專利名稱：Cmos芯片信息清除電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CMOS芯片信息清除電路。
背景技術(shù)：
通常利用電腦主板上的跳線來清除CMOS芯片信息或者恢復(fù)BIOS設(shè)置，使得用戶在忘記CMOS密碼或者BIOS設(shè)置無法啟動(dòng)電腦時(shí)可啟動(dòng)電腦。但跳線一般設(shè)置于機(jī)箱主板上，當(dāng)需要清除CMOS芯片信息時(shí)，需打開機(jī)箱找到清除CMOS數(shù)據(jù)的跳線位置，再進(jìn)行跳線操作，給用戶帶來極大的不便
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種能快速方便地清除CMOS芯片信息的CMOS芯片信息清除電路。一種CMOS芯片信息清除電路，用于清除安裝于主板上的CMOS芯片信息，該CMOS芯片信息清除電路包括一電池、第一至第五電阻、第一、第二場效應(yīng)管、第一、第二二極管及開關(guān)單元，該第一二極管的陽極連接一第一備用電源，該第一二極管的陰極與第二二極管的陰極連接，該第二二極管的陽極通過第一電阻與該電池的正極連接，該電池的負(fù)極接地，該第二二極管的陰極通過第二電阻連接至該第一場效應(yīng)管的漏極及該第二場效應(yīng)管的柵極，該第一場效應(yīng)管的柵極通過第三電阻連接一第二備用電源，該第一、第二場效應(yīng)管的源極接地，該第二二極管的陰極還依次通過第四電阻、開關(guān)單元及第五電阻連接至第二場效應(yīng)管的漏極，該第四電阻與開關(guān)單元之間的節(jié)點(diǎn)與CMOS芯片的數(shù)據(jù)復(fù)位端連接。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路通過操作開關(guān)即可方便清除CMOS芯片信息，避免現(xiàn)有技術(shù)中需打開機(jī)箱進(jìn)行跳線操作來清除CMOS芯片信息的缺陷。


圖I是本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路較佳實(shí)施方式的電路圖。主要元件符號(hào)說明
CMOS 芯片 110 電阻ITr5
電容Cl、d~
場效應(yīng)管 —Q1、Q2 二極管D1、D^~
開關(guān)_S1、S2
電池_BAT
第一備用電f 3. 3V—SB 第二備用電源|5V—SB
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路用于清除安裝于主板上的CMOS芯片10的信息,該CMOS芯片信息清除電路的較佳實(shí)施方式包括第一至第五電阻R1-R5、第一、第二電容C1、C2、第一、第二二極管D1、D2、第一、第二場效應(yīng)管Q1、Q2、開關(guān)S1、S2及電池BAT。該第一二極管Dl的陽極連接第一備用電源3. 3V_SB，該第一二極管Dl的陰極與第二二極管D2的陰極連接，該第二二極管D2的陽極通過第一電阻Rl與電池BAT的正極連接，該電池BAT的負(fù)極接地。第一二極管Dl的陰極還通過第二電阻R2連接至第一場效應(yīng)管Ql的漏極及第二場效應(yīng)管Q2的柵極，第一場效應(yīng)管Ql的柵極通過第三電阻R3連接第二備用電源5V_SB，第一、第二場效應(yīng)管Ql、Q2的源極均接地。第一二極管Dl的陰極還通過第一電容Cl接地。第一二極管Dl的陰極還依次通過第四電阻R4、第二電容C2接地，第四電阻R4與第二電容C2之間的節(jié)點(diǎn)N依次通過串聯(lián)連接的兩個(gè)開關(guān)S1、S2及第五電阻R5連接至第二場效應(yīng)管Q2的漏極，同時(shí)，該節(jié)點(diǎn)N還與CMOS芯片的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST連接。以下將介紹本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路的工作原理
在電腦或服務(wù)器上電時(shí)(即插上電源時(shí))，該第一、第二備用電源3. 3V_SB、5V_SB均輸出高電平，當(dāng)電腦或服務(wù)器掉電時(shí)(即拔掉電源插頭時(shí))，該第一、第二備用電源3. 3V_SB、5V_SB停止輸出(即被當(dāng)做低電平)。CMOS芯片10安裝于電腦或服務(wù)器的主板上，當(dāng)CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTSRST接收到低電平時(shí)，CMOS芯片10信息將被清除。當(dāng)電腦或服務(wù)器上電時(shí)，第一、第二備用電源3. 3V_SB、5V_SB輸出高電平，由于第一備用電源3. 3V_SB的電壓高于電池BAT的電壓，即使得第二二極管D2截止，該第一備用電源3. 3V_SB輸出的電壓還通過第四電阻R4輸出至CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST。同時(shí)，第一場效應(yīng)管Ql導(dǎo)通，使第二場效應(yīng)管Q2的柵極接地，進(jìn)而使第二場效應(yīng)管Q2截止。由于第二場效應(yīng)管Q2截止，因此即使按下開關(guān)S1、S2也不能使CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST接收到低電平信號(hào)。當(dāng)電腦或服務(wù)器掉電時(shí)，第一、第二備用電源3. 3V_SB、5V_SB停止輸出，即第一、第二備用電源3. 3V_SB、5V_SB為低電平，此時(shí)第一二極管Dl截止，第二二極管D2導(dǎo)通，第一場效應(yīng)管Ql截止，同時(shí)，該電池BAT依次通過電阻R1、第二二極管D2及第二電阻R2輸出電壓至第二場效應(yīng)管Q2的柵極，第二場效應(yīng)管Q2的柵極接收到高電平而導(dǎo)通。該電池BAT還依次通過第二二極管D2、第四電阻R4之后輸出電壓至CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST。此時(shí)，如果同時(shí)按下開關(guān)SI、S2，則CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST將通過第五電阻R5以及第二場效應(yīng)管Q2接地，此時(shí)，該CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST所接收的電壓值為第五電阻R5兩端的電壓值。本實(shí)施方式中，第五電阻R5相對(duì)于第一、第四電阻Rl、R4為小阻值電阻，即相對(duì)于第一電阻Rl及第四電阻R4兩端的電壓值，該第五電阻R5兩端的電壓接近于零，可作為低電平，從而使CMOS芯片10的數(shù)據(jù)復(fù)位端RTCRST接收到低電平信號(hào)，該CMOS芯片10信息即被清除。本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路的開關(guān)SI、S2設(shè)置于顯示器上，如此，便于操作人員隨時(shí)操作測(cè)試，而免去了每次都開機(jī)箱的麻煩，且兩個(gè)串聯(lián)設(shè)置的開關(guān)SI、S2需同時(shí)按下才會(huì)生效，可以防止誤操作。并且，當(dāng)電腦或服務(wù)器上電時(shí)，即使用戶同時(shí)按下兩個(gè)開關(guān)SI及S2，也不會(huì)將CMOS芯片10的信息清除，其可在主板通電時(shí)達(dá)到對(duì)CMOS芯片10信息的保護(hù)。
當(dāng)然，在其它實(shí)施方式中，開關(guān)SI、S2可以采用一個(gè)開關(guān)單元，該開關(guān)單元可以由一個(gè)開關(guān)或若干串聯(lián)連接的開關(guān)組成。針對(duì)第一、第二電容Cl、C2 :該第一、第二電容Cl、C2主要起到濾波的作用，在其它實(shí)施方式中，可以直接省略該第一、第二電容Cl、C2而不會(huì)影響本發(fā)明的功能。根據(jù)上面的描述可知，本發(fā)明CMOS芯片信息清除電路將開關(guān)S1、S2設(shè)置于顯示器上，解決了現(xiàn)有技術(shù)清除CMOS芯片10信息需要開機(jī)箱的缺陷；同時(shí)通過第一、第二場效應(yīng)管Q1、Q2的電子開關(guān)作用，在主板通電時(shí)達(dá)到對(duì)CMOS芯片10信息的保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種CMOS芯片信息清除電路，用于清除安裝于主板上的CMOS芯片信息，該CMOS芯片信息清除電路包括一電池、第一至第五電阻、第一、第二場效應(yīng)管、第一、第二二極管及開關(guān)單元，該第一二極管的陽極連接一第一備用電源，該第一二極管的陰極與第二二極管的陰極連接，該第二二極管的陽極通過第一電阻與該電池的正極連接，該電池的負(fù)極接地，該第二二極管的陰極通過第二電阻連接至該第一場效應(yīng)管的漏極及該第二場效應(yīng)管的柵極，該第一場效應(yīng)管的柵極通過第三電阻連接一第二備用電源，該第一、第二場效應(yīng)管的源極接地，該第二二極管的陰極還依次通過第四電阻、開關(guān)單元及第五電阻連接至第二場效應(yīng)管的漏極，該第四電阻與開關(guān)單元之間的節(jié)點(diǎn)與CMOS芯片的數(shù)據(jù)復(fù)位端連接。
2.如權(quán)利要求I所述的CMOS芯片信息清除電路，其特征在于該開關(guān)單元包括兩個(gè)串聯(lián)連接的開關(guān)。
3.如權(quán)利要求2所述的CMOS芯片信息清除電路，其特征在于該串聯(lián)連接的開關(guān)設(shè)置于與主板連接的顯示器上。
4.如權(quán)利要求I所述的CMOS芯片信息清除電路，其特征在于該CMOS芯片信息清除電路還包括一第一電容，該第二二極管的陰極通過該第一電容接地。
5.如權(quán)利要求I所述的CMOS芯片信息清除電路，其特征在于該CMOS芯片信息清除電路還包括一第二電容，該CMOS芯片的數(shù)據(jù)復(fù)位端通過該第二電容接地。
6.如權(quán)利要求I所述的CMOS芯片信息清除電路，其特征在于該第一備用電源為3.3V_SB電源，該第二備用電源為5V_SB電源。
全文摘要
一種CMOS芯片信息清除電路，包括一電池、第一至第五電阻、第一、第二場效應(yīng)管、第一、第二二極管及開關(guān)單元，該第一二極管的陽極連接一第一備用電源，該第一二極管的陰極與第二二極管的陰極連接，該第二二極管的陽極通過第一電阻與該電池連接，該第二二極管的陰極通過第二電阻連接至該第一場效應(yīng)管的漏極及該第二場效應(yīng)管的柵極，該第一場效應(yīng)管的柵極通過第三電阻連接一第二備用電源，該第一、第二場效應(yīng)管的源極接地，該第二二極管的陰極還通過第四電阻、開關(guān)單元及第五電阻連接至第二場效應(yīng)管的漏極，該第四電阻與開關(guān)單元之間的節(jié)點(diǎn)與CMOS芯片的數(shù)據(jù)復(fù)位端連接。該CMOS芯片信息清除電路可方便、快速清除CMOS芯片信息。
文檔編號(hào)G06F1/24GK102981585SQ20111026207
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者涂一新, 熊金良, 周海清 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司