技術(shù)編號：6778066
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體設(shè)計技術(shù)，更具體地說，涉及一種使用磁性隧道結(jié)元件(MTJ) 的半導體存儲裝置。背景技術(shù)大體而言，動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)裝置及靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)裝置是易 失性存儲裝置，因此具有在切斷對該裝置的供電時存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)丟失的缺點。 因此，近來，積極地進行了對非易失性存儲裝置的研究。磁性隨機存取存儲(MRAM)裝置是 一種磁存儲裝置。具體地說，MRAM裝置具有非易失特性，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高集成度。此外， MRAM裝置能夠進行高速操...
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