本發(fā)明屬于紅外焦平面測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置、其制作方法及串音測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

紅外輻射俗稱紅外線，是一種介于可見(jiàn)光和微波之間的電磁波，波長(zhǎng)范圍為0.78-1000μm，是一種人眼看不見(jiàn)的輻射，在絕對(duì)零度(-273℃)以上的物體都輻射紅外能量。紅外波段又可分為近紅外波段、中紅外波段、中遠(yuǎn)紅外波段、遠(yuǎn)紅外波段，波段范圍分別為0.78-3μm、3-6μm、6-20μm、20-1000μm。由于覆蓋了極寬的光譜區(qū)，所以包含了極其豐富的信息，成功地獲取這些信息可以為世界所用，造福世界。

紅外技術(shù)通常是指研究紅外輻射的產(chǎn)生、傳播、轉(zhuǎn)化、測(cè)量及其應(yīng)用的技術(shù)科學(xué)，經(jīng)過(guò)近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)的漫長(zhǎng)發(fā)展已經(jīng)形成了一支相對(duì)獨(dú)立的學(xué)科，廣泛應(yīng)用在軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、科學(xué)、通訊及空間遙感等領(lǐng)域，在紅外技術(shù)的眾多應(yīng)用中，軍事應(yīng)用顯得尤為突出，以紅外成像、紅外制導(dǎo)和紅外預(yù)警為主的軍用紅外技術(shù)，在現(xiàn)代及未來(lái)戰(zhàn)爭(zhēng)中都是很重要的戰(zhàn)術(shù)和戰(zhàn)略手段。

響應(yīng)波段在1μm～5μm的銻化銦(insb)探測(cè)器以其高靈敏和高可靠等優(yōu)點(diǎn)在導(dǎo)彈制導(dǎo)和紅外成像等軍民兩用領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。insb紅外焦平面探測(cè)器是通過(guò)銦柱將分別制作的insb芯片和roic讀出電路進(jìn)行倒焊互連和減薄減反而得到的。近年來(lái)，紅外焦平面陣列技術(shù)已經(jīng)呈現(xiàn)出規(guī)格越來(lái)越大、像元中心距越來(lái)越小以及多光譜探測(cè)應(yīng)用等越來(lái)越多等發(fā)展趨勢(shì)，隨著應(yīng)用的需要，焦平面陣列規(guī)模越來(lái)越大，焦平面陣列像元尺寸卻越來(lái)越小，相鄰元之間的串?dāng)_也就變得更加突出，串音是指本應(yīng)在某一特定探測(cè)單元中(光子或電子)信號(hào)轉(zhuǎn)移到另外一個(gè)探測(cè)單元中的現(xiàn)象，在紅外成像系統(tǒng)中，串音會(huì)使圖像的清晰度降低，導(dǎo)致系統(tǒng)性能衰減，光串音效應(yīng)就十分明顯，如火熱準(zhǔn)確、方便地測(cè)量出器件之間的這種互擾程度以便在工藝中找出相應(yīng)的解決辦法一直是紅外技術(shù)領(lǐng)域關(guān)注的熱門話題，傳統(tǒng)紅外探測(cè)器串音的測(cè)量方法通常是以相應(yīng)波段的小光點(diǎn)技術(shù)為基礎(chǔ)的，采用小光點(diǎn)技術(shù)測(cè)量光電器件串光效應(yīng)的方法如下：選擇兩個(gè)相鄰的光電探測(cè)器d1和d2，調(diào)節(jié)小光點(diǎn)使其照在元件d2上，這時(shí)測(cè)得元件d1上的光電響應(yīng)信號(hào)為s1，然后移動(dòng)小光點(diǎn)使其找到元件d1上，這時(shí)測(cè)量出元件d1上的光電響應(yīng)信號(hào)為s2，兩個(gè)光電響應(yīng)信號(hào)之比s1/s2便是器件d1和d2之間的串音程度。

但是，當(dāng)利用現(xiàn)有的焦平面探測(cè)器串音測(cè)試方法小光點(diǎn)法來(lái)測(cè)試小像元焦平面探測(cè)器的串音時(shí)，發(fā)現(xiàn)串音測(cè)試值比正常值大一個(gè)數(shù)量級(jí)，利用現(xiàn)有的常規(guī)測(cè)試方法無(wú)法測(cè)試出焦平面探測(cè)器串音，小像元焦平面探測(cè)器串音測(cè)試方法的缺失，導(dǎo)致無(wú)法對(duì)器件性能作出完整評(píng)價(jià)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置、其制作方法及串音測(cè)試方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)不易測(cè)試小像元焦平面探測(cè)器串音的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作方法，步驟如下：

1)利用光刻工藝在基片上制作至少一個(gè)最小單元圖形，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元；

2)對(duì)所述最小單元圖形的外圍探測(cè)單元鍍不透光層，以使外圍探測(cè)單元為不透光，中心探測(cè)單元為透光，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

本發(fā)明還提供了一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作方法，步驟如下：

在基片上制作不透光層，利用激光或飛秒激光在所述不透光層上制作至少一個(gè)最小單元圖形，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，使所述最小單元圖形的中心探測(cè)單元為透光的，外圍探測(cè)單元為不透光的，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

本發(fā)明還提供了一種探測(cè)器串音測(cè)試方法，包括如下步驟：

(1)在基片上制作探測(cè)器串音測(cè)試裝置；

(2)將制作好的探測(cè)器串音測(cè)試裝置放置在焦平面探測(cè)器的前面，使所述測(cè)試裝置的中心探測(cè)單元與焦平面探測(cè)器的光敏元對(duì)準(zhǔn)；

(3)采用黑體測(cè)試，根據(jù)各光敏元的電壓響應(yīng)值計(jì)算焦平面探測(cè)器的串音。

進(jìn)一步地，所述探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作步驟為：利用光刻工藝在基片上制作至少一個(gè)最小單元圖形，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元；對(duì)所述最小單元圖形的外圍探測(cè)單元鍍不透光層，以使外圍探測(cè)單元為不透光，中心探測(cè)單元為透光，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

進(jìn)一步地，所述探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作步驟為：在基片上制作不透光層，利用激光或飛秒激光在所述不透光層上制作至少一個(gè)最小單元圖形，所述最小單元圖形中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，使所述最小單元圖形的中心探測(cè)單元為透光的，外圍探測(cè)單元為不透光的，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

本發(fā)明還提供了一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置，包括在基片上制作的至少一個(gè)最小單元圖形，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，所述中心探測(cè)單元為全透光，所述外圍探測(cè)單元鍍有不透光層。

進(jìn)一步地，各最小單元圖形按照設(shè)定的結(jié)構(gòu)重復(fù)排列。

進(jìn)一步地，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和中心探測(cè)單元周圍兩圈的8個(gè)外圍探測(cè)單元。

進(jìn)一步地，所述最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和中心探測(cè)單元周圍兩圈的24個(gè)外圍探測(cè)單元。

進(jìn)一步地，所述不透光層是通過(guò)真空鍍膜機(jī)鍍不透光膜或在所述基片背面涂黑漆實(shí)現(xiàn)的。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明的一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作方法，在基片上制作至少一個(gè)最小單元圖形，其外圍探測(cè)單元為不透光，中心探測(cè)單元為透光，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置，使探測(cè)器之間的串音很容易獲得，能夠?qū)ζ骷阅茏鞒鐾暾u(píng)價(jià)。

本發(fā)明的探測(cè)器串音測(cè)試方法，將制作好的探測(cè)器串音測(cè)試裝置放置在焦平面探測(cè)器的前面，使中心探測(cè)單元與焦平面探測(cè)器的光敏元對(duì)準(zhǔn)；采用黑體測(cè)試，根據(jù)各光敏元的電壓響應(yīng)值計(jì)算焦平面探測(cè)器的串音。本發(fā)明的測(cè)試方法只有中心探測(cè)單元有響應(yīng)，使探測(cè)器之間的串音很容易獲得，能夠?qū)ζ骷阅茏鞒鐾暾u(píng)價(jià)。

本發(fā)明的探測(cè)器串音測(cè)試裝置，包括在基片上制作的至少一個(gè)最小單元圖形，最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，中心探測(cè)單元為全透光，外圍探測(cè)單元鍍有不透光層。使用本發(fā)明的串音測(cè)試裝置測(cè)試探測(cè)器的串音時(shí)，只有中心探測(cè)單元有響應(yīng)，使探測(cè)器之間的串音很容易獲得，能夠?qū)ζ骷阅茏鞒鐾暾u(píng)價(jià)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的焦平面探測(cè)器串音的測(cè)試方法的一種最小單元圖形示意圖；

圖2為本發(fā)明的焦平面探測(cè)器串音的測(cè)試方法的另一種最小單元圖形示意圖；

圖3為本發(fā)明的焦平面探測(cè)器的中心探測(cè)單元與探測(cè)器光敏元對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明：

本發(fā)明的一種探測(cè)器串音測(cè)試方法的實(shí)施例：

一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作方法，包括如下步驟：

s1、將寶石基片清洗干凈；

s2、在寶石基片表面旋涂az4330光刻膠；

s3、對(duì)寶石基片進(jìn)行光刻、烘烤、曝光、顯影等處理，制備至少一個(gè)最小單元圖形，最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元；

s4、將寶石基底放入真空鍍膜機(jī)，將真空抽到一定值，在外圍探測(cè)單元生長(zhǎng)不透光的金膜，或通過(guò)在寶石基片背面涂黑漆，以使外圍探測(cè)單元為不透光，中心探測(cè)單元為透光，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

本發(fā)明的探測(cè)器串音測(cè)試裝置的實(shí)施例：

一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置，包括在基片上制作的至少一個(gè)最小單元圖形，最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，中心探測(cè)單元為全透光，外圍探測(cè)單元鍍有不透光層，其中，不透光層是通過(guò)真空鍍膜機(jī)鍍不透光膜或在基片表面涂黑漆實(shí)現(xiàn)的。

本發(fā)明的一種探測(cè)器串音測(cè)試方法的實(shí)施例：

本發(fā)明還提供了一種探測(cè)器串音測(cè)試方法，包括如下步驟：

1、將寶石基片清洗干凈。

2、在寶石基片表面旋涂az4330光刻膠。

3、對(duì)寶石基片進(jìn)行光刻、烘烤、曝光、顯影等處理，制備至少一個(gè)最小單元圖形，最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元如圖1左邊的圖形所示。

4、將寶石基底放入真空鍍膜機(jī)，將真空抽到一定值，在外圍探測(cè)單元生長(zhǎng)不透光的金膜，或通過(guò)在寶石基片背面涂黑漆，以使外圍探測(cè)單元為不透光，中心探測(cè)單元為透光，如圖1右邊的圖形所示，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

5、將制作好的探測(cè)器串音測(cè)試裝置放置在焦平面探測(cè)器的前面，使面陣機(jī)構(gòu)的中心探測(cè)單元與焦平面探測(cè)器的光敏元對(duì)準(zhǔn)。

6、采用黑體測(cè)試，根據(jù)各光敏元的電壓響應(yīng)值計(jì)算焦平面探測(cè)器的串音。

本發(fā)明還提供了一種探測(cè)器串音測(cè)試裝置的制作方法，具體步驟為：在基片上制作不透光層(該不透光層可通過(guò)真空鍍膜機(jī)在寶石基片上鍍不透光層或在寶石基片背面涂黑漆)，利用激光或飛秒激光在不透光層上制作至少一個(gè)最小單元圖形，最小單元圖形包括中心探測(cè)單元和設(shè)置在中心探測(cè)單元周圍的外圍探測(cè)單元，使最小單元圖形的中心探測(cè)單元為透光的(利用激光或飛秒激光將中心探測(cè)單元的不透光層削蝕掉)，外圍探測(cè)單元為不透光的，以形成探測(cè)器串音測(cè)試裝置。

具體的，如圖3所示，以一個(gè)最小單元圖形為例，焦平面探測(cè)器的中心探測(cè)單元與探測(cè)器光敏元對(duì)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)示意圖，附圖3中的1表示金屬膜，2表示基片，3表示芯片，4表示光敏元，5表示讀出電路。將帶有圖形的基片應(yīng)用于焦平面探測(cè)器時(shí)，相比沒(méi)有基片圖形時(shí)單一的響應(yīng)區(qū)域，這種特殊結(jié)構(gòu)的基片可以使焦平面探測(cè)器的探測(cè)裝置只有中心探測(cè)單元有響應(yīng)，由于外圍探測(cè)單元為不透光的，所以光源照射到外圍探測(cè)單元時(shí)，入射光全部被反射回來(lái)，所以表面不會(huì)有載流子的移動(dòng)，仍然可以采用傳統(tǒng)的小光點(diǎn)測(cè)試方法測(cè)試小像元焦平面探測(cè)器的串音，采用黑體測(cè)試時(shí)，當(dāng)光源入射到光敏元，產(chǎn)生光電響應(yīng)時(shí)，焦平面探測(cè)器的各探測(cè)單元之間會(huì)產(chǎn)生串音，讀出電路讀出電壓響應(yīng)值，依據(jù)電壓響應(yīng)值得到焦平面探測(cè)器串音，達(dá)到了測(cè)試焦平面探測(cè)器串音的目的，且串音很容易獲得，提高了探測(cè)器的性能。

例如，當(dāng)小光點(diǎn)光源入射在第i行第j列像元中心時(shí)，測(cè)出像元的信號(hào)vs(i,j)，同時(shí)測(cè)出該像元上下左右四個(gè)相鄰像元的信號(hào)vs(i±1,j)與vs(i,j±1)，則該像元對(duì)四個(gè)相鄰像元的串音為：

本實(shí)施例的最小單元圖形緊密重復(fù)排列形成面陣結(jié)構(gòu)作為基片圖形，作為其他實(shí)施方式，也可以按照需要進(jìn)行排列將形成面陣結(jié)構(gòu)作為基片圖形。

本實(shí)施例的最小單元圖形的外圍探測(cè)單元為8個(gè)，作為其他實(shí)施方式，最小單元圖形也可以包括中心探測(cè)單元周圍兩圈的24個(gè)探測(cè)單元，如圖2所示，還可以包括中心探測(cè)單元周圍大于兩圈的所有探測(cè)單元。

本實(shí)施例的中心探測(cè)單元也可以設(shè)置成部分透光，部分不透光，保證中心探測(cè)單元透光部分的尺寸小于等于像元尺寸。

以上給出了具體的實(shí)施方式，但本發(fā)明不局限于以上所描述的實(shí)施方式。本發(fā)明的基本思路在于上述基本方案，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，設(shè)計(jì)出各種變形的模型、公式、參數(shù)并不需要花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)。在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行的變化、修改、替換和變型仍落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。