本發(fā)明涉及GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種微波GaN功率器件的建模方法。

背景技術(shù)：

氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)由于其高頻、高功率密度等特性，在微波毫米波固態(tài)功率電路中有著極為重要的應(yīng)用。目前電路設(shè)計(jì)的主流方法通常以等效電路形式描述器件在小信號(hào)工作條件和大信號(hào)工作條件下的特性的器件模型為基礎(chǔ)，故器件模型是使用器件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的前提。

但是，由于器件制備的工藝中存在非有意摻雜和工藝參數(shù)波動(dòng)，會(huì)影響器件性能的一致性，從而影響電路設(shè)計(jì)的成品率，因此需要通過(guò)建立包含工藝統(tǒng)計(jì)特性的電路模型指導(dǎo)電路成品率分析。傳統(tǒng)的器件方法都是基于單個(gè)GaN器件的小信號(hào)模型或者大信號(hào)模型參數(shù)的方法進(jìn)行分析，無(wú)法分析一個(gè)工藝線制備的多個(gè)GaN功率器件統(tǒng)計(jì)特性，因此在精度上有所不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種微波GaN功率器件建模方法，可提高建立的多批次GaN功率器件模型的準(zhǔn)確度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：

一種微波GaN功率器件的建模方法，所述建模方法包括：

步驟一：建立GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型，提取小信號(hào)模型參數(shù)；

步驟二：根據(jù)實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)進(jìn)行小信號(hào)模型參數(shù)優(yōu)化；

步驟三：建立GaN功率器件大信號(hào)等效電路模型，提取大信號(hào)模型參數(shù)，所述大信號(hào)模型參數(shù)包括非線性電流源模型參數(shù)和非線性電容模型參數(shù)；

步驟四：以器件的實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)和大信號(hào)特性參數(shù)為目標(biāo)，調(diào)諧優(yōu)化大信號(hào)模型參數(shù)；

步驟五：依據(jù)上述四個(gè)步驟對(duì)多批次GaN功率器件進(jìn)行建模，獲得工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)統(tǒng)計(jì)模型。

可選的，所述小信號(hào)模型參數(shù)包括寄生參數(shù)和本征參數(shù)；其中，所述寄生參數(shù)包括寄生電容、寄生電阻、寄生電感，所述本征參數(shù)包括本征電容、本征電阻、電流源及輸出電導(dǎo)。

可選的，所述提取小信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

測(cè)試在所述GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型中的GaN功率器件在夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)；

根據(jù)所述夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)提取所述小信號(hào)等效電路模型中的寄生參數(shù)；

對(duì)全部的寄生參數(shù)去嵌后，計(jì)算各偏置點(diǎn)對(duì)應(yīng)的小信號(hào)模型參數(shù)。

可選的，所述根據(jù)實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)進(jìn)行小信號(hào)模型參數(shù)優(yōu)化的方法包括：

根據(jù)所述小信號(hào)模型參數(shù)通過(guò)仿真得到仿真散射參數(shù)；

將所述仿真散射參數(shù)與實(shí)測(cè)的散射參數(shù)進(jìn)行對(duì)比得到散射參數(shù)擬合曲線；

設(shè)置第一調(diào)諧參數(shù)，根據(jù)所述散射參數(shù)擬合曲線的擬合度重復(fù)修改第一調(diào)諧參數(shù)，直到所述散射參數(shù)擬合曲線的擬合度符合第一設(shè)定閾值。

可選的，所述提取大信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

對(duì)在所述GaN功率器件工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)的大信號(hào)等效電路模型中GaN功率器件進(jìn)行測(cè)試，得到脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)；

根據(jù)脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)提取Ids模型中與自然效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)；

聯(lián)合脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)提取Ids模型中與陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)的相關(guān)參數(shù)；

根據(jù)Ids模型中與自熱效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)、Ids模型中與陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行仿真得到脈沖I-V仿真數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V仿真數(shù)據(jù)；

將脈沖I-V仿真數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V仿真數(shù)據(jù)分別與對(duì)應(yīng)的脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，得到I-V擬合曲線；

根據(jù)所述I-V擬合曲線的擬合度重復(fù)修改第二調(diào)諧參數(shù)，直到所述I-V擬合曲線的擬合度符合第二設(shè)定閾值；以及

提取本征參數(shù)中的本征電容，以所述本征電容在多偏置下的取值為目標(biāo)進(jìn)行擬合，計(jì)算得到非線性電容模型參數(shù)；

將計(jì)算得到的非線性電容模型參數(shù)與提取的非線性電容模型參數(shù)進(jìn)行對(duì)比，獲得對(duì)比度；

設(shè)置第三調(diào)諧參數(shù)，根據(jù)所述對(duì)比度重復(fù)修改第三調(diào)諧參數(shù)，以調(diào)諧非線性電容模型參數(shù)，直到所述對(duì)比度符合第三設(shè)定閾值。

可選的，所述調(diào)諧優(yōu)化大信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

導(dǎo)入實(shí)測(cè)的小信號(hào)散射參數(shù)和大信號(hào)特性參數(shù)；其中，所述大信號(hào)特性參數(shù)包括輸出功率、功率附加效率和增益；

設(shè)置第四調(diào)諧參數(shù)，計(jì)算器件的微波特性；其中所述第四調(diào)諧參數(shù)包括Ids模型中所有參數(shù)。

可選的，獲得工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)特性統(tǒng)計(jì)模型的方法包括：

統(tǒng)計(jì)小信號(hào)模型中所有元件參數(shù)、Ids模型中所有參數(shù)和非線性電容模型所有參數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明提供的具體實(shí)施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明微波GaN功率器件的建模方法通過(guò)首先建立GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型，然后建立GaN功率器件大信號(hào)等效電路模型,最后根據(jù)模型參數(shù)統(tǒng)計(jì)特性建立GaN工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)特性統(tǒng)計(jì)模型，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)某一特定工藝線的小信號(hào)和大信號(hào)特性的準(zhǔn)確建模，提高模型的準(zhǔn)確度。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的微波GaN功率器件的建模方法的流程圖；

圖2是GaN功率器件的小信號(hào)等效電路模型示意圖；

圖3是GaN功率器件的大信號(hào)等效電路模型示意圖；

圖4是統(tǒng)計(jì)模型中通過(guò)仿真和實(shí)測(cè)的散射參數(shù)的對(duì)比圖；

圖5是統(tǒng)計(jì)模型中通過(guò)仿真和實(shí)測(cè)的輸出功率比較圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的目的是提供一種微波GaN功率器件的建模方法，通過(guò)首先建立GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型，然后建立GaN功率器件大信號(hào)等效電路模型，最后根據(jù)模型參數(shù)統(tǒng)計(jì)特性建立GaN工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)特性統(tǒng)計(jì)模型，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)某一特定工藝線的小信號(hào)和大信號(hào)特性的準(zhǔn)確建模，提高模型的準(zhǔn)確度。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明微波GaN功率器件的建模方法包括：

步驟110：建立GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型，提取小信號(hào)模型參數(shù)。

步驟120：根據(jù)實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)進(jìn)行小信號(hào)模型參數(shù)優(yōu)化。

步驟130：建立GaN功率器件大信號(hào)等效電路模型，提取大信號(hào)模型參數(shù).其中，所述大信號(hào)模型參數(shù)包括非線性電流源模型參數(shù)和非線性電容模型參數(shù)。

步驟140：以器件的實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)和大信號(hào)特性參數(shù)為目標(biāo)，調(diào)諧優(yōu)化大信號(hào)模型參數(shù)。

步驟150：依據(jù)上述四個(gè)步驟對(duì)多批次GaN功率器件進(jìn)行建模，獲得工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)統(tǒng)計(jì)模型。

進(jìn)一步地，所述小信號(hào)模型參數(shù)包括寄生參數(shù)和本征參數(shù)；其中，所述寄生參數(shù)包括寄生電容、寄生電阻、寄生電感，所述本征參數(shù)包括本征電容、本征電阻、電流源及輸出電導(dǎo)。

如圖2所示，框內(nèi)為本征部分，小信號(hào)模型本征參數(shù)的取值與偏置相關(guān)；框外為寄生部分，寄生參數(shù)的取值與偏置無(wú)關(guān)。Cpgi、Cpdi和Cgdi表示極間電容和空氣橋電容，Cpga、Cpda和Cgda表示與pad連接、探針與設(shè)備的接觸電容，Lg、Ld和Ls表示寄生電感，Rg、Rd和Rs表示寄生電阻，Cgd,、Cgs和Cds為本征電容，Ids為電流源，Rgd和Ri為本征電阻；Gds為輸出電導(dǎo)。

其中，在步驟110中，所述提取小信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

步驟111：測(cè)試在所述GaN功率器件小信號(hào)等效電路模型中的GaN功率器件在夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)；

步驟112：根據(jù)所述夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)提取所述小信號(hào)等效電路模型中的寄生參數(shù)；

步驟113：對(duì)全部的寄生參數(shù)去嵌，計(jì)算各偏置點(diǎn)對(duì)應(yīng)的小信號(hào)模型參數(shù)。

具體的，在小信號(hào)等效電路模型中，使GaN功率器件處于夾斷狀態(tài)(所述夾斷狀態(tài)為：源極接地，柵源偏置電壓Vgs小于GaN功率器件的夾斷電壓，漏源偏置電壓Vds等于零)。

測(cè)試在所述小信號(hào)等效電路模型中的GaN功率器件在夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)，進(jìn)一步根據(jù)夾斷狀態(tài)下的散射參數(shù)提取寄生參數(shù)，具體的，首先使用夾斷狀態(tài)下的低頻數(shù)據(jù)提取寄生電容；然后對(duì)寄生電容去嵌，提取寄生電感和寄生電阻；再對(duì)所有寄生參數(shù)去嵌，在各偏置點(diǎn)逐一計(jì)算各本征參數(shù)。各偏置點(diǎn)的狀態(tài)可為Vgs＝-4～0V，間隔0.5V；Vds＝0～35V，間隔5V。

其中，在步驟120中，所述根據(jù)實(shí)測(cè)的多偏置散射參數(shù)進(jìn)行小信號(hào)模型參數(shù)優(yōu)化的方法包括：

步驟121：根據(jù)所述小信號(hào)模型參數(shù)通過(guò)仿真得到仿真散射參數(shù)；

步驟122：將所述仿真散射參數(shù)與實(shí)測(cè)的散射參數(shù)進(jìn)行對(duì)比得到散射參數(shù)擬合曲線(如圖4所示)；

步驟123：設(shè)置第一調(diào)諧參數(shù)，根據(jù)所述散射參數(shù)擬合曲線的擬合度重復(fù)修改第一調(diào)諧參數(shù)，直到所述散射參數(shù)擬合曲線的擬合度符合第一設(shè)定閾值。

在步驟130中，所述提取大信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

步驟131：對(duì)在所述GaN功率器件工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)的大信號(hào)等效電路模型中GaN功率器件進(jìn)行測(cè)試，得到脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)；

步驟132：根據(jù)脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)提取Ids模型中與自熱效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)；

步驟133：聯(lián)合脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)提取Ids模型中與陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)相關(guān)的參數(shù)；

步驟134：根據(jù)Ids模型中與自熱效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)、Ids模型中與陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行仿真得到脈沖I-V仿真數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V仿真數(shù)據(jù)；

步驟135：將脈沖I-V仿真數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V仿真數(shù)據(jù)分別與對(duì)應(yīng)的脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，得到I-V擬合曲線；

步驟136：根據(jù)所述I-V擬合曲線的擬合度重復(fù)修改第二調(diào)諧參數(shù)，直到所述I-V擬合曲線的擬合度符合第二設(shè)定閾值；以及

步驟137：提取本征參數(shù)中的本征電容，以所述本征電容在多偏置下的取值為目標(biāo)進(jìn)行擬合，獲得計(jì)算的非線性電容模型參數(shù)；

步驟138：將所述計(jì)算的非線性電容模型參數(shù)與提取的非線性電容模型參數(shù)進(jìn)行對(duì)比，獲得對(duì)比度；

步驟139：設(shè)置第三調(diào)諧參數(shù)，根據(jù)所述對(duì)比度重復(fù)修改第三調(diào)諧參數(shù)，以調(diào)諧非線性電容模型參數(shù)，直到所述對(duì)比度符合第三設(shè)定閾值。

如圖3所示為一種典型的GaN功率器件的大信號(hào)等效電路模型示意圖。為表征GaN功率器件的自熱效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，Ids模型中加入了表征器件自熱效應(yīng)和陷阱效應(yīng)的參數(shù)。由于脈沖I-V測(cè)試可以得到器件在指定的自熱效應(yīng)和陷阱效應(yīng)下的I-V曲線，所以在Ids模型參數(shù)提取時(shí)，需同時(shí)使用脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)。

具體的，對(duì)在所述GaN功率器件工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)的的大信號(hào)等效電路模型中GaN功率器件進(jìn)行測(cè)試，得到脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)。

將脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)導(dǎo)入后，點(diǎn)擊“開始計(jì)算”，，以擬合I-V曲線為目標(biāo)，得到Ids模型的所有參數(shù)。其中，脈沖I-V測(cè)試數(shù)據(jù)用來(lái)提取Ids模型中與自熱效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)，得到Ids模型中與自熱效應(yīng)無(wú)關(guān)的參數(shù)后，再聯(lián)合使用脈沖I-V和靜態(tài)I-V測(cè)試數(shù)據(jù)提取Ids模型中陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)相關(guān)的參數(shù)。

在本實(shí)施例中，所述非線性電容模型參數(shù)中包括Cgs和Cgd非線性模型參數(shù)。具體的，將步驟100中得到的Cgs和Cgd在多偏置下的取值列表導(dǎo)入點(diǎn)擊“開始計(jì)算”，以Cgs和Cgd在多偏置下的取值為目標(biāo)進(jìn)行擬合處理，計(jì)算得到Cgs和Cgd非線性電容模型參數(shù)。其中的參數(shù)提取算法以被廣泛使用的Angelov電容模型為基礎(chǔ)，通過(guò)理論推導(dǎo)，以解析的方式提取各模型參數(shù)。計(jì)算完畢后，點(diǎn)擊“保存”，軟件將模型參數(shù)保存于用戶指定的路徑。

若對(duì)所述對(duì)比度不滿意(不符合第三設(shè)定閾值)，設(shè)置第三調(diào)諧參數(shù)，修改第三調(diào)諧參數(shù)，點(diǎn)擊“調(diào)諧”，根據(jù)修改后的第三調(diào)諧參數(shù)值重新計(jì)算Cgs和Cgd非線性電容模型參數(shù)，并將擬合效果更新。重復(fù)調(diào)諧過(guò)程，得到滿意的參數(shù)值后，點(diǎn)擊“保存”，軟件將最新的模型參數(shù)保存于用戶指定的路徑。

在步驟140中，所述調(diào)諧優(yōu)化大信號(hào)模型參數(shù)的方法包括：

步驟141：導(dǎo)入實(shí)測(cè)的小信號(hào)散射參數(shù)和大信號(hào)特性參數(shù)。其中，所述大信號(hào)特性參數(shù)包括輸出功率(如圖5所示)、功率附加效率和增益。

步驟142：設(shè)置第四調(diào)諧參數(shù)，計(jì)算器件的微波特性。

其中，其中所述第四調(diào)諧參數(shù)包括Ids模型中所有參數(shù)。

將GaN功率器件的微波特性導(dǎo)入，點(diǎn)擊“導(dǎo)入實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)”，進(jìn)而計(jì)算的大信號(hào)等效電路模型的微波特性與實(shí)際測(cè)量的微波特性繪制于同一坐標(biāo)系中進(jìn)行對(duì)比。若對(duì)仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的擬合效果不滿意，修改第四調(diào)諧參數(shù)，點(diǎn)擊“調(diào)諧”，根據(jù)修改后的第四調(diào)諧參數(shù)重新計(jì)算大信號(hào)等效電路模型的微波特性，并將仿真實(shí)測(cè)對(duì)比圖中的仿真結(jié)果更新。重復(fù)調(diào)諧過(guò)程，得到滿意的參數(shù)值后，將最新的模型參數(shù)保存于用戶指定的路徑。

此外，在對(duì)大批量、多批次的GaN功率器件都進(jìn)行步驟100后，即得到了每個(gè)器件的在小信號(hào)等效電路模型中的所有參數(shù)。每個(gè)器件的在小信號(hào)等效電路中的所有參數(shù)都存儲(chǔ)于用戶指定的路徑下。

在導(dǎo)入數(shù)據(jù)時(shí)，將需要做統(tǒng)計(jì)分析的各批次所有器件的在小信號(hào)等效電路中的所有參數(shù)導(dǎo)入。選擇要做統(tǒng)計(jì)分析的參數(shù)(本軟件可實(shí)現(xiàn)Rg，Rd，Rs，Cgs，Cgd，Cds和Gm的統(tǒng)計(jì)分析)。通過(guò)逐一遍歷各參數(shù)，得到被統(tǒng)計(jì)參數(shù)的頻率分布直方圖和取值分布散點(diǎn)圖。計(jì)算完畢后，繪制該偏置電壓下各批次所有器件被統(tǒng)計(jì)參數(shù)的頻率分布直方圖和同一批次不同器件被統(tǒng)計(jì)參數(shù)的取值分布散點(diǎn)圖。

在對(duì)大批量、多批次的GaN功率器件都進(jìn)行了步驟110-步驟140后，對(duì)GaN功率器件模型參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)特性建模，獲得工藝線的統(tǒng)計(jì)散射參數(shù)和大信號(hào)統(tǒng)計(jì)模型。其中，所述獲得工藝線的散射參數(shù)和大信號(hào)特性統(tǒng)計(jì)模型包括：統(tǒng)計(jì)小信號(hào)模型中所有元件參數(shù)、Ids模型中所有參數(shù)和非線性電容模型所有參數(shù)。

本發(fā)明微波GaN功率器件的建模方法的有益效果：

第一，本發(fā)明開發(fā)了小信號(hào)模型和大信號(hào)模型的自動(dòng)參數(shù)提取方法，并且提出了小信號(hào)模型和大信號(hào)模型調(diào)諧優(yōu)化技術(shù)。通過(guò)編程實(shí)現(xiàn)軟件后運(yùn)行即可得到完整的小信號(hào)模型和大信號(hào)模型，極大減少了建模工作量，顯著提高了建模效率。

第二，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了小信號(hào)模型和大信號(hào)模型的統(tǒng)計(jì)模型，能夠準(zhǔn)確模擬不同批次器件和同一批次內(nèi)不同器件的散射參數(shù)和大信號(hào)微波特性。

此外，本發(fā)明基于大信號(hào)等效電路模型的GaN功率器件工藝統(tǒng)計(jì)模型建模方法對(duì)其他半導(dǎo)體材料(如硅，砷化鎵，磷化銦，金剛石等)器件均適用，使用范圍廣。

本說(shuō)明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處。綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。