專利名稱：遮幕式只讀存儲器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種遮幕式只讀存儲器(Mask ROM)，特別涉及一種字符線(word line)呈棋盤狀排列，且位線與存儲單元陣列的對角線平行，使該位線斜向連接漏極的遮幕式只讀存儲器，可有效增加內存的密度及儲存數(shù)據(jù)的容量。
請參考

圖1，圖1為現(xiàn)有技術的并聯(lián)式罩幕只讀存儲器電路的方塊圖。
以一4×4的存儲單元陣列為例，其中罩幕只讀存儲器包括一列地址譯碼器101、一行地址譯碼器102及一存儲單元陣列103。其中，列地址譯碼器101用于接收列地址值104；行地址譯碼器102用于接收行地址值及輸出一輸出值106；存儲單元陣列103含有16個晶體管111-144，且具有四條連接至行地址譯碼器102的位線C1、C2、C3及C4，及具有四條連接至列地址譯碼器101的字符線R1、R2、R3及R4。存儲單元陣列103是利用填入介層的方式來連接位線C1、C2、C3及C4與晶體管111-144，其預設的連接配置如圖1所示；其中，圓黑點代表連接點，沒有圓黑點的部份代表未連接。另外每一個晶體管除了與位線C1、C2、C3及C4及字符線R1、R2、R3及R4連接之外，還與一代表低電位的邏輯值為“0”的直流電壓VSS(圖未顯示)連接。
圖1的內存的詳細操作如下。
在初始狀態(tài)下，因為字符線R1、R2、R3及R4的電壓值都低于晶體管所需的起始電壓(threshold vol tage)值，所以內存中所有的晶體管均為關閉狀態(tài)，且位線C1、C2、C3及C4在初始狀態(tài)下是處于高電位狀態(tài)的邏輯值為“1”。首先，列地址譯碼器101接收一列地址值104，并將此列地址值104譯碼，再依據(jù)譯碼的結果從字符線R1、R2、R3及R4中擇一提高電壓值，而使所有與此被選擇字符線連接的晶體管被開啟。
當字符線R1是被選擇的字符線時，字符線R1便具有一電壓值使晶體管111、112、113及114開啟。此時由于位線C1、C3、C4與晶體管111、113、114連接，所以當字符線R1被選擇時，C1、C2、C3、C4的邏輯值分別為0、1、0、0。
當字符線R2是被選擇的字符線時，字符線R2便具有一電壓值使晶體管121、122、123及124開啟。此時由于位線C1、C3與晶體管121、123連接，所以當字符線R2被選擇時，C1、C2、C3、C4的邏輯值分別為0、1、0、1。
當字符線R3是被選擇的字符線時，字符線R3便具有一電壓值使晶體管131、132、133及134開啟。此時由于位線C2、C4與晶體管132、134連接，所以當字符線R3被選擇時，C1、C2、C3、C4的邏輯值分別為1、0、1、0。
當字符線R4是被選擇的字符線時，字符線R4便具有一電壓值使晶體管141、142、143及144開啟。此時由于位線C1、C2、C3、C4與晶體管141、142、143、144連接，所以當字符線R4被選擇時，C1、C2、C3、C4的邏輯值分別為0、0、0、0。
接著，行地址譯碼器102接收一行地址值105，并依據(jù)此值從位線C1、C2、C3及C4中擇一將其輸出為輸出值106。所以依據(jù)列地址值104的不同，行地址譯碼器102分別可以依據(jù)行地址值105的不同而從邏輯值為(0、1、0、0)、(0、1、0、1)、(1、0、1、0)及(0、0、0、0)四組共16個邏輯值中擇一輸出為輸出值106。因此，圖1中的電路為一可以儲存16位的并聯(lián)式罩幕只讀存儲器。
接著，請參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術的8×8的存儲單元陣列結構的示意圖。
如圖2中所示，每一存儲單元皆具有源極201、漏極202、多個字符線203及多個位線204。其中，字符線203與位線204互相垂直且呈棋盤狀排列，而源極201與漏極202的排列方式則是以一行源極201與一行漏極202間隔的方式排列；源極201及漏極202分別位于字符線203與位線204所構成的棋盤狀的空格中。欲讀取數(shù)據(jù)時，先導通控制此存儲單元的字符線203，接著導通此存儲單元的位線204；如此一來，此存儲單元即可進行讀取數(shù)據(jù)的動作。
因為遮幕式只讀存儲器的存儲單元的結構為二個源極共享一個漏極，或二個漏極共享一個源極，是以固定方式排列且形成后不可更改其內容，所以每一遮幕式只讀存儲器的存儲單元密度是一定的。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種內存，包括多個字符線，其中字符線呈棋盤狀排列；多個存儲單元，位于呈棋盤狀排列的字符線之間，其中存儲單元具有對應的漏極；多個第一位線，平行字符線的對角線，位于漏極上方；多個第二位線，平行字符線的對角線，位于漏極上方；多個第一接點，間隔地位于漏極的第一位線上；多個第二接點，間隔地位于漏極的第二位線上，其中這些第二接點與第一接點互相間隔；多個第三位線，用于連接第一位線；及多個第四位線，用于連接第二位線。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明更提供一種遮幕式只讀存儲器，包括一存儲單元陣列，包括多個字符線及多個存儲單元，其中，字符線呈棋盤狀排列，且存儲單元具有對應的漏極；多個第一位線，平行存儲單元陣列的對角線，位于漏極上方，其中，每一字符線兩側的漏極是與上方對應的位線分別導通及不導通；多個第二位線，平行存儲單元陣列的對角線，位于漏極上方，其中，每一字符線兩側的漏極是與上方對應的位線分別導通及不導通；多個第三位線，用于連接第一位線；及多個第四位線，用于連接第二位線。
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
符號說明C1、C2、C3、C4--位線；R1、R2、R3、R4--字符線；10--列地址譯碼器； 102--行地址譯碼器；103--存儲單元陣列；104--接收列地址值；
105--接收行地址值； 106--輸出值；111、112、113、114--晶體管；121、122、123、124--晶體管；131、132、133、134--晶體管；141、142、143、144--晶體管；20--源極； 202--漏極；203--字符線； 204--位線；301--源極； 302--漏極；303--字符線； 304--字符線；305--第一位線； 306--第二位線；307--第一接點； 308--第二接點；309a--第三位線；309b--第四位線。
本發(fā)明的存儲單元陣列與現(xiàn)有技術同樣具有源極、漏極、字符線及位線。首先，于一半導體基底上形成8×8的存儲單元陣列，其中，每一存儲單元都包含有源極301，漏極302及多個字符線303、304。本發(fā)明的結構與現(xiàn)有技術不同之處在于，本發(fā)明的多個字符線303及304是以互相平行或垂直的棋盤狀相隔排列，且源極301與漏極302分別位于字符線203與位線204所構成的棋盤狀的空格中，源極301及漏極302并互相呈間隔排列。
請參考圖3b，圖3b是本發(fā)明的于8×8的存儲單元陣列上設置第一位線及第二位線結構的示意圖。
接著，找出存儲單元陣列的對角線，并將第一位線305以平行存儲單元陣列對角線的方式，設置在漏極302上方。第一位線305上設置有第一接點307，第一接點307用于導通漏極302及第一位線305；其中，第一接點307并非設置在每一漏極302上方的第一位線305上，而是依據(jù)一跳一接的規(guī)則，間隔地設置在漏極302上方的第一位線305上。因為第一接點307間隔地設置在同一第一位線305對應的漏極302上方，所以漏極302與第一位線305之間以間隔的方式導通及不導通。
然后，第二位線306同樣以平行存儲單元陣列的對角線方向，且平行第一位線305的方式，設置在漏極302上方；第二位線306上設置有第二接點308，第二接點308用于導通漏極302及第二位線306；其中，第二接點308并非設置在每一漏極302上方的第二位線306上，而是依據(jù)一跳一接的規(guī)則，間隔地設置每一漏極302上方的第二位線306上。因為第二接點308間隔地設置在同一第二位線306對應的漏極302上方，所以漏極302與第二位線306之間以間隔的方式導通及不導通。因此，本發(fā)明的內存單元陣列的每一存儲單元都包含有源極301，漏極302，多個字符線303、304及多個字符線305、306。
同一漏極302上方的第一位線305及第二位線306不會同時具有第一接點307及第二接點308，一漏極302上方僅會有一個接點導通一條位線。也就是說，如果對應某一漏極302上方的第一位線305上設置有第一接點307時，對應此漏極302上方的第二位線306上就不會設置第二接點308；如果對應某一漏極302上方的第二位線306上設置有第二接點308時，對應此漏極302上方的第一位線305上就不會設置第一接點307。這樣間隔地導通及不導通漏極302的接線方式，讓相鄰的存儲單元不會同時導通，可以避免相鄰的存儲單元發(fā)生彼此短路的現(xiàn)象。
請參考圖3c，圖3c為本發(fā)明的于8×8的存儲單元陣列上設置第三位線及第四位線，以分別將第一位線及第二位線連接結構的示意圖。
第三位線309a以垂直第一位線305的方式，將第一位線305連接起來，使得每一第一位線305上的存儲單元個數(shù)相同；其中，第三位線309a例如是任何金屬線。
同樣，第四位3309b以垂直第二位線306的方式，將第二位線306連接起來，使得每一第二位線306上的存儲單元個數(shù)相同；其中，第四位線309b同樣可以是任何金屬線。
利用第三位線309a及第四位線309b將第一位線305及第二位線306連接起來的原因，在于讓每一由第三位線309a連接起來的第一位線305及每一由第四位線309b連接起來的第二位線306上所控制的存儲單元個數(shù)相同，使本發(fā)明的存儲單元陣列所連接的地址譯碼器(未繪示)上的每一字符線的負擔一致，達到使地址譯碼器方便制作的目的。
并且，根據(jù)本發(fā)明所提供的遮幕式只讀存儲器的存儲單元陣列的接線方式，字符線303、304彼此呈平行或垂直的棋盤狀排列，所以本發(fā)明所提供的內存單元的漏極302可與相鄰的4個源極301形成4個存儲單元，或者，源極301可與相鄰的4個漏極302形成4個存儲單元。相較于現(xiàn)有技術的2個源極共享1個漏極或2個漏極共享1個源極而言，可有效增加存儲單元陣列的密度，進而提高每一芯片上數(shù)據(jù)的儲存容量，更能達到節(jié)省成本的目的。
本發(fā)明雖已以一較佳實施例公開如上，但其并非用于限制本發(fā)明。任何本領域普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當權利要求為準。
權利要求
1.一種內存，其特征在于，包括多個字符線，其中這些字符線呈棋盤狀排列；多個存儲單元，位于呈棋盤狀排列的這些字符線之間，其中這些存儲單元具有對應的漏極；多個第一位線，平行這些字符線的對角線，位于這些漏極上方；多個第二位線，平行這些字符線的對角線，位于這些漏極上方；多個第一接點，間隔地位于這些漏極的這些第一位線上；多個第二接點，間隔地位于這些漏極的這些第二位線上，其中這些第二接點與這些第一接點互相間隔；多個第三位線，用于連接這些第一位線；及多個第四位線，用于連接這些第二位線。
2.如權利要求1所述的內存，其特征在于，這些第一位線與這些第三位線垂直。
3.如權利要求1所述的內存，其特征在于，這些第二位線與這些第四位線垂直。
4.一種遮幕式只讀存儲器，其特征在于，包括一存儲單元陣列，包括多個字符線及多個存儲單元，其特征在于，這些字符線呈棋盤狀排列，且這些存儲單元具有對應的漏極；多個第一位線，平行該存儲單元陣列的對角線，位于這些漏極上方，其特征在于，該每一字符線兩側的漏極是與該上方對應的位線分別導通及不導通；多個第二位線，平行該存儲單元陣列的對角線，位于這些漏極上方，其特征在于，該每一字符線兩側的漏極是與該上方對應的位線分別導通及不導通；多個第三位線，用于連接這些第一位線；及多個第四位線，用于連接這些第二位線。
5.如權利要求1所述的遮幕式只讀存儲器，其特征在于，每一位線對應相同數(shù)目的這些存儲單元。
6.如權利要求1所述的遮幕式只讀存儲器，其特征在于，這些第一位線與這些第三位線垂直。
7.如權利要求1所述的遮幕式只讀存儲器，其特征在于，這些第二位線與這些第四位線垂直。
全文摘要
本發(fā)明提供一種遮幕式只讀存儲器，包括一存儲單元陣列，包括多個字符線及多個存儲單元，其中，字符線呈棋盤狀排列，且存儲單元具有對應的漏極；多個第一位線，平行存儲單元陣列的對角線，位于漏極上方，其中，每一字符線兩側的漏極是與上方對應的位線分別導通及不導通；多個第二位線，平行存儲單元陣列的對角線，位于漏極上方，其中，每一字符線兩側的漏極是與上方對應的位線分別導通及不導通；多個第三位線，用于連接第一位線；及多個第四位線，用于連接第二位線。
文檔編號G11C17/00GK1453796SQ0211857
公開日2003年11月5日 申請日期2002年4月28日 優(yōu)先權日2002年4月28日
發(fā)明者蔣富成, 張國華 申請人:旺宏電子股份有限公司