān)元件，被構(gòu)造成在字線的激活期期間形成包括所述存儲元件、所述第一驅(qū)動線及 所述第二驅(qū)動線的電流路徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲元件包括磁性隧道結(jié)器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括溫度信息生成塊，被構(gòu)造成生成根據(jù)溫度而變化的所述溫度信息。
13.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括存儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流 過所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在寫入操作中利用第一電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述 第二驅(qū)動線中的與輸入數(shù)據(jù)相對應(yīng)的驅(qū)動線；以及附加寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成響應(yīng)于溫度信息而利用第二電源電壓來附加地驅(qū)動所述第 一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線中的與所述數(shù)據(jù)相對應(yīng)的驅(qū)動線。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述寫入驅(qū)動塊包括控制信號生成單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述輸入數(shù)據(jù)而生成第一驅(qū)動控制信號及第二驅(qū) 動控制信號；以及第一驅(qū)動單元及第二驅(qū)動單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述第一驅(qū)動控制信號及所述第二驅(qū) 動控制信號而利用所述第一電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線或所述第二驅(qū)動線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述附加寫入驅(qū)動塊包括第一附加驅(qū)動單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述溫度信息及所述第一驅(qū)動控制信號而利用所 述第二電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線；以及第二附加驅(qū)動單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述溫度信息及所述第二驅(qū)動控制信號而利用所 述第二電源電壓來驅(qū)動所述第二驅(qū)動線。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲單元包括存儲元件，被構(gòu)造成根據(jù)流過其電流路徑的電流的方向來存儲電阻；以及開關(guān)元件，被構(gòu)造成在字線的激活期期間形成包括所述存儲元件、所述第一驅(qū)動線及 所述第二驅(qū)動線的電流路徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲元件包括磁性隧道結(jié)器件。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括溫度信息生成塊，被構(gòu)造成生成 根據(jù)溫度而變化的所述溫度信息。
19.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括存儲元件，被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過該存儲元件的電流路徑的電流的方向而 確定的數(shù)據(jù)；開關(guān)元件，被構(gòu)造成在字線的激活期期間形成包括所述存儲元件、所述第一驅(qū)動線及 所述第二驅(qū)動線的電流路徑；以及驅(qū)動電流控制塊，被構(gòu)造成通過根據(jù)溫度信息控制所述開關(guān)元件來控制流過所述第一 驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的驅(qū)動電流的量。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括寫入驅(qū)動塊，被構(gòu)造成在寫入操 作中響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而利用相對應(yīng)的電源電壓來驅(qū)動所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述驅(qū)動電流控制塊根據(jù)所述溫度 信息來控制所述開關(guān)元件的電流驅(qū)動能力。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述驅(qū)動電流控制塊包括字線驅(qū)動單元，被構(gòu)造成在激活操作中在預(yù)定時段期間驅(qū)動所述字線；以及電壓控制單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述溫度信息而控制提供給所述字線驅(qū)動單元的電源 電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述驅(qū)動電流控制塊根據(jù)所述溫度 信息來控制所述開關(guān)元件的激活期。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述驅(qū)動電流控制塊包括信號生成單元，被構(gòu)造成生成在激活操作中在預(yù)定時段期間被使能的使能信號；以及 周期控制單元，被構(gòu)造成響應(yīng)于所述溫度信息而控制所述使能信號的激活期。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述周期控制單元包括 延遲部，被構(gòu)造成將與所述溫度信息相對應(yīng)的延遲時間反映到所述使能信號；以及 輸出部，被構(gòu)造成在由所述延遲部確定的時間期間輸出用于激活所述字線的信號。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中所述存儲元件包括磁性隧道結(jié)器件。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括溫度信息生成塊，被構(gòu)造成生成 根據(jù)溫度而變化的所述溫度信息。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置。所述半導(dǎo)體存儲裝置使用磁性隧道結(jié)器件(MTJ)，并且包括存儲單元，連接在第一驅(qū)動線與第二驅(qū)動線之間，并被構(gòu)造成存儲其數(shù)據(jù)狀態(tài)基于流過所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電流的方向而確定的數(shù)據(jù)；以及電流控制塊，被構(gòu)造成在寫入操作中響應(yīng)于溫度信息來控制提供給所述第一驅(qū)動線及所述第二驅(qū)動線的電源電流。
文檔編號G11C11/02GK101908369SQ20091017506
公開日2010年12月8日 申請日期2009年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者吳榮訓(xùn), 李升妍 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司