一種與溫度無關(guān)的電流源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電流源，尤其涉及到與溫度無關(guān)的電流源。
【背景技術(shù)】
[0002]為了減少溫度對輸出電流的影響，設(shè)計了與溫度無關(guān)的電流源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在提供一種與溫度無關(guān)的電流源。
[0004]一種與溫度無關(guān)的電流源，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第一電阻和第六PMOS管:
[0005]所述第一 PMOS管的柵極接所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，漏極接所述第二 PMOS管的源極和所述第三PMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ;
[0006]所述第二 PMOS管的柵極接地，漏極接地，源極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第三PMOS管的柵極；
[0007]所述第三PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的源極，漏極接所述第四PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ；
[0008]所述第四PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，漏極接所述第三PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ;
[0009]所述第五PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，源極接電源電壓VCC ;
[0010]所述第一 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接地；
[0011]所述第二 NMOS管的柵極接所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極，漏極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極，源極接所述第三NMOS管的漏極；
[0012]所述第三NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第二 NMOS管的源極，源極接所述第一電阻的一端；
[0013]所述第一電阻的一端接所述第三NMOS管的源極，另一端接地；
[0014]所述第六PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第二NMOS管的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接電源電壓VCC。
[0015]所述第一 PMOS管、所述第二 PMOS管和所述第三PMOS管構(gòu)成啟動電路部分，所述第二 PMOS管的柵極通過所述第二 PMOS管的柵極接地而導(dǎo)通，有啟動電流傳給由所述第一NPN管、所述第二 NPN管、所述第三NPN管和所述第一電阻構(gòu)成電流源的核心部分，啟動電流通過所述第一 NPN管鏡像給所述第二 NPN管進(jìn)而使整個電流源開始工作，再通過所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反饋電路傳給電流源的核心部分；啟動電路提供啟動電流后，電流源正常工作后，由于所述第一 PMOS管導(dǎo)通使得所述第三PMOS管的柵極拉高，所述第三PMOS管的漏極就不會有電流流出，使啟動電路部分關(guān)閉；所述第一電阻上的電流是所述第一 NMOS管的閾值電壓除以所述第一電阻和所述第三NMOS管形成的RDS電阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS電阻呈正溫度系數(shù)，所述第一電阻就要設(shè)置負(fù)溫度系數(shù)的多晶POLY電阻，通過調(diào)節(jié)這兩個電阻的溫度系數(shù)達(dá)到零溫度系數(shù)；所述第一電阻上的電流再通過所述第五PMOS管鏡像給所述第六PMOS管電流10UT。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型的與溫度無關(guān)的電流源的電路圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說明。
[0018]一種與溫度無關(guān)的電流源，如圖1所示，包括第一 PMOS管101、第二 PMOS管102、第三 PMOS 管 103、第四 PMOS 管 104、第五 PMOS 管 105、第一 NMOS 管 106、第二 NMOS 管 107、第三NMOS管108、第一電阻109和第六PMOS管110:
[0019]所述第一 PMOS管101的柵極接所述第四PMOS管104的柵極和所述第五PMOS管105的柵極和漏極和所述第六PMOS管110的柵極和所述第二 NMOS管107的漏極，漏極接所述第二 PMOS管102的源極和所述第三PMOS管103的柵極，源極接電源電壓VCC ；
[0020]所述第二 PMOS管102的柵極接地，漏極接地，源極接所述第一 PMOS管101的漏極和所述第三PMOS管103的柵極；
[0021]所述第三PMOS管103的柵極接所述第一 PMOS管101的漏極和所述第二 PMOS管102的源極，漏極接所述第四PMOS管104的漏極和所述第一 NMOS管106的柵極和漏極和所述第二 NMOS管107的柵極，源極接電源電壓VCC ；
[0022]所述第四PMOS管104的柵極接所述第一 PMOS管101的柵極和所述第五PMOS管105的柵極和漏極和所述第六PMOS管110的柵極和所述第二 NMOS管107的漏極，漏極接所述第三PMOS管103的漏極和所述第一 NMOS管106的柵極和漏極和所述第二 NMOS管107的柵極，源極接電源電壓VCC ；
[0023]所述第五PMOS管105的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管101的柵極和所述第四PMOS管104的柵極和所述第六PMOS管110的柵極和所述第二 NMOS管107的漏極，源極接電源電壓VCC ；
[0024]所述第一 NMOS管106的柵極和漏極接在一起再接所述第三PMOS管103的漏極和所述第四PMOS管104的漏極和所述第二 NMOS管107的柵極，源極接地；
[0025]所述第二 NMOS管107的柵極接所述第三PMOS管103的漏極和所述第四PMOS管104的漏極和所述第一 NMOS管106的柵極和漏極，漏極接所述第一 PMOS管101的柵極和所述第四PMOS管104的柵極和所述第五PMOS管105的柵極和漏極和所述第六PMOS管110的柵極，源極接所述第三NMOS管108的漏極；
[0026]所述第三NMOS管108的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第二 NMOS管107的源極，源極接所述第一電阻109的一端；
[0027]所述第一電阻109的一端接所述第三NMOS管108的源極，另一端接地；
[0028]所述第六PMOS管110的柵極接所述第一 PMOS管101的柵極和所述第四PMOS管104的柵極和所述第五PMOS管105的柵極和漏極和所述第二 NMOS管107的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接電源電壓VCC。
[0029]所述第一 PMOS管101、所述第二 PMOS管102和所述第三PMOS管103構(gòu)成啟動電路部分，所述第二 PMOS管103的柵極通過所述第二 PMOS管102的柵極接地而導(dǎo)通，有啟動電流傳給由所述第一 NPN管106、所述第二 NPN管107、所述第三NPN管108和所述第一電阻109構(gòu)成電流源的核心部分，啟動電流通過所述第一 NPN管106鏡像給所述第二 NPN管107進(jìn)而使整個電流源開始工作，再通過所述第五PMOS管105和所述第四PMOS管104反饋電路傳給電流源的核心部分；啟動電路提供啟動電流后，電流源正常工作后，由于所述第一PMOS管101導(dǎo)通使得所述第三PMOS管103的柵極拉高，所述第三PMOS管103的漏極就不會有電流流出，使啟動電路部分關(guān)閉；所述第一電阻109上的電流是所述第一 NMOS管106的閾值電壓除以所述第一電阻109和所述第三NMOS管108形成的RDS電阻之和，由于所述第三NMOS管108形成的RDS電阻呈正溫度系數(shù)，所述第一電阻109就要設(shè)置負(fù)溫度系數(shù)的多晶POLY電阻，通過調(diào)節(jié)這兩個電阻的溫度系數(shù)達(dá)到零溫度系數(shù)；所述第一電阻109上的電流再通過所述第五PMOS管105鏡像給所述第六PMOS管110電流10UT。
【主權(quán)項】
1.一種與溫度無關(guān)的電流源，其特征在于:包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第一電阻和第六PMOS 管； 所述第一 PMOS管的柵極接所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，漏極接所述第二 PMOS管的源極和所述第三PMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ； 所述第二 PMOS管的柵極接地，漏極接地，源極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第三PMOS管的柵極； 所述第三PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的源極，漏極接所述第四PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ； 所述第四PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，漏極接所述第三PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ; 所述第五PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的漏極，源極接電源電壓VCC ; 所述第一 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接地；所述第二 NMOS管的柵極接所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極和所述第一 NMOS管的柵極和漏極，漏極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第五PM0s管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極，源極接所述第三NMOS管的漏極；所述第三NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第二 NMOS管的源極，源極接所述第一電阻的一端； 所述第一電阻的一端接所述第三NMOS管的源極，另一端接地； 所述第六PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和漏極和所述第二NMOS管的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接電源電壓VCC。
【專利摘要】本實用新型公開了一種與溫度無關(guān)的電流源。與溫度無關(guān)的電流源包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一電阻和第六PMOS管。利用本實用新型提供的與溫度無關(guān)的電流源能夠輸出與溫度無關(guān)的電流。
【IPC分類】G05F1/56
【公開號】CN204719588
【申請?zhí)枴緾N201520449218
【發(fā)明人】陶霞菲
【申請人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月24日