本申請(qǐng)要求于2015年11月24日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0164550韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其全文內(nèi)容通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，并且更具體地涉及一種能夠有效管理由主機(jī)提供的多個(gè)命令的存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)：

計(jì)算機(jī)環(huán)境范式已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢噪S時(shí)隨地使用的普適計(jì)算系統(tǒng)。因此，便攜式電子裝置，諸如移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)以及筆記本電腦的使用已經(jīng)快速增加。便攜式電子裝置通常采用具有用作主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置或輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

因?yàn)榘雽?dǎo)體存儲(chǔ)器裝置不具有活動(dòng)部件，所以其提供了優(yōu)良的穩(wěn)定性、持久性、高信息存取速度以及低功耗。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置公知的示例包括通用串行總線(USB)存儲(chǔ)器裝置、具有各種接口的存儲(chǔ)卡以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各個(gè)實(shí)施例涉及一種能夠使多個(gè)命令的執(zhí)行優(yōu)先的存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其操作方法。

在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以包括：控制器，其適于檢查多個(gè)輸入命令的優(yōu)先級(jí)信息，將具有高優(yōu)先級(jí)信息的輸入命令作為第一命令存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中，并且將具有低優(yōu)先級(jí)信息的輸入命令作為第二命令存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中；以及一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置，其適于響應(yīng)于存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元或者第二命令存儲(chǔ)單元中的輸入命令而操作。

高優(yōu)先級(jí)信息可以請(qǐng)求執(zhí)行順序的強(qiáng)制改變而不管輸入命令的輸入次序如何。

低優(yōu)先級(jí)信息可以請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，同時(shí)請(qǐng)求執(zhí)行順序的靈活改變。

控制器可以以鏈表的形式管理存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中的第一命令，并且可以以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中的第二命令。

低優(yōu)先級(jí)信息可以包括：請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令的順序信息；以及請(qǐng)求執(zhí)行順序的靈活改變以便輸入命令優(yōu)先于具有順序信息的命令而執(zhí)行的靈活信息。

控制器可以在低于具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別的第二命令存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)具有順序信息的第二命令。

控制器可以基于對(duì)應(yīng)于具有順序信息的第二命令的邏輯地址值來(lái)管理具有順序信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別，并且可以基于對(duì)應(yīng)于具有靈活信息的第二命令的邏輯地址值來(lái)管理具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別。

控制器可以將被存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中之后的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)未執(zhí)行的具有順序信息的第二命令傳輸至樹(shù)表級(jí)別，該樹(shù)表級(jí)別高于具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別。

高優(yōu)先級(jí)信息可以包括：請(qǐng)求輸入命令必須優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息的命令執(zhí)行的次序信息；以及請(qǐng)求輸入命令必須首先執(zhí)行的隊(duì)首信息。

控制器可以將存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中的命令優(yōu)先于存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中的命令傳輸至存儲(chǔ)器裝置。

在實(shí)施例中，一種包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的操作方法，該操作方法可以包括：檢查多個(gè)輸入命令的優(yōu)先級(jí)信息；以及將具有高優(yōu)先級(jí)信息的輸入命令作為第一命令存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中，將具有低優(yōu)先級(jí)信息的輸入命令作為第二命令存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中；以及傳輸存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元或者第二命令存儲(chǔ)單元中的輸入命令而操作存儲(chǔ)器裝置。

高優(yōu)先級(jí)信息可以請(qǐng)求執(zhí)行順序的強(qiáng)制改變而不管輸入命令的輸入次序如何。

低優(yōu)先級(jí)信息可以請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，同時(shí)請(qǐng)求執(zhí)行順序的靈活改變。

輸入命令的存儲(chǔ)可以進(jìn)一步包括：以鏈表的形式管理存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中的第一命令，并且以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中的第二命令。

低優(yōu)先級(jí)信息可以包括：請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令的順序信息；以及請(qǐng)求執(zhí)行順序靈活改變使得輸入命令優(yōu)先于具有順序信息的命令執(zhí)行的靈活信息。

第二命令的管理可以包括在低于具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別的第二命令存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)具有順序信息的第二命令。

第二命令的管理可以進(jìn)一步包括：基于對(duì)應(yīng)于具有順序信息的第二命令的邏輯地址值來(lái)管理具有順序信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別，并且基于對(duì)應(yīng)于具有靈活信息的第二命令的邏輯地址值來(lái)管理具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別。

第二命令的管理可以進(jìn)一步包括將被存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中至之后的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)未執(zhí)行的具有順序信息的第二命令傳輸至樹(shù)表級(jí)別，該樹(shù)表級(jí)別高于具有靈活信息的第二命令的樹(shù)表級(jí)別。

高優(yōu)先級(jí)信息可以包括：請(qǐng)求輸入命令必須優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息的命令執(zhí)行的次序信息；以及請(qǐng)求輸入命令必須首先執(zhí)行的隊(duì)首信息。

輸入命令的傳輸可以包括將存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元中的命令優(yōu)先于存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元中的命令傳輸至存儲(chǔ)器裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖。

圖2是示出在圖1中所示的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中采用的存儲(chǔ)器裝置的示例的簡(jiǎn)圖。

圖3是示出圖2的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)塊的示例性配置的電路圖。

圖4至11是示意性示出圖2所示的存儲(chǔ)器裝置的各個(gè)方面的示例的簡(jiǎn)圖。

圖12A和12B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的命令管理系統(tǒng)和方法的示意圖。

圖13A和13B是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的命令管理系統(tǒng)和方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

下文將參照附圖更加詳細(xì)地描述各個(gè)實(shí)施例。本發(fā)明可以以不同形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被理解為限于本文闡述的實(shí)施例。相反，提供實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底的和完全的并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明。貫穿本公開(kāi)，相似的參考標(biāo)記在整個(gè)本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中表示相似的部件。

現(xiàn)在參考圖1，提供了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100可以包括主機(jī)102和存儲(chǔ)器系統(tǒng)110。

主機(jī)102可以包括任何合適的電子裝置。例如，主機(jī)102可以包括便攜式電子裝置，諸如移動(dòng)電話、MP3播放器、筆記本電腦等。主機(jī)可以包括非便攜式電子裝置，諸如臺(tái)式電腦、游戲機(jī)、電視機(jī)、放映機(jī)等。

存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求存儲(chǔ)待被主機(jī)102訪問(wèn)的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以用作主機(jī)102的主存儲(chǔ)器系統(tǒng)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以根據(jù)主機(jī)接口的協(xié)議實(shí)現(xiàn)為與主機(jī)102電聯(lián)接?？梢允褂靡粋€(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。可以使用易失性存儲(chǔ)器裝置或非易失性存儲(chǔ)器裝置。例如，存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可利用固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、縮小尺寸的MMC(RS-MMC)和微型-MMC、安全數(shù)字(SD)卡、小型-SD和微型-SD、通用串行總線(USB)存儲(chǔ)裝置、通用閃速存儲(chǔ)(UFS)裝置、標(biāo)準(zhǔn)閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡、記憶棒等來(lái)實(shí)現(xiàn)。

存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的存儲(chǔ)器裝置可以通過(guò)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)等的易失性存儲(chǔ)器裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)?？商鎿Q地，存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的存儲(chǔ)器裝置可以通過(guò)諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)等的非易失性存儲(chǔ)器裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置150和用于控制存儲(chǔ)器裝置150的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的控制器130。存儲(chǔ)器裝置150中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被主機(jī)102訪問(wèn)。

控制器130和存儲(chǔ)器裝置150可以集成到單個(gè)半導(dǎo)體裝置中。例如，控制器130和存儲(chǔ)器裝置150可以集成到被配置為固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)的半導(dǎo)體裝置中。將存儲(chǔ)器系統(tǒng)110配置為SSD通?？稍试S主機(jī)102的操作速度的顯著增加。

控制器130和存儲(chǔ)器裝置150可集成在配置為諸如以下的存儲(chǔ)卡的半導(dǎo)體裝置中：個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)(PCMCIA)卡、標(biāo)準(zhǔn)閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡(SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC)、RS-MMC和微型-MMC、安全數(shù)字(SD)卡、迷你-SD、微型-SD和SDHC、通用閃速存儲(chǔ)(UFS)裝置等。

并且，例如，存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以是或者包括計(jì)算機(jī)、超級(jí)移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板、平板電腦、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、智能電話、電子書(shū)、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航裝置、黑盒、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、三維(3D)電視、智能電視、數(shù)字音頻記錄器、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖像記錄器、數(shù)字圖像播放器、數(shù)字視頻記錄器、數(shù)字視頻播放器、配置數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)器、能夠在無(wú)線環(huán)境下傳輸和接收信息的裝置、配置家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、配置計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、配置遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、RFID裝置、配置計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的各種構(gòu)成元件中的一種等。

存儲(chǔ)器裝置150可以存儲(chǔ)由主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)。在讀取操作期間，存儲(chǔ)器裝置150可以將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102?？梢圆捎靡粋€(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置150。一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置150可以是基本上相同的。一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置可以是不同的存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)器裝置150可以包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊152、154和156。存儲(chǔ)塊152、154和156中的每個(gè)可以包括多個(gè)頁(yè)面。每個(gè)頁(yè)面可以包括電聯(lián)接至多個(gè)字線(WL)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器裝置150可以是當(dāng)電源中斷或者關(guān)斷時(shí)能夠保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器裝置。根據(jù)實(shí)施例，存儲(chǔ)器裝置可以是閃速存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器裝置可以是具有三維(3D)堆疊結(jié)構(gòu)的閃速存儲(chǔ)器裝置。稍后參照?qǐng)D2至圖11描述具有三維(3D)堆疊結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器裝置150的示例。

控制器130可以控制存儲(chǔ)器裝置150的全部操作，諸如讀取、寫(xiě)入、編程和/或擦除操作。通常，控制器130可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求控制存儲(chǔ)器裝置150。例如，控制器130可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的讀取請(qǐng)求將從存儲(chǔ)器裝置150讀取的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102?；蛘?，同樣作為示例，控制器可以響應(yīng)于寫(xiě)入請(qǐng)求將從主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至存儲(chǔ)器裝置150中。

可以使用任何合適的控制器。例如，控制器130可包括主機(jī)接口單元132、處理器134、錯(cuò)誤校正碼(ECC)單元138、電源管理單元(PMU)140、NAND閃速控制器(NFC)142以及存儲(chǔ)器144。

主機(jī)接口單元132可處理從主機(jī)102提供的命令和/或數(shù)據(jù)。主機(jī)接口單元132可通過(guò)諸如以下的各種接口協(xié)議中的至少一個(gè)與主機(jī)102通信：通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、高速外圍組件互連(PCI-E)、串列SCSI(SAS)、串行高級(jí)技術(shù)附件(SATA)、并行高級(jí)技術(shù)附件(PATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、增強(qiáng)型小型磁盤(pán)接口(ESDI)、電子集成驅(qū)動(dòng)器(IDE)等。主機(jī)接口單元132可以包括適用于與主機(jī)102通信的任何合適的電路、系統(tǒng)或裝置，以及可能需要的控制器130的其他構(gòu)件。

ECC單元138可以在讀取操作期間檢測(cè)和校正從存儲(chǔ)器裝置150讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。可以采用各種檢測(cè)和校正技術(shù)。例如，如果由ECC單元138檢測(cè)到的錯(cuò)誤位的數(shù)量大于或等于可校正錯(cuò)誤位的閾值數(shù)量，則ECC單元138可以不校正誤碼并且輸出表示誤碼校正失敗的錯(cuò)誤校正失敗信號(hào)。

ECC單元138可以基于任何合適的錯(cuò)誤校正方案執(zhí)行錯(cuò)誤校正操作。例如，ECC單元138可以基于諸如以下的編碼調(diào)制方案執(zhí)行錯(cuò)誤校正操作：低密度奇偶檢查(LDPC)碼、博斯-查德胡里-霍昆格姆(BCH)碼、turbo碼、里德-所羅門(mén)(RS)碼、卷積碼、遞歸卷積碼(RSC)、網(wǎng)格編碼調(diào)制(TCM)、分組編碼調(diào)制(BCM)等。ECC單元138可包括錯(cuò)誤檢測(cè)和校正操作所需的任何合適的電路、系統(tǒng)或裝置。

PMU 140可以提供和管理控制器130的電力。例如，PMU 140提供和管理控制器130的需要的各種構(gòu)件的電力。

NFC 142可用作控制器130和存儲(chǔ)器裝置150之間的存儲(chǔ)接口以允許控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求控制存儲(chǔ)器裝置150。例如，NFC 142可生成用于存儲(chǔ)器裝置150的控制信號(hào)。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器裝置150為閃速存儲(chǔ)器時(shí)，且尤其當(dāng)存儲(chǔ)器裝置150為NAND閃速存儲(chǔ)器時(shí)，NFC可在處理器134的控制下處理數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器144可以用作存儲(chǔ)器系統(tǒng)110和控制器130的工作存儲(chǔ)器，并且存儲(chǔ)用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)110和控制器130的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)控制器130控制存儲(chǔ)器裝置150的操作時(shí)，存儲(chǔ)器144可以存儲(chǔ)控制器130和存儲(chǔ)器裝置150的諸如讀取、寫(xiě)入、編程和擦除操作的操作使用的數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器144可以是或者包括易失性存儲(chǔ)器。例如，存儲(chǔ)器144可以是或者包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。如上所述，存儲(chǔ)器144可存儲(chǔ)被主機(jī)102和存儲(chǔ)器裝置150用于讀取和/或?qū)懭氩僮鞯臄?shù)據(jù)。存儲(chǔ)器144可以是或者包括編程存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寫(xiě)入緩沖區(qū)、讀取緩沖區(qū)、映射緩沖區(qū)等。

處理器134可以控制存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的一般操作。例如，處理器134可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的寫(xiě)入請(qǐng)求控制存儲(chǔ)器裝置150的寫(xiě)入操作。同樣，例如，處理器134可以響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的讀取請(qǐng)求控制存儲(chǔ)器裝置150的讀取操作。處理器134可以驅(qū)動(dòng)稱作閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的固件以控制存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的一般操作。處理器可利用微處理器和中央處理單元(CPU)等來(lái)實(shí)現(xiàn)。可以使用任何合適的處理器。

例如，管理單元(未示出)可以包括在處理器134中，以執(zhí)行存儲(chǔ)器裝置150的壞塊管理。因此，管理單元可發(fā)現(xiàn)包括在存儲(chǔ)器裝置150中的壞存儲(chǔ)塊，即對(duì)于進(jìn)一步使用的處于不滿意狀態(tài)的壞存儲(chǔ)塊，并對(duì)壞存儲(chǔ)塊執(zhí)行壞塊管理。例如，當(dāng)采用閃速存儲(chǔ)器例如NAND閃速存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)器裝置150時(shí)，由于NAND邏輯功能的固有特性，在寫(xiě)入操作期間可能發(fā)生編程失敗。在壞塊管理期間，編程失敗的存儲(chǔ)塊(即壞的存儲(chǔ)塊)的數(shù)據(jù)可以編程到新的存儲(chǔ)塊中。由于編程失敗產(chǎn)生的壞塊可使存儲(chǔ)器裝置，尤其是具有3D堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器裝置的使用效率惡化，且因此對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)100的可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。

參考圖2，存儲(chǔ)器裝置150可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，例如第0至第(N-1)塊210-240，其中N為正整數(shù)。多個(gè)存儲(chǔ)塊210-240中的每個(gè)可以包括多個(gè)頁(yè)面，例如2^M個(gè)頁(yè)面(2^M頁(yè)面)，其中M為正整數(shù)。多個(gè)頁(yè)面中的每個(gè)頁(yè)面可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，多個(gè)字線可以電聯(lián)接至所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元。應(yīng)注意，可以采用任意數(shù)量的合適的塊以及每塊任意數(shù)量的頁(yè)面。

根據(jù)可被存儲(chǔ)或表達(dá)在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中的位的數(shù)量，存儲(chǔ)塊可以是單層單元(SLC)存儲(chǔ)塊和/或多層單元(MLC)存儲(chǔ)塊。SLC存儲(chǔ)塊可包括利用存儲(chǔ)器單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)面，其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元能夠存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)。MLC存儲(chǔ)塊可包括利用存儲(chǔ)器單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)面，其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元能夠存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)，例如，2位或更多位數(shù)據(jù)?？梢圆捎冒ɡ妹總€(gè)都能夠存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)面的MLC存儲(chǔ)塊并將被稱為三層單元(TLC)存儲(chǔ)塊。

多個(gè)存儲(chǔ)塊210至240中的每個(gè)可以在寫(xiě)入操作期間存儲(chǔ)由主機(jī)裝置102提供的數(shù)據(jù)，并且可以在讀取操作期間將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102。

參照?qǐng)D3，存儲(chǔ)器裝置150的存儲(chǔ)塊152可包括分別電聯(lián)接至位線BL0至BLm-1的多個(gè)單元串340。每個(gè)單元串340可包括至少一個(gè)漏極選擇晶體管DST和至少一個(gè)源極選擇晶體管SST。多個(gè)存儲(chǔ)器單元或多個(gè)存儲(chǔ)器單元晶體管MC0至MCn-1可串聯(lián)地電聯(lián)接在選擇晶體管DST和SST之間。各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC0至MCn-1可以由多層單元(MLC)構(gòu)成，每個(gè)多層單元(SLC)存儲(chǔ)多個(gè)位的數(shù)據(jù)信息。存儲(chǔ)器單元可以具有任何合適的架構(gòu)。

在圖3中，“DSL”表示漏極選擇線、“SSL”表示源極選擇線，并且“CSL”表示共源線。

圖3作為示例示出構(gòu)造為NAND閃速存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)塊152。然而，應(yīng)注意存儲(chǔ)塊152不限于NAND閃速存儲(chǔ)器，并且在其它實(shí)施例中存儲(chǔ)塊152可通過(guò)NOR閃速存儲(chǔ)器、組合至少兩種存儲(chǔ)器單元的混合閃速存儲(chǔ)器或控制器內(nèi)置在存儲(chǔ)芯片中的NAND閃速存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。而且，半導(dǎo)體裝置的操作特征可不僅應(yīng)用于其中電荷存儲(chǔ)層由導(dǎo)電浮柵配置的閃速存儲(chǔ)器裝置而且可應(yīng)用于其中電荷存儲(chǔ)層由介電層配置的電荷捕獲閃存(CTF)。

也應(yīng)注意，存儲(chǔ)器裝置150不僅限于閃速存儲(chǔ)器裝置。例如，存儲(chǔ)器裝置150可以是DRAM或SRAM裝置。

存儲(chǔ)器裝置150的電壓發(fā)生器310可生成字線電壓，例如，編程電壓、讀取電壓或通過(guò)電壓，以根據(jù)操作模式被供應(yīng)至各個(gè)字線。電壓發(fā)生器310可生成待被供應(yīng)至體材料(bulk)的電壓，例如其中形成有存儲(chǔ)器單元的阱區(qū)的電壓。電壓發(fā)生器310可以在控制電路(未示出)的控制下執(zhí)行電壓生成操作。電壓發(fā)生器310可以生成多個(gè)可變讀取電壓以生成多個(gè)讀取的數(shù)據(jù)。電壓發(fā)生器310可以在控制電路控制下選擇存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)塊或扇區(qū)中的一個(gè)、從選擇的存儲(chǔ)塊選擇一個(gè)字線并且將字線電壓提供至選擇的字線和未選擇的字線。

存儲(chǔ)器裝置150的讀取/寫(xiě)入電路320可以由控制電路控制，并且可以根據(jù)操作模式用作讀出放大器或?qū)懭腧?qū)動(dòng)器。在驗(yàn)證/正常讀取操作期間，讀取/寫(xiě)入電路320可以用作用于從存儲(chǔ)器單元陣列讀取數(shù)據(jù)的讀出放大器。并且，在編程操作期間，讀取/寫(xiě)入電路320可以用作根據(jù)待被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。讀取/寫(xiě)入電路320可以在編程操作期間從緩沖區(qū)(未示出)接收待要寫(xiě)入存儲(chǔ)器單元陣列的數(shù)據(jù)，并且可以根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)位線。為此，讀取/寫(xiě)入電路320可以包括分別對(duì)應(yīng)于列(或者位線)或者列對(duì)(或者位線對(duì))的多個(gè)頁(yè)面緩沖區(qū)322、324和326。頁(yè)面緩沖區(qū)322、324和326中的每個(gè)可以包括多個(gè)鎖存器(未示出)。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置150的多個(gè)存儲(chǔ)塊152至156的示例的框圖。

如圖4所示，存儲(chǔ)器裝置150可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1。每個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可以以3D構(gòu)造或豎直結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。各個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可以包括在第一至第三方向，例如，x軸方向、y軸方向和z軸方向延伸的多個(gè)結(jié)構(gòu)。

各個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可包括在第二方向上延伸的多個(gè)NAND串NS(圖8)。多個(gè)NAND串NS可以設(shè)置在第一方向和第三方向上。每個(gè)NAND串NS可以電聯(lián)接至位線BL、至少一個(gè)源極選擇線SSL、至少一個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、至少一個(gè)虛擬字線DWL以及共源線CSL。各個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可電聯(lián)接至多個(gè)位線BL、多個(gè)源極選擇線SSL、多個(gè)接地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、多個(gè)虛擬字線DWL以及多個(gè)共源線CSL。

圖5是圖4中所示的多個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi的透視圖。圖6是沿圖5所示的存儲(chǔ)塊BLKi線I-I’截取的截面圖。

參考圖5和圖6，存儲(chǔ)塊BLKi可以包括在第一至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)。

存儲(chǔ)塊可包括襯底5111，襯底5111包括摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底5111可包括摻雜有p-型雜質(zhì)的硅材料。襯底5111可以是p-型阱，例如袋(pocket)p-阱。襯底5111可以進(jìn)一步包括圍繞p-型阱的n-型阱。盡管本發(fā)明的實(shí)施例中，襯底5111示例為p-型硅，但應(yīng)注意的是襯底5111不限于p-型硅。

在第一方向延伸的多個(gè)摻雜區(qū)域5311至5314可以設(shè)置在襯底5111上方。摻雜區(qū)域在第三方向上以均勻間隔隔開(kāi)。多個(gè)摻雜區(qū)域5311-5314可包含不同于在襯底5111中使用的雜質(zhì)的第二類型的雜質(zhì)。例如，多個(gè)摻雜區(qū)域5311-5314可摻雜有n-型雜質(zhì)。盡管在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一至第四摻雜區(qū)域5311至5314示例為n-型，但應(yīng)注意的是它們不限于n-型。

在第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的襯底5111上方的區(qū)域中，在第一方向上延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112可在第二方向上以均勻間隔隔開(kāi)。介電材料區(qū)域5112和襯底5111也可在第二方向上以預(yù)設(shè)距離隔開(kāi)。每個(gè)介電材料區(qū)域5112也可在第二方向上以預(yù)設(shè)距離彼此隔開(kāi)。介電材料5112可以包括任何合適的介電材料，諸如氧化硅。

在兩個(gè)連續(xù)的摻雜區(qū)域之間例如摻雜區(qū)域5311和摻雜區(qū)域5312之間的襯底5111上方的區(qū)域中，多個(gè)柱狀物5113在第一方向上以均勻間隔隔開(kāi)。多個(gè)柱狀物5113在第二方向上延伸并可穿過(guò)介電材料區(qū)域5112使得它們可與襯底5111電聯(lián)接。每個(gè)柱狀物5113可包括一種或多種材料。例如，每個(gè)柱狀物5113可包括內(nèi)層5115和外表面層5114。表面層5114可包括摻雜有雜質(zhì)的硅材料。例如，表面層5114可包括摻雜有與襯底5111相同的或相同類型的雜質(zhì)的硅材料。盡管，在本發(fā)明的實(shí)施例中，表面層5114示例為包括p-型硅，但表面層5114不限于p-型硅，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地想到其它實(shí)施例，其中襯底5111和柱狀物5113的表面層5114可摻雜有n-型雜質(zhì)。

每個(gè)柱狀物5113的內(nèi)層5115可由介電材料形成。內(nèi)層5115可以是或包括諸如例如氧化硅的介電材料。

在第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的區(qū)域中，介電層5116可沿介電材料區(qū)域5112、柱狀物5113和襯底5111的暴露表面設(shè)置。介電層5116的厚度可小于介電材料區(qū)域5112之間的距離的一半。換言之，不同于介電材料5112和介電層5116的材料的區(qū)域可被設(shè)置在(i)介電材料區(qū)域5112的第一介電材料的底表面下方的介電層5116和(ii)設(shè)置在介電材料區(qū)域5112的第二介電材料的頂表面上方的介電層5116之間。介電材料區(qū)域5112可以位于第一介電材料下方。

在諸如第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的區(qū)域的兩個(gè)連續(xù)的摻雜區(qū)域之間的區(qū)域中，多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可設(shè)置在介電層5116的暴露表面上。在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域可以在與多個(gè)介電材料區(qū)域5112的交錯(cuò)配置中在第二方向上以均勻間隔隔開(kāi)。介電層5116填充導(dǎo)電材料區(qū)域和介電材料區(qū)域5112之間的空間。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211可設(shè)置在鄰近襯底5111的介電材料區(qū)域5112和襯底5111之間。特別地，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211可設(shè)置在(i)設(shè)置在襯底5111上方的介電層5116和(ii)設(shè)置在鄰近襯底5111的介電材料區(qū)域5112的底表面下方的介電層5116之間。

在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291中的每個(gè)可設(shè)置在(i)設(shè)置在介電材料區(qū)域5112中的一個(gè)的頂表面上方的介電層5116和(ii)設(shè)置在下一個(gè)介電材料區(qū)域5112的底表面下方的介電層5116之間。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5221-5281可設(shè)置在介電材料區(qū)域5112之間。在第一方向上延伸的頂部導(dǎo)電材料區(qū)域5291可設(shè)置在最上面的介電材料5112上方。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可以由金屬材料制成或包括金屬材料。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可以由諸如多晶硅的導(dǎo)電材料制成或包括諸如多晶硅的導(dǎo)電材料。

在第二摻雜區(qū)域5312和第三摻雜區(qū)域5313之間的區(qū)域中，可設(shè)置與第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第二摻雜區(qū)域5312和第三摻雜區(qū)域5313之間的區(qū)域中，可設(shè)置在第一方向上延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112、順序地設(shè)置在第一方向上且在第二方向上穿過(guò)多個(gè)介電材料區(qū)域5112的多個(gè)柱狀物5113、設(shè)置在多個(gè)介電材料區(qū)域5112和多個(gè)柱狀物5113的暴露表面上的介電層5116以及在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5212-5292。

在第三摻雜區(qū)域5313和第四摻雜區(qū)域5314之間的區(qū)域中，可設(shè)置與第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第三摻雜區(qū)域5313和第四摻雜區(qū)域5314之間的區(qū)域中，可設(shè)置在第一方向上延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112、順序地設(shè)置在第一方向上且在第二方向上穿過(guò)多個(gè)介電材料區(qū)域5112的多個(gè)柱狀物5113、設(shè)置在多個(gè)介電材料區(qū)域5112和多個(gè)柱狀物5113的暴露表面上的介電層5116以及在第一方向上延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5213-5293。

漏極5320可分別設(shè)置在多個(gè)柱狀物5113上方。漏極5320可以由摻雜有第二類型雜質(zhì)的硅材料制成。漏極5320可以由摻雜有n-型雜質(zhì)的硅材料制成。盡管為了說(shuō)明的方便，漏極5320示例為包括n-型硅，但應(yīng)注意的是，漏極5320不限于n-型硅。例如，每個(gè)漏極5320的寬度可大于每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱狀物5113的寬度。每個(gè)漏極5320可以焊盤(pán)的形狀設(shè)置在每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱狀物5113的頂表面上方。

在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可設(shè)置在漏極5320上方。導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333中的每個(gè)可以以第一方向上相互間的預(yù)設(shè)間隔距離延伸地布置在串聯(lián)布置在第三方向的漏極5320上。各個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可與其下方的漏極5320電聯(lián)接。在第三方向延伸的漏極5320和導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可以通過(guò)接觸插塞電聯(lián)接。在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可以由金屬材料制成。在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可以由諸如多晶硅的導(dǎo)電材料制成。

在圖5和圖6中，各個(gè)柱狀物5113可與介電層5116和在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293一起形成串。各個(gè)柱狀物5113可與介電層5116和在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293一起形成NAND串NS。每個(gè)NAND串NS可包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。

現(xiàn)在參照?qǐng)D7，在圖6中所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS中，介電層5116可包括第一子介電層5117、第二子介電層5118和第三子介電層5119。

在每個(gè)柱狀物5113中的p-型硅的表面層5114可作為主體。鄰近柱狀物5113的第一子介電層5117可作為隧穿介電層，且可包括熱氧化層。

第二子介電層5118可作為電荷存儲(chǔ)層。第二子介電層5118可作為電荷捕獲層，且可包括氮化物層或諸如氧化鋁層、氧化鉿層等的金屬氧化物層。

鄰近導(dǎo)電材料5233的第三子介電層5119可作為阻斷介電層。鄰近在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料5233的第三子介電層5119可形成為單層或多層。第三子介電層5119可以是介電常數(shù)大于第一子介電層5117和第二子介電層5118的諸如氧化鋁層、氧化鉿層等的高k介電層。

導(dǎo)電材料5233可作為柵或控制柵。例如，柵或控制柵5233、阻斷介電層5119、電荷存儲(chǔ)層5118、隧穿介電層5117和主體5114可形成晶體管或存儲(chǔ)器單元晶體管結(jié)構(gòu)。例如，第一子介電層5117、第二子介電層5118和第三子介電層5119可形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，為方便說(shuō)明，在每個(gè)柱狀物5113中的p-型硅的表面層5114將被稱為第二方向上的主體。

存儲(chǔ)塊BLKi可包括多個(gè)柱狀物5113。例如，存儲(chǔ)塊BLKi可包括多個(gè)NAND串NS。具體地，存儲(chǔ)塊BLKi可包括在第二方向或垂直于襯底5111的方向上延伸的多個(gè)NAND串NS。

每個(gè)NAND串NS可包括設(shè)置在第二方向上的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可作為串源極晶體管SST。每個(gè)NAND串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可作為接地選擇晶體管GST。

柵或控制柵可對(duì)應(yīng)于在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293。例如，柵或控制柵可在第一方向上延伸且形成字線和包括至少一個(gè)源極選擇線SSL和至少一個(gè)接地選擇線GSL的至少兩個(gè)選擇線。

在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可電聯(lián)接至NAND串NS的一端。在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可作為位線BL。例如，在一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi中，多個(gè)NAND串NS可電聯(lián)接至一個(gè)位線BL。

在第一方向上延伸的第二類型摻雜區(qū)域5311-5314可被設(shè)置至NAND串NS的另一端。在第一方向上延伸的第二類型摻雜區(qū)域5311-5314可作為共源線CSL。

例如，存儲(chǔ)塊BLKi可包括在垂直于襯底5111的方向例如第二方向上延伸的多個(gè)NAND串NS，并且可作為其中多個(gè)NAND串NS電聯(lián)接至一個(gè)位線BL的例如電荷捕獲類型存儲(chǔ)器的NAND閃速存儲(chǔ)塊。

盡管圖5至圖7中示出了在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293設(shè)置為九(9)層，但應(yīng)注意的是，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293不限于此。例如，在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域可設(shè)置為八(8)層、十六(16)層或任意多層。例如，在一個(gè)NAND串NS中，晶體管的數(shù)量可以是8個(gè)、16個(gè)或更多個(gè)。

盡管圖5至圖7中示出了3個(gè)NAND串NS被電聯(lián)接至一個(gè)位線BL，但應(yīng)注意的是，實(shí)施例不限于此。在存儲(chǔ)塊BLKi中，m個(gè)NAND串NS可電聯(lián)接至一個(gè)位線BL，m為正整數(shù)。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293的數(shù)量以及共同源極線5311-5314的數(shù)量可以根據(jù)電聯(lián)接至一個(gè)位線BL的NAND串NS的數(shù)量變化。

此外，盡管圖5至圖7中示出了三(3)個(gè)NAND串NS被電聯(lián)接至在第一方向上延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，但應(yīng)注意的是，實(shí)施例不限于此。例如，n個(gè)NAND串NS可被電聯(lián)接至在第一方向上延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料，n為正整數(shù)。位線5331-5333的數(shù)量可以根據(jù)電聯(lián)接至在第一方向延伸的一個(gè)導(dǎo)電材料的NAND串NS的數(shù)量而變化。

參照?qǐng)D8，在具有第一結(jié)構(gòu)的塊BLKi中，多個(gè)NAND串NS11-NS31可設(shè)置在第一位線BL1和共源線CSL之間。第一位線BL1可對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331。NAND串NS12-NS32可設(shè)置在第二位線BL2和共源線CSL之間。第二位線BL2可對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5332。NAND串NS13-NS33可設(shè)置在第三位線BL3和共源線CSL之間。第三位線BL3可對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的在第三方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5333。

每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST可電聯(lián)接至對(duì)應(yīng)的位線BL。每個(gè)NAND串NS的接地選擇晶體管GST可電聯(lián)接至共源線CSL。存儲(chǔ)器單元MC1和MC6可以設(shè)置在每個(gè)NAND串NS的源極選擇晶體管SST和接地選擇晶體管GST之間。

在示例中，NAND串NS可以由行單元和列單元限定。電聯(lián)接至一個(gè)位線的NAND串NS可形成一列。電聯(lián)接至第一位線BL1的NAND串NS11-NS31對(duì)應(yīng)于第一列。電聯(lián)接至第二位線BL2的NAND串NS12-NS32可以對(duì)應(yīng)于第二列。電聯(lián)接至第三位線BL3的NAND串NS13-NS33可以對(duì)應(yīng)于第三列。電聯(lián)接至一個(gè)源極選擇線SSL的NAND串NS可以形成一行。電聯(lián)接至第一源極選擇線SSL1的NAND串NS11-NS13可以形成第一行。電聯(lián)接至第二源極選擇線SSL2的NAND串NS21-NS23可以形成第二行。電聯(lián)接至第三源極選擇線SSL3的NAND串NS31-NS33可以形成第三行。

在每個(gè)NAND串NS中，可定義高度。在每個(gè)NAND串NS中，鄰近接地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)器單元MC1可具有例如值“1”的高度。在每個(gè)NAND串NS中，當(dāng)從襯底5111被測(cè)量時(shí)，存儲(chǔ)器單元的高度可隨著存儲(chǔ)器單元靠近源極選擇晶體管SST而增加。例如，在每個(gè)NAND串NS中，鄰近源極選擇晶體管SST的存儲(chǔ)器單元MC6可具有例如值“7”的高度。

布置在相同行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可共享源極選擇線SSL。布置在不同行中的NAND串NS的源極選擇晶體管SST可分別電聯(lián)接至不同的源極選擇線SSL1、SSL2和SSL3。

相同行中的NAND串NS中的相同高度處的存儲(chǔ)器單元可共享字線WL。例如，在相同高度處，電聯(lián)接至不同行中的NAND串NS的存儲(chǔ)器單元MC的字線WL可彼此電聯(lián)接。相同行的NAND串NS中相同高度處的虛擬存儲(chǔ)器單元DMC可共享虛擬字線DWL。例如，在相同高度或水平處，電聯(lián)接至不同行中的NAND串NS的虛擬存儲(chǔ)器單元DMC的虛擬字線DWL可被彼此電聯(lián)接。

位于相同水平或高度或?qū)犹幍淖志€WL或虛擬字線DWL可在導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293可以設(shè)置成在第一方向上延伸的各層處彼此電聯(lián)接。在第一方向上延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293可通過(guò)接觸部共同電聯(lián)接至上層。換言之，在相同行中的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可共享接地選擇線GSL。此外，在不同行中的NAND串NS的接地選擇晶體管GST可共享接地選擇線GSL。例如，NAND串NS11-NS13、NS21-NS23和NS31-NS33可共同電聯(lián)接至接地選擇線GSL。

共源線CSL可共同電聯(lián)接至NAND串NS。在襯底5111上方的有源區(qū)域上方，第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314可被電聯(lián)接。第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314可以通過(guò)接觸部共同電聯(lián)接至上層。

例如，如圖8中所示，相同高度或水平的字線WL可彼此電聯(lián)接。因此，當(dāng)選擇特定高度處的字線WL時(shí)，電聯(lián)接至被選擇的字線WL的所有NAND串NS可被選擇。在不同行中的NAND串NS可電聯(lián)接至不同源極選擇線SSL。因此，在電聯(lián)接至相同字線WL的NAND串NS中，通過(guò)選擇源極選擇線SSL1-SSL3中的一個(gè)，未選擇的行中的NAND串NS可與位線BL1-BL3電隔離。換言之，通過(guò)選擇源極選擇線SSL1-SSL3中的一個(gè)，布置為與選擇的源極線同行的NAND串NS可被選擇。此外，通過(guò)選擇位線BL1-BL3中的一個(gè)，布置為選擇的位線同列的NAND串NS可被選擇。因此，僅布置為與選擇的源極線同行和與選擇的位線同列的NAND串NS可以被選擇。

在每個(gè)NAND串NS中，可設(shè)置虛擬存儲(chǔ)器單元DMC。在圖8中，例如，虛擬存儲(chǔ)器單元DMC可被設(shè)置在每個(gè)NAND串NS中的第三存儲(chǔ)器單元MC3和第四存儲(chǔ)器單元MC4之間。例如，第一至第三存儲(chǔ)器單元MC1-MC3可設(shè)置在虛擬存儲(chǔ)器單元DMC和接地選擇晶體管GST之間。第四至第六存儲(chǔ)器單元MC4-MC6可設(shè)置在虛擬存儲(chǔ)器單元DMC和源極選擇晶體管SSL之間。每個(gè)NAND串NS的存儲(chǔ)器單元MC可被虛擬存儲(chǔ)器單元DMC劃分成兩(2)個(gè)存儲(chǔ)器單元組。在劃分的存儲(chǔ)器單元組中，鄰近接地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)器單元例如MC1-MC3可被稱為下部存儲(chǔ)器單元組，且鄰近串選擇晶體管SST的剩余存儲(chǔ)器單元例如MC4-MC6可被稱為上部存儲(chǔ)器單元組。

在下文中，將參照?qǐng)D9-圖11做出詳細(xì)說(shuō)明，圖9-圖11示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的通過(guò)不同于第一結(jié)構(gòu)的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器而實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

特別地，圖9是示意性示出利用不同于上文參照?qǐng)D5-圖8所述的第一結(jié)構(gòu)的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器裝置的透視圖。圖10是示出沿圖9的線VII-VII＇截取的存儲(chǔ)塊BLKj的截面圖。

參照?qǐng)D9和圖10，存儲(chǔ)塊BLKj可包括在第一至第三方向上延伸的結(jié)構(gòu)且可包括襯底6311。襯底6311可以包括摻雜第一型雜質(zhì)的硅材料。例如，襯底6311可包括摻雜有p-型雜質(zhì)的硅材料。襯底6311可以是p-型阱，例如袋p-阱。襯底6311可以進(jìn)一步包括圍繞p-型阱的n-型阱。盡管在所述的實(shí)施例中，襯底6311示例為p-型硅，但應(yīng)注意的是襯底6311不限于p-型硅。

在x軸方向和y軸方向上延伸的第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324被設(shè)置在襯底6311上方。第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324可在z軸方向上隔開(kāi)預(yù)設(shè)距離。

在x軸方向和y軸方向上延伸的第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可設(shè)置在襯底6311上方。第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可在z軸方向上隔開(kāi)預(yù)設(shè)距離。第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可在y軸方向上與第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324隔開(kāi)。

可設(shè)置穿過(guò)第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324的多個(gè)下部柱狀物DP。每個(gè)下部柱狀物DP在z軸方向上延伸。而且，可設(shè)置穿過(guò)第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328的多個(gè)上部柱狀物UP。每個(gè)上部柱狀物UP在z軸方向上延伸。

下部柱狀物DP和上部柱狀物UP中的每個(gè)可包括內(nèi)部材料6361、中間層6362和表面層6363。中間層6362可用作單元晶體管的溝道。表面層6363可包括阻斷介電層、電荷存儲(chǔ)層和隧穿介電層。

下部柱狀物DP和上部柱狀物UP可通過(guò)管柵PG彼此電聯(lián)接。管柵PG可被設(shè)置在襯底6311中。例如，管柵PG可包括與下部柱狀物DP和上部柱狀物UP相同的材料。

在x軸方向和y軸方向上延伸的第二類型的摻雜材料6312可設(shè)置在下部柱狀物DP上方。例如，第二類型的摻雜材料6312可包括n-型硅材料。第二類型的摻雜材料6312可用作共源線CSL。

漏極6340可設(shè)置在上部柱狀物UP上方。漏極6340可包括n-型硅材料。在y軸方向上延伸的第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可設(shè)置在漏極6340上方。

第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可沿x軸方向上隔開(kāi)。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可由金屬形成。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352和漏極6340可通過(guò)接觸插塞彼此電聯(lián)接。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352分別作為第一位線BL1和第二位線BL2。

第一導(dǎo)電材料6321可用作源極選擇線SSL。第二導(dǎo)電材料6322可用作第一虛擬字線DWL1。第三導(dǎo)電材料區(qū)域6323和第四導(dǎo)電材料區(qū)域6324分別作為第一主字線MWL1和第二主字線MWL2。第五導(dǎo)電材料區(qū)域6325和第六導(dǎo)電材料區(qū)域6326分別作為第三主字線MWL3和第四主字線MWL4。第七導(dǎo)電材料6327可用作第二虛擬字線DWL2。第八導(dǎo)電材料6328可用作漏極選擇線DSL。

下部柱狀物DP和鄰近下部柱狀物DP的第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324可以形成下部串。上部柱狀物UP和鄰近上部柱狀物UP的第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可以形成上部串。下部串和上部串可通過(guò)管柵PG彼此電聯(lián)接。下部串的一端可電聯(lián)接至作為共源線CSL的第二類型的摻雜材料6312。上部串的一端可通過(guò)漏極6340電聯(lián)接至對(duì)應(yīng)的位線。一個(gè)下部串和一個(gè)上部串可以形成一個(gè)單元串，該單元串電聯(lián)接在作為共源線CSL的摻雜材料6312和作為位線BL的上部導(dǎo)電材料層6351-6352中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)之間。

例如，下部串可包括源極選擇晶體管SST、第一虛擬存儲(chǔ)器單元DMC1、以及第一主存儲(chǔ)器單元MMC1和第二主存儲(chǔ)器單元MMC2。上部串可包括第三主存儲(chǔ)器單元MMC3、第四主存儲(chǔ)器單元MMC4、第二虛擬存儲(chǔ)器單元DMC2和漏極選擇晶體管DST。

在圖9和圖10中，上部串和下部串可形成NAND串NS。NAND串NS可以包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。因?yàn)樯衔膮⒄請(qǐng)D7詳細(xì)地描述了包括在圖9和圖10中的NAND串NS中的晶體管結(jié)構(gòu)，所以在此將省略其詳細(xì)說(shuō)明。

圖11是示出具有如上參照?qǐng)D9和圖10所述的第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj的等效電路的電路圖。為方便起見(jiàn)，僅示出形成第二結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)塊BLKj中的一對(duì)的第一串ST1和第二串ST2。

參照?qǐng)D11，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，多個(gè)單元串可以定義多個(gè)對(duì)的這種方式來(lái)設(shè)置，其中，單元串中的每個(gè)都利用如上參照?qǐng)D9和圖10所述的通過(guò)管柵PG電聯(lián)接的一個(gè)上部串和一個(gè)下部串來(lái)實(shí)現(xiàn)。

例如，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，存儲(chǔ)器單元CG0-CG31沿第一溝道CH1(未示出)堆疊，例如，至少一個(gè)源極選擇柵SSG1和至少一個(gè)漏極選擇柵DSG1可形成第一串ST1，并且存儲(chǔ)器單元CG0-CG31沿第二溝道CH2(未示出)堆疊，例如，至少一個(gè)源極選擇柵SSG2和至少一個(gè)漏極選擇柵DSG2可形成第二串ST2。

第一串ST1和第二串ST2可電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同源極選擇線SSL。第一串ST1可以電聯(lián)接至第一位線BL1。第二串ST2可以電聯(lián)接至第二位線BL2。

盡管圖11示出了第一串ST1和第二串ST2被電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同源極選擇線SSL，但可認(rèn)為第一串ST1和第二串ST2可電聯(lián)接至相同源極選擇線SSL和相同位線BL、第一串ST1可電聯(lián)接至第一漏極選擇線DSL1并且第二串ST2可電聯(lián)接至第二漏極選擇線SDL2。進(jìn)一步地，可認(rèn)為第一串ST1和第二串ST2可電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同位線BL、第一串ST1可電聯(lián)接至第一源極選擇線SSL1并且第二串ST2可電聯(lián)接至第二源極選擇線SSL2。

圖12A和12B是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的命令管理的示意圖。

圖12A示出多個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502和控制器130的存儲(chǔ)器系統(tǒng)110。

每個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502可以對(duì)應(yīng)于參考圖1描述的存儲(chǔ)器裝置150。

除了以上所描述的特征，控制器130可以進(jìn)一步包括用于存儲(chǔ)從主機(jī)102接收的、作為多個(gè)命令CMD<1:7>的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的命令存儲(chǔ)單元1445?？刂破?30可以控制命令存儲(chǔ)單元1445，從而以其中多個(gè)命令CMD<1:7>順序鏈接的鏈表的形式存儲(chǔ)多個(gè)命令CMD<1:7>。

命令存儲(chǔ)單元1445可以設(shè)置在控制器130的存儲(chǔ)器144中。然而，命令存儲(chǔ)單元1445可以作為獨(dú)立組件而被包括，或者包括在可操作地鏈接至存儲(chǔ)器144的另一組件中。

控制器130可以將存儲(chǔ)的命令CMD<1:7>作為用于控制各個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502的操作的命令CMD#傳輸至多個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502。

輸入至命令存儲(chǔ)單元1445的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中的每個(gè)可以包括“優(yōu)先級(jí)信息”，其表示對(duì)應(yīng)輸入命令的處理優(yōu)先級(jí)。即，當(dāng)主機(jī)102生成多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>時(shí)，為了指定生成的命令待執(zhí)行的優(yōu)先級(jí)，主機(jī)102可以在多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中包括“優(yōu)先級(jí)信息”。

包括在從主機(jī)102輸入至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的每個(gè)中的優(yōu)先級(jí)信息可以具有下列類型。

第一，優(yōu)先級(jí)信息可以包括高優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND，其請(qǐng)求強(qiáng)制改變執(zhí)行順序，而不管從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445的輸入命令的輸入次序如何。

第二，優(yōu)先級(jí)信息可以包括低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND，其請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，同時(shí)對(duì)執(zhí)行順序的靈活改變的請(qǐng)求從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445。

具體地，高優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND可以包括次序信息O(Order)(次序)和隊(duì)首信息H(Head)(隊(duì)首)。次序信息O請(qǐng)求輸入命令必須優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令執(zhí)行，并且隊(duì)首信息H請(qǐng)求輸入命令必須首先執(zhí)行。

因此，當(dāng)包括次序信息O的命令從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445時(shí)，該命令必須插入具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令之前。

此外，當(dāng)包括隊(duì)首信息H的命令從主機(jī)102輸入控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445時(shí)，命令必須插入隊(duì)首。

低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND可以包括順序信息S(Simple)(簡(jiǎn)單順序信息)和靈活信息CP(命令優(yōu)先級(jí))。順序信息S請(qǐng)求根據(jù)從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445的輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，并且靈活信息CP請(qǐng)求靈活改變執(zhí)行順序以便輸入命令在具有順序信息S的命令之前執(zhí)行。

因此，當(dāng)具有順序信息S的命令從主機(jī)102輸入控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445時(shí)，命令可以插入隊(duì)尾。

此外，當(dāng)具有靈活信息CP的命令從主機(jī)102輸入控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445時(shí)，命令可以盡可能地插入具有順序信息S的命令之前。然而，靈活信息CP不具有強(qiáng)制性，其與上述高級(jí)別優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND不同。

即，根據(jù)已經(jīng)在先輸入的具有順序信息S的命令的情況，具有靈活信息CP的命令可以插入具有順序信息S的命令之后。

例如，當(dāng)確認(rèn)在具有靈活信息CP的命令輸入的時(shí)間點(diǎn)之前已經(jīng)輸入的具有順序信息S的特定命令，即使在從該特定命令輸入的時(shí)間點(diǎn)起經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間之后仍不執(zhí)行時(shí)，具有順序信息S的特定命令可以設(shè)定為在具有靈活信息CP的命令之前執(zhí)行。

圖12B示出如圖12A中所示的具有優(yōu)先級(jí)信息并且由主機(jī)102生成的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>如何作為多個(gè)命令CMD<1:7>輸入至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445。

具體地，從主機(jī)102應(yīng)用到控制器130的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中的第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的順序信息S，并且請(qǐng)求第0邏輯地址的讀取操作R0。

此時(shí)，由于命令存儲(chǔ)單元1445在第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1輸入的時(shí)間點(diǎn)為空，所以第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1可以作為第一命令CMD1存儲(chǔ)至命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首。

第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的靈活信息CP，并且請(qǐng)求第0邏輯地址的寫(xiě)入操作W0。

此時(shí)，在第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有順序信息S的第一命令CMD1可以存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首。由于第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2包含靈活信息CP，所以已經(jīng)存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首中的第一命令CMD1可以移位并作為第二命令CMD2存儲(chǔ)，并且第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2可以作為新的第一命令CMD1存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首中。

第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的次序信息O，并且請(qǐng)求第一邏輯地址的讀取操作R1。

此時(shí)，在第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有靈活信息CP的第一命令CMD1和具有順序信息S的第二命令CMD2可以從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)。由于第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3包含次序信息O，所以已經(jīng)從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)的第一命令CMD1和第二命令CMD2可以移位并作為第二命令CMD2和第三命令CMD3存儲(chǔ)，并且第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3可以作為新的第一命令CMD1存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首中。

第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的順序信息S，并且請(qǐng)求第二邏輯地址的讀取操作R2。

此時(shí)，在第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有次序信息O的第一命令CMD1、具有靈活信息CP的第二命令CMD2、以及具有順序信息S的第三命令CMD3可以順序地從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)。由于第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4包含順序信息S，所以第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4可以作為第四命令CMD4存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的第三命令CMD3之后。

第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的隊(duì)首信息H，并且請(qǐng)求第三邏輯地址的讀取操作R3。

此時(shí)，在第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有次序信息O的第一命令CMD1、具有靈活信息CP的第二命令CMD2、具有順序信息S的第三命令CMD3以及具有順序信息S的第四命令CMD4可以從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)。由于第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5包含隊(duì)首信息H，所以已經(jīng)從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)的第一至第四命令CMD1-CMD4可以移位并作為第二至第五命令CMD2-CMD5存儲(chǔ)，并且第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5可以作為新的第一命令CMD1存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首中。

第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的隊(duì)首信息H，并且請(qǐng)求第四邏輯地址的讀取操作R4。

此時(shí)，在第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有隊(duì)首信息H的第一命令CMD1、具有次序信息O的第二命令CMD2、具有靈活信息CP的第三命令CMD3、具有順序信息S的第四命令CMD4以及具有順序信息S的第五命令CMD5可以從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)。由于第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6包含隊(duì)首信息H，所以已經(jīng)從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)的第一至第五命令CMD1-CMD5可以移位并作為第二至第六命令CMD2-CMD6存儲(chǔ)，并且第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6可以作為新的第一命令CMD1存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首中。

第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的次序信息O，并且請(qǐng)求第五邏輯地址的讀取操作R5。

此時(shí)，在第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有隊(duì)首信息H的第一命令CMD1、具有隊(duì)首信息H的第二命令CMD2、具有次序信息O的第三命令CMD3、具有靈活信息CP的第四命令CMD4、具有順序信息S的第五命令CMD5以及具有順序信息S的第六命令CMD6可以從命令存儲(chǔ)單元1445的隊(duì)首存儲(chǔ)。由于第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7包含次序信息O，所以已經(jīng)在命令存儲(chǔ)單元1445的中部存儲(chǔ)的第四至第六命令CMD4-CMD6可以移位并作為第五至第七命令CMD5-CMD7存儲(chǔ)，并且第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7可以作為新的第四命令CMD4存儲(chǔ)在命令存儲(chǔ)單元1445中的第五命令CMD5之前。

如上所述，其中從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令輸入至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445的順序可以根據(jù)包含在輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的每個(gè)中的優(yōu)先級(jí)信息而變化。

圖13A和13B是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的命令管理系統(tǒng)和方法的示意圖。

除了第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442以外，圖13A中所示的存儲(chǔ)器系統(tǒng)110可以與參考圖12A所描述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)110相同。

每個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502可以對(duì)應(yīng)于參考圖1描述的存儲(chǔ)器裝置150。

控制器130可以以參考圖1描述的控制器130相同的方式來(lái)配置。此時(shí)，從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>可以分配并存儲(chǔ)至包括在控制器130中的第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442中。

控制器130可以在從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中選擇具有比預(yù)設(shè)級(jí)別更高的優(yōu)先級(jí)的命令，并且將選擇的命令存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中。此時(shí)，控制器130可以以鏈表的形式來(lái)管理存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4，在該鏈表中命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4從隊(duì)首HEAD1至隊(duì)尾TAIL1被順序鏈接并管理。

此外，控制器130可以在從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中選擇具有比預(yù)設(shè)級(jí)別低的優(yōu)先級(jí)的命令，并且將選擇的命令存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中。此時(shí)，控制器130可以從隊(duì)首HEAD2至隊(duì)尾TAIL2以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3。

第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442可以定位在控制器130的存儲(chǔ)器144中，但是也可以作為獨(dú)立地組件而被包括，或者包括在可操作地鏈接至存儲(chǔ)器144的另一個(gè)組件中。

控制器130可以將從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>分配并存儲(chǔ)至第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442中，并且將存儲(chǔ)的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4以及CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3作為命令CMD#傳輸至多個(gè)存儲(chǔ)器裝置1501和1502，以便控制存儲(chǔ)器裝置1501和1502的操作。即，可以通過(guò)控制器130響應(yīng)于從第一命令存儲(chǔ)單元1441或者第二命令存儲(chǔ)單元1442接收的命令CMD#而控制存儲(chǔ)器裝置1501和1502中的每個(gè)。

此時(shí)，由于具有比預(yù)設(shè)級(jí)別更高的優(yōu)先級(jí)的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中并且具有比預(yù)設(shè)級(jí)別更低的優(yōu)先級(jí)的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中，所以控制器130可以控制命令，使得存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4能夠在存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3之前傳輸至存儲(chǔ)器裝置1501和1502。例如，控制器130確認(rèn)沒(méi)有命令存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中，并然后將存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令傳輸至存儲(chǔ)器裝置1501和1502。

從主機(jī)102分配并輸入至控制器130的第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中的每個(gè)可以包括“優(yōu)先級(jí)信息”。即，當(dāng)主機(jī)102生成多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>時(shí)，為了指定生成的命令待執(zhí)行的優(yōu)先級(jí)，主機(jī)102可以在多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中包括“優(yōu)先級(jí)信息”。

包括在從主機(jī)102分配并輸入至控制器130的第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的每個(gè)中的優(yōu)先級(jí)信息可以具有下列類型。

第一，優(yōu)先級(jí)信息可以包括高優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND，其請(qǐng)求強(qiáng)制改變執(zhí)行順序，而不管從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445的輸入命令的輸入次序如何。此時(shí)，控制器130可以檢查從主機(jī)102輸入至控制器130的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的優(yōu)先級(jí)信息，并且僅將具有高優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND的命令輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。

第二，優(yōu)先級(jí)信息可以包括低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND，其請(qǐng)求根據(jù)輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，同時(shí)執(zhí)行順序靈活改變的請(qǐng)求從主機(jī)102傳輸至控制器130的命令存儲(chǔ)單元1445?？刂破?30可以檢查從主機(jī)102輸入至控制器130的輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的優(yōu)先級(jí)信息，并且僅將具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442。

具體地，高優(yōu)先級(jí)信息MUST COMMAND可以包括次序信息O(Order)和隊(duì)首信息H(Head)。次序信息O請(qǐng)求輸入命令必須優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令執(zhí)行，并且隊(duì)首信息H請(qǐng)求輸入命令必須首先執(zhí)行。

因此，為了使具有次序信息O的命令能夠無(wú)條件地優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令執(zhí)行，控制器130可以將具有次序信息O的命令輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。

此外，為了使具有隊(duì)首信息H的命令能夠無(wú)條件地在隊(duì)首執(zhí)行，控制器130不僅可以將具有隊(duì)首信息H的命令輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441，還必須將具有隊(duì)首信息H的命令插入至第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1。

此時(shí)，控制器130可以使用以下控制方法：總是在存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3之前將存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4傳輸至存儲(chǔ)器裝置1501和1502。

因此，通過(guò)將具有次序信息O的命令和具有隊(duì)首信息H的命令簡(jiǎn)單輸入第一命令存儲(chǔ)單元1441的操作，能夠無(wú)條件地優(yōu)先于具有低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND的命令執(zhí)行具有次序信息O的命令。

低優(yōu)先級(jí)信息BEST COMMAND可以包括順序信息S和靈活信息CP。順序信息S請(qǐng)求根據(jù)從主機(jī)102傳輸至控制器130的輸入命令的輸入次序順序地執(zhí)行輸入命令，并且靈活信息CP請(qǐng)求靈活改變執(zhí)行順序，使得輸入命令在具有順序信息S的命令之前執(zhí)行。

因此，為了使具有順序信息S的命令能夠根據(jù)輸入命令的時(shí)間點(diǎn)順序地執(zhí)行，控制器130不僅可以將具有順序信息S的命令輸入第二命令存儲(chǔ)單元1442，還將命令插入至第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)尾TAIL2。

此外，為了使具有靈活信息CP的命令能夠盡可能地優(yōu)先于具有順序信息S的命令執(zhí)行，控制器130不僅可以將具有靈活信息CP的命令輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442，還將命令插入第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2。

此時(shí)，當(dāng)具有靈活信息CP的命令盡可能地優(yōu)先于具有順序信息S的命令執(zhí)行時(shí)，其可以指示具有靈活信息CP的命令能夠根據(jù)已經(jīng)預(yù)先輸入的具有順序信息S的命令的位置而插入具有順序信息S的命令之后。

例如，當(dāng)確認(rèn)在具有靈活信息CP的命令輸入的時(shí)間點(diǎn)之前已經(jīng)輸入的具有順序信息S的特定命令，即使在從該命令輸入的時(shí)間點(diǎn)起經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間之后仍不執(zhí)行時(shí)，具有順序信息S的特定命令可以設(shè)定為在具有靈活信息CP的命令之前執(zhí)行。

圖13B示出如圖13A中所示的具有靈活信息并且由主機(jī)102生成的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>如何輸入至控制器130的第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442。

第一，多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>可以作為新的命令I(lǐng)NPUT COMMAND而順序地從主機(jī)102應(yīng)用至控制器130。

具體地，從主機(jī)102應(yīng)用到控制器130的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>中的第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的順序信息S，并且請(qǐng)求第0邏輯地址的讀取操作R0。

由于第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1包含順序信息S，所以第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1必須輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442。此時(shí)，由于第二命令存儲(chǔ)單元1442在第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1輸入的時(shí)間點(diǎn)為空，所以第一輸入命令I(lǐng)N_CMD1可以作為第二-第一命令CMD2/1存儲(chǔ)至第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2。

第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的靈活信息CP，并且請(qǐng)求第0邏輯地址的寫(xiě)入操作W0。

由于第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2包含靈活信息CP，所以第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2必須輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442。此時(shí)，在第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有順序信息S的第二-第一命令CMD2/1可以存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2。因此，已經(jīng)存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2中的第二-第一命令CMD2/1可以移位并作為第二-第二命令CMD2/2存儲(chǔ)，并且第二輸入命令I(lǐng)N_CMD2可以作為新的第二-第一命令CMD2/1存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2中。

第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的次序信息O，并且請(qǐng)求第一邏輯地址的讀取操作R1。

由于第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3包含次序信息O，所以第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3必須輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。此時(shí)，由于第一命令存儲(chǔ)單元1441在第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3輸入的時(shí)間點(diǎn)為空，所以第三輸入命令I(lǐng)N_CMD3可以作為第一-第一命令CMD1/1存儲(chǔ)至第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1中。

第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的順序信息S，并且請(qǐng)求第二邏輯地址的讀取操作R2。

由于第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4包含順序信息S，所以第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4必須輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442。此時(shí)，在第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有靈活信息CP的第二-第一命令CMD2/1和具有順序信息S的第二-第二命令CMD2/2可以從第二命令存儲(chǔ)單元1442的隊(duì)首HEAD2存儲(chǔ)。因此，第四輸入命令I(lǐng)N_CMD4可以在第二命令存儲(chǔ)單元1442中作為第二-第三命令CMD2/3存儲(chǔ)在第二-第二命令CMD2/2之后。

第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息的隊(duì)首信息H，并且請(qǐng)求第三邏輯地址的讀取操作R3。

由于第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5包含隊(duì)首信息H，所以第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5必須輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。此時(shí)，在第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有次序信息O的第一-第一命令CMD1/1存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1中。因此，已經(jīng)存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1中的第一-第一命令CMD1/1可以移位并作為第一-第二命令CMD1/2存儲(chǔ)，并且第五輸入命令I(lǐng)N_CMD5可以作為新的第一-第一命令CMD1/1存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1中。

第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6可以包含隊(duì)首信息H的優(yōu)先級(jí)信息，并且請(qǐng)求第四邏輯地址的讀取操作R4。

由于第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6包含隊(duì)首信息H，所以第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6必須輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。此時(shí)，在第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有隊(duì)首信息H的第一-第一命令CMD1/1和具有次序信息O的第一-第二命令CMD1/2可以從第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1存儲(chǔ)。因此，已經(jīng)從第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1存儲(chǔ)的第一-第一命令CMD1/1和第一-第二命令CMD1/2可以移位并作為第一-第二命令CMD1/2和第一-第三命令CMD1/3存儲(chǔ)，并且第六輸入命令I(lǐng)N_CMD6可以作為新的第一-第一命令CMD1/1存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1中。

第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7可以包含作為優(yōu)先級(jí)信息呃次序信息O，并且請(qǐng)求第五邏輯地址的讀取操作R5。

由于第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7包含次序信息O，所以第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7必須輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441。此時(shí)，在第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7輸入的時(shí)間點(diǎn)，具有隊(duì)首信息H的第一-第一命令CMD1/1和具有隊(duì)首信息H的第一-第二命令CMD1/2以及具有次序信息O的第一-第三命令CMD1/3可以從第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1存儲(chǔ)。因此，已經(jīng)從第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)首HEAD1存儲(chǔ)的第一-第一命令CMD1/1、第一-第二命令CMD1/2和第一-第三命令CMD1/3可以不移位，而第七輸入命令I(lǐng)N_CMD7可以作為新的第一-第四命令CMD1/4存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441的隊(duì)尾TAIL1中。

如上所述，其中從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>輸入至第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442的順序可以根據(jù)包含在輸入命令I(lǐng)N_CMD<1:7>的每個(gè)中的優(yōu)先級(jí)信息而變化。

具體地，與在某時(shí)間將多個(gè)輸入命令CMD<1:7>輸入至一個(gè)命令存儲(chǔ)單元1445的操作相比，根據(jù)圖13A和13B中的預(yù)設(shè)優(yōu)先級(jí)將從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令CMD<1:7>分配和存儲(chǔ)至第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442中的操作能夠更簡(jiǎn)單地管理多個(gè)輸入命令CMD<1:7>。

例如，如圖12A和12B所示，在某時(shí)間將從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令CMD<1:7>輸入命令存儲(chǔ)單元1445的操作期間，每當(dāng)具有請(qǐng)求強(qiáng)制改變順序的隊(duì)首信息H或者次序信息O的命令從主機(jī)102輸入時(shí)，具有靈活信息CP或順序信息S的優(yōu)先級(jí)信息的命令的存儲(chǔ)順序必須移位。

然而，在根據(jù)如圖13A和13B所示的預(yù)設(shè)優(yōu)先級(jí)將從主機(jī)102應(yīng)用的多個(gè)輸入命令CMD<1:7>分配并存儲(chǔ)至第一命令存儲(chǔ)單元1441和第二命令存儲(chǔ)單元1442中的操作期間，具有(請(qǐng)求強(qiáng)制改變順序的)隊(duì)首信息H或者次序信息O的命令可以僅存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中，并且具有靈活信息CP或者順序信息S的命令可以僅存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中。因此，與參考圖12A和12B描述的方法相比，能夠顯著減少存儲(chǔ)順序改變的頻率。

因此，參考圖13A和13B描述的方法可以比參考圖12A和12B描述的方法更有效地處理命令。

控制器130以如參考圖13A所描述的以鏈表的形式管理存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4的理由可能是存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4包含隊(duì)首信息H或者次序信息O。換言之，從隊(duì)首HEAD1至隊(duì)尾TAIL1存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令CMD1/1、CMD1/2、CMD1/3和CMD1/4可以通過(guò)基于靈活信息的強(qiáng)制順序的改變而已經(jīng)排列。因此，控制器130可能需要以鏈表的形式管理的命令，使得能夠根據(jù)存儲(chǔ)在第一命令存儲(chǔ)單元1441中的命令來(lái)順序執(zhí)行命令。

另一方面，控制器130以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3的理由可能是存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3包含靈活信息CP或者順序信息S。換言之，由于從隊(duì)首HEAD2至隊(duì)尾TAIL2存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3首先根據(jù)靈活信息排列但不強(qiáng)制排列，所以命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3能夠在需要時(shí)重新排列。因此，控制器130可能需要以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令，使得命令基本上根據(jù)存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的順序執(zhí)行命令并且能夠在需要時(shí)靈活管理。

具體地，現(xiàn)在將作為示例描述控制器130以樹(shù)表的形式管理存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的命令CMD2/1、CMD2/2和CMD2/3。

第一，在輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442的命令中，控制器130以比具有靈活信息CP的命令低的樹(shù)級(jí)別管理具有順序信息S的命令。在這種情況下，具有靈活信息CP的命令可以盡可能地優(yōu)先于具有順序信息S的命令執(zhí)行。

控制器130可以基于對(duì)應(yīng)于順序信息S的各個(gè)命令的邏輯地址值管理第二命令存儲(chǔ)單元1442中具有順序信息S的命令的樹(shù)表級(jí)別。即，當(dāng)存在多個(gè)具有順序信息S的命令時(shí)，控制器130可以恰當(dāng)?shù)毓芾砭哂许樞蛐畔的命令的樹(shù)表級(jí)別，并且確定其執(zhí)行順序。此時(shí)，控制器130可以基于多個(gè)具有順序信息S的命令輸入的順序排列樹(shù)表級(jí)別。然而，控制器130可以分別地基于對(duì)應(yīng)于多個(gè)具有順序信息S的命令的邏輯地址值排列樹(shù)表級(jí)別。

此外，控制器130可以基于對(duì)應(yīng)于靈活信息CP的各個(gè)命令的邏輯地址值管理第二命令存儲(chǔ)單元1442中具有靈活信息CP的命令的樹(shù)表級(jí)別。即，當(dāng)存在多個(gè)具有靈活信息CP的命令時(shí)，控制器130可以恰當(dāng)?shù)毓芾砭哂徐`活信息CP的命令的樹(shù)表級(jí)別，并且確定其執(zhí)行順序。此時(shí)，控制器130可以基于多個(gè)具有靈活信息CP的命令輸入的順序排列樹(shù)表級(jí)別。然而，控制器130可以分別地基于對(duì)應(yīng)于多個(gè)具有靈活信息CP的命令的邏輯地址值排列樹(shù)表級(jí)別。

當(dāng)?shù)诙畲鎯?chǔ)單元1442中的具有順序信息S的命令中的特定命令長(zhǎng)時(shí)間未執(zhí)行而以原樣忽略時(shí)，特定命令的執(zhí)行時(shí)間可能過(guò)度延遲。在這種情況下，主機(jī)102可以確定錯(cuò)誤發(fā)生。因此，在第二命令存儲(chǔ)單元1442中的具有順序信息S的命令中，即使預(yù)設(shè)時(shí)間經(jīng)過(guò)之后仍未執(zhí)行的命令的執(zhí)行順序必須受到控制，使得該命令優(yōu)先于具有靈活信息CP的命令執(zhí)行。因此，控制器130能夠?qū)⒌诙畲鎯?chǔ)單元1442中的具有順序信息S的命令中輸入至第二命令存儲(chǔ)單元1442之后的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)未執(zhí)行的命令傳輸至比具有靈活信息CP的命令低的樹(shù)表級(jí)別，以管理該命令。例如，當(dāng)在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)順序信息S的命令已經(jīng)存儲(chǔ)在第二命令存儲(chǔ)單元1442中時(shí)，在經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，順序信息S的命令可以設(shè)定為具有比輸入存儲(chǔ)器系統(tǒng)110的靈活信息CP的命令更高的優(yōu)先級(jí)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以檢查從主機(jī)輸入的多個(gè)命令的優(yōu)先級(jí)，并且根據(jù)檢查結(jié)果將具有比預(yù)設(shè)級(jí)別更低的優(yōu)先級(jí)的命令和具有比預(yù)設(shè)級(jí)別更高的優(yōu)先級(jí)的命令輸入兩個(gè)不同的命令隊(duì)列，以便管理所述命令。

通過(guò)該操作，能夠更簡(jiǎn)便地處理兩個(gè)命令隊(duì)列，由此提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)的命令處理速度。

盡管為了說(shuō)明的目的已經(jīng)描述了各種實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將明顯的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種改變和變型。

例如，上述實(shí)施例中使用的邏輯柵和晶體管的位置和類型可以根據(jù)輸入信號(hào)的極性以不同的方式設(shè)定。