本實(shí)用新型涉及一種芯片測(cè)試夾具，本實(shí)用新型尤其是涉及一種IGBT及FRD芯片動(dòng)態(tài)測(cè)試夾具。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，因IGBT芯片從研發(fā)、設(shè)計(jì)、工藝定型、芯片封裝到最終的產(chǎn)品使用，這個(gè)過程周期長(zhǎng)、效率低、問題多，這些都會(huì)對(duì)新產(chǎn)品的研發(fā)定型或產(chǎn)品優(yōu)化帶來不可避免的麻煩。為了加快產(chǎn)品的研發(fā)、優(yōu)化速度并對(duì)封裝的產(chǎn)品提前做好相關(guān)參數(shù)的測(cè)試，就會(huì)加快芯片器件設(shè)計(jì)、優(yōu)化的效率。目前國(guó)內(nèi)對(duì)芯片級(jí)的測(cè)試只是出于靜態(tài)測(cè)試，動(dòng)態(tài)測(cè)試還處于盲區(qū)，因此就需要一種能夠提供高效、安全、精準(zhǔn)測(cè)試的芯片動(dòng)態(tài)模塊測(cè)試夾具。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種可以進(jìn)行高效、安全且精準(zhǔn)測(cè)試的IGBT及FRD芯片動(dòng)態(tài)測(cè)試夾具。

按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述IGBT及FRD芯片動(dòng)態(tài)測(cè)試夾具，在殼體內(nèi)固定有隔板，在隔板上開設(shè)有抽氣口，在隔板上設(shè)有芯片吸腔，在芯片吸腔的上腔板上開設(shè)有負(fù)壓吸口，隔板上方的殼體上安裝有惰性氣體輸入接口、惰性氣體輸出接口與負(fù)母排端口，在芯片吸腔上方設(shè)有可插拔測(cè)試探針與柵極測(cè)試探針，可插拔測(cè)試探針的連接線從負(fù)母排端口接出，在隔板下方的殼體上安裝有抽氣管、正母排端口與通訊控制保護(hù)接口，正母排端口的連接線接在芯片吸腔的上腔板上，抽氣管通過抽氣口與芯片吸腔相連，在隔板下方的殼體內(nèi)設(shè)有驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)板與柵極測(cè)試探針相連，由驅(qū)動(dòng)板的平移帶動(dòng)?xùn)艠O測(cè)試探針的平移，在隔板下方設(shè)有陪測(cè)功率器件，在陪測(cè)功率器件上安裝有第一負(fù)載電感插孔與第二負(fù)載電感插孔。

在所述芯片吸腔上方設(shè)有第一可調(diào)刻度盤、長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿與連接桿，長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿的上端部安裝在第一可調(diào)刻度盤上，連接桿轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿的下端部，可插拔測(cè)試探針安裝在連接桿的下端部。

在所述隔板上方的殼體內(nèi)設(shè)有第二可調(diào)刻度盤，柵極測(cè)試探針與第二可調(diào)刻度盤相連，第二可調(diào)刻度盤與驅(qū)動(dòng)板相連。

本實(shí)用新型可以在不同溫度下，根據(jù)不同電壓電流等級(jí)的IGBT芯片調(diào)整不同的測(cè)試探針來安全、可靠、測(cè)試芯片，根據(jù)測(cè)試的結(jié)果分析，從而加快芯片研發(fā)、優(yōu)化的速度。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

該IGBT及FRD芯片動(dòng)態(tài)測(cè)試夾具，在殼體20內(nèi)固定有隔板19，在隔板19上開設(shè)有抽氣口，在隔板19上設(shè)有芯片吸腔4，在芯片吸腔4的上腔板上開設(shè)有負(fù)壓吸口，隔板19上方的殼體上安裝有惰性氣體輸入接口11、惰性氣體輸出接口12與負(fù)母排端口15，在芯片吸腔4上方設(shè)有可插拔測(cè)試探針5與柵極測(cè)試探針7，可插拔測(cè)試探針5的連接線從負(fù)母排端口15接出，在隔板19下方的殼體20上安裝有抽氣管18、正母排端口14與通訊控制保護(hù)接口13，正母排端口14的連接線接在芯片吸腔4的上腔板上，抽氣管18通過抽氣口與芯片吸腔4相連，在隔板19下方的殼體20內(nèi)設(shè)有驅(qū)動(dòng)板3，驅(qū)動(dòng)板3與柵極測(cè)試探針7相連，由驅(qū)動(dòng)板3的平移帶動(dòng)?xùn)艠O測(cè)試探針7的平移，在隔板19下方設(shè)有陪測(cè)功率器件2，在陪測(cè)功率器件2上安裝有第一負(fù)載電感插孔16.1與第二負(fù)載電感插孔16.2。

在所述芯片吸腔4上方設(shè)有第一可調(diào)刻度盤9、長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿8與連接桿17，長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿8的上端部安裝在第一可調(diào)刻度盤9上，連接桿17轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿8的下端部，可插拔測(cè)試探針5安裝在連接桿17的下端部。

在所述隔板19上方的殼體20內(nèi)設(shè)有第二可調(diào)刻度盤10，柵極測(cè)試探針7與第二可調(diào)刻度盤10相連，第二可調(diào)刻度盤10與驅(qū)動(dòng)板3相連。

本實(shí)用新型的測(cè)試夾具除了具備溫度可調(diào)之外，更重要的是測(cè)試測(cè)試平臺(tái)可以對(duì)不同電壓、電流等級(jí)、不同芯片面積的IGBT或FRD芯片進(jìn)行短路或雙脈沖測(cè)試。在進(jìn)行短路或雙脈沖測(cè)試前根據(jù)芯片電壓、電流等級(jí)及芯片大小調(diào)節(jié)可插拔測(cè)試探針5的位置，甚至可以更換可插拔測(cè)試探針5，并且在可插拔測(cè)試探針5選擇完畢后，若還不能對(duì)待測(cè)試芯片1進(jìn)行可靠的測(cè)試，如接觸壓力大小等，那么可以利用第一可調(diào)刻度盤9進(jìn)行調(diào)節(jié)，根據(jù)需要把第一可調(diào)刻度盤9分成2n份，先粗調(diào)，然后根據(jù)刻度盤細(xì)調(diào)，直至達(dá)到需要的位置，最后固定；

長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿8，可以通過調(diào)節(jié)其長(zhǎng)短，來達(dá)到接觸甚至可靠壓接的要求；第一可調(diào)刻度盤9的作用主要在可插拔測(cè)試探針5、連接桿17、長(zhǎng)度可調(diào)刻度桿8固定后，然后再根據(jù)測(cè)試要求適度調(diào)整最終固定第一可調(diào)刻度盤9的位置；柵極測(cè)試探針7具有彈性形變要求，主要是在測(cè)試時(shí)對(duì)待測(cè)試芯1片接觸較緊；第二可調(diào)刻度盤10所起的作用和第一可調(diào)刻度盤9所起的作用一致。

在DBC上對(duì)IGBT芯片進(jìn)行測(cè)試前，把測(cè)試平臺(tái)和相關(guān)的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)設(shè)備連接，然后利用相關(guān)的測(cè)試程序?qū)GBT芯片進(jìn)行測(cè)試，通過測(cè)試把測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存，然后對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析總結(jié)，最后達(dá)到優(yōu)化器件設(shè)計(jì)的目的。