電流產(chǎn)生器是用于產(chǎn)生可提供到其它電路的具有低可變性的電流的電路。使電流產(chǎn)生器所提供的電流對工藝、電壓或溫度(PVT)變化不敏感可為合意的。電組件的物理性質(zhì)可隨改變的溫度而改變。舉例來說，電阻器的電阻可隨增加的溫度而增加。如果電流產(chǎn)生器電路中包含電阻器，那么所述電阻器可致使輸出電流隨溫度改變而變化。運算放大器及晶體管可用于補償溫度變化。通常許多額外組件對于PVT補償是必要的。此可導(dǎo)致組件成本增加及電流產(chǎn)生器的布局面積增加。其還可增加電流產(chǎn)生器的電力消耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的實例性設(shè)備可包含：電壓產(chǎn)生器，其可經(jīng)配置以提供電壓；電流產(chǎn)生器，其可耦合到所述電壓產(chǎn)生器且可經(jīng)配置以基于來自所述電壓產(chǎn)生器的所述電壓而提供電流，其中所述電流產(chǎn)生器可包含具有可隨溫度增加而增加的性質(zhì)的第一組件及具有可隨溫度增加而減小的所述性質(zhì)的第二組件，其中所述第二組件可經(jīng)配置而以等于所述第一組件增加所述性質(zhì)的速率的速率減小所述性質(zhì)，且其中所述第二組件可匹配所述電壓產(chǎn)生器的電阻。

根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的實例性設(shè)備可包含：電壓產(chǎn)生器，其可經(jīng)配置以提供電壓；運算放大器，其可耦合到所述電壓產(chǎn)生器且可經(jīng)配置以在反相輸入處接收所述電壓；第一晶體管，所述第一晶體管的柵極可耦合到所述運算放大器的輸出；第二晶體管，所述第二晶體管的柵極可耦合到所述運算放大器的所述輸出；第一電阻，其可耦合到所述第一晶體管的漏極；第二電阻，其可耦合到所述第一晶體管的所述漏極，其中所述第二電阻、所述第一電阻及所述第一晶體管的所述漏極可進一步耦合到所述運算放大器的非反相輸入；及二極管，其可與所述第二電阻器串聯(lián)耦合，其中所述第二電阻及所述二極管可與可包含于所述電壓產(chǎn)生器中的電壓產(chǎn)生器二極管及電壓產(chǎn)生器電阻相匹配。

根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的實例性設(shè)備可包含：電壓產(chǎn)生器，其可包含運算放大器以及耦合到所述運算放大器的電壓產(chǎn)生器電阻及電壓產(chǎn)生器二極管，所述電壓產(chǎn)生器可經(jīng)配置以提供電壓；及電流產(chǎn)生器，其耦合到所述電壓產(chǎn)生器，其中所述電流產(chǎn)生器可經(jīng)配置以基于所述電壓而提供偏置電流；所述電流產(chǎn)生器可包含：第一組件，其包含可隨溫度增加而增加的第一電阻；及第二組件，其包含可隨溫度增加而減小的第二電阻，其中所述第二組件可經(jīng)配置而以等于所述第一組件增加所述第一電阻的速率的速率減小所述第二電阻，且其中所述第二組件可匹配所述電壓產(chǎn)生器電阻。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的設(shè)備的框圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電流產(chǎn)生器的電路圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電路中的電流在一溫度范圍內(nèi)的曲線圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的一部分的框圖。

具體實施方式

下文陳述某些細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的實施例的充分理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚，可在無這些特定細(xì)節(jié)的情況下實踐本發(fā)明的實施例。此外，本文中所描述的本發(fā)明的特定實施例是以實例方式提供且不應(yīng)用于將本發(fā)明的范圍限制于這些特定實施例。在其它實例中，未詳細(xì)展示眾所周知的電路、控制信號、時序協(xié)議及軟件操作以避免不必要地使本發(fā)明模糊。如本文中所使用，設(shè)備可指(舉例來說)集成電路、存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、電子裝置或系統(tǒng)、智能電話、平板計算機、計算機、服務(wù)器等。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包含電壓產(chǎn)生器105及電流產(chǎn)生器110的設(shè)備100的框圖。如本文中所使用，設(shè)備可指(舉例來說)集成電路、存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、電子裝置或系統(tǒng)、智能電話、平板計算機、計算機、服務(wù)器等。電壓產(chǎn)生器可將電壓Vin提供到電流產(chǎn)生器110。電流產(chǎn)生器110可至少部分地基于電壓Vin而提供輸出電流Iout。在一些實施例中，電流Iout可作為偏置電流提供到存儲器裝置的輸入緩沖器(未展示于圖1中)，或者電流Iout可提供到可使用電流作為輸入的另一電路。

電流產(chǎn)生器110可包含組件115a、115b，組件115a、115b對溫度改變做出相等但相反的響應(yīng)。這些組件的相等且相反響應(yīng)可允許電流Iout獨立于溫度。所述響應(yīng)可包含組件的性質(zhì)(舉例來說，電阻、電容及/或阻抗)的改變。其它組件性質(zhì)還可經(jīng)設(shè)計以對溫度改變做出響應(yīng)。

圖2圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例的電路200。電路200包含可用于先前與圖1一起描述且在圖1中圖解說明的電流產(chǎn)生器110及電壓產(chǎn)生器105的電流產(chǎn)生器210及電壓產(chǎn)生器205。電路200可提供獨立于溫度的輸出電流Iout。電流產(chǎn)生器210可從電壓產(chǎn)生器205接收電壓Vin。電壓Vin可由運算放大器(op-amp)235的反相輸入接收。運算放大器235的輸出可提供到晶體管240的柵極。晶體管240可為p溝道晶體管或其它晶體管類型。晶體管240的漏極可耦合到電阻260。電阻260可并聯(lián)耦合到支路280。支路280包含與二極管255串聯(lián)耦合的第二電阻250。二極管255耦合到電壓參考(舉例來說，接地)。晶體管240的漏極可進一步耦合到運算放大器235的非反相輸入?？稍谶\算放大器235的非反相輸入處測量電壓Vfb。第二晶體管245可耦合到晶體管240的柵極。第二晶體管245可為p溝道晶體管或其它晶體管類型。晶體管240、245的源極可耦合到電壓源。輸出電流Iout可由晶體管245提供。輸出電流Iout可為溫度獨立的，如下文將描述。

仍參考圖2，電壓產(chǎn)生器205可為本技術(shù)領(lǐng)域中已知的溫度獨立電壓產(chǎn)生器或新穎電壓產(chǎn)生器。在圖2中所圖解說明的電壓產(chǎn)生器205的實例性實施例中，電壓產(chǎn)生器205為帶隙電壓產(chǎn)生器。電阻204耦合到電阻212及運算放大器230的反相輸入。電阻204進一步耦合到運算放大器230的輸出及支路270，支路270包含電阻220及二極管225。電阻212耦合到運算放大器230的反相輸入且進一步耦合到二極管215。電阻220耦合到運算放大器230的非反相輸入及二極管225。電阻204、212、220的電阻的量值可經(jīng)選擇以提供電壓Vin的所要值。舉例來說，如果所要電壓Vin＝1.25V，那么電阻212可經(jīng)選擇為10KΩ，且電阻204、220可經(jīng)選擇為100KΩ。電流產(chǎn)生器210的支路280中的電阻250及二極管255可經(jīng)選擇以匹配電壓產(chǎn)生器205的支路270中的電阻220及二極管225。即，電阻250的電特性類似于電阻220的電特性，且二極管225的電特性類似于二極管255的電特性。此可允許Vfb等于Vin。在一些實施例中，支路280中的電阻250及二極管255與支路270中的電阻220及二極管225可具有相同電特性。

電阻250、260可表示電流產(chǎn)生器210的組件。電阻250、260可對應(yīng)于包含于圖1的電流產(chǎn)生器110中的組件115a、115b。電阻250的電阻可隨溫度增加而減小。此可致使跨越電阻250的電阻器電流Iptat隨溫度增加而增加。然而，可通過電阻260而防止輸出電流Iout響應(yīng)于電阻電流Iptat的改變而改變。與電阻250相比，電阻260的電阻可隨溫度增加而增加。此可致使跨越電阻260的電阻電流Ictat隨溫度增加而減小。

在一些實施例中，電阻250及二極管255對應(yīng)于組件115a。電阻250、260可對溫度改變做出類似響應(yīng)。跨越二極管255的電壓降可隨溫度改變而改變。舉例來說，跨越二極管255的電壓降可隨溫度增加而減小，且電阻250、260兩者的電阻可隨溫度增加而增加。響應(yīng)于溫度增加的跨越二極管255的電壓降的速率可使得電阻電流Iptat可隨溫度增加而增加。電阻電流Icat可隨溫度增加而減小，如先前段落中所描述。此可防止輸出電流Iout響應(yīng)于溫度改變而改變。

當(dāng)電阻電流Ictat的改變與電阻電流Iptat的改變速率相同但方向相反時，輸出電流Iout可在一溫度范圍內(nèi)為恒定的。此原理圖解說明于圖3中。在一溫度范圍內(nèi)圖解說明電阻電流Ictat及Iptat。雖然電阻電流Ictat及Iptat兩者均在所述溫度范圍內(nèi)變化，但電流Ictat與Iptat的和保持恒定，從而產(chǎn)生獨立于溫度的輸出電流Iout。

電阻260的電阻可經(jīng)選擇使得其隨溫度的電阻改變直接鏡像電阻250的電阻隨溫度的改變。電阻250及260可包含對溫度改變做出不同響應(yīng)的不同材料。針對電阻260所選擇的電阻值可取決于電阻250、260的材料性質(zhì)。舉例來說，電阻250可為100kΩ且致使電阻電流Iptat以0.35uA/100℃增加。電阻260可為p襯底中的N⁺摻雜的長路徑，通常稱為“Naa”電阻。電阻260可致使電阻電流Ictat以-1.6uA/100℃減小。當(dāng)電阻260的電阻是450KΩ時，電阻電流Ictat可抵消電阻電流Iptat。在一些實施例中，可用可調(diào)整電阻260制造電流產(chǎn)生器210。此可允許在制造電流產(chǎn)生器210之后按電阻250的性質(zhì)調(diào)諧電阻260的電阻?？勺鳛楫a(chǎn)品的制造過程的一部分而調(diào)整電阻260，或者可不調(diào)整電阻260以允許用戶在稍后時間調(diào)諧電阻260。

與其它溫度獨立電流產(chǎn)生器相比，電路200可消耗較少電力及布局面積。與其它電流產(chǎn)生器相比，電路200還可提供具有較小可變性的輸出電流。舉例來說，針對先前參考圖2所描述的實例的電阻值，電路200可消耗大約20uA的電流及200um x100um的布局面積。至少部分地基于針對電壓及電流產(chǎn)生器所選擇的組件，不同電流消耗及布局面積可為可能的。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的可含有電路200的存儲器的一部分的框圖。存儲器400包含存儲器單元陣列402，所述存儲器單元可為(舉例來說)易失性存儲器單元(例如，DRAM存儲器單元、SRAM存儲器單元等)、非易失性存儲器單元(例如，快閃存儲器單元、PCM單元等)或一些其它類型的存儲器單元。

存儲器400包含命令解碼器406，命令解碼器406通過命令總線408接收存儲器命令且在存儲器400內(nèi)產(chǎn)生對應(yīng)控制信號以執(zhí)行各種存儲器操作。命令解碼器406響應(yīng)于施加到命令總線408的存儲器命令以對存儲器陣列402執(zhí)行各種操作。舉例來說，使用命令解碼器406來產(chǎn)生用以從存儲器陣列402讀取數(shù)據(jù)及將數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列402的內(nèi)部控制信號。通過地址總線420將行地址信號及列地址信號施加到存儲器400且將其提供到地址鎖存器410。所述地址鎖存器接著輸出單獨列地址及單獨行地址。

通過地址鎖存器410分別將行地址及列地址提供到行地址解碼器422及列地址解碼器428。列地址解碼器428選擇對應(yīng)于相應(yīng)列地址的延伸穿過陣列402的位線。行地址解碼器422連接到字線驅(qū)動器424，字線驅(qū)動器424激活陣列402中的對應(yīng)于所接收行地址的相應(yīng)存儲器單元行。對應(yīng)于所接收列地址的選定數(shù)據(jù)線(例如，一或若干位線)耦合到讀取/寫入電路430以經(jīng)由輸入-輸出數(shù)據(jù)總線440將讀取數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)輸出緩沖器434。寫入數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)輸入緩沖器444及存儲器陣列讀取/寫入電路430施加到存儲器陣列402。存儲器可包含電路442，電路442為存儲器400的輸入緩沖器(例如輸入緩沖器444)提供偏置電流。舉例來說，電路442可包含圖2的電路200或根據(jù)所揭示的發(fā)明的實施例的任何電路。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進一步了解結(jié)合本文中所揭示的實施例所描述的各種說明性邏輯塊、配置、模塊、電路及算法步驟可實施為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計算機軟件或兩者的組合。上文已大體依據(jù)各種說明性組件、塊、配置、模塊、電路及步驟的功能性對其進行了描述。此種功能性是實施為硬件還是處理器可執(zhí)行指令取決于特定應(yīng)用及強加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。雖然所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式實施所描述功能性，但不應(yīng)將此類實施方案決策解釋為致使背離本發(fā)明的范圍。

提供所揭示實施例的先前描述以使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或使用所揭示實施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于明了對這些實施例的各種修改，且本文中所定義的原理可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下應(yīng)用于其它實施例。因此，本發(fā)明并非打算限制于本文中所展示的實施例，而是將被賦予與所附權(quán)利要求書所定義的原理及新穎特征相一致的最寬廣可能范圍。