專利名稱：圓盤狀元件保持裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圓盤狀元件保持裝置，例如在圓盤狀元件上進(jìn)行一定處理(例如形成薄膜等)時(shí)所利用的保持裝置。
背景技術(shù)：
已公知各種通過在圓盤狀元件(或圓盤狀的基板)上形成各種薄膜而制造的記錄介質(zhì)(下面簡(jiǎn)稱為盤)，例如，包括CD、CD-R、CD-RW等CD盤、DVD-RW、DVD-ROM等DVD盤等的光盤、以及MO、MD等的光磁盤等。這些盤通過對(duì)例如由聚碳酸酯等制成的基板上進(jìn)行濺射(sputtering)處理、旋轉(zhuǎn)涂布處理等各種處理來(lái)層壓薄膜而制成。
作為所述盤的原材料的基板通常利用在其中央部位預(yù)先形成的貫通孔而進(jìn)行處理(例如，移入或移出處理裝置時(shí)、或形成薄膜等的各種處理時(shí)的定位和操縱等)。
例如，當(dāng)利用旋轉(zhuǎn)涂布在基板上形成由紫外線(UV)硬化樹脂等制成的薄膜時(shí)，通過使在基板中央部形成的貫通孔設(shè)置在回轉(zhuǎn)臺(tái)上的回轉(zhuǎn)軸上以將基板定位和固定(或保持)在回轉(zhuǎn)臺(tái)的大致中央位置。然后，使基板隨著該回轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)，使用于施加(即，例如滴下)樹脂的設(shè)置在施加臂的前端部等處的施加口從所述貫通孔附近朝向基板外周側(cè)移動(dòng)的同時(shí)向基板表面上施加樹脂。所施加的樹脂通過回轉(zhuǎn)臺(tái)的回轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力而在基板全部表面上擴(kuò)散，從而形成均勻的薄膜。
本申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)在為了進(jìn)一步提高所形成的薄膜的品質(zhì)，通過采用沒有貫通孔的基板并在基板中央附近開始施加樹脂是有利的。特別是，為了進(jìn)一步提高光盤的記錄密度，在使用波長(zhǎng)較短的光例如藍(lán)色激光進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或再生時(shí)，與傳統(tǒng)地使用波長(zhǎng)較長(zhǎng)的紅色激光時(shí)相比，需要形成更薄更均勻的薄膜。因此更需要使用沒有貫通孔的基板并將其中央附近的位置作為開始施加樹脂的起始點(diǎn)。
因此，本申請(qǐng)人提出在旋轉(zhuǎn)涂布中可以容易并且高精度地操縱及處理沒有貫通孔的基板的裝置及方法。但是即使是旋轉(zhuǎn)涂布處理以外的處理(當(dāng)然包括用于形成薄膜的一系列處理，還包括與該用于形成薄膜的處理之外的一系列處理)，也要求對(duì)在中央部位沒有貫通孔的基板進(jìn)行容易并且高品質(zhì)的操縱以及處理。即，考慮到生產(chǎn)率等因素，優(yōu)選的是對(duì)于在中央部位沒有貫通孔的基板和在中央部位有貫通孔的基板都可以不用變更操縱方法而進(jìn)行處理。并且，例如在旋轉(zhuǎn)涂布處理后，可以考慮增加形成貫通孔的工序以便用于以后的處理。但是由于這樣會(huì)造成裝置的所不希望的專用化并減小生產(chǎn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的自由度而不是優(yōu)選的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述情況，提出本發(fā)明，其目的在于提供一種具有比較簡(jiǎn)單并且成本低的結(jié)構(gòu)，并且不論有無(wú)貫通孔都可以高精度來(lái)保持圓盤狀元件的保持裝置。
為此，本發(fā)明提供一種圓盤狀元件保持裝置，它包括在使該圓盤狀元件變形而使得該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)而保持該圓盤狀元件的保持結(jié)構(gòu)。
如此，當(dāng)使該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀而保持該圓盤狀元件時(shí)，例如，在對(duì)待處理表面進(jìn)行濺射處理時(shí)(具體地，當(dāng)該圓盤狀元件的待處理表面相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向而變形為凹面形狀的狀態(tài)下進(jìn)行濺射處理時(shí))，與傳統(tǒng)的相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向垂直地設(shè)置平坦的基板表面時(shí)相比，可以提高在該圓盤狀元件的待處理表面上形成的薄膜質(zhì)量(例如薄膜厚度等)的均勻化程度。
此外，與傳統(tǒng)的不變形成凹面形狀時(shí)的情況相比，可以提高該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面(即該圓盤狀元件的背面)和與其接觸的保持裝置的貼合面之間的緊貼程度，從而可以改善在濺射處理等時(shí)通過該貼合面對(duì)該圓盤狀元件的冷卻效率。
該保持結(jié)構(gòu)可包括形成為凹面形狀的貼合面，其用于和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸、以使該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀，和在使所述貼合面和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸而使待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)，通過設(shè)置在該圓盤狀元件上的圓盤狀元件側(cè)接合部與設(shè)置在該貼合面上的貼合面?zhèn)冉雍喜慷箞A盤狀元件與該貼合面接合的接合結(jié)構(gòu)。
此外，該保持結(jié)構(gòu)可包括形成為凹面形狀的貼合面，其用于和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸、以使該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀，和在使所述貼合面和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸而使待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)，保持所述圓盤狀元件的外周邊的外周邊保持結(jié)構(gòu)。
如上所述，當(dāng)通過接合結(jié)構(gòu)或外周邊保持結(jié)構(gòu)來(lái)保持該圓盤狀元件時(shí)，即使是對(duì)在中央部位沒有貫通孔的圓盤狀元件可以進(jìn)行良好的定位保持。
當(dāng)通過外周邊保持結(jié)構(gòu)來(lái)保持所述圓盤狀元件的外周邊時(shí)，可以對(duì)所述圓盤狀元件的外周邊部進(jìn)行良好的定位保持，并可以實(shí)現(xiàn)下述效果。
即，當(dāng)通過濺射處理在該圓盤狀元件的待處理表面上形成作為反射膜的金屬膜等時(shí)，可以確保地防止在為在圓盤狀元件的外周邊部不會(huì)形成金屬薄膜等而和待處理表面之間具有預(yù)定間隙地設(shè)置的罩、和該圓盤狀元件的待處理表面之間的接觸，從而可以消除由于該接觸而產(chǎn)生的異常放電、并有效地避免對(duì)薄膜形成的不良影響(例如在異常放電部位或其附近產(chǎn)生薄膜厚度異常等)，并大幅度地改善合格率并提高生產(chǎn)率。


圖1為示出包括根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的圓盤狀元件保持裝置的濺射裝置側(cè)搬送臂的一個(gè)示例的剖視圖；圖2為示出圖1的濺射裝置側(cè)搬送臂的頂視圖；圖3為圖1中C部分的放大視圖；圖4為示出在大氣側(cè)搬送臂和濺射裝置側(cè)搬送臂之間進(jìn)行的圓盤狀元件(基板)的交付/轉(zhuǎn)移操作(交付前的狀態(tài))的視圖；圖5為示出在大氣側(cè)搬送臂和濺射裝置側(cè)搬送臂之間進(jìn)行的圓盤狀元件(基板)的交付操作(交付后的狀態(tài))的視圖；圖6為圖5中a部分的放大視圖；圖7為圖5中b部分的放大視圖；圖8為圖5中c部分的放大視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖1示出裝備有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于保持圓盤狀基板(圓盤狀元件)1以進(jìn)行濺射處理的保持裝置10的濺射裝置側(cè)搬送臂12。
保持裝置10具有用于在(用一卡盤)保持在中央部位沒有貫通孔的圓盤狀基板1時(shí)與基板1相接觸的貼合部11。如圖1、圖3所示，所述貼合部11的貼合面11A形成為一凹面形狀，以使得在該基板1被壓靠在貼合部11上而與貼合面11A緊貼時(shí)，基板1變形成從(下面所述的)大氣側(cè)搬送臂13側(cè)看時(shí)為凹面形狀。即，變形成相對(duì)于(下面所述的)吸附軸14而朝基板施加壓力的作用方向AA(或者說是在濺射處理中薄膜形成材料飛向基板1的方向)而形成為凹面形狀。所述凹面形狀可以為球面形狀。
如圖8詳細(xì)地示出，在所述貼合部11的貼合面11A上，設(shè)置有用于和凹陷(或凸出)地設(shè)置在基板1的貼合面1A上的接合部1B相接合的突出(或凹陷)地設(shè)置的接合部11B。并且只要該接合部1B、接合部11B可以彼此接合及脫離(被釋放)，則其形狀、結(jié)構(gòu)、數(shù)目、位置以及大小等都不限于附圖中所示的例子。
如上所述，所述基板1的貼合面1A相當(dāng)于本發(fā)明中的圓盤狀元件的待處理表面的相對(duì)側(cè)的面，該接合部1B相當(dāng)于本發(fā)明中的圓盤狀元件側(cè)的接合部，而接合部11B相當(dāng)于本發(fā)明中的貼合面?zhèn)鹊慕雍喜?。該接合?B、接合部11B構(gòu)成了本發(fā)明的接合結(jié)構(gòu)。
保持裝置10安裝在濺射裝置側(cè)搬送臂12上，如下所述，該保持裝置10用于從大氣側(cè)搬送臂13接收基板1以及罩40并實(shí)現(xiàn)保持基板1的良好定位。
(1)操作大氣側(cè)搬送臂13以由吸附軸14例如通過負(fù)壓等而吸附保持在其中央部位沒有貫通孔的基板1的基本中心部位，將該基板1朝貼合部11附近搬送，以使得該基板1的貼合面1A與貼合部11的貼合面11A相對(duì)(參照?qǐng)D4)。
(2)然后，操作大氣側(cè)搬送臂13使得基板1朝接近貼合部11的貼合面11A的方向移動(dòng)，以使得定位銷13A與定位(銷)孔20A相接合(參照?qǐng)D4、圖5等)。
(3)當(dāng)基板1的貼合面1A與貼合部11的貼合面11A按預(yù)定接觸后，由吸附保持基板1的吸附軸14將基板1的中央部位朝向貼合部11側(cè)按預(yù)定進(jìn)行施壓(參照?qǐng)D5)。
此時(shí)，通過大氣側(cè)搬送臂13的磁體部30的磁力而被吸附保持的基板1一起被搬送來(lái)的罩40與濺射裝置側(cè)搬送臂12的磁體部12A接觸。從而也被該磁體部12A的磁力而由濺射裝置側(cè)搬送臂12吸附保持(參照?qǐng)D1、圖4、圖5)。
(4)如上所述，當(dāng)通過吸附軸14而將基板1的中央部位朝貼合部11側(cè)按預(yù)定施壓時(shí)，使得設(shè)置在基板1的貼合面1A上的接合部1B與設(shè)置在該保持裝置10的貼合部11的貼合面11A上的接合部11B相接合，從而由于該保持裝置10實(shí)現(xiàn)對(duì)基板1的定位和保持。
而且，如上所述，由于和基板1相貼合的該保持裝置10的貼合部11的貼合面11A相對(duì)于由于吸附軸14所施加壓力的作用方向AA形成為凹面，所以在本實(shí)施例中，基板1在沿貼合面11A的凹面形狀相對(duì)于施加的壓力的作用方向AA變形成凹面形狀的狀態(tài)下，由所述接合部1B、11B定位保持。
(5)在該實(shí)施例中，為了更可靠地將基板1定位保持在保持裝置10(貼合面11A)上，采用作為本發(fā)明的外周保持結(jié)構(gòu)的機(jī)械卡盤15保持基板1的外周邊。為了使基板緊貼在貼合面11A的凹面形狀上，優(yōu)選地通過所述吸附軸14對(duì)基板1按預(yù)定施壓的同時(shí)通過機(jī)械卡盤15進(jìn)行保持操作。
具體地，如圖1-圖5所示，用于機(jī)械卡盤15的開關(guān)(基板1的保持與釋放)的具有一凸輪槽16的卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20安裝在濺射裝置側(cè)搬送臂12上，使得可以繞保持裝置10的貼合部11的中心軸線相對(duì)于貼合部11旋轉(zhuǎn)。在該凸輪槽16中插入有凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17。機(jī)械卡盤15通過軸18而安裝在該隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17上。貼合部11以及支承部21的中心軸線設(shè)置成與基板1的中心軸線A相一致/重合。
所述軸18在包括該軸18的中心軸B以及基板1的中心軸A的平面內(nèi)(即圖3的平面內(nèi))與基板1的中心軸A大致平行地延伸。
此外，與軸18基本上垂直并且沿著包括該軸18的中心軸B以及基板1的中心軸A的平面(即圖3的平面)延伸的滑槽19設(shè)置在用于支承保持裝置10的貼合部11的支承部21中。
所述軸18沿該滑槽19的縱向(圖2、圖3中的Z方向)可以移動(dòng)地插入該滑槽19中。安裝在軸18上的機(jī)械卡盤15可以沿滑槽19的縱向(圖2中的Z方向)移動(dòng)地裝配在燕尾槽15A中。
如圖2所示，凸輪槽16沿相對(duì)于卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20的圓周方向(X方向)成預(yù)定交叉方向延伸。當(dāng)卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20相對(duì)于保持裝置10、基板1的貼合部11旋轉(zhuǎn)時(shí)，可移動(dòng)地裝配該凸輪槽16中的凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17受到凸輪槽16的一作用力。此時(shí)，因?yàn)榘惭b在凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17上的軸18可以移動(dòng)地容納在滑槽19中，所以當(dāng)受到凸輪槽16的作用力時(shí)，凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17和軸18則沿著滑槽19在圖2、圖3中所示的Z方向移動(dòng)。
更具體地，當(dāng)卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20沿圖2中的順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，因?yàn)楦鱾€(gè)凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17和軸18沿著Z方向朝(接近)中心軸A的方向移動(dòng)，所以安裝在各個(gè)軸18上的機(jī)械卡盤15也沿著燕尾槽15A以相同方向移動(dòng)。因此，機(jī)械卡盤15預(yù)定地保持被貼合部11保持的基板1的外周邊部。
另一方面，當(dāng)卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20沿圖2中的逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，因?yàn)楦鱾€(gè)凸輪隨動(dòng)機(jī)構(gòu)17和軸18沿著Z方向朝遠(yuǎn)離中心軸A的方向移動(dòng)，所以安裝在各個(gè)軸18上的機(jī)械卡盤15也沿著燕尾槽15A以相同方向移動(dòng)。因此，機(jī)械卡盤15釋放被貼合部11保持的基板的外周邊部。
卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20的用于開關(guān)機(jī)械卡盤15的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)可以通過與設(shè)置在該卡盤開/關(guān)凸輪環(huán)20上的定位孔20A接合的大氣側(cè)搬送臂13的定位銷13A繞中心軸A的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)來(lái)完成。
(6)在如上所述通過機(jī)械卡盤15進(jìn)行基板1的外周邊部的保持操作后，支承大氣側(cè)搬送臂13的磁體部30的磁體保持件31朝該大氣側(cè)搬送臂13的(圖5中的)右側(cè)方向后退，從而釋放(由于磁體部30的磁力)對(duì)罩40的磁力吸引。
在該實(shí)施例中，如圖5所示，安裝在罩40和磁體部30之間作為大氣側(cè)搬送臂13的構(gòu)成元件的施壓部件32適于將罩40朝濺射裝置側(cè)搬送臂12一側(cè)預(yù)定地施壓。所以可以在磁體保持件31和磁體部30朝圖5中的右側(cè)方向后退時(shí)抵抗磁體部30對(duì)罩40的吸附保持力，從而可以很好地使磁體保持件31和磁體部30朝圖5中的右側(cè)方向后退。
如上所述，即使在磁體保持件31和磁體部30朝圖5中的右側(cè)方向移動(dòng)而與罩40隔開時(shí)，罩40仍通過濺射裝置側(cè)搬送臂12的磁體部12A的磁力而被吸引，從而可以很好地被保持在濺射裝置側(cè)搬送臂12的預(yù)定位置。
如上所述，在本實(shí)施例中，可以將大氣側(cè)搬送臂13所保持的基板1和罩40交付/轉(zhuǎn)移至濺射裝置側(cè)搬送臂12，并且可以使基板1以預(yù)定方式定位并保持在濺射裝置側(cè)搬送臂12上。
然后濺射裝置側(cè)搬送臂12通過接合部50而連接圖中未示出的濺射處理部的殼體等，然后就可進(jìn)行殼體內(nèi)的真空排氣而按預(yù)定方式對(duì)基板1進(jìn)行濺射處理。
在濺射處理后，由濺射裝置側(cè)搬送臂12所保持的基板1和罩40交付給大氣側(cè)搬送臂13。這可以按照與上述1-6操作相反的順序進(jìn)行操作而實(shí)現(xiàn)。
此外，為了有效地消除當(dāng)解除通過機(jī)械卡盤15對(duì)基板1的外周邊部的保持操作時(shí)而在釋放時(shí)對(duì)基板1上所形成的薄膜等發(fā)生的沖擊等而造成的不良影響，可以通過所述吸附軸14對(duì)基板1的中央部以預(yù)定方式施加壓力的同時(shí)而解除機(jī)械卡盤15的保持操作。即，優(yōu)選地，在解除機(jī)械卡盤15的保持操作時(shí)，預(yù)先由吸附軸14對(duì)基板1的中央部以預(yù)定方式施加壓力，從而解除機(jī)械卡盤15，然后，在逐漸解除通過吸附軸14對(duì)基板1的中央部施加的壓力，從而在釋放/解除通過吸附軸14對(duì)基板1的吸附力而實(shí)現(xiàn)的所述接合部1B、11B的接合后將基板1搬送至預(yù)定位置。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過在基板1上設(shè)置接合部1B而在保持基板1的設(shè)置一側(cè)的貼合部11上設(shè)置接合部11B，而通過這些接合部分將基板1保持在保持裝置10上，從而可以將即使是在中央部位沒有貫通孔的基板1很好地定位保持在保持裝置10上。
此外，在本實(shí)施例中，貼合部11待與基板1接觸的貼合面11A為凹面形狀，被其保持的基板1的待處理表面采取一凹面形狀(例如在進(jìn)行濺射處理時(shí)基板1相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的飛行/行進(jìn)方向而變形為凹面形狀)，從而在該狀態(tài)下對(duì)基板1的待處理表面1C進(jìn)行濺射處理。
如此，在基板1相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向而變形為凹面形狀的狀態(tài)下對(duì)待處理面1C進(jìn)行濺射處理時(shí)，與傳統(tǒng)的相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向垂直地設(shè)置成平坦的基板表面時(shí)相比，可以提高在基板表面上形成的薄膜質(zhì)量(例如薄膜厚度等)的均勻化程度。
而且，因?yàn)榛?在相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向而變形為凹面形狀的狀態(tài)下與貼合部11的貼合面11A相接觸，與傳統(tǒng)的基板1不變形成凹面形狀的情況相比，可以提高該基板1的貼合面1A與貼合部11的貼合面11A的緊貼程度。從而可以改善在濺射處理時(shí)通過冷卻通道11C等對(duì)基板1的冷卻效率。
而且，在本實(shí)施例中，由于通過機(jī)械卡盤15對(duì)基板1的外周邊部進(jìn)行保持，可以對(duì)即使是在中央部位沒有貫通孔的基板1進(jìn)行很好地定位保持，而與通過所述接合部1B、11B的定位保持相結(jié)合，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更可靠和高精度的定位保持。
而且，通過機(jī)械卡盤15對(duì)基板1的外周邊部進(jìn)行保持還可以實(shí)現(xiàn)下述有利效果。
罩40用于當(dāng)使用濺射處理在該基板1的待處理表面1C上形成作為反射膜的金屬薄膜時(shí)通過覆蓋基板1的外周邊部以使得不會(huì)在其上形成金屬薄膜。但是當(dāng)該罩40與基板1的待處理表面1C接觸時(shí)，在薄膜形成時(shí)有時(shí)會(huì)在該薄膜與罩40之間發(fā)生異常放電。這會(huì)對(duì)薄膜形成造成不良影響(例如在異常放電部位或其附近產(chǎn)生薄膜厚度異常等)而不是所希望的。因此，優(yōu)選地在基板1的待處理表面1C與該罩40之間留有少許的間隔t(參照?qǐng)D3、圖6和圖7)而進(jìn)行保持。
在現(xiàn)有技術(shù)中，以在基板1的中央部位形成的貫通孔作為定位基準(zhǔn)而進(jìn)行定位保持，而由于各種原因在基板1的外周邊部該罩40與基板1的待處理表面1C接觸的可能性較高(在現(xiàn)有技術(shù)中，由于保持基板1的中心部，而往往會(huì)造成加工精度或保持精度的偏差和微小振動(dòng)等的影響在基板的外周邊部增大)。
如上所述，在本實(shí)施例中相反地，由于構(gòu)成為可以通過機(jī)械卡盤15保持基板1的外周邊部，從而可以很好地保持該基板的外周邊部，所以可以有效地避免在基板的外周邊部該罩40與基板1的待處理表面1C接觸，因此可以最小化由于異常放電而造成的對(duì)薄膜形成的影響，并從而大幅度地改善合格率并提高生產(chǎn)率。
在本實(shí)施例中，通過在基板1的中央部位設(shè)置接合部1B而在貼合部11上設(shè)置接合部11B，但是本發(fā)明并不限于此。例如，可以省略接合部1B、11B，而通過機(jī)械卡盤15和形成為凹面形狀的貼合面11A將待處理表面形成為凹面形狀地使基板1變形來(lái)將其定位保持在保持裝置10上。在該情況下，顯然可以實(shí)現(xiàn)上述各種效果。此外，如此無(wú)論是在現(xiàn)有技術(shù)中在中央部位開成通孔的基板還是中央部位沒有貫通孔的基板，都可以不用區(qū)別二者地進(jìn)行操縱(定位保持)，從而可以避免裝置的專用化并可以保持高的生產(chǎn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)自由度。
此外，可以將例如在現(xiàn)有技術(shù)中在中央部位形成通孔的基板的通孔用作在本實(shí)施例中的在中央部位沒有貫通孔的基板1的接合部11B。在該情況下，該接合面11A的接合部11B當(dāng)然要形成為朝向被保持的基板側(cè)形成凸出的形狀。
在上述實(shí)施例中，以對(duì)圓盤狀元件的濺射處理作為示例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并不限于此。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槭箞A盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定的凹面形狀而進(jìn)行保持。因此，例如，在對(duì)所述待處理表面進(jìn)行濺射處理時(shí)(例如在待處理表面相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向而變形為凹面形狀而進(jìn)行濺射處理時(shí))，與傳統(tǒng)的相對(duì)于薄膜形成物質(zhì)的行進(jìn)方向垂直地設(shè)置的平坦的基板表面時(shí)相比，可以提高在圓盤狀元件的待處理面上形成的薄膜質(zhì)量(例如薄膜厚度等)的均勻化程度。
此外，與傳統(tǒng)的不變形成凹面形狀時(shí)的情況相比，可以提高該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面(即該圓盤狀元件的背面)以及與其相接觸的保持裝置的貼合面的緊貼程度，從而可以改善在濺射處理時(shí)通過該貼合面進(jìn)行的對(duì)該圓盤狀元件的冷卻效率。
此外，由于通過接合結(jié)構(gòu)和外周邊保持結(jié)構(gòu)保持該圓盤狀元件，所以即使是對(duì)在中央部位沒有貫通孔的圓盤狀元件也可進(jìn)行很好的定位保持。
此外，通過外周邊保持結(jié)構(gòu)保持該圓盤狀元件的外周邊可很好地定位保持該圓盤狀元件的外周邊。因此，當(dāng)使用濺射處理在該圓盤狀元件的待處理表面上形成作為反射膜的金屬膜等時(shí)，可以確保地防止在為在圓盤狀元件的外周邊部不會(huì)形成金屬薄膜等而和待處理表面之間具有預(yù)定間隙地設(shè)置的罩、和該圓盤狀元件的待處理表面之間的接觸，從而可以防止由于該接觸而產(chǎn)生的異常放電、并有效地避免對(duì)薄膜形成的不良影響，并大幅度地改善合格率并提高生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
1.一種圓盤狀元件保持裝置，它包括在使該圓盤狀元件變形而使得該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)保持該圓盤狀元件的保持結(jié)構(gòu)。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓盤狀元件保持裝置，其特征在于，所述保持結(jié)構(gòu)包括形成為凹面形狀的貼合面，其用于和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸，以使該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀，和在使所述貼合面和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸而使該待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)，通過設(shè)置在該圓盤狀元件上的圓盤狀元件側(cè)接合部與設(shè)置在該貼合面上的貼合面?zhèn)冉雍喜慷乖搱A盤狀元件與該貼合面接合的接合結(jié)構(gòu)。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圓盤狀元件保持裝置，其特征在于，所述保持結(jié)構(gòu)包括形成為凹面形狀的貼合面，其用于和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸，以使該圓盤狀元件的待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀，和在使所述貼合面和該圓盤狀元件的待處理表面的相反側(cè)的表面接觸以使該待處理表面變形成預(yù)定凹面形狀的同時(shí)，保持所述圓盤狀元件的外周邊的外周邊保持結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種對(duì)即使是在中央部位沒有貫通孔的圓盤狀元件也可進(jìn)行良好的定位保持的圓盤狀元件保持裝置。在基板(1)上設(shè)置接合部(1B)，在基板保持側(cè)的貼合部(11)設(shè)置接合部(11B)。通過這些接合部將基板(1)保持在保持裝置(10)上。通過機(jī)械卡盤(15)來(lái)保持基板(1)的外周邊部。使基板(1)在變形成一凹面形狀的狀態(tài)下被保持。如此，即使是對(duì)在中央部位沒有貫通孔的基板(1)也可以進(jìn)行良好的定位保持，可以提高通過濺射處理形成的薄膜質(zhì)量的均勻化程度。還可以提高貼合面(1A)與貼合面(11A)的緊貼程度，從而可以提高在濺射處理時(shí)對(duì)基板(1)的冷卻效率。
文檔編號(hào)G11B17/022GK1639382SQ0380543
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2003年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月7日
發(fā)明者越川政人, 石崎秀樹, 江本淳 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社