Sim卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種SIM卡加熱系統(tǒng)，包括用于給SIM卡加熱的加熱電路、用于檢測SIM附近溫度的環(huán)境溫度檢測電路和用于控制所述環(huán)境溫度檢測電路檢測環(huán)境溫度和根據(jù)檢測到的環(huán)境溫度控制所述加熱電路對(duì)SIM是否進(jìn)行加熱的GPRS模塊，SIM卡鄰近所述加熱電路和所述環(huán)境溫度檢測電路設(shè)置，所述環(huán)境溫度檢測電路和加熱電路連接所述GPRS模塊。本實(shí)用新型還公開了一種包括上述SIM卡加熱系統(tǒng)的通信裝置。
【專利說明】SIM卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及通信領(lǐng)域，尤其涉及一種適應(yīng)低溫環(huán)境的SM卡加熱系統(tǒng)及其通
IB 目.ο

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技發(fā)展，手機(jī)等無線設(shè)備在人們的工作和生活中得到廣泛應(yīng)用。然而，現(xiàn)有的通訊SIM卡在低溫環(huán)境下，如零下40°環(huán)境下會(huì)出現(xiàn)異常，導(dǎo)致設(shè)備不能正常工作。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠克服降低環(huán)境溫度并正常工作的SM卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置。
[0004]一種SM卡加熱系統(tǒng)，用于給SM卡加熱的加熱電路、用于檢測SM附近溫度的環(huán)境溫度檢測電路和用于控制所述環(huán)境溫度檢測電路檢測環(huán)境溫度和根據(jù)檢測到的環(huán)境溫度控制所述加熱電路對(duì)SM是否進(jìn)行加熱的GPRS模塊，SIM卡鄰近所述加熱電路和所述環(huán)境溫度檢測電路設(shè)置，所述環(huán)境溫度檢測電路和加熱電路連接所述GPRS模塊。
[0005]優(yōu)選的，還包括用于為上述電路提供電壓的電源。
[0006]優(yōu)選的，所述環(huán)境溫度檢測電路包括串聯(lián)的第一電阻和第二電阻，外部電壓經(jīng)過所述第一電阻和第二電阻接地，所述第一電阻是熱敏電阻。
[0007]優(yōu)選的，所述加熱電路包括第一開關(guān)、第二開關(guān)和加熱單元，所述第一開關(guān)的基極連接所述模塊，所述第一開關(guān)的集電極連接所述第二開關(guān)的閘極，發(fā)射極接地，所述第二開關(guān)的源極連接外部電壓，漏極經(jīng)由所述加熱單元接地，所述加熱單元包括多個(gè)并聯(lián)的功率電阻和電容，所述功率電阻和電容的一端連接所述第二開關(guān)的漏極，另一端接地。
[0008]優(yōu)選的，所述第一開關(guān)是P型晶體管，所述第二開關(guān)是N型晶體管。
[0009]優(yōu)選的，所述加熱單元的功率電阻的電阻值為75歐，所述第一電阻是1k的1%精度的熱敏電阻。
[0010]一種通信裝置，包括SIM卡加熱系統(tǒng)，所述SIM卡加熱系統(tǒng)用于給SIM卡加熱的加熱電路、用于檢測SIM附近溫度的環(huán)境溫度檢測電路和用于控制所述環(huán)境溫度檢測電路檢測環(huán)境溫度和根據(jù)檢測到的環(huán)境溫度控制所述加熱電路對(duì)SIM是否進(jìn)行加熱的GPRS模塊，SIM卡鄰近所述加熱電路和所述環(huán)境溫度檢測電路設(shè)置，所述環(huán)境溫度檢測電路和加熱電路連接所述GPRS模塊。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的SIM卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置包括加熱電路和環(huán)境溫度檢測電路，GPRS模塊根據(jù)環(huán)境溫度檢測電路檢測的環(huán)境溫度，當(dāng)環(huán)境溫度達(dá)到設(shè)定的溫度值時(shí)，GPRS模塊控制所述加熱電路對(duì)所述SIM范圍進(jìn)行加熱。本實(shí)用新型SIM卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置能夠檢測SM卡附近范圍內(nèi)的環(huán)境溫度，并在檢測到溫度降到預(yù)設(shè)溫度值時(shí)針對(duì)SM卡范圍進(jìn)行加熱，從而保證了 SM卡和整個(gè)系統(tǒng)以及通信裝置的正常工作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型SIM卡加熱系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖；
[0013]圖2是圖1所示環(huán)境溫度檢測電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3是圖1所示加熱電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0016]請(qǐng)參閱圖1，是本實(shí)用新型SIM卡加熱系統(tǒng)的一個(gè)較佳實(shí)施方式的方框示意圖，所述SM卡加熱系統(tǒng)包括GPRS模塊10、加熱電路20、環(huán)境溫度檢測電路30和電源40。所述加熱電路20連接所述GPRS模塊10，SM卡21鄰近所述加熱電路20和所述環(huán)境溫度檢測電路30設(shè)置。所述環(huán)境溫度檢測電路30連接所述GPRS模塊10。所述環(huán)境溫度檢測電路30檢測環(huán)境溫度，并將檢測結(jié)果發(fā)送到所述GPRS模塊10。所述電源40用于為上述電路提供電壓。
[0017]請(qǐng)參閱圖2，是所述環(huán)境溫度檢測電路30的電路結(jié)構(gòu)示意圖。所述環(huán)境溫度檢測電路30包括串聯(lián)的第一電阻RlO和第二電阻R20。外部電壓Vin經(jīng)過所述第一電阻RlO和第二電阻R20接地。其中，所述第一電阻RlO是熱敏電阻。當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，所述第一電阻RlO的電阻值發(fā)生變化，所述第一電阻RlO和第二電阻R20之間的電壓值Vo相應(yīng)變化。所述GPRS模塊10檢測所述電壓值Vo。當(dāng)環(huán)境溫度降低到預(yù)先設(shè)定的第一溫度值時(shí)，所述電壓值Vo達(dá)到相應(yīng)閾值，所述GPRS模塊檢測到電壓Vo達(dá)到閾值后發(fā)送控制指令到所述加熱電路20，打開所述加熱控制開關(guān)30并啟動(dòng)所述加熱電路20。
[0018]請(qǐng)參閱3，是所述加熱電路20的電路結(jié)構(gòu)示意圖。所述加熱電路20包括第一開關(guān)Q1、第二開關(guān)Q2和加熱單元210。所述第一開關(guān)Ql的基極連接所述GPRS模塊。所述第一開關(guān)Ql的集電極連接所述第二開關(guān)Q2的閘極，發(fā)射極接地。所述第二開關(guān)Q2的源極連接外部電壓VBAT，漏極經(jīng)由所述加熱單元210接地。所述加熱單元210包括多個(gè)并聯(lián)的功率電阻和電容，所述功率電阻和電容的一端連接所述第二開關(guān)Q2的漏極，另一端接地。所述外部電壓VBAT可以由所述電源50提供。
[0019]所述GPRS模塊控制所述加熱電路20加熱時(shí)，所述GPRS模塊施加控制信號(hào)VCTL到所述加熱電路20的第一開關(guān)Ql的控制端，在本實(shí)施方式中，所述第一開關(guān)Ql是P型晶體管，所述第二開關(guān)Q2是N型晶體管，所述VCTL是高電壓信號(hào)，所述第一開關(guān)Ql導(dǎo)通，所述第二開關(guān)Q2閘極接地，所述第二開關(guān)Q2導(dǎo)通，所述外部電壓VBAT經(jīng)由所述第二開關(guān)Q2施加到所述加熱單元210上。所述加熱單元210開始工作,所述加熱單元210的多個(gè)功率電阻發(fā)熱，從而起到SIM卡周圍小范圍環(huán)境加熱。當(dāng)SIM卡范圍內(nèi)被加熱到一定溫度時(shí)，所述環(huán)境溫度檢測電路30檢測到溫度上升到預(yù)先設(shè)定的第二溫度值時(shí)，所述GPRS模塊10控制所述加熱電路20停止工作。
[0020]在上述實(shí)施方式中，所述加熱單元210的功率電阻的電阻值為75歐。所述第一電阻RlO是1k的I %精度的熱敏電阻。所述GPRS模塊10控制所述環(huán)境溫度檢測電路30每間隔一段時(shí)間進(jìn)行環(huán)境溫度檢測。本實(shí)用新型還提供一種通信裝置，所述通信裝置包括上SIM卡加熱系統(tǒng)。
[0021]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型SM卡加熱系統(tǒng)及其通信裝置能夠檢測SIM卡附近范圍內(nèi)的環(huán)境溫度，并在檢測到溫度降到預(yù)設(shè)溫度值時(shí)針對(duì)SIM卡范圍進(jìn)行加熱，從而保證了 SM卡和整個(gè)系統(tǒng)以及通信裝置的正常工作。
[0022]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，用于給SIM卡加熱的加熱電路、用于檢測SIM附近溫度的環(huán)境溫度檢測電路和用于控制所述環(huán)境溫度檢測電路檢測環(huán)境溫度和根據(jù)檢測到的環(huán)境溫度控制所述加熱電路對(duì)SM是否進(jìn)行加熱的GPRS模塊，SIM卡鄰近所述加熱電路和所述環(huán)境溫度檢測電路設(shè)置，所述環(huán)境溫度檢測電路和加熱電路連接所述GPRS模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于為上述電路提供電壓的電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述環(huán)境溫度檢測電路包括串聯(lián)的第一電阻和第二電阻，外部電壓經(jīng)過所述第一電阻和第二電阻接地，所述第一電阻是熱敏電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱電路包括第一開關(guān)、第二開關(guān)和加熱單元，所述第一開關(guān)的基極連接所述模塊，所述第一開關(guān)的集電極連接所述第二開關(guān)的閘極，發(fā)射極接地，所述第二開關(guān)的源極連接外部電壓，漏極經(jīng)由所述加熱單元接地，所述加熱單元包括多個(gè)并聯(lián)的功率電阻和電容，所述功率電阻和電容的一端連接所述第二開關(guān)的漏極，另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述第一開關(guān)是P型晶體管，所述第二開關(guān)是N型晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SIM卡加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱單元的功率電阻的電阻值為75歐，所述第一電阻是10k的1%精度的熱敏電阻。
7.一種通信裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?6任一所述的SIM卡加熱系統(tǒng)。
【文檔編號(hào)】G05D23/24GK204087023SQ201320881555
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】戴盼 申請(qǐng)人:深圳市廣和通實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司