本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種測(cè)試板以及裂紋檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

目前，基板中的阻擋層通常采用沉積氮化硅材料(SiNx)和氧化硅材料(SiOx)的方式形成，但是，由于SiNx和SiOx均為無機(jī)材料，在基板彎折的過程中阻擋層容易產(chǎn)生裂縫(crack)。此外，為了防止水氧通過接觸孔(pin hole)滲入OLED器件內(nèi)部，需要SiNx和SiOx具有一定的厚度以達(dá)到阻水阻氧的作用，而SiNx和SiOx膜層厚度的增加，又進(jìn)一步加劇了阻擋層產(chǎn)生裂縫的可能性，因此，及時(shí)的檢測(cè)發(fā)現(xiàn)阻擋層上是否存在裂紋，有利于OLED器件的生產(chǎn)良率。

現(xiàn)有技術(shù)中檢測(cè)裂紋的方法為通過在制備柔基板過程中，在與所述阻擋層相鄰的位置設(shè)置一裂縫檢測(cè)層，通過利用裂縫檢測(cè)層在通電狀態(tài)下，對(duì)產(chǎn)生裂縫的阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的阻擋層呈現(xiàn)的顏色不同來判斷阻擋層是否存在裂紋。

但是，現(xiàn)有的檢測(cè)裂紋的方法僅僅局限于獲知裂紋是否存在，對(duì)于裂紋的尺寸及裂紋的位置等信息一無所知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種測(cè)試板以及裂紋檢測(cè)裝置，以彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中檢測(cè)裂紋的方法無法對(duì)裂紋的尺寸及裂紋的位置進(jìn)行檢測(cè)確認(rèn)的不足。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種測(cè)試板，用于檢測(cè)一待測(cè)基板的裂紋，所述測(cè)試板包括一用于感應(yīng)所述待測(cè)基板應(yīng)力的應(yīng)變區(qū)域，所述應(yīng)變區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變單元，至少所述應(yīng)變區(qū)域?yàn)槿嵝?，所述?yīng)變區(qū)域的柔軟度大于所述待測(cè)基板的柔軟度。

進(jìn)一步的，在所述測(cè)試板中，每個(gè)所述應(yīng)變單元包括至少一個(gè)靈敏柵。

進(jìn)一步的，在所述測(cè)試板中，所述應(yīng)變單元包括第一方向靈敏柵、第二方向靈敏柵、第三方向靈敏柵，所述第一方向靈敏柵和第二方向靈敏柵相互垂直，所述第三方向靈敏柵與所述第一方向靈敏柵和第二方向靈敏柵的夾角均為45°。

進(jìn)一步的，在所述測(cè)試板中，所述測(cè)試板還包括多個(gè)第一靈敏柵連接端和多個(gè)第二靈敏柵連接端，所述靈敏柵的兩端分別連接一個(gè)所述第一靈敏柵連接端和一個(gè)所述第二靈敏柵連接端。

進(jìn)一步的，在所述測(cè)試板中，所述測(cè)試板還包括一電路區(qū)域，所述電路區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變測(cè)量電路，所述應(yīng)變測(cè)量電路包括第一連接端和第二連接端以及輸出端，每個(gè)所述靈敏柵的兩端分別連接一所述應(yīng)變測(cè)量電路的第一連接端和第二連接端。

進(jìn)一步的，在所述測(cè)試板中，所述應(yīng)變測(cè)量電路還包括第三連接端和第四連接端，所述第二連接端和第三連接端之間接入一第一電阻，所述第三連接端和第四連接端之間接入一第二電阻，所述第四連接端和第一連接端之間接入一第三電阻，所述第二連接端和第四連接端之間接入一驅(qū)動(dòng)電源，所述第一連接端和第三連接端之間形成所述輸出端。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一面，還提供一種裂紋檢測(cè)裝置，包括：

如上任意一項(xiàng)所述的測(cè)試板；

用于檢測(cè)所述靈敏柵應(yīng)變情況的信號(hào)處理器，所述信號(hào)處理器的輸入端與所述靈敏柵的兩端電連接；以及

微處理器，所述微處理器的一輸入端連接所述信號(hào)處理器的輸出端。

進(jìn)一步的，在所述裂紋檢測(cè)裝置中，所述待測(cè)基板通過膠粘貼在所述應(yīng)變區(qū)域上。

進(jìn)一步的，在所述裂紋檢測(cè)裝置中，所述測(cè)試板還包括多個(gè)第一靈敏柵連接端和多個(gè)第二靈敏柵連接端，所述靈敏柵的兩端分別連接一個(gè)所述第一靈敏柵連接端和一個(gè)所述第二靈敏柵連接端；所述信號(hào)處理器包括多個(gè)第一輸入端和多個(gè)第二輸入端，每個(gè)所述第一輸入端對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述第一靈敏柵連接端，每個(gè)所述第二輸入端對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述第二靈敏柵連接端。

進(jìn)一步的，在所述裂紋檢測(cè)裝置中，所述測(cè)試板還包括一電路區(qū)域，所述電路區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變測(cè)量電路，所述應(yīng)變測(cè)量電路包括第一連接端和第二連接端以及輸出端，每個(gè)所述靈敏柵的兩端分別連接一所述應(yīng)變測(cè)量電路的第一連接端和第二連接端；所述信號(hào)處理器包括多個(gè)電路連接端，每個(gè)所述電路連接端對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述應(yīng)變測(cè)量電路的輸出端。

本實(shí)用新型提供的測(cè)試板具有以下優(yōu)點(diǎn)：

在本實(shí)用新型提供的測(cè)試板中，所述測(cè)試板包括一用于檢測(cè)一待測(cè)基板的裂紋，所述測(cè)試板包括一用于感應(yīng)所述待測(cè)基板應(yīng)力的應(yīng)變區(qū)域，所述應(yīng)變區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變單元，至少所述應(yīng)變區(qū)域?yàn)槿嵝裕鰬?yīng)變區(qū)域的柔軟度大于所述待測(cè)基板的柔軟度。當(dāng)將一待測(cè)基板放置于所述應(yīng)變區(qū)域上時(shí)，向所述待測(cè)基板施加應(yīng)力，位于所述應(yīng)變區(qū)域上的各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力不同，各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力影響各所述應(yīng)變單元的阻值，通過測(cè)量所述應(yīng)變單元的阻值變化，從而可以得到位于所述應(yīng)變區(qū)域上的各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力，并得到裂紋的尺寸及裂紋的位置的信息，滿足實(shí)際生產(chǎn)中對(duì)于基板的裂紋檢測(cè)需求，有利于及時(shí)發(fā)現(xiàn)基板的缺陷，以提高OLED等器件的產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為一基板出現(xiàn)圓洞裂紋時(shí)的應(yīng)力分布示意圖；

圖2為一基板出現(xiàn)條形裂紋時(shí)的應(yīng)力分布示意圖；

圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例的測(cè)試板與待測(cè)基板粘貼時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例的測(cè)試板的俯視圖；

圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例的應(yīng)變單元的俯視圖；

圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例的裂紋檢測(cè)裝置的電路示意圖；

圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例的測(cè)試結(jié)果的示意圖；

圖8為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的測(cè)試板的俯視圖；

圖9為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的應(yīng)變測(cè)量電路的俯視圖；

圖10為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的裂紋檢測(cè)裝置的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

發(fā)明人對(duì)現(xiàn)有技術(shù)研究發(fā)現(xiàn)，如果一基板出現(xiàn)裂紋，則對(duì)所述基板施加均布載荷時(shí)，所述基板的部分區(qū)域會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力集中的現(xiàn)象。如圖1所示，當(dāng)一基板出現(xiàn)圓洞裂紋時(shí)，向?qū)λ龌迨┘泳驾d荷(在圖1中施加壓應(yīng)力σ1)時(shí)，應(yīng)力在圓洞裂紋的邊緣出現(xiàn)應(yīng)力集中，其中，σ1x表示x方向的應(yīng)力分布，σ1y表示y方向的應(yīng)力分布，x方向和y方向相互垂直。如圖2所示，當(dāng)一基板出現(xiàn)條形裂紋時(shí)，向?qū)λ龌迨┘泳驾d荷(在圖2中施加壓應(yīng)力σ2)時(shí)，應(yīng)力在圓洞裂紋的邊緣出現(xiàn)應(yīng)力集中，其中，σ2x表示x方向的應(yīng)力分布，σ2y表示y方向的應(yīng)力分布，x方向和y方向相互垂直。

發(fā)明人進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，如果在基板的一側(cè)粘貼一可以檢測(cè)基板應(yīng)力分布的測(cè)試板，則可以根據(jù)所述應(yīng)力分布的情況得到裂紋的位置以及形狀。

根據(jù)上述研究，發(fā)明人提出一種測(cè)試板，所述測(cè)試板包括一用于檢測(cè)一待測(cè)基板的裂紋，所述測(cè)試板包括一用于感應(yīng)所述待測(cè)基板應(yīng)力的應(yīng)變區(qū)域，所述應(yīng)變區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變單元，至少所述應(yīng)變區(qū)域?yàn)槿嵝?，所述?yīng)變區(qū)域的柔軟度大于所述待測(cè)基板的柔軟度。當(dāng)將一待測(cè)基板放置于所述應(yīng)變區(qū)域上時(shí)，向所述待測(cè)基板施加應(yīng)力，位于所述應(yīng)變區(qū)域上的各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力不同，各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力影響各所述應(yīng)變單元的阻值，通過測(cè)量所述應(yīng)變單元的阻值變化，從而可以得到位于所述應(yīng)變區(qū)域上的各所述應(yīng)變單元所受的應(yīng)力，并得到裂紋的尺寸及裂紋的位置的信息，滿足實(shí)際生產(chǎn)中對(duì)于基板的裂紋檢測(cè)需求，有利于及時(shí)發(fā)現(xiàn)基板的缺陷，以提高OLED等器件的產(chǎn)品良率。

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的測(cè)試板進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋，而非對(duì)本申請(qǐng)的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本申請(qǐng)相關(guān)的部分。

如圖3所示，所述測(cè)試板100用于檢測(cè)一待測(cè)基板11的裂紋，其中，所述待測(cè)基板11可以是OLED基板、LED基板或玻璃基板等基板，所述待測(cè)基板11可以是硬性基板或柔性基板。

如圖4所示，在本實(shí)施例中，整個(gè)所述測(cè)試板100都是柔性的，即整個(gè)所述測(cè)試板100都是應(yīng)變區(qū)域，所述應(yīng)變區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)用于感應(yīng)應(yīng)力的應(yīng)變單元110，所述應(yīng)變單元110可以是應(yīng)變片。在本實(shí)施例中，多個(gè)所述應(yīng)變單元110在所述應(yīng)變區(qū)域陣列排列，以準(zhǔn)確地測(cè)量應(yīng)力分布。

如圖3所示，所述待測(cè)基板11粘貼在整個(gè)所述測(cè)試板100的一側(cè)，例如，所述待測(cè)基板11通過膠12粘貼在所述測(cè)試板100上。所述膠12可選的為可溶于水的膠，可以方便的將所述測(cè)試板100和所述待測(cè)基板11進(jìn)行組合和分離。較佳的，所述應(yīng)變區(qū)域的柔軟度大于所述待測(cè)基板11的柔軟度，即在本實(shí)施例中，所述測(cè)試板100的柔軟度大于所述待測(cè)基板11的柔軟度，以使得所述測(cè)試板100可以準(zhǔn)確、靈敏地反應(yīng)來自所述待測(cè)基板11的應(yīng)力。

其中，每個(gè)所述應(yīng)變單元110均包括至少一個(gè)靈敏柵，以用于感應(yīng)應(yīng)力。所述靈敏柵又稱敏感柵，一般采用直徑越為0.01mm-0.05mm的金屬電阻絲做成柵狀。在本實(shí)施例中，如圖5所示，所述應(yīng)變單元110包括第一方向靈敏柵111、第二方向靈敏柵112、第三方向靈敏柵111，所述第一方向靈敏柵111和第二方向靈敏柵112相互垂直，所述第三方向靈敏柵111與所述第一方向靈敏柵111和第二方向靈敏柵112的夾角均為45℃，以感測(cè)不同方向的應(yīng)力，提高測(cè)量的準(zhǔn)確性。具體的，所述第一方向靈敏柵111為90℃方向靈敏柵，所述第二方向靈敏柵112為0℃方向靈敏柵，所述第三方向靈敏柵111為45℃方向靈敏柵。

在本實(shí)施例中，所述測(cè)試板100還包括多個(gè)第一靈敏柵連接端和多個(gè)第二靈敏柵連接端，在圖4中，示意出了3個(gè)所述第一靈敏柵連接端101a、102a、103a和3個(gè)所述第二靈敏柵連接端101b、102b、103b，每個(gè)所述靈敏柵的兩端分別連接一個(gè)所述第一靈敏柵連接端和一個(gè)所述第二靈敏柵連接端。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，所述第一靈敏柵連接端和第二靈敏柵連接端的個(gè)數(shù)與所述靈敏柵的個(gè)數(shù)相匹配，并不限于圖4所示的情況。

在本實(shí)施例中，所述靈敏柵可以采用光刻-刻蝕的工藝在所述測(cè)試板100上形成。例如，在所述測(cè)試板100上沉積一導(dǎo)電層(如金屬層)，然后采用光刻工藝定義出靈敏柵的圖形，再通過刻蝕工藝將靈敏柵的圖形轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電層上，從而在所述測(cè)試板100上形成所述靈敏柵，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。在本實(shí)施例中，可以在制備所述靈敏柵的同時(shí)，制備連接所述靈敏柵與所述第一靈敏柵連接端和第二靈敏柵連接端之間的走線(例如導(dǎo)電線)。例如，在采用光刻工藝定義出靈敏柵的圖形的同時(shí)，定義出走線的圖形，再通過刻蝕工藝將走線的圖形轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電層上，從而在所述測(cè)試板100上形成所述走線，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。

本實(shí)用新型所提供裂紋檢測(cè)裝置1的電路原理圖如圖6所示，所述裂紋檢測(cè)裝置1包括測(cè)試板100、信號(hào)處理器120以及微處理器130，所述信號(hào)處理器120可以為應(yīng)變儀，所述微處理器130可以為計(jì)算機(jī)。在本實(shí)施例中，所述應(yīng)變儀的內(nèi)部具有測(cè)試電路，可以直接將所述測(cè)試板100的電阻變化轉(zhuǎn)化為電壓或電流數(shù)據(jù)。本實(shí)施例中的應(yīng)變儀為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解的，在此不再贅述。

具體的，在本實(shí)施例中，在圖6中，所述信號(hào)處理器120示意出3個(gè)第一輸入端121a、122a、123a和3個(gè)第二輸入端121b、122b、123b，3個(gè)第一輸入端121a、122a、123a依次與所述第一靈敏柵連接端101a、102a、103a連接，3個(gè)第二輸入端121b、122b、123b依次與所述第二靈敏柵連接端101b、102b、103b連接。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，所述第一輸入端和第二輸入端的個(gè)數(shù)分別與所述第一靈敏柵連接端和第二靈敏柵連接端的個(gè)數(shù)相匹配，并不限于圖6所示的情況。所述第一輸入端和第二輸入端與所述第一靈敏柵連接端和第二靈敏柵連接端之間可以通過焊接的方式連接，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。

所述微處理器130的一輸入端131(例如A/D端口)連接所述信號(hào)處理器120的輸出端129，以得到所述測(cè)試板100在不同位置的數(shù)據(jù)結(jié)果。此外，所述微處理器130的一端口(I/O端)可以連接一顯示單元140，將不同位置的數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行顯示。

在本實(shí)施例中，當(dāng)所述裂紋檢測(cè)裝置1進(jìn)行測(cè)試時(shí)，將所述待測(cè)基板11粘貼在所述應(yīng)變區(qū)域(在本實(shí)施例中為整個(gè)所述測(cè)試板100)的一側(cè)，然后向所述待測(cè)基板11施加應(yīng)力(可以是壓應(yīng)力或拉應(yīng)力，圖3中箭頭方向的應(yīng)力為壓應(yīng)力，反之為拉應(yīng)力)。所述待測(cè)基板11將所述應(yīng)力傳遞給所述測(cè)試板100。如果所述待測(cè)基板11存在裂紋，則所述待測(cè)基板11傳遞給所述測(cè)試板100的應(yīng)力會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力集中現(xiàn)象。從而使得部分所述靈敏柵的應(yīng)力大于其他部分所述靈敏柵，部分所述靈敏柵的電阻的變化較大，所述信號(hào)處理器120檢測(cè)出部分所述靈敏柵對(duì)應(yīng)位置的電壓或電流(本實(shí)施例為電壓)相對(duì)于其他位置的電壓或電流發(fā)生突變，通過電壓或電流的突變位置可知裂紋的位置和大小。

如圖7所示，為所述顯示單元140顯示的所述信號(hào)處理器120檢測(cè)到的結(jié)果。其中，有兩個(gè)地方出現(xiàn)電壓或電流的突變(圖7中虛線框所示)，說明有兩處裂紋，并且可以明顯的看到裂紋的長(zhǎng)度。

在另一實(shí)施例中，如圖8所示，所述測(cè)試板200可以包括應(yīng)變區(qū)域201和電路區(qū)域202，所述應(yīng)變區(qū)域201內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變單元110，所述電路區(qū)域202內(nèi)包括多個(gè)應(yīng)變測(cè)量電路。至少所述應(yīng)變區(qū)域201具有柔性，且柔性大于所述待測(cè)基板11。

如圖9所示，所述應(yīng)變測(cè)量電路250包括第一連接端a和第二連接端b以及輸出端251、252(即OUT)，每個(gè)所述靈敏柵的兩端分別連接一所述應(yīng)變測(cè)量電路的第一連接端和第二連接端。在圖9中，所述靈敏柵111的兩端111a、111b分別連接一所述應(yīng)變測(cè)量電路250的第一連接端a和第二連接端b。所述應(yīng)變測(cè)量電路250的數(shù)量與所述靈敏柵111的數(shù)量相匹配。

在本實(shí)施例中，所述應(yīng)變測(cè)量電路250為單臂橋路，所述應(yīng)變測(cè)量電路250還包括第三連接端c和第四連接端d，所述第二連接端b和第三連接端c之間接入一第一電阻R1，所述第三連接端c和第四連接端d之間接入一第二電阻R2，所述第四連接端d和第一連接端a之間接入一第三電阻R3，所述第二連接端b和第四連接端d之間接入一驅(qū)動(dòng)電源E，所述第一連接端a和第三連接端c之間形成所述輸出端251、252(即OUT)。

在本實(shí)施例中，所述應(yīng)變測(cè)量電路250可以與所述靈敏柵同時(shí)采用光刻-刻蝕工藝形成，并且，所述應(yīng)變測(cè)量電路250和所述靈敏柵之間的走線亦可以采用光刻-刻蝕工藝形成，根據(jù)本實(shí)用新型的上述描述，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。

另一實(shí)施例的裂紋檢測(cè)裝置2的電路原理圖如圖10所示，所述裂紋檢測(cè)裝置2包括測(cè)試板200、信號(hào)處理器220以及微處理器130，所述信號(hào)處理器220可以為應(yīng)變儀，所述微處理器130可以為計(jì)算機(jī)。在本實(shí)施例中，所述測(cè)試板100自身提供應(yīng)變測(cè)量電路，所述信號(hào)處理器220可以直接測(cè)量由所述靈敏柵的電阻變化引起的所述應(yīng)變測(cè)量電路的輸出端的數(shù)據(jù)變化。本實(shí)施例中的應(yīng)變儀為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解的，在此不再贅述。

所述信號(hào)處理器包括多個(gè)電路連接端，每個(gè)所述電路連接端對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述應(yīng)變測(cè)量電路的輸出端。

具體的，在本實(shí)施例中，在圖10中，所述信號(hào)處理器220示意出2個(gè)電路連接端221、222，電路連接端221、222依次與所述輸出端251、252連接。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，所述電路連接端的個(gè)數(shù)分別與所述輸出端的個(gè)數(shù)相匹配，并不限于圖10所示的情況。所述電路連接端221、222依次與所述輸出端251、252可以通過焊接或嵌入連接的方式連接，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。所述靈敏柵的初始電阻為R0，當(dāng)所述靈敏柵感應(yīng)到應(yīng)力時(shí)，所述靈敏柵的電阻變化量為ΔR，所述靈敏柵的電阻變?yōu)镽0+ΔR。

在另一實(shí)施例中，當(dāng)所述裂紋檢測(cè)裝置2進(jìn)行測(cè)試時(shí)，將所述待測(cè)基板11粘貼在所述應(yīng)變區(qū)域(在本實(shí)施例中為整個(gè)所述測(cè)試板100)的一側(cè)，然后向所述待測(cè)基板11施加應(yīng)力。所述待測(cè)基板11將所述應(yīng)力傳遞給所述測(cè)試板100。如果所述待測(cè)基板11存在裂紋，則所述待測(cè)基板11傳遞給所述測(cè)試板100的應(yīng)力會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力集中現(xiàn)象。從而使得部分所述靈敏柵的應(yīng)力大于其他部分所述靈敏柵，部分所述靈敏柵的電阻的變化較大，所述信號(hào)處理器120檢測(cè)出部分所述靈敏柵對(duì)應(yīng)位置的電壓或電流(本實(shí)施例為電壓)相對(duì)于其他位置的電壓或電流發(fā)生突變，通過電壓或電流的突變位置可知裂紋的位置和大小。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。