本發(fā)明涉及一種刻劃氧化鋁基板等陶瓷基板后進(jìn)行分?jǐn)嗟奶沾苫宓母顢喾椒ā?br/>
背景技術(shù)：
以往在割斷玻璃基板時，是利用刻劃裝置進(jìn)行刻劃(形成刻劃線)，之后利用分?jǐn)嘌b置予以分?jǐn)?。在利用刻劃裝置進(jìn)行刻劃的情況下，若刻劃深度較淺，則在分?jǐn)鄷r端面容易產(chǎn)生龜裂。另一方面，若深度較深則容易分離，且之后即便分?jǐn)嗪蠖嗣娴拿桃噍^小、或者不易產(chǎn)生龜裂，端面品質(zhì)趨于良好。因此，通過將龜裂滲透率加深為例如板厚的80％左右，而可提升品質(zhì)地進(jìn)行割斷。但是，由于陶瓷基板比玻璃基板硬，因此在通過刻劃和分?jǐn)噙M(jìn)行割斷時，刻劃輪容易產(chǎn)生磨損。所以，通常在切斷時，是通過切割(dicing)來執(zhí)行分?jǐn)?。專利文獻(xiàn)1中，提出了一種方法，針對陶瓷基板中硬度較低的低溫共燒陶瓷基板(LTCC(LowTemperatureCoFiredCeramic)基板)，不進(jìn)行切割而是進(jìn)行刻劃，從而予以分?jǐn)?。[先行技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2010-194784號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
[發(fā)明所要解決的問題]發(fā)明者等人使用刀尖角度為120°的刻劃輪，使針對LTCC基板的龜裂滲透率在10％～80％內(nèi)變化而進(jìn)行刻劃，之后予以分?jǐn)?。針對分?jǐn)嗪蟮亩嗣?，測量中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry，作為粗糙度評估。圖1A、圖1B是表示所述變化的曲線。此時，如圖1A、圖1B所示，發(fā)明者等人發(fā)現(xiàn)：無關(guān)于龜裂滲透率，分?jǐn)嗪蟮亩嗣娴拇植诙炔辉趺醋兓?；及龜裂滲透率為20％以下時斷面產(chǎn)生龜裂，分?jǐn)嗪蟮亩嗣娴钠焚|(zhì)劣化。另一方面，本發(fā)明者等人發(fā)現(xiàn)：在用作電子零件的安裝用基板的氧化鋁基板等陶瓷 基板中，若使用刀尖角度135°以下的刻劃輪而增大龜裂滲透率，則存在此種趨勢不成立，端面品質(zhì)反而劣化的情況。本發(fā)明的目的在于通過刻劃并分?jǐn)嘌趸X基板等陶瓷基板而予以割斷時提升端面品質(zhì)。[解決問題的技術(shù)手段]為了解決所述問題，本發(fā)明的割斷方法是鋁系陶瓷基板的割斷方法，針對陶瓷基板，利用刀尖角度135°以下(尤其是125°以下、通常為90°以上、尤其是100°以上)的刻劃輪，以50％以下(尤其是40％以下、通常為5％以上、尤其是10％以上、例如20～30％)的龜裂滲透率進(jìn)行刻劃，沿著利用所述刻劃輪而形成的刻劃線進(jìn)行分?jǐn)?。于此，所述陶瓷基板可以是氧化鋁基板及氮化鋁基板中的任一者。于此，所述刻劃步驟中，可以在刻劃輪的刀尖角度越小下使龜裂滲透率越低。[發(fā)明的效果]根據(jù)具有此種特征的本發(fā)明，針對鋁系陶瓷基板、尤其是氧化鋁基板或氮化鋁基板，以龜裂滲透率為50％以下的狀態(tài)進(jìn)行刻劃，然后予以分?jǐn)?。這樣，可確保端面品質(zhì)而割斷陶瓷基板。附圖說明圖1A是表示針對LTCC基板改變龜裂滲透率時的端面的中心線平均粗糙度Ra的曲線。圖1B是表示針對LTCC基板改變龜裂滲透率時的端面的最大高度Ry的曲線。圖2A是表示刀尖角度100°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的中心線平均粗糙度Ra的曲線。圖2B是表示刀尖角度100°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的最大高度Ry的曲線。圖3A是表示刀尖角度120°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的中心線平均粗糙度Ra的曲線。圖3B是表示刀尖角度120°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的最大高度Ry的曲線。圖4A是表示刀尖角度130°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的中心線平均粗糙度Ra的曲線。圖4B是表示刀尖角度130°時針對本發(fā)明的對象即氧化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的最大高度Ry的曲線。圖5A是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率10％刻劃氧化鋁基板時的端面的圖。圖5B是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率20％刻劃氧化鋁基板時的端面的圖。圖5C是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率30％刻劃氧化鋁基板時的端面的圖。圖5D是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率70％刻劃氧化鋁基板時的端面的圖。圖6A是表示以刀尖角度120°針對本發(fā)明的對象即氮化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的中心線平均粗糙度Ra的曲線。圖6B是表示以刀尖角度120°針對本發(fā)明的對象即氮化鋁基板改變龜裂滲透率時的端面的最大高度Ry的曲線。圖7A是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率10％刻劃氮化鋁基板時的端面的圖。圖7B是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率20％刻劃氮化鋁基板時的端面的圖。圖7C是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率30％刻劃氮化鋁基板時的端面的圖。圖7D是表示使用刀尖角度120°的刻劃輪以龜裂滲透率70％刻劃氮化鋁基板時的端面的圖。具體實施方式本發(fā)明的對象即基板是含鋁的陶瓷基板，例如是氧化鋁基板或氮化鋁基板。氧化鋁基板中的氧化鋁(Al2O3)的含有率例如為90重量％以上，其他部分則混入黏合劑(燒結(jié)助劑)等添加物，廣泛用作半導(dǎo)體芯片等的基板。在使用氧化鋁基板作為芯片零件的基板的情況下，例如割斷為2mm見方以下(1mm見方等)的較小芯片狀。在用作安裝多個零件等的基板的情況下，例如必須割斷為100mm見方等較大的尺寸。在分?jǐn)酁樾酒慵幕逵猛镜那闆r下，若零件相鄰，則大多情況下無法使用刻劃的刀尖角度較大的刻劃輪。 因此，發(fā)明者針對氧化鋁基板，在135°以下適當(dāng)改變刻劃裝置的刻劃輪、刻劃刀尖的角度，改變龜裂滲透率，在刻劃后予以分?jǐn)啵缓笤u估端面品質(zhì)。發(fā)明者等人使用刀尖角度為100°的刻劃輪，在10％～80％內(nèi)改變龜裂滲透率，而刻劃0.635mm厚的氧化鋁基板。以這種方式刻劃后，例如使用日本專利特開2010-149495所示的分?jǐn)嘌b置，來進(jìn)行分?jǐn)?。為了評估分?jǐn)嗪蟮亩嗣娲植诙?，而測量中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry。圖2A、圖2B是表示所述變化的曲線。此外，圖3A、圖3B是表示使用刀尖角度為120°的刻劃輪時的中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry的變化的曲線。圖4A、圖4B是表示使用刀尖角度為130°的刻劃輪時的中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry的變化的曲線。圖5A～圖5D是表示刀尖角度為120°時的端面的狀態(tài)的圖，圖5A是龜裂滲透率為10％的情況，圖5B是龜裂滲透率為20％的情況，圖5C是龜裂滲透率為30％的情況，圖5D是龜裂滲透率為70％的情況。根據(jù)圖5C、圖5D，可知在龜裂滲透率為30％及70％的情況下，會產(chǎn)生龜裂，品質(zhì)變得不良。因此，在刀尖角度為120°的情況下，可以選擇中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry充分低、且端面品質(zhì)良好的范圍，即圖3A、圖3B所示的10～20％左右的龜裂滲透率。而且，同樣地，在刀尖角度100°的情況下，如圖2A、圖2B所示，可以選擇龜裂滲透率10％左右的范圍。在刀尖角度為130°的情況下，如圖4A、圖4B所示，可以選擇50％以下、10％以上的龜裂滲透率的范圍。接著，發(fā)明者等人使用刀尖角度為120°的刻劃輪，在10％～80％內(nèi)改變龜裂滲透率，而刻劃氮化鋁基板。以這種方式刻劃后，例如使用日本專利特開2010-149495所示的分?jǐn)嘌b置，來進(jìn)行分?jǐn)?。為了評估分?jǐn)嗪蟮亩嗣娲植诙?，而測量中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry。圖6A、圖6B是表示所述變化的曲線。這樣，與以往的玻璃基板、LTCC基板不同，通過減小龜裂滲透率，而使得分?jǐn)嗪蟮谋砻娲植诙茸冃。瑥亩商嵘嗣嫫焚|(zhì)。圖7A～圖7D是表示刀尖角度為120°時的端面狀態(tài)的圖，圖7A是龜裂滲透率為10％的情況，圖7B是龜裂滲透率為20％的情況，圖7C是龜裂滲透率為30％的情況，圖7D是龜裂滲透率為70％的情況。根據(jù)圖7D，可知龜裂滲透率為70％時，會產(chǎn)生龜裂，品質(zhì)變得不良。因此，在刀尖角度為120°的情況下，可以選擇中心線平均粗糙度Ra及最大高度Ry充分低、且端面品質(zhì)良好的范圍，即圖6A、圖6B所示的10～50％左右的龜裂滲透率。另外，如上所述，由于陶瓷基板的硬度高，因此刻劃輪容易產(chǎn)生磨損。為了解決此問題，優(yōu)選為在超硬合金的刻劃輪的表面、至少在刀尖部分形成金剛石膜(例如通過 CVD(ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積)形成的金剛石膜)，提升刻劃輪的強度。若使用這種刻劃輪，則可以方式劇烈的磨損，實現(xiàn)較長距離的刻劃。[工業(yè)上的可利用性]本發(fā)明可以廣泛利用于刻劃并分?jǐn)嘌趸X基板或氮化鋁基板等陶瓷基板的制造步驟中。