本發(fā)明屬于氣密性檢測技術領域，具體涉及一種多層陶瓷基板氣密性檢測方法，適用于陶瓷外殼、陶瓷-金屬一體化外殼所使用的多層陶瓷基板的氣密性檢測。

背景技術：

高可靠微電子器件和半導體器件多采用陶瓷外殼、陶瓷-金屬一體化外殼進行氣密性封裝。在陶瓷外殼、陶瓷-金屬一體化外殼的制造過程中，出于成本和質量控制考慮，需要先對構成外殼的主要部分---多層陶瓷基板的氣密性進行檢測篩選，然后再焊接金屬件。目前，對于陶瓷外殼、陶瓷-金屬一體化外殼進行封蓋前氣密性檢測是按照GJB548B-2005《微電子器件試驗方法和程序》中《方法1014.2密封》試驗條件A4的相關要求來進行的。對于多層陶瓷基板的氣密性沒有專用的檢測方法：《方法1014.2密封》，試驗條件A4適用于確定具有內空腔的微電子器件和半導體器件封裝的氣密性，對于無空腔的或多空腔的多層陶瓷基板的氣密性檢測沒有具體檢測方法。

技術實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有標準方法不能檢測無空腔的或多空腔的多層陶瓷基板的氣密性的不足, 本發(fā)明提供一種檢測方法，該方法不僅能檢測出無空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1，而且能檢測出多空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1。測量漏率(Measured Leak Rate)為在規(guī)定條件下，使用規(guī)定的試驗氣體所測得的給定器件的漏率。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種多層陶瓷基板氣密性檢測方法 ，包括用于檢測測量漏率的質譜檢漏儀，質譜檢漏儀包括真空接頭，真空接頭上設有真空抽氣口，檢測方法包括以下步驟：

（1）將真空硅脂圍繞真空抽氣口涂抹一圈；

（2）在真空接頭上方鋪設一塊中間帶有空腔窗的厚度為0.5～5mm的真空橡皮，調整真空橡皮的位置，使空腔窗的中心與真空抽氣口的中心對準；

（3）按壓真空橡皮，使真空橡皮下表面與真空接頭之間通過真空硅脂充分密封；

（4）將帶有空腔的待測多層陶瓷基板的有空腔一面或不帶有空腔的待測多層陶瓷基板的任一面朝向真空橡皮并與真空橡皮上表面充分接觸，調整待測多層陶瓷基板位置，使待測多層陶瓷基板外形與真空橡皮的空腔窗四周對準，從而形成一個密封的內空腔；

（5）將內空腔抽真空至壓力≤0.01kPa,用噴槍使基板的外部受到236 kPa壓力的氦氣作用,即可從質譜檢漏儀上讀出待測多層陶瓷基板的測量漏率R1。

進一步地，上述真空橡皮空腔窗的形狀與待測多層陶瓷基板的投影外形一致，且真空橡皮空腔窗周邊較待測多層陶瓷基板外周內縮0.5mm以上。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明對無空腔的或多空腔的多層陶瓷基板的氣密性檢測提出了一種新的檢測方法，既能測出無空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1，又能測出多空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1，檢測方法涉及到的裝置結構簡單，易操作，可以在焊接金屬件之前對多層陶瓷基板進行檢測篩選。本發(fā)明中的真空橡皮的厚度在0.5～5mm范圍內，測量漏率R1的結果更精確。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施例示意圖；

圖2是真空橡皮與待測基板外形尺寸關系示意圖。

圖1中：1.真空橡皮，2.真空抽氣口，3.待測多層陶瓷基板，4.噴槍，5.真空接頭，6.真空硅脂；

圖2中：1.真空橡皮，2.真空抽氣口，7.待測多層陶瓷基板外形，8.空腔窗。

具體實施方式

下面結合附圖所示，對本發(fā)明進行進一步描述。

實施例一

多層陶瓷基板外形尺寸為20mm×15mm×1mm，基板無空腔，其氣密性檢測方法如圖1所示，包括用于檢測測量漏率的質譜檢漏儀，質譜檢漏儀包括真空接頭5，真空接頭5上設有真空抽氣口2，檢測方法包括以下步驟：

（1）將真空硅脂6圍繞真空抽氣口2涂抹一圈；

（2）在真空接頭5上方鋪設一塊中間帶有19mm×14mm尺寸的空腔窗8的厚度為0.5mm的真空橡皮1，調整真空橡皮1的位置，使空腔窗8的中心與真空抽氣口2的中心對準，如圖2；

（3）按壓真空橡皮1，使真空橡皮1下表面與真空接頭5之間通過真空硅脂6充分密封；

（4）將待測多層陶瓷基板3的任一面朝向真空橡皮1并與真空橡皮1上表面充分接觸，調整待測多層陶瓷基板3位置，使待測多層陶瓷基板3外形與真空橡皮的空腔窗8四周對準，從而形成一個密封的內空腔；

（5）將內空腔抽真空至壓力≤0.01kPa,用噴槍4使基板的外部受到236 kPa壓力的氦氣作用,即可從質譜檢漏儀上讀出待測多層陶瓷基板3的測量漏率R1為4×10^-4Pa·cm³/s。

實施例二

多層陶瓷基板外形尺寸為20mm×15mm×1mm，基板無空腔，其氣密性檢測方法如圖1所示，包括用于檢測測量漏率的質譜檢漏儀，質譜檢漏儀包括真空接頭5，真空接頭5上設有真空抽氣口2，檢測方法包括以下步驟：

（1）將真空硅脂6圍繞真空抽氣口2涂抹一圈；

（2）在真空接頭5上方鋪設一塊中間帶有19mm×14mm尺寸的空腔窗8的厚度為3 mm的真空橡皮1，調整真空橡皮1的位置，使空腔窗8的中心與真空抽氣口2的中心對準，如圖2；

（3）按壓真空橡皮1，使真空橡皮1下表面與真空接頭5之間通過真空硅脂6充分密封；

（4）將待測多層陶瓷基板3的任一面朝向真空橡皮1并與真空橡皮1上表面充分接觸，調整待測多層陶瓷基板3位置，使待測多層陶瓷基板3外形與真空橡皮的空腔窗8四周對準，從而形成一個密封的內空腔；

（5）將內空腔抽真空至壓力≤0.01kPa,用噴槍4使基板的外部受到236 kPa壓力的氦氣作用,即可從質譜檢漏儀上讀出待測多層陶瓷基板3的測量漏率R1為4×10^-4Pa·cm³/s。

實施例三

多層陶瓷基板外形尺寸為20mm×15mm×1mm，基板一面帶有兩個尺寸為8mm×13mm×0.5mm的空腔，其氣密性檢測方法如圖1所示，包括用于檢測測量漏率的質譜檢漏儀，質譜檢漏儀包括真空接頭5，真空接頭5上設有真空抽氣口2，檢測方法包括以下步驟：

（1）將真空硅脂6圍繞真空抽氣口2涂抹一圈；

（2）在真空接頭5上方鋪設一塊中間帶有19mm×14mm尺寸的空腔窗8的厚度為5mm的真空橡皮1，調整真空橡皮1的位置，使空腔窗8的中心與真空抽氣口2的中心對準，如圖2；

（3）按壓真空橡皮1，使真空橡皮1下表面與真空接頭5之間通過真空硅脂6充分密封；

（4）將待測多層陶瓷基板3的有空腔一面朝向真空橡皮1并與真空橡皮1上表面充分接觸，調整待測多層陶瓷基板3位置，使待測多層陶瓷基板3外形與真空橡皮的空腔窗8四周對準，從而形成一個密封的內空腔；

（5）將內空腔抽真空至壓力≤0.01kPa,用噴槍4使基板的外部受到236 kPa壓力的氦氣作用,即可從質譜檢漏儀上讀出待測多層陶瓷基板3的測量漏率R1為5×10^-4Pa·cm³/s。

待測多層陶瓷基板3可以帶有多個空腔，即本發(fā)明的檢測方法既能測出無空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1，又能測出多空腔的多層陶瓷基板的測量漏率R1。