專利名稱：閃速存儲(chǔ)器件和系統(tǒng)及其讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。更具體地，本發(fā)明涉及非易失性 存儲(chǔ)器件和系統(tǒng)及其讀取方法。
背景技術(shù)：
可以將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件粗略地分類為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ) 器件。在易失性存儲(chǔ)器件的情況下，它們的讀取和寫入速度快，然而它們具有 這樣的缺點(diǎn)，其中所存儲(chǔ)的內(nèi)容在斷電時(shí)消失。另一方面，在非易失性存儲(chǔ) 器件的情況下，即便在斷電時(shí)也保持其中所存儲(chǔ)的內(nèi)容。為此，可以使用非 易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件來保持無論是否供電都要保留的內(nèi)容。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括掩模只讀存儲(chǔ)器(MROM)、可編程ROM (PROM)、 可擦除可編程ROM (EPROM)、電可4察除可編程ROM ( EEPROM )等。通常，MROM、 PROM、和EPROM無法由系統(tǒng)自身自由擦除和寫入， 所以不便于一般用戶更新所存儲(chǔ)的內(nèi)容。另一方面，EEPROM能夠電擦除 或?qū)懭?。EEPROM的應(yīng)用拓寬到輔助存儲(chǔ)器、或其中需要連續(xù)更新的系統(tǒng) 編程(閃速EEPROM)。特別地，閃速EEPROM (以下，稱為閃速存儲(chǔ)器) 表現(xiàn)出比常規(guī)EEPROM更高的集成度，因而有利于大輔助存儲(chǔ)器應(yīng)用。根據(jù)存儲(chǔ)單元和位線的互連，可以將閃速存儲(chǔ)器分為NAND閃速存儲(chǔ) 器和NOR閃速存儲(chǔ)器。NOR閃速存儲(chǔ)器消耗大量電流，所以其不利于高集 成度。另一方面，NOR閃速存儲(chǔ)器有利于高速。NAND閃速存儲(chǔ)器消耗單 元電流的量比NOR閃速存儲(chǔ)器少，所以其有利于高集成度。閃速存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元在載體(bulk)區(qū)域與其控制柵極之間具有 浮置柵極或電荷俘獲層。閃速存儲(chǔ)器借助通過在存儲(chǔ)單元的浮置柵極或電荷 俘獲層上或里面累積或俘獲電荷而調(diào)整該存儲(chǔ)單元的閾電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。將 該操作稱為所謂的寫入或編程操作。每個(gè)已編程存儲(chǔ)單元具有分別與N個(gè)編程狀態(tài)或已編程數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的多個(gè)閾電壓分布之一 (N為大于或等于2的整數(shù))。在編程操作中，在已選 擇存儲(chǔ)單元與鄰近存儲(chǔ)單元之間可能發(fā)生耦合。耦合導(dǎo)致各自與編程狀態(tài)對(duì) 應(yīng)的每個(gè)閾電壓分布變寬、以及鄰近編程狀態(tài)之間的間隔變窄。將這樣的耦合稱為電場(chǎng)耦合或F-poly耦合。間隔變窄，難以可靠地從存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)。隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)的位的數(shù)量 增加，這樣的現(xiàn)象將愈演愈烈。發(fā)明內(nèi)容示例實(shí)施例關(guān)注于提供增強(qiáng)存儲(chǔ)單元的可靠性的閃速存儲(chǔ)器件和多塊 刪除方法。示例實(shí)施例的一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括讀 取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；利 用多個(gè)耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次；以及基于所示例實(shí)施例的另 一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括 讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元； 利用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第一數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的 已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利 用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第二數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已 選擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利用 第三耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第三數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選 擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第四數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選擇 存儲(chǔ)單元；以及鎖存從應(yīng)用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果。示例實(shí)施例的另 一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括 讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元； 利用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元 的讀取結(jié)果中與具有第 一數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的讀取結(jié)果；利用第二 耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié) 果中與具有第二數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的讀取結(jié)果；利用第三耦合補(bǔ)償9參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果中與具
有第三數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的讀取結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取 所述已選擇存儲(chǔ)單元；以及鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果中與具有第 四數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的讀取結(jié)果。
示例實(shí)施例的另 一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括 讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元； 利用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存應(yīng)用第一耦合補(bǔ)償參 數(shù)的讀取結(jié)果；利用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存應(yīng)用 第二耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果；利用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選4奪存儲(chǔ)
單元；鎖存應(yīng)用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取 所述已選擇存儲(chǔ)單元；以及鎖存應(yīng)用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果。
示例實(shí)施例的另 一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括 讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元； 基于所述鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果，確定各自應(yīng)用于所述已選擇存儲(chǔ)單元的 多個(gè)耦合補(bǔ)償參數(shù)；利用應(yīng)用于各個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所 述已選擇存儲(chǔ)單元；以及鎖存讀取結(jié)果。
示例實(shí)施例的另一個(gè)方面提供一種閃速存儲(chǔ)器件，其包括存儲(chǔ)單元陣 列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩沖器電路，被配置為通過調(diào)整各自與已選 擇存儲(chǔ)單元連接的每條位線的預(yù)充電電壓的電平、或用于讀出每條位線的電 壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元至少一次或多次，其中所述 頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所述已選擇存儲(chǔ)單元不同的字線的多 個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果。
示例實(shí)施例的另一個(gè)方面提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其包括閃速存儲(chǔ)器件； 以及控制器，被配置為控制所述閃速存儲(chǔ)器件，其中所述閃速存儲(chǔ)器件包括 存儲(chǔ)單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩沖器電路，被配置為通過調(diào)整 各自與已選擇存儲(chǔ)單元連接的每條位線的預(yù)充電電壓的電平、或用于讀出每 條位線的電壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次，其 中所述頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所述已選擇存儲(chǔ)單元不同的字 線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀 取結(jié)果。
示例實(shí)施例的另一個(gè)方面提供一種計(jì)算系統(tǒng)，其包括主機(jī)；閃速存儲(chǔ)器件；以及控制器，被配置為根據(jù)所述主機(jī)的請(qǐng)求控制所述閃速存儲(chǔ)器件，
其中所述閃速存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩 沖器電路，被配置為通過調(diào)整各自與已選擇存儲(chǔ)單元連接的每條位線的預(yù)充 電電壓的電平、或用于讀出每條位線的電壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀取所述已 選捧存儲(chǔ)單元一次或多次，其中所述頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所
述已選擇存儲(chǔ)單元不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖 存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果。


通過參照附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例，示例實(shí)施例的以上和其他4爭(zhēng)征和優(yōu) 點(diǎn)將變得更加顯而易見。附圖旨在描繪示例實(shí)施例，而不應(yīng)當(dāng)被解讀為限制 權(quán)利要求所意指的范圍。除非明確注明，附圖不應(yīng)被考慮為按比例繪制。 圖1是示出根據(jù)一個(gè)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的示意性配置的圖； 圖2和3是用于描述鄰近存儲(chǔ)單元之間導(dǎo)致的電場(chǎng)耦合或F-poly耦合的
圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的頁(yè)緩沖器電路的示意性配置的圖5是示出根據(jù)一個(gè)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法的流程圖6是示出根據(jù)另一個(gè)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法的流程
圖7至11是用于描述通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)調(diào)整讀出間隔 的長(zhǎng)度的讀取方法的圖12至17是用于描述通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)調(diào)整位線的預(yù) 充電電壓的電平的讀取方法的圖18是示出包含圖1中所示的閃速存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意性配 置的圖；以及
圖19是示出包含圖1中所示的閃速存儲(chǔ)器件的計(jì)算系統(tǒng)的示意性配置 的圖。
具體實(shí)施例方式
這里公開詳細(xì)示例實(shí)施例。然而，這里公開的具體結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅 表示用于描述示例實(shí)施例的目的。但是示例實(shí)施例可以以許多替換形式實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解讀為僅限于這里闡述的實(shí)施例。
從而，雖然示例實(shí)施例能夠具有多種變體和替換形式，其實(shí)施例在附圖 中作為示例示出并將在這里詳細(xì)描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，不意欲將示例實(shí)施 例限于所公開的具體形式，相反，示例實(shí)施例將涵蓋落入示例實(shí)施例范圍內(nèi) 的全部變體、等價(jià)物、和替換物。附圖描述的全文中類似的數(shù)字指代類似的 元件。
不難理解，雖然這里可能使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來描述各種元件，但是 這些元件不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與另 一個(gè)元 件區(qū)分開來。例如，可以將第一元件稱為第二元件，而且類似地，可以將第 二元件稱為第一元件，而不背離示例實(shí)施例的范圍。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)"和 /或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出條目的任何和全部組合。
不難理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"連接到"或"耦接到"另一個(gè)元件時(shí)， 其可以直接連接到或耦接到另一個(gè)元件，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng) 一個(gè)元件被稱為"直接連接到"或"直接耦接到"另一個(gè)元件時(shí)，不存在居 間元件。應(yīng)當(dāng)以類似的方式解釋用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語(yǔ)(例如， "在…之間"與"直接在…之間"、"鄰近"與"直接鄰近"等)。
這里使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是用于描述具體實(shí)施例的目的，不意欲限制示例實(shí) 施例。如這里使用的，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"、和"該"意欲同樣包括復(fù) 數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。另外不難理解，這里使用的術(shù)語(yǔ)"包 括"和/或"包含"指明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的 存在，但是不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元 件、組件、和/或其群組。
還應(yīng)當(dāng)注意，在某些替換實(shí)現(xiàn)中，所述的功能/動(dòng)作可能不以附圖中注明 的次序發(fā)生。例如，依賴于涉及的功能/動(dòng)作，接連示出的兩個(gè)圖可能實(shí)際上 基本同時(shí)執(zhí)行、或可能有時(shí)以相反次序執(zhí)行。
根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法能夠消除連接到與已選擇 字線不同的字線的存儲(chǔ)單元的耦合效應(yīng)。為此，首先，在讀取已選擇存儲(chǔ)單 元之前對(duì)與鄰近字線相連的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作?？梢酝ㄟ^改變耦合補(bǔ)償參
數(shù)(例如，位線預(yù)充電電壓或讀出時(shí)段的長(zhǎng)度)對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元執(zhí)行至少 一次或多次讀操作。可以根據(jù)連接到不同的字線的存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)選擇 性地鎖存對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元的所述至少一次或多次讀操作的結(jié)果。下面，將參照附圖更全面地描述根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件及其讀取方法。
圖1是示出根據(jù)一個(gè)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的示意性配置的圖。
參照?qǐng)D1，閃速存儲(chǔ)器件100包括單元陣列10、頁(yè)緩沖器電路20、和行 譯碼器電路30。單元陣列IO可以由多個(gè)存儲(chǔ)器塊形成，每個(gè)存儲(chǔ)器塊包括 排列為多個(gè)行(或，字線WLO至WLn-l )和多個(gè)列(或，位線BLO至BLm-l ) 的存儲(chǔ)單元。如圖1中所示將存儲(chǔ)單元配置為具有NAND串結(jié)構(gòu)。但是， 雖然圖中未示出，存儲(chǔ)單元也能夠:帔配置為具有NOR結(jié)構(gòu)。
單元陣列10的行由行譯碼器電^各30驅(qū)動(dòng)，而列由頁(yè)緩沖器電路20驅(qū) 動(dòng)。每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)或多位數(shù)據(jù)(例如，兩位或更多位數(shù)據(jù))。 存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元稱為單個(gè)位單元或單電平單元(SLC)，而存儲(chǔ)多 位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元稱為多個(gè)位單元、多電平單元(MLC)、或多狀態(tài)單元。 有可能將每個(gè)存儲(chǔ)器塊形成為使得同時(shí)具有單電平單元和多電平單元。
由頁(yè)緩沖器電路20執(zhí)行的讀操作包括普通讀操作和檢驗(yàn)讀操作?？梢?對(duì)與已選擇字線相連的多個(gè)存儲(chǔ)單元以一個(gè)或多個(gè)頁(yè)為單位進(jìn)行讀操作。頁(yè) 緩沖器電路20在讀操作時(shí)擔(dān)當(dāng)讀出放大器用于從存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)，而在 編程操作時(shí)擔(dān)當(dāng)驅(qū)動(dòng)器用于根據(jù)要編程的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)位線。頁(yè)緩沖器電路20 可以包括多個(gè)頁(yè)緩沖器，每個(gè)頁(yè)緩沖器與 一條字線或一對(duì)字線對(duì)應(yīng)。
如下面將描述的，根據(jù)示例實(shí)施例的頁(yè)緩沖器電路20可以參照與鄰近 已選4奪字線(例如，WLi)的字線(例如，WLi+l)(以下，稱為鄰近字線) 相連的存儲(chǔ)單元(以下，稱為鄰近存儲(chǔ)單元)的編程狀態(tài)來調(diào)整耦合補(bǔ)償參 數(shù)(例如，讀出時(shí)間，位線預(yù)充電電壓的電平等)。耦合補(bǔ)償參數(shù)用于補(bǔ)償 讀操作時(shí)在鄰近存儲(chǔ)單元之間導(dǎo)致的耦合效應(yīng)。根據(jù)上述讀取方法，雖然鄰
近存儲(chǔ)單元的閾電壓的分布因電場(chǎng)耦合/F-poly耦合而改變，但是能夠進(jìn)行準(zhǔn) 確的讀取。
下面，將描述具有NAND串結(jié)構(gòu)的MLC閃速存儲(chǔ)器的示例。但是，下 面將要描述的閃速存儲(chǔ)器的配置和工作特性不限于具體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。例如， 下面將要描述的閃速存儲(chǔ)器的配置和工作特性能夠應(yīng)用于全部NAND閃速 存儲(chǔ)器件和NOR閃速存儲(chǔ)器件。進(jìn)一步，它們能夠應(yīng)用于多種類型的閃速 存儲(chǔ)器件，無論閃速存儲(chǔ)器件的電荷存儲(chǔ)層的結(jié)構(gòu)如何。將把與已選擇字線 WLi的鄰近字線WLi+l相連的存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)描述為考慮用于補(bǔ)償耦 合效應(yīng)的耦合的要素。但是，不難理解，這里考慮影響耦合的多種要素，諸如排列在不同位置的存儲(chǔ)單元、因編程已選擇存儲(chǔ)單元自身造成的閾電壓的 變化等。
圖2和3是用于描述鄰近存儲(chǔ)單元之間導(dǎo)致的電場(chǎng)耦合或F-poly耦合的圖。
圖2示出多電平單元的閾電壓分布，例如，2位單元，其中一個(gè)單元中 存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)。在其中一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的情況下，存儲(chǔ)單元具 有處于分別與數(shù)據(jù)狀態(tài)'11， 、 '10，、 '00，、和'01，對(duì)應(yīng)的四種閾電壓分 布E、 Pl、 P2、和P3之一中的閾電壓。
圖2中，實(shí)線41—1、 41—2、 41—3、和41—4指示與四種數(shù)據(jù)狀態(tài)對(duì)應(yīng)的 閾電壓分布存在于給定閣電壓窗口內(nèi)的情況。該情況下，不難理解，以給定 的容限(margin) Wl適當(dāng)?shù)嘏帕朽徑鼣?shù)據(jù)狀態(tài)的閾電壓分布。精細(xì)地控制
壓窗口內(nèi)。為此，已經(jīng)提出一種利用增量步進(jìn)脈沖編程(ISPP)方案的編程 方法。根據(jù)ISPP方案，導(dǎo)致存儲(chǔ)單元的閾電壓移動(dòng)一對(duì)于每次編程循環(huán)施 加的編程電壓的增量。因而，有可能通過將編程電壓的增量設(shè)置得較小來更 精細(xì)地控制存儲(chǔ)單元的閾電壓。這意味著充分地確保數(shù)據(jù)狀態(tài)之間的容限 Wl。盡管有該ISPP方案，但是與每種數(shù)據(jù)狀態(tài)對(duì)應(yīng)的閾電壓分布仍可能因 電場(chǎng)耦合或F-poly耦合而改變。
參照?qǐng)D3，假定存儲(chǔ)單元MCA是被編程為具有四種狀態(tài)之一的存儲(chǔ)單 元，而且其連接到第i字線WLi?！﹊定存儲(chǔ)單元MCB是被編程為具有四種 狀態(tài)之一的存儲(chǔ)單元，而且其連4妄到第i+l字線WLi+l。第i+l字線WLi+l 是在上方鄰近第i字線WLi的字線J艮定首先編程連接到第i字線WLi的存 儲(chǔ)單元(例如，MCA)而且接著編程連接到第i+l字線WLi+l的存儲(chǔ)單元 (例如，MCB)。
在編程存儲(chǔ)單元MCB時(shí)，其浮置柵極上累積電荷而且其閾電壓變高。 此時(shí)，之前編程的存儲(chǔ)單元的浮置柵極的電勢(shì)可以因與存儲(chǔ)單元MCB的浮 置柵極的耦合而變高。在存儲(chǔ)單元MCB的編程完成之后，存儲(chǔ)單元MCA 的浮置柵極的增加的電勢(shì)因鄰近浮置柵極之間的耦合而繼續(xù)維持。此時(shí)，強(qiáng) 制作用到存儲(chǔ)單元MCA的耦合來自于位于字線/位線方向上的全部鄰近存 儲(chǔ)單元。該耦合使得已編程存儲(chǔ)單元MCA的閾電壓變高。這意味著存儲(chǔ)單 元MCA的閾電壓分布被拓寬，如虛線42—1至42—4、 43—1至43—4、以及44_1至44—4所示。隨著每種數(shù)據(jù)狀態(tài)的閾電壓分布因耦合效應(yīng)而拓寬，如由W2、 W3、和W4標(biāo)出的鄰近數(shù)據(jù)狀態(tài)之間的容限減小。鄰近數(shù)據(jù)狀態(tài)之間容限 的減小增加讀取結(jié)果出錯(cuò)的概率。
鄰近存儲(chǔ)單元MCB的編程狀態(tài)的變化越大，因耦合造成的存儲(chǔ)單元 MCA的閾電壓的變化就越大。例如，圖2的實(shí)線41—1至41—4指示鄰近存 儲(chǔ)單元MCB被編程為與LSB閾電壓分布對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)狀態(tài)"E，，時(shí)存儲(chǔ)單元 MCA的閾電壓分布。即，如果鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"E"， 則幾乎不產(chǎn)生耦合。虛線42—1至42一4指示鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為數(shù) 據(jù)狀態(tài)"P1"時(shí)存儲(chǔ)單元MCA的閾電壓分布。在鄰近存儲(chǔ)單元MCB凈皮編 程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1"的情況下，與鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"E" 時(shí)相比井禺合步爻應(yīng)增力口。
虛線43—1至43—4指示當(dāng)鄰近存儲(chǔ)單元.MCB 一皮編程為凄t據(jù)狀態(tài)"P2" 時(shí)存儲(chǔ)單元MCA的閾電壓分布。在鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài) "P2"的情況下，與鄰近存儲(chǔ)單元MCB^皮編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1"時(shí)相比耦 合效應(yīng)增加。虛線44—1至44一4指示當(dāng)鄰近存儲(chǔ)單元MCB ^皮編程為數(shù)據(jù)狀 態(tài)"P3"時(shí)存儲(chǔ)單元MCA的閾電壓分布。在鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為 數(shù)據(jù)狀態(tài)"P3"的情況下，與鄰近存儲(chǔ)單元MCB被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P2" 時(shí)相比耦合效應(yīng)增加。
示例實(shí)施例中，通過參照連接到鄰近位線(例如，WLi+l )的存儲(chǔ)單元 的編程狀態(tài)(或，已編程數(shù)據(jù)值)對(duì)連接到已選擇字線(例如，WLi)的存 儲(chǔ)單元執(zhí)行讀操作來補(bǔ)償鄰近存儲(chǔ)單元之間的耦合效應(yīng)。在根據(jù)示例實(shí)施例 的讀操作的情況下，根據(jù)連接到鄰近位線(例如，WLi+l )的存儲(chǔ)單元(即， 鄰近存儲(chǔ)單元)的編程狀態(tài)確定耦合補(bǔ)償參數(shù)(例如，讀出時(shí)間、預(yù)充電電 壓電平等)。鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)與由鄰近存儲(chǔ)單元導(dǎo)致的耦合效應(yīng)緊 密相關(guān)。根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)不同地調(diào)整耦合補(bǔ)償參數(shù)的值。于是， 在讀操作時(shí)有效地補(bǔ)償鄰近存儲(chǔ)單元之間導(dǎo)致的耦合效應(yīng)，并進(jìn)行準(zhǔn)確的讀耳又。
圖4示出根據(jù)示例實(shí)施例的頁(yè)緩沖器電路的示意性配置。 參照?qǐng)D4，頁(yè)緩沖器電路20包括多個(gè)、例如四個(gè)頁(yè)緩沖器PB0至PB3。 頁(yè)緩沖器PBO至PB3被配置為彼此相同。頁(yè)緩沖器PBO至PB3分別電連接 到相應(yīng)的位線BLO至BL3。經(jīng)由列選通電路50進(jìn)行頁(yè)緩沖器PBO至PB3的數(shù)據(jù)PB—DIO0至PB一DI03的輸入/輸出。圖4示出其中將頁(yè)緩沖器PB0 至PB3分配給各條位線BL0至BL3的示例配置。例如，頁(yè)緩沖器PB0至 PB3以一對(duì)一的方式連接到位線，而不由至少兩條或更多位線共享。頁(yè)緩沖 器PB0至PB3與位線之間的互連能夠以多種方式改變。各個(gè)頁(yè)緩沖器PB0 至PB3的配置如下。
頁(yè)緩沖器PB0至PB3中的每一個(gè)包括位線選擇和偏壓電路21、預(yù)充電 電路23、以及讀出和鎖存電路25。分別在預(yù)充電電路23與讀出和鎖存電路 25之間提供讀出節(jié)點(diǎn)SNO至SN3,用于讀出已編程到相應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù) 據(jù)狀態(tài)。
位線選擇和偏壓電路21響應(yīng)于位線選4奪信號(hào)BLSLT執(zhí)行選擇將要對(duì)其 進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出的位線的功能。預(yù)充電電路23響應(yīng)于預(yù)充電控制信號(hào)PLOAD 和BLSHF預(yù)充電已選4奪位線和讀出節(jié)點(diǎn)。在為連接到已選擇位線的存儲(chǔ)單 元執(zhí)行讀出操作之前進(jìn)行預(yù)充電操作。在已選擇位線被預(yù)充電之后，已選沖奪
讀出時(shí)段過去之后，讀出和鎖存電路25響應(yīng)于鎖存控制信號(hào)LCH讀出讀出 節(jié)點(diǎn)SNO的電壓，并在鎖存器中存儲(chǔ)所讀出的結(jié)果作為讀出結(jié)果?？梢詮拈W 速存儲(chǔ)器件100中的控制邏輯(未示出)產(chǎn)生用于控制頁(yè)緩沖器PB0至PB3 的操作的控制信號(hào)BLSLT、 PLOAD、 BLSHF、和LCH。
如圖4中所示，電容元件Csm)至Csw分別存在于頁(yè)緩沖器PB0至PB3 的讀出節(jié)點(diǎn)SN0至SN3處，而且電容元件Cblo至0^2分別存在于鄰近讀出 節(jié)點(diǎn)SNO至SN3之間。頁(yè)緩沖器PBO至PB3中的電容元件Cs訓(xùn)至0^3和 Cbl。至CBL2與讀出節(jié)點(diǎn)SNO至SN3的電壓電平以及流向已選4奪存儲(chǔ)單元的 電流的量具有緊密關(guān)系。從而，有可能通過控制頁(yè)緩沖器PBO至PB3中的 電容元件Csnq至CSN3和Cblq至CBL2的尺寸來調(diào)整已選擇位線以及讀出節(jié)點(diǎn) SNO至SN3的演化(develop )時(shí)間段?？梢栽谠O(shè)計(jì)頁(yè)緩沖器電路20時(shí)調(diào)整
頁(yè)緩沖器PB0至PB3中的電容元件CsN。至CsN3和CBL。至CBL2的尺寸。
但是，存在于鄰近讀出節(jié)點(diǎn)SN0至SN3之間的電容元件Cblo至(2肌2是 寄生電容元件的類型。于是，控制電容元件C肌。至C肌2的尺寸并不容易。 另一方面，電容元件Csm)至CSN3能夠在設(shè)計(jì)頁(yè)緩沖器電路20時(shí)定量地控制。 于是，根據(jù)示例實(shí)施例的頁(yè)緩沖器PBO至PB3,將電容元件Csn。至CSN3的 尺寸設(shè)置為使得在預(yù)充電操作之后直接執(zhí)行讀出操作而沒有演化時(shí)段。即，頁(yè)緩沖器PBO至PB3的讀操作由預(yù)充電時(shí)段和讀出時(shí)段形成。利用頁(yè)緩沖 器PBO至PB3的上述配置，因?yàn)椴恍枰莼瘯r(shí)H故而快速完成讀梯:作。
因而，才艮據(jù)示例實(shí)施例的讀取方法適合于需要重復(fù)讀取的多電平單元的讀耳又 操作。這里使用具有快速讀出特性的頁(yè)緩沖器，其不需要單獨(dú)的演化時(shí)段。
頁(yè)緩沖器PBO至PB3中的每一個(gè)可以包括多個(gè)、例如3個(gè)或更多個(gè)鎖 存器，其可以在頁(yè)緩沖器PB0至PB3的讀取和鎖存電路25中實(shí)現(xiàn)。在頁(yè)緩 沖器PB0至PB3中的每一個(gè)中的多個(gè)鎖存器當(dāng)中，至少一個(gè)鎖存器(例如， 一個(gè)或兩個(gè)鎖存器)可以用于存儲(chǔ)從鄰近存儲(chǔ)單元(例如，與字線WLi+l 相連的鄰近存儲(chǔ)單元)讀出的數(shù)據(jù)值。其余一個(gè)或多個(gè)鎖存器可以用于存儲(chǔ) 從已所選擇存儲(chǔ)單元(例如，與已選擇字線WLi相連的存儲(chǔ)單元)讀出的 數(shù)據(jù)值。存儲(chǔ)在頁(yè)緩沖器PBO至PB3中的鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)可以用于調(diào)
位線預(yù)充電電壓的電平。結(jié)果，根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)補(bǔ)償強(qiáng)制作用 于每個(gè)存儲(chǔ)單元的耦合的效應(yīng)。
不難理解，可以在示例實(shí)施例的范圍內(nèi)以多種方式修改或改變上述電路 21、 23、和25。從而，電路21、 23、和25的配置不限于圖4中所示的特定 結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，頁(yè)緩沖器PBO至PB3的電容元件Csm)至CSN3的尺寸和設(shè)置 不限于本公開。
圖5是示出根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法的流程圖。 參照?qǐng)D5，在步驟SIOOO，從與已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的鄰近字線WLi+1 相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi讀出數(shù)據(jù)?；谧x取的數(shù)據(jù)判定與鄰近字線WLw 相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的已編程數(shù)據(jù)狀態(tài)。在步驟S1100,基于所判定 的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)狀態(tài)確定耦合補(bǔ)償參數(shù)(例如，讀出時(shí)間、位 線預(yù)充電電壓的電平等)。耦合補(bǔ)償參數(shù)能夠從預(yù)定參數(shù)得到，而不是在每 次執(zhí)行讀操作時(shí)確定。耦合補(bǔ)償參數(shù)值能夠根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi中存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)值來定義。
在步驟S1200,通過將所確定的耦合補(bǔ)償參數(shù)應(yīng)用于與已選擇字線WLi 相連的每個(gè)存儲(chǔ)單元MCAi來讀取數(shù)據(jù)。步驟S1200中執(zhí)行的對(duì)已選擇存儲(chǔ) 單元MCAi的讀搡作可以相對(duì)于與已選l奪字線WLi相連的存儲(chǔ)單元執(zhí)行一 次或多次?？梢曰卩徑鎯?chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)對(duì)讀操作應(yīng)用不同的耦 合補(bǔ)償參數(shù)。不同的耦合補(bǔ)償參數(shù)能夠應(yīng)用于已選擇字線WLi的每個(gè)讀操作中包含的預(yù)充電時(shí)段或讀出時(shí)段。耦合補(bǔ)償參數(shù)用于補(bǔ)償在讀操作中編程 鄰近存儲(chǔ)單元時(shí)導(dǎo)致的耦合的效應(yīng)。
在步驟S1300,根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)從各條位線選擇性 地鎖存從已選擇存儲(chǔ)單元MCAi讀取的數(shù)據(jù)。即，為每個(gè)存儲(chǔ)單元執(zhí)行讀操 作一次或多次，同時(shí)通過一個(gè)鎖存操作存儲(chǔ)從每個(gè)存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)。
圖5中所述的讀取方法需要軟件操作，其用于基于鄰近存儲(chǔ)單元MCBi
分配的讀出時(shí)間不足以執(zhí)行軟件操作，則根據(jù)示例實(shí)施例的讀取方法可以通 過下面的重復(fù)讀出方案執(zhí)行讀操作。
圖6是示出根據(jù)另一個(gè)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法的流程圖。
參照?qǐng)D6，在搡作S2000,從與已選4奪存儲(chǔ)單元MCAi的鄰近字線WLi+1 相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi讀出數(shù)據(jù)?；谧x取的數(shù)據(jù)判定與鄰近字線WLi+1 相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)。在步驟S2100,基于所判定的鄰近 存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)確定耦合補(bǔ)償參數(shù)(例如，讀出時(shí)間、位線預(yù)充 電電壓的電平等)。耦合補(bǔ)償參數(shù)能夠從預(yù)定參數(shù)得到，而不是在每次執(zhí)行 讀操作時(shí)確定。耦合補(bǔ)償參數(shù)值能夠根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 值來定義。
在步驟S2200,通過應(yīng)用所確定的耦合補(bǔ)償參數(shù)從與已選擇字線WLi 相連的存儲(chǔ)單元MCAi重復(fù)讀取數(shù)據(jù)。在步驟S2300，鎖存通過重復(fù)讀操作 讀取的數(shù)據(jù)。
不同的耦合補(bǔ)償參數(shù)能夠分別應(yīng)用于步驟2200的重復(fù)讀操作。不同的 耦合補(bǔ)償參數(shù)能夠應(yīng)用于與已選擇字線WLi相連的存儲(chǔ)單元MCAi的讀操 作的預(yù)充電時(shí)段或讀出時(shí)段。耦合補(bǔ)償參數(shù)用于補(bǔ)償在讀操作中編程鄰近存 儲(chǔ)單元時(shí)導(dǎo)致的耦合的效應(yīng)。根據(jù)能夠存儲(chǔ)在每個(gè)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)狀態(tài)的 數(shù)量定義步驟S2200中重復(fù)的讀操作的數(shù)量。
如果每個(gè)存儲(chǔ)單元被編程為四種數(shù)據(jù)狀態(tài)之一，則對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單 元MCAi進(jìn)行四次讀操作。此時(shí)，將不同的耦合補(bǔ)償參數(shù)分別應(yīng)用于四次讀 操作。步驟S2300中可以通過四次鎖存操作鎖存步驟S2200中通過四次讀才喿 作讀取的數(shù)據(jù)。該情況下，對(duì)與已選擇字線WLi相連的每個(gè)存儲(chǔ)單元MCAi 執(zhí)行四次讀操作和四次鎖存操作。根據(jù)圖6中所述的讀取方法，有可能在分
18配到讀操作的讀出時(shí)間較短時(shí)通過應(yīng)用重復(fù)讀出方案4丸行準(zhǔn)確的讀操作。
根據(jù)圖6中所述的讀取方法，考慮鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的全部數(shù)據(jù)值重 復(fù)對(duì)存儲(chǔ)單元MCAi的讀操作和鎖存操作。從而，沒有必要在為讀操作分配 的短暫讀出時(shí)段期間考慮鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值確定是否鎖存。于是，
是可以通過補(bǔ)償鄰近存儲(chǔ)單元造成的耦合的效應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確的讀取。
將圖5和6的步驟S1200和S2200中執(zhí)行的對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元MCAi 的讀操作分為第一和第二實(shí)施例。第一實(shí)施例是根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的 編程狀態(tài)調(diào)整讀出時(shí)段的長(zhǎng)度的方法，將參照?qǐng)D7至11對(duì)其進(jìn)行更全面的 描述。第二實(shí)施例是根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)段期 間施加到位線的位線預(yù)充電電壓的電平的方法，將參照?qǐng)D12至17對(duì)其進(jìn)行 更全面的描述。
圖7至11是用于描述通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)調(diào)整讀 出時(shí)段的長(zhǎng)度來補(bǔ)償鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)的讀取方法的圖。
參照?qǐng)D7，在從與已選擇字線WLi相連的多個(gè)存4諸單元MCA0至MCA3 (例如，與一個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)讀出數(shù)據(jù)的情況下，首先，對(duì)與鄰近已 選才奪存儲(chǔ)單元MCA0至MCA3的字線WLi+l相連的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元 MCB0至MCB3 (例如，與一個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)進(jìn)行讀操作。可以將從 多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元MCB0至MCB3讀取的數(shù)據(jù)值分別存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖 器PB0至PB3中的至少一個(gè)或多個(gè)鎖存器中。
圖7示出與第一位線BL0相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCB0被編程為數(shù)據(jù)狀 態(tài)"E"且與第二位線BL1相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCB1 ^^編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1" 的示例。進(jìn)一步，在該示例中，與第三位線BL2相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCB2 被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P2"，而與第四位線BL3相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCB3被 編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P3"。圖2中示出與數(shù)據(jù)狀態(tài)"E"至"P3"對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單 元的閾電壓分布。
參照?qǐng)D2和7，在鄰近存儲(chǔ)單元MCBO被編程為凄史據(jù)狀態(tài)"E"且已選 才奪存儲(chǔ)單元MCAO被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1"的情況下，已選擇存儲(chǔ)單元MCAO 不受來自鄰近存儲(chǔ)單元MCBO的耦合效應(yīng)的影響。該情況下，已選擇存儲(chǔ)單 元MCAO的閾電壓分布可以與圖2中由41—2標(biāo)出的狀態(tài)對(duì)應(yīng)。此時(shí)，可以如果連接到與已選擇存儲(chǔ)單元MCAO相同的字線WLi的多個(gè)存儲(chǔ)單元(例 如，與一個(gè)或多個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存卩諸單元)的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)為 狀態(tài)"E"，則可以應(yīng)用該讀取特性無需位線的位置。
如果鄰近存儲(chǔ)單元MCB1 -故編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"PI"且已選擇存儲(chǔ)單元 MCA1被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1"，則存儲(chǔ)單元MCA1的閾電壓分布因遭受來 自鄰近存儲(chǔ)單元MCB1的耦合效應(yīng)而從41—2變?yōu)?2—2。此時(shí)，可以在第二
補(bǔ)償耦合效應(yīng)。如果連接到與已選擇存儲(chǔ)單元MCA1相同的字線WLi的多 個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，與一個(gè)或多個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi 的編程狀態(tài)為狀態(tài)"P1",則可以應(yīng)用該讀取特性無需位線的位置。
如果鄰近存儲(chǔ)單元MCB2被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P2"且已選擇存儲(chǔ)單元 MCA2被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1",則存儲(chǔ)單元MCA2的閾電壓分布因遭受來 自鄰近存儲(chǔ)單元MCB2的耦合效應(yīng)而從41—2變?yōu)?3一2。此時(shí)，可以在第三 讀出時(shí)間trd+t。ffset2期間讀出并鎖存已選4奪存儲(chǔ)單元MCA2中已編程的數(shù)據(jù)以 補(bǔ)償耦合效應(yīng)。如果連接到與已選擇存儲(chǔ)單元MCA2相同的字線WLi的多 個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，與一個(gè)或多個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi 的編程狀態(tài)為狀態(tài)"P2",則可以應(yīng)用該讀取特性無需位線的位置。
如果鄰近存儲(chǔ)單元MCB3被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P3"且已選擇存儲(chǔ)單元 MCA3被編程為數(shù)據(jù)狀態(tài)"P1"，則存儲(chǔ)單元MCA3的閾電壓分布因遭受來 自鄰近存儲(chǔ)單元MCB3的耦合效應(yīng)而從41—2變?yōu)?4—2。此時(shí)，可以在第四
讀出時(shí)間trd+t。fet3期間讀出并鎖存已選擇存儲(chǔ)單元MCA3中已編程的數(shù)據(jù)以
補(bǔ)償耦合效應(yīng)。如果連接到與已選^f奪存儲(chǔ)單元MCA3相同的字線WLi的多 個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，與一個(gè)或多個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi 的編程狀態(tài)為狀態(tài)"P3",則可以應(yīng)用該讀取特性無需位線的位置。
圖8和9示出其中在每條字線上進(jìn)行一次預(yù)充電操作和一次讀出操作的 示例讀取方法。
參照?qǐng)D8和9，對(duì)與字線WLi相連的多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元(例如，與一 個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元)中的每一個(gè)執(zhí)行一次預(yù)充電操作和一次讀出操作。在 每個(gè)存儲(chǔ)單元被編程為具有四種閾電壓分布E、 Pl、 P2、和P3之一的情況 下，根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)在四個(gè)讀出時(shí)段SEN0至SEN3之一 內(nèi)讀 出并鎖存每個(gè)存儲(chǔ)單元中已編程的數(shù)據(jù)。根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值，不同地確定是否在每條字線上執(zhí)行四個(gè)讀出時(shí)段SEN0至SEN3當(dāng)中的任何時(shí)^殳的讀出操作。讀出時(shí)段SEN0至SEN3彼此可以具有不同的讀出時(shí)間。改變的讀出時(shí)間使得補(bǔ)償根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)變化的耦合的效應(yīng)。每個(gè)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的數(shù)量增加得越多，可實(shí)用的(practicable)讀出時(shí)間的各種類型就增加得越多。
如果從字線WLi選擇一頁(yè)存儲(chǔ)單元用于讀操作，則在第一讀出時(shí)段SENO期間，讀出已選存儲(chǔ)單元當(dāng)中鄰近處于狀態(tài)"E"的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù)據(jù)。例如，在第一讀出時(shí)段SENO期間，對(duì)鄰近被編程為狀態(tài)"P1"、 "P2"、或"P3"的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元不進(jìn)行讀出操作。將第一讀出時(shí)間trf應(yīng)用于第一讀出時(shí)段SENO。存儲(chǔ)單元MCAi的位線的預(yù)充電電壓電平在第一讀出時(shí)間trd期間下降直到預(yù)定的讀出遮斷(trip)電壓的電平。如果讀出節(jié)點(diǎn)的電壓降低到讀出遮斷電壓之下，則相應(yīng)的存儲(chǔ)單元被判定為'ON單元，。如果讀出節(jié)點(diǎn)的電壓未降低到讀出遮斷電壓之下，則相應(yīng)的存儲(chǔ)單元^皮判定為'OFF單元，。將第一讀出時(shí)l史SEN0內(nèi)讀出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
在第二讀出時(shí)段SEN1期間讀出所選頁(yè)中的存儲(chǔ)單元當(dāng)中鄰近處于狀態(tài)"P1'，的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù)據(jù)。將第二讀出時(shí)間(U+t。ffseti)應(yīng)用于第二讀出時(shí)段SEN1 。被預(yù)充電的存儲(chǔ)單元MCAi的位線的電壓電平在第二讀出時(shí)間(trd+t。ffsetl )期間下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。第二讀出時(shí)間(trd+t。ffsetl)具有比第一讀出時(shí)間trd長(zhǎng)出偏移時(shí)段t。ffsetl的讀出時(shí)間。增加的讀出時(shí)間使得能夠補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)。將讀出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
如果將第一讀出時(shí)間U而不是第二讀出時(shí)間(trd+t。ffsetl )應(yīng)用于第二讀出時(shí)段SEN1 ，則因?yàn)猷徑鎯?chǔ)單元MCBi的耦合效應(yīng)，位線的電壓電平在讀出時(shí)段期間不下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。如果位線的電壓電平不下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平，則已選擇存儲(chǔ)單元的闊電壓被識(shí)別為仿佛增加了一樣(即，好像電流流入已選擇存儲(chǔ)單元似的)。在示例實(shí)施例中，通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值調(diào)整讀出時(shí)間的長(zhǎng)度來進(jìn)行耦合效應(yīng)的補(bǔ)償。隨著讀出時(shí)間被調(diào)整，已選擇存儲(chǔ)單元的位線的電壓電平下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平，而且由耦合效應(yīng)造成的電流減少得到補(bǔ)償。如上所述，不需要額外的電路元件來調(diào)整讀出時(shí)間。"P2"的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù)據(jù)。將第三讀出時(shí)間(trd+t。ffset2 )應(yīng)用于第三讀出時(shí)段SEN2。被預(yù)充電的存儲(chǔ)單元MCAi的位線的電壓電平在第三讀出時(shí)間(trd+t。ffset2 )期間下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。第三讀出時(shí)間(trd+t。ffset2 )具有比第二讀出時(shí)間(trd+t。ffsetl)長(zhǎng)的讀出時(shí)間。增加的讀出時(shí)間使得能夠補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)。將讀出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
在第四讀出時(shí)段SEN3期間，讀出所選頁(yè)中的存儲(chǔ)單元當(dāng)中鄰近處于狀態(tài)"P3"的存儲(chǔ)單元MCBi的存J諸單元MCAi的邀:據(jù)。將第四讀出時(shí)間(trd+t。ffset3)應(yīng)用于第四讀出時(shí)段SEN3。被預(yù)充電的存儲(chǔ)單元MCAi的位線的電壓電平在第四讀出時(shí)間(trd+t。ffset3)期間下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。第四讀出時(shí)間(trd+t。ffset3)具有比第三讀出時(shí)間(t,.d+t。ffset2)長(zhǎng)的讀出時(shí)間。增加的讀出時(shí)間使得能夠補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)。將讀出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
如上所述，通過基于鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)調(diào)整已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的讀出時(shí)間來補(bǔ)償耦合效應(yīng)。這是因?yàn)轫?yè)緩沖器電路20具有快速讀出特性，其不需要演化時(shí)段。
在頁(yè)緩沖器電路20具有快速讀出特性的情況下，在讀出時(shí)段期間，讀出節(jié)點(diǎn)SNi的電壓急劇改變。讀出時(shí)段期間在讀出節(jié)點(diǎn)SNi處進(jìn)行的急劇電壓變化即便在很短的時(shí)間變化中也可以很大程度地實(shí)現(xiàn)讀出結(jié)果。從而，如果調(diào)整讀出時(shí)段的長(zhǎng)度(即，調(diào)整數(shù)據(jù)鎖存時(shí)間點(diǎn))，則讀出已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的ON/OFF狀態(tài)的讀出遮斷點(diǎn)被改變。遮斷點(diǎn)的改變導(dǎo)致諸如補(bǔ)償由已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的最鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合之類的效果。使用用于調(diào)整讀出時(shí)段的長(zhǎng)度的偏移值t。ffsetl至t。ffset3作為用于補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合的耦合補(bǔ)償參數(shù)。
圖10示出其中對(duì)多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元重復(fù)多個(gè)讀出時(shí)段SEN0至SEN3并根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值選擇性地進(jìn)行鎖存操作的示例讀取方法。
參照?qǐng)D10,對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元在不同的定時(shí)依次執(zhí)行四個(gè)讀出時(shí)段SEN0至SEN3。但是，不是對(duì)全部存儲(chǔ)單元、而是根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值選擇性地執(zhí)行鎖存操作。
例如，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元(例如， 一個(gè)頁(yè)中的存儲(chǔ)單元)進(jìn)行第一讀出時(shí)段SEN0。對(duì)鄰近具有'E，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地進(jìn)行鎖存操作。有可能進(jìn)行讀操作以使得對(duì)于對(duì)其執(zhí)行了鎖存操作的存儲(chǔ)單元不再進(jìn)行進(jìn)一步的讀出和鎖存操作。圖10中，各自應(yīng)用于讀出時(shí)段SEN0至SEN3的每一讀出時(shí)間與圖9中所示的相同。
接著，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元、或?qū)σ堰x擇存儲(chǔ)單元當(dāng)中對(duì)其尚未進(jìn)行鎖存操作的存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二讀出時(shí)段SEN1。在第二讀出時(shí)段SEN1期間，對(duì)鄰近具有與'P1，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地執(zhí)行鎖存操作。隨后，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元、或?qū)σ堰x擇存儲(chǔ)單元當(dāng)中對(duì)其尚未進(jìn)行鎖存操作的存儲(chǔ)單元依次進(jìn)行第三和第四讀出時(shí)4殳SEN2和SEN3。在第三讀出時(shí)段SEN2期間，對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元(例如， 一個(gè)頁(yè)中的存儲(chǔ)單元)當(dāng)中鄰近具有與'P2，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地執(zhí)行鎖存操作。在第四讀出時(shí)段SEN3期間，對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元(例如， 一個(gè)頁(yè)中的存儲(chǔ)單元)當(dāng)中鄰近具有與'P3，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地執(zhí)行鎖存搡作。
圖8至10中所述的讀取方法與將讀出時(shí)間作為耦合補(bǔ)償參數(shù)應(yīng)用于圖5中所述的讀取方法的情況對(duì)應(yīng)。例如可以利用用于基于鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)確定已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù)據(jù)鎖存定時(shí)的軟件操作來執(zhí)行該方法。如果分配給讀操作的讀取時(shí)間不足以執(zhí)行軟件操作，則應(yīng)用下面的重復(fù)讀取方案進(jìn)行讀操作。
圖11示出其中根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值調(diào)整讀出時(shí)間、并通過重復(fù)讀出操作補(bǔ)償來自鄰近存儲(chǔ)單元的耦合效應(yīng)的示例讀取方法。圖11中的讀取方法與將讀出時(shí)間作為耦合補(bǔ)償參數(shù)應(yīng)用于圖6中所述的讀取方法的情況對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D11,在根據(jù)示例實(shí)施例的讀取方法的情況下，對(duì)與已選擇字線WLi相連的多個(gè)存儲(chǔ)單元重復(fù)進(jìn)行預(yù)充電沖喿作和讀出操作預(yù)定次數(shù)。例如，
可以在彼此具有不同的讀出時(shí)間的四個(gè)讀出時(shí)段SEN0至SEN3內(nèi)重復(fù)讀出編程在每個(gè)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。該情況下，在與已選4奪存儲(chǔ)單元相連的全部位線上執(zhí)行的預(yù)充電和讀出操作的定時(shí)彼此一致。
例如，對(duì)全部已選4奪存儲(chǔ)單元(例如， 一個(gè)頁(yè)中的存儲(chǔ)單元)進(jìn)行預(yù)充電時(shí)段和第 一讀出時(shí)段SEN0。在第 一讀出時(shí)段SEN0期間對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出。在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器處鎖存在第 一讀出時(shí)段SEN0讀出 的數(shù)據(jù)。在第二至第四讀出時(shí)段SEN1至SEN3期間對(duì)全部已選擇存4渚單元 依次進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出。在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器處鎖存在第二至第四讀出時(shí)段SEN1 至SEN3中的每一個(gè)讀出的數(shù)據(jù)。圖11中，各自應(yīng)用于第一至第四讀出時(shí) 段SEN0至SEN3的每一讀出時(shí)間與圖9中的相同。每個(gè)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 位的數(shù)量越多，重復(fù)的預(yù)充電和讀取操作的數(shù)量就越多。
如上所述，在圖11中的讀取方法的情況下，對(duì)每個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元重 復(fù)讀出操作，應(yīng)用所有情況的讀出時(shí)間。該情況下，將不同的讀出時(shí)間應(yīng)用 于鎖存在各個(gè)頁(yè)緩沖器中的數(shù)據(jù)。因而，可以通過選擇鎖存在各個(gè)頁(yè)緩沖器 中的數(shù)據(jù)之一來補(bǔ)償來自鄰近存儲(chǔ)單元的耦合效應(yīng)。根據(jù)上述讀取方法，沒 有必要根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值預(yù)先確定用于鎖存已選擇存儲(chǔ)單元 MCAi的讀出結(jié)果的定時(shí)。從而，雖然較短的讀出時(shí)間被分配給讀操作，但 是有可能通過補(bǔ)償耦合效應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確的讀取。
圖12至17示出用于描述通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)調(diào)整 位線的預(yù)充電電壓的電平來補(bǔ)償由于鄰近存4諸單元MCBi造成的耦合效應(yīng)的 讀耳又方法的圖。
參照?qǐng)D12,在從與字線WLi相連的存儲(chǔ)單元MCA0至MCA3讀取數(shù)據(jù) 的情況下，首先，對(duì)與鄰近已選擇存儲(chǔ)單元MCA0至MCA3的字線WLi+l (以下，稱為鄰近字線)相連的存儲(chǔ)單元MCBO至MCB3 (以下，稱為鄰近 存儲(chǔ)單元)進(jìn)行讀操作?？梢詫泥徑鎯?chǔ)單元MCBO至MCB3讀出的數(shù) 據(jù)值存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器中的至少一個(gè)或多個(gè)鎖存器中。在基于鄰近存儲(chǔ) 單元MCBO至MCB3的數(shù)據(jù)狀態(tài)調(diào)整位線的預(yù)充電電壓的電平之后，使用 經(jīng)調(diào)整的預(yù)充電電壓進(jìn)^"對(duì)已選4奪存卩諸單元MCAO至MCA3的讀出操作。 將從已選擇存儲(chǔ)單元MCAO至MCA3讀出的數(shù)據(jù)值存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器 的至少一個(gè)或多個(gè)鎖存器中。
除了調(diào)整位線預(yù)充電電壓而不是讀出時(shí)間以便補(bǔ)償耦合之外，圖12中 所示的讀取方法與圖7中的基本相同。從而，以相同的引用數(shù)字標(biāo)出具有與 圖7中的組成元件相同的功能的組成元件，并略去其描述。如下面將要更全 面地描述的，改變的預(yù)充電電壓電平扮演補(bǔ)償根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài) 而變4匕的耦合效應(yīng)的角色。
隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的數(shù)量增加，可應(yīng)用于預(yù)充電操作的預(yù)充電電壓電平的數(shù)量增加。如下所述，考慮鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)進(jìn)行根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)單元的讀出操作。
參照?qǐng)D13，對(duì)與字線WLi相連的每個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次預(yù)充電
操作和一次讀出操作。在每個(gè)存儲(chǔ)單元被編程為具有四種闊電壓分布E、 Pl、P2、和P3之一的情況下，在讀操作中可以根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)利
用四種預(yù)充電電壓VBLC、 VBLC+V。ffsetl、 VBLC+V。ffset2、和VBLC+V。版t3之一預(yù)
充電與每個(gè)存儲(chǔ)單元相連的位線。
在其中在讀操作中在字線WLi中有與一個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的已選擇存儲(chǔ)單元的情況下，在第一預(yù)充電時(shí)^殳PrechargeO期間，利用第一預(yù)充電電壓VBLC預(yù)充電鄰近處于'E，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的位線。該情況下，在第一預(yù)充電時(shí)^殳PrechargeO期間不預(yù)充電鄰近^皮編程為'P1'至'P3'之一的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元的位線。經(jīng)預(yù)充電的位線的電壓在讀出時(shí)段SEN期間被放電，使得其下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。通過讀出節(jié)點(diǎn)SNi讀出在讀出時(shí)段SEN期間放電的位線的電壓，并將讀出的結(jié)果存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
在第二預(yù)充電時(shí)段Prechargel期間，利用第二預(yù)充電電壓VBLC+V。ffsetl預(yù)充電鄰近處于'PI'狀態(tài)的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的位線。該情況下，在第二預(yù)充電時(shí)段Prechargel期間不預(yù)充電鄰近具有'E， 、 'P2，、和'P3，之一的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元的位線。經(jīng)預(yù)充電的位線的電壓在讀出時(shí)段SEN期間被;^文電，使得其下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。通過讀出節(jié)點(diǎn)SNi讀出在讀出時(shí)段SEN期間放電的位線的電壓，并將讀出的結(jié)果存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
第二預(yù)充電電壓VBLC+V。ffsetl比第 一預(yù)充電電壓VBLC高出偏移電壓V。ffsetl。增加的預(yù)充電電壓使得能夠補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)。
如果在第二預(yù)充電時(shí)段Prechargel期間，利用第一預(yù)充電電壓VBLC而不是第二預(yù)充電電壓VBLC+V。ffietl來預(yù)充電位線，則因?yàn)猷徑鎯?chǔ)單元MCBi造成的耦合效應(yīng)，位線的電壓電平在讀出時(shí)段期間沒有達(dá)到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。如果位線的電壓電平不達(dá)到讀出遮斷電壓電平，則已選擇存儲(chǔ)單元可能被識(shí)別為好像較少量的電流流入已選擇存儲(chǔ)單元似的。為了克服該現(xiàn)象，根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值調(diào)整位線的預(yù)充電電壓的電平。隨著位線預(yù)充電電壓的電平增加，看起來好像流入位線的電流的量多了似的。從 而，能夠補(bǔ)償因耦合造成的電流的減少。
在第三預(yù)充電時(shí)段Precharge2期間，利用第三預(yù)充電電壓VBLC+V。ffset2 預(yù)充電鄰近處于'P2，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的位線。該 情況下，在第三預(yù)充電時(shí)段Precharge2期間不預(yù)充電鄰近具有'E， 、 'P1，、 和'P3，之一的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元的位線。經(jīng)預(yù)充電的位線的電壓 在讀出時(shí)段SEN期間被放電，使得其下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。通 過讀出節(jié)點(diǎn)SNi讀出在讀出時(shí)段SEN期間放電的位線的電壓，并將讀出的 結(jié)果存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。
在第四預(yù)充電時(shí)段Precharge3期間，利用第四預(yù)充電電壓VBLC+V。ffset3 預(yù)充電鄰近處于'P3，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元MCAi的位線。該 情況下，在第四預(yù)充電時(shí)段Precharge3期間不預(yù)充電鄰近具有'E， 、 'P1，、 和'P2，之一的存儲(chǔ)單元MCBi的存儲(chǔ)單元的位線。經(jīng)預(yù)充電的位線的電壓 在讀出時(shí)段SEN期間被放電，使得其下降到預(yù)定的讀出遮斷電壓電平。通 過讀出節(jié)點(diǎn)SNi讀出在讀出時(shí)段SEN期間放電的位線的電壓，并將讀出的 結(jié)果存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器的鎖存器中。圖12中，各自應(yīng)用于讀出時(shí)段SEN 的讀出時(shí)間彼此相同。
如上所述，通過基于鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)調(diào)整已選擇存儲(chǔ)單 元MCAi的位線預(yù)充電電壓的電平來4卜償耦合效應(yīng)。使用用于調(diào)整預(yù)充電電 壓電平的偏移值V。ffsetl至V。版t3作為用于補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元MCBi造成的 耦合的耦合補(bǔ)償參數(shù)。
圖14示出其中對(duì)已選擇存儲(chǔ)單元重復(fù)預(yù)充電和讀出時(shí)段并根據(jù)鄰近存 儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值選擇性地進(jìn)行數(shù)據(jù)鎖存操作的實(shí)施例。
參照?qǐng)D14，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元(例如，與一個(gè)頁(yè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元) 進(jìn)行第一預(yù)充電時(shí)段PrechargeO和讀出時(shí)段SEN。對(duì)鄰近具有'E，狀態(tài)的 存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地進(jìn)行數(shù)據(jù)鎖存操作。對(duì)于已進(jìn)行其鎖存操作的 存儲(chǔ)單元不再進(jìn)行進(jìn)一 步的鎖存操作。
對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元、或已選擇存儲(chǔ)單元當(dāng)中未經(jīng)歷鎖存操作的存儲(chǔ) 單元進(jìn)行第二預(yù)充電時(shí)段Precharge 1和讀出時(shí)段SEN。對(duì)鄰近具有'P 1，狀 態(tài)的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地進(jìn)行鎖存操作。隨后，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ) 單元、或已選擇存儲(chǔ)單元當(dāng)中未經(jīng)歷鎖存操作的存儲(chǔ)單元進(jìn)行第三預(yù)充電時(shí)段Precharge2和讀出時(shí)段SEN。對(duì)鄰近具有'P2，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單 元選擇性地進(jìn)行數(shù)據(jù)鎖存操作。對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元、或已選擇存儲(chǔ)單元 當(dāng)中未經(jīng)歷鎖存操作的存儲(chǔ)單元進(jìn)行第四預(yù)充電時(shí)段Precharge3和讀出時(shí)段 SEN。對(duì)鄰近具有'P3，狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元選擇性地進(jìn)行數(shù)據(jù)鎖存 操作。
例如可以通過用于根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)確定鎖存已選擇 存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù)據(jù)值的鎖存定時(shí)的軟件操作來執(zhí)行圖13和14中所述的 讀取方法。如果分配給讀操作的讀取時(shí)間不足以執(zhí)行軟件操作，則利用下面 的重復(fù)讀取方案進(jìn)行讀操作。
圖13和14中所述的讀耳又方法與將預(yù)充電電壓電平作為耦合補(bǔ)償參數(shù)應(yīng) 用于圖5中所述的讀取方法的情況對(duì)應(yīng)。該方法的情況下，需要軟件操作用 于根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的編程狀態(tài)確定鎖存已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的數(shù) 據(jù)值的定時(shí)。如果分配給讀操作的讀取時(shí)間不足以執(zhí)行軟件操作，則利用下 面的重復(fù)讀^F又方案進(jìn)行讀纟喿作。
圖15示出其中根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元中已編程的數(shù)據(jù)值調(diào)整位線預(yù)充電電 壓電平、并通過重復(fù)鎖存操作^卜償由鄰近存儲(chǔ)單元造成的耦合效應(yīng)的讀取方 法。圖15中的讀取方法與將預(yù)充電電壓電平作為耦合補(bǔ)償參數(shù)應(yīng)用于圖6 中所示的讀耳又方法的情況對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D15，對(duì)與已選4奪字線WLi相連的多個(gè)存儲(chǔ)單元重復(fù)進(jìn)行預(yù)充電 操作和讀出操作預(yù)定次數(shù)。例如，在其中每個(gè)存儲(chǔ)單元被編程為具有四種閾
電壓分布E、 Pl、 P2、和P3之一的情況下，重復(fù)具有不同的預(yù)充電電壓電 平的四個(gè)預(yù)充電時(shí)段PrechargeO至Precharge3 、以及與其對(duì)應(yīng)的四個(gè)讀出時(shí) 段SEN。在每個(gè)讀出時(shí)段結(jié)束時(shí)的時(shí)間點(diǎn)鎖存讀出的數(shù)據(jù)。此時(shí)，應(yīng)用于預(yù) 充電時(shí)段PrechargeO至Precharge3中的每一個(gè)的預(yù)充電電壓電平與圖13中 所述的相同。每個(gè)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的數(shù)量越多，預(yù)充電和讀取操作重復(fù)的 數(shù)量就越多。
根據(jù)圖15中所示的讀取方法，與各條位線分別相連的每個(gè)頁(yè)緩沖器重 復(fù)地實(shí)施應(yīng)用不同的預(yù)充電電壓電平的多個(gè)預(yù)充電操作、以及與其對(duì)應(yīng)的讀 出和鎖存操作。不需要用于在鎖存操作之前根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù) 值確定是否鎖存已選擇存儲(chǔ)單元MCAi的讀出結(jié)果的軟件操作。盡管分配給 讀操作的讀出時(shí)間不足以實(shí)施軟件操作，但是也有可能通過補(bǔ)償耦合效應(yīng)進(jìn)4亍準(zhǔn)確的讀取。
圖16示出其中根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元中已編程的數(shù)據(jù)值同時(shí)調(diào)整各條位線 的預(yù)充電電壓電平的讀^F又方法。
參照?qǐng)D16,如果每個(gè)存儲(chǔ)單元被編程為具有四種閾電壓分布E、 Pl、 P2、 和P3之一，則在讀操作中根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)利用四種預(yù)充電電
壓V亂c、 VBLC+V。ffsetl、 VBLC+V。ffset2、和VBLC+V。腕3之一預(yù)充電與每個(gè)存儲(chǔ)
單元相連的位線。分別對(duì)每條位線進(jìn)行一次預(yù)充電操作、 一次讀出操作、和
一次鎖存操作。應(yīng)用于各個(gè)預(yù)充電時(shí)段PrechargeO至Precharge3的預(yù)充電電 壓V肌c、 VBLC+V。ffsetl 、 VBLC+V。ffset2、和V肌c+V。歸3與圖13中所述的相同。 特別地，在圖16中所示的讀取方法中，對(duì)全部已選擇存儲(chǔ)單元(例如， 一個(gè)頁(yè)中的存儲(chǔ)單元)同時(shí)實(shí)施預(yù)充電操作、讀出操作、和鎖存操作。從而，
與上面描述的讀取方法相比顯著地減少讀取時(shí)間tread,。例如，將讀取時(shí)間tread, 的預(yù)充電和讀出時(shí)間減少四分之三。這使得用于根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的編程狀 態(tài)控制施加到每條位線的預(yù)充電電壓電平的構(gòu)造成為必要。
圖17是用于描述施加位線預(yù)充電電壓以執(zhí)行圖16中所示的讀取方法的
方法的圖。
參照?qǐng)D17，位線BL[i]和BL[i+l]分別與相應(yīng)的頁(yè)緩沖器PBi和PBi+l 相連。頁(yè)緩沖器PBi和PBi+l中的每一個(gè)具有多個(gè)、例如三個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù) 鎖存器DL。每個(gè)頁(yè)緩沖器中的至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器DL存儲(chǔ)與鄰近字線 WLi+l相連的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值。在實(shí)施已選擇存儲(chǔ)單元的讀操 作之前存儲(chǔ)編程在鄰近存儲(chǔ)單元MCBi中的數(shù)據(jù)值。如下面將要更全面地描 述的，利用鄰近存儲(chǔ)單元MCBi中已編程的數(shù)據(jù)值來確定與每個(gè)已選擇存儲(chǔ) 單元MCAi相連的位線的預(yù)充電電壓電平。利用所確定的預(yù)充電電壓從已選 捧存儲(chǔ)單元MCAi讀取數(shù)據(jù)。將與已選擇字線WLi相連的存儲(chǔ)單元MCAi 的數(shù)據(jù)值存儲(chǔ)在相應(yīng)的頁(yè)緩沖器中的多個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器DL中的至少 一個(gè)中。
如下確定將要向每條位線提供的預(yù)充電電壓的電平。
在與已選擇字線WLi相連的存儲(chǔ)單元MCAi的讀操作中，可以向位線 BL[i]和BL[i+l]中的每一條施加多種預(yù)充電電壓VBLC、 VBLC+V。ffsetl 、 VBLC+V。ffset2、和VBLC+V。ffset3中的任何一個(gè)?？梢詮那度朐陂W速存儲(chǔ)器中的 電壓產(chǎn)生電路(未示出)提供預(yù)充電電壓VBLC、 VBLC+V。ffsetl、 VBLC+V。ffset2、的內(nèi)部電壓分壓來提供預(yù)充電電壓VBLC、 VBLC+V。ffsetl 、 VBLC+V。ffset2、和 VBLC+V。ffset3 。
使用存儲(chǔ)在每個(gè)頁(yè)緩沖器中的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值作為用于選
擇將要向相應(yīng)的位線提供的預(yù)充電電壓的選擇信號(hào)。頁(yè)緩沖器PBi和PBi+l 中的每一個(gè)具有用于切換多個(gè)預(yù)充電電壓的多個(gè)開關(guān)SI至S4，而且通過開 關(guān)SI至S4選擇的一種預(yù)充電電壓一皮施加到相應(yīng)的位線。
利用存儲(chǔ)在頁(yè)緩沖器PBi和PBi+l中的每一個(gè)中的鄰近存儲(chǔ)單元MCBi 的數(shù)據(jù)值來控制開關(guān)SI至S4。例如，在其中鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù)值 為'E，的情況下，開關(guān)S1被導(dǎo)通，而其余開關(guān)S2至S4被截止。這使得將 第一預(yù)充電電壓VBLc施加到相應(yīng)的位線。如果鄰近存儲(chǔ)單元MCBi的數(shù)據(jù) 值為'Pl，，則開關(guān)S2被導(dǎo)通，而其余開關(guān)S1、 S3、和S4被截止。這使得 將第二預(yù)充電電壓VBLC+V。ffsetl施加到相應(yīng)的位線。如果鄰近存儲(chǔ)單元MCBi 的數(shù)據(jù)值為'P2，，則開關(guān)S3被導(dǎo)通，而其余開關(guān)S1、 S2、和S4被截止。
這使得將第三預(yù)充電電壓VBLC+V。fto2施加到相應(yīng)的位線。在鄰近存儲(chǔ)單元
MCBi的數(shù)據(jù)值為'P3'的情況下，開關(guān)S4被導(dǎo)通，而其余開關(guān)S1-S3被
截止。這使得將第四預(yù)充電電壓V肌c+V。ffi;et3施加到相應(yīng)的位線。
此時(shí)，在相同的預(yù)充電時(shí)段期間向每條字線施加預(yù)充電電壓VBLC、 VBLC+V。ffsetl 、 VBLC+V。ffset2、和VBLC+V。ffset3。通過相同的讀出時(shí)段讀出和鎖 存每條位線的預(yù)充電電壓。即，根據(jù)圖17中所示的讀取方法，通過一次預(yù) 充電操作和一次讀出和鎖存操作同時(shí)讀取多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元。用于補(bǔ)償鄰 近存儲(chǔ)單元的耦合的實(shí)施例使得能夠利用簡(jiǎn)單的電路配置顯著地減少讀取 時(shí)間。
圖18是示出包含圖1中所示的閃速存儲(chǔ)器件100的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的圖。 參照?qǐng)D18,根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括閃速存儲(chǔ)器件100和存儲(chǔ) 器控制器200。閃速存儲(chǔ)器件100的配置與圖1中所示的基本相同，故而略 去其描述。存儲(chǔ)器控制器200被配置為控制閃速存儲(chǔ)器件100。與上述的讀 取方法一樣，閃速存儲(chǔ)器件IOO通過根據(jù)鄰近存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)調(diào)整讀出 時(shí)段的長(zhǎng)度、或位線的預(yù)充電電平來補(bǔ)償由鄰近存儲(chǔ)單元造成的耦合效應(yīng)。 根據(jù)該讀取方法，有可能有效地補(bǔ)償鄰近存儲(chǔ)單元之間導(dǎo)致的耦合效應(yīng)。于 是，可以提升讀取結(jié)果的可靠性。
可以將圖18中所示的存儲(chǔ)器系統(tǒng)配置為用于存儲(chǔ)卡和/或存儲(chǔ)卡系統(tǒng)。該情況下，可以將存儲(chǔ)器控制器200配置為經(jīng)由從通用串行總線(USB)接 口 、多媒體卡(MMC )接口 、 PCIExpress ( PCI-E)接口 、串行AT附件(SATA) 接口、并行AT附件(PATA)接口、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口 (SCSI)、串行附 件SCSI (SAS)接口、增強(qiáng)小型盤接口 (ESDI)、以及集成驅(qū)動(dòng)電子(IDE) 接口等一組接口中選擇的 一種接口與外部設(shè)備(例如，主機(jī))通信。
同時(shí)，閃速存儲(chǔ)器件是即便沒有供電也能夠保持其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的各種 非易失性存儲(chǔ)器。隨著諸如蜂窩電話機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字照相 機(jī)、便攜游戲控制臺(tái)、以及MP3的移動(dòng)裝置的使用迅速增長(zhǎng)，閃速存儲(chǔ)器 件被廣泛用于作為代碼存儲(chǔ)器、以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器件還可以用于 諸如高清晰度電視、數(shù)字多功能光盤(DVD)、路由器、以及全球定位系統(tǒng) (GPS)的家庭應(yīng)用。
圖19是示出包含根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的示意性計(jì)算系統(tǒng)的 方框圖。該計(jì)算系統(tǒng),皮組織為包括處理單元900,諸如樣i處理器或中央處 理單元；用戶接口 800;調(diào)制解調(diào)器600，諸如基帶芯片組；存儲(chǔ)器控制器 200;以及閃速存儲(chǔ)器件100?？梢詫㈤W速存儲(chǔ)器件100配置為基本與圖1 中所示的一樣。在閃速存儲(chǔ)器件100中，通過存儲(chǔ)器控制器200存儲(chǔ)將要由 處理單元900處理的N位數(shù)據(jù)(N為正整數(shù))。閃速存儲(chǔ)器件100中存儲(chǔ)的 數(shù)據(jù)通過根據(jù)上述讀取方法調(diào)整讀出時(shí)間或位線預(yù)充電電壓的電平來補(bǔ)償 由鄰近存儲(chǔ)單元造成的耦合效應(yīng)。
如果圖19中所示的計(jì)算系統(tǒng)為移動(dòng)裝置，則其進(jìn)一步包括電池700,用 于向其供電。雖然圖19中未示出，該計(jì)算系統(tǒng)可以進(jìn)一步裝有應(yīng)用芯片組、 攝像機(jī)圖像處理器(例如，CMOS圖像傳感器；CIS)、移動(dòng)DRAM等。存 儲(chǔ)器控制器200和閃速存儲(chǔ)器件IOO例如可以配置為、或用于利用非易失性 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器/硬盤(SSD)。
可以以多種類型的封裝來封裝根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件和/或存 儲(chǔ)器控制器。例如，可以將根據(jù)示例實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件和/或存儲(chǔ)器控制 器封裝為從層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、塑 料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、晶片中管芯封裝 (Die in Waffle Pack)、晶片中管芯形式(Die in Wafer Form )、板上芯片 (COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料四方扁平封裝(MQFP)、 薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、收縮型小外形封裝(SSOP )、薄型小外形封裝(TSOP )、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP )、多芯片封裝(MCP )、 晶圓級(jí)制作封裝(WFP)、晶圓級(jí)堆疊封裝(WSP)等一組封裝中選擇的一 種封裝。
在示例實(shí)施例中，可以利用各自具有電荷存儲(chǔ)層的多種單元結(jié)構(gòu)之一形 成存儲(chǔ)單元。具有電荷存儲(chǔ)層的單元結(jié)構(gòu)包括電荷俘獲閃速結(jié)構(gòu)、其中陣 列以多層堆疊的堆疊閃速結(jié)構(gòu)、源極-漏極自由閃速結(jié)構(gòu)、插針型閃速結(jié)構(gòu)等。
如此描述示例實(shí)施例，顯然其可以以i午多形式變化。這才羊的變體不應(yīng),皮 看作背離示例實(shí)施例意指的精神和范圍，而且本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可知，意 欲將全部這樣的變體包含在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2008年9月19日向韓國(guó)特許廳(KIPO)提交的韓國(guó)專 利申請(qǐng)No. 10-2008-0092251的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其內(nèi)容合并于此。
權(quán)利要求
1.一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元以獲得第一讀取結(jié)果；利用多個(gè)耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次以獲得第二讀取結(jié)果；以及基于所述鄰近存儲(chǔ)單元的第一讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的第二讀取結(jié)果。
2. 如權(quán)利要求1所述的讀取方法，其中根據(jù)所述鄰近存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)值確定所述耦合補(bǔ)償參數(shù)的值。
3. 如權(quán)利要求1所述的讀取方法，其中對(duì)所述已選擇存儲(chǔ)單元以位線為單位設(shè)置所述耦合補(bǔ)償參數(shù)。
4. 如權(quán)利要求1所述的讀取方法，其中所述耦合補(bǔ)償參數(shù)是讀出操作 中將要使用的位線預(yù)充電電壓的電平、以及在其期間讀出位線電壓的讀出時(shí) 段的長(zhǎng)度之一。
5. 如權(quán)利要求4所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元 包括分別對(duì)所述已選擇存儲(chǔ)單元在不多于N個(gè)讀出時(shí)段中執(zhí)行讀出操作，其 中N是所述鄰近存儲(chǔ)單元中能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值的數(shù)量。
6. 如權(quán)利要求5所述的讀取方法，其中選擇性地鎖存包括基于從所述 鄰近存儲(chǔ)單元讀出的第一讀取結(jié)果鎖存N次讀出操作的結(jié)果當(dāng)中的一個(gè)結(jié) 果作為第二讀取結(jié)果。
7. 如權(quán)利要求5所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元 包括第 一預(yù)充電各自與所述已選擇存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的多條位線；以及 在N個(gè)讀出時(shí)^殳之一經(jīng)過之后讀出位線的電壓作為由N次讀出操作讀 出的結(jié)果。
8. 如權(quán)利要求7所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元 包括第二預(yù)充電所述多條位線；以及在N個(gè)讀出時(shí)^:中的另一個(gè)經(jīng)過之后再次讀出位線的電壓作為由N次讀出操作讀出的結(jié)果。
9. 如權(quán)利要求8所述的讀取方法，其中不對(duì)所述已選擇存儲(chǔ)單元當(dāng)中 其讀出結(jié)果已經(jīng)^皮鎖存的存儲(chǔ)單元實(shí)施第二預(yù)充電和再次讀出。
10. 如權(quán)利要求4所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元包括向與所述已選4奪存儲(chǔ)單元相連的各條位線施加N種不同的位線預(yù)充電 電壓中的至少一個(gè)，其中N是每個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元中能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值的數(shù)量。
11. 如權(quán)利要求10所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單 元包括向各自與所述已選4奪存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線施加N種位線預(yù)充電電壓之 一；以及在預(yù)定讀出時(shí)段經(jīng)過之后讀出位線的電壓作為由N次讀出操作讀出的 結(jié)果。
12. 如權(quán)利要求11所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單 元包括在讀出之后向各自與所述已選擇存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線再次施加N種位 線預(yù)充電電壓之一；以及在預(yù)定讀出時(shí)段經(jīng)過之后再次讀出位線的電壓作為由N次讀出操作讀 出的結(jié)果。
13. 如權(quán)利要求12所述的讀取方法，其中不對(duì)所述已選擇存儲(chǔ)單元當(dāng) 中其讀出結(jié)果被鎖存的存儲(chǔ)單元實(shí)施再次施加和再次讀出。
14. 如權(quán)利要求10所述的讀取方法，其中讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單 元包括選才奪N種位線預(yù)充電電壓之一作為將要向每條位線施加的位線預(yù)充電 電壓；向位線同時(shí)施加各條位線的已選4奪的位線預(yù)充電電壓；以及結(jié)果。
15. 如權(quán)利要求10所述的讀取方法，其中基于所述鄰近存儲(chǔ)單元的讀 出結(jié)果以位線為單位選擇各條位線的位線預(yù)充電電壓。
16. —種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；利用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第一數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第 一耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第二數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第三數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選擇存儲(chǔ)單元；鎖存從應(yīng)用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)，讀取各自與具有第四數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的已選擇存儲(chǔ)單元；以及鎖存從應(yīng)用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)的存儲(chǔ)單元讀取的結(jié)果。
17. —種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ) 單元；鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的第 一讀取結(jié)果中與具有第 一數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的一個(gè)讀取結(jié)果；利用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元以獲得第二讀取結(jié)果； 鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的第二讀取結(jié)果中與具有第二數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的 一個(gè)讀取結(jié)果；利用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選^^存儲(chǔ)單元以獲得第三讀取結(jié)果； 鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的第三讀取結(jié)果中與具有第三數(shù)據(jù)值的鄰近存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的 一個(gè)讀取結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元以獲得第四讀取結(jié)果；以及鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的第四讀取結(jié)果中與具有第四數(shù)據(jù)值的鄰近 存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的一個(gè)讀取結(jié)果。
18. —種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；利用第 一耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元以獲得第 一讀取結(jié)果；鎖存第一讀取結(jié)果當(dāng)中應(yīng)用第一耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果；利用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元以獲得第二讀取結(jié)果；鎖存第二讀取結(jié)果當(dāng)中應(yīng)用第二耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果；利用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選4奪存儲(chǔ)單元以獲得第三讀取結(jié)果；鎖存第三讀取結(jié)果當(dāng)中應(yīng)用第三耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果；利用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選4奪存儲(chǔ)單元以獲得第四讀取結(jié)果；以及鎖存第四讀取結(jié)果當(dāng)中應(yīng)用第四耦合補(bǔ)償參數(shù)的讀取結(jié)果。
19. 一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ) 單元；基于所述鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果，確定各自應(yīng)用于所述已選擇存儲(chǔ)單元的多個(gè)耦合補(bǔ)償參數(shù)；利用分別應(yīng)用于各個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述已選擇 存儲(chǔ)單元；以及鎖存讀取結(jié)果。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中同時(shí)讀取所述已選擇存儲(chǔ)單元。
21. —種閃速存儲(chǔ)器件，包括 存儲(chǔ)單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩沖器電路，被配置為通過調(diào)整各自與已選擇存儲(chǔ)單元連接的每條位 線的預(yù)充電電壓的電平、或用于讀出每條位線的電壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀 取所述已選擇存儲(chǔ)單元至少一次或多次，其中所述頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所述已選擇存儲(chǔ)單元不 同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單 元的讀取結(jié)果。
22. 如權(quán)利要求21所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中根據(jù)每個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元 中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值確定位線預(yù)充電電壓的電平以及讀出時(shí)段的長(zhǎng)度。
23. 如權(quán)利要求21所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中所述頁(yè)緩沖器電路包括多個(gè)頁(yè)緩沖器，其被配置為執(zhí)行與每條字線相連的已選擇存儲(chǔ)單元和鄰近存 儲(chǔ)單元的讀操作。
24. 如權(quán)利要求23所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)頁(yè)緩沖器包括多個(gè)
25. 如權(quán)利要求23所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)頁(yè)緩沖器在預(yù)充電 時(shí)段與讀出時(shí)段之間不需要演化時(shí)段。
26. 如權(quán)利要求23所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中當(dāng)每個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元中 存儲(chǔ)N個(gè)數(shù)據(jù)值時(shí)，每個(gè)頁(yè)緩沖器對(duì)相應(yīng)的已選一奪存儲(chǔ)單元在不多于N個(gè) 讀出時(shí)段內(nèi)執(zhí)行N次讀出操作，其中N是每個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元中能夠存儲(chǔ)的 數(shù)據(jù)值的數(shù)量。
27. 如權(quán)利要求26所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)頁(yè)緩沖器基于所述 一個(gè)結(jié)果。
28. 如權(quán)利要求23所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)頁(yè)緩沖器進(jìn)一步包 括多個(gè)開關(guān)，其操作以向每條位線施加N種預(yù)充電電壓之一，其中N是每 個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元中能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值的數(shù)量。
29. 如權(quán)利要求28所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中所述開關(guān)響應(yīng)于每個(gè)頁(yè) 緩沖器中存儲(chǔ)的鄰近存儲(chǔ)單元的讀出結(jié)果而操作。
30. 如權(quán)利要求28所述的閃速存儲(chǔ)器件，其中向所述已選擇存儲(chǔ)單元 同時(shí)才是供經(jīng)由每個(gè)頁(yè)緩沖器切換的預(yù)充電電壓。
31. —種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括 閃速存儲(chǔ)器件；以及控制器，被配置為控制所述閃速存儲(chǔ)器件， 其中所述閃速存儲(chǔ)器件包括 存儲(chǔ)單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩沖器電路，被配置為通過調(diào)整各自與已選4奪存儲(chǔ)單元連接的每條位 線的預(yù)充電電壓的電平、或用于讀出每條位線的電壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀 取所述已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次，其中所述頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所述已選擇存儲(chǔ)單元不 同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單 元的讀取結(jié)果。
32. —種計(jì)算系統(tǒng)，包括 主機(jī)；閃速存儲(chǔ)器件；以及控制器，被配置為根據(jù)所述主機(jī)的請(qǐng)求控制所述閃速存儲(chǔ)器件， 其中所述閃速存儲(chǔ)器件包括 存儲(chǔ)單元陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及頁(yè)緩沖器電路，被配置為通過調(diào)整各自與已選擇存儲(chǔ)單元連接的每條位 線的預(yù)充電電壓的電平、或用于讀出每條位線的電壓的讀出時(shí)段的長(zhǎng)度來讀 取所述已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次，其中所述頁(yè)緩沖器電路被配置為基于連接到與所述已選擇存儲(chǔ)單元不 同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單 元的讀取結(jié)果。
全文摘要
提供一種閃速存儲(chǔ)器件的讀取方法，其包括讀取連接到與多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元的字線不同的字線的多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；利用多個(gè)耦合補(bǔ)償參數(shù)讀取所述多個(gè)已選擇存儲(chǔ)單元一次或多次；以及基于所述鄰近存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果選擇性地鎖存所述已選擇存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果。
文檔編號(hào)G11C16/26GK101677020SQ20091017463
公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者姜相求 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社