技術(shù)編號(hào)：12786629
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及GaNHEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種微波GaN功率器件的建模方法。背景技術(shù)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)由于其高頻、高功率密度等特性，在微波毫米波固態(tài)功率電路中有著極為重要的應(yīng)用。目前電路設(shè)計(jì)的主流方法通常以等效電路形式描述器件在小信號(hào)工作條件和大信號(hào)工作條件下的特性的器件模型為基礎(chǔ)，故器件模型是使用器件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的前提。但是，由于器件制備的工藝中存在非有意摻雜和工藝參數(shù)波動(dòng)，會(huì)影響器件性能的一致性，從而影響電路設(shè)計(jì)的成品率，因此需要通過...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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