半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的檢查方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能簡便地進(jìn)行導(dǎo)通檢查的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的檢查方法。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置（1）具備：布線基板（2），其具有第一面及第二面；半導(dǎo)體芯片（3），其設(shè)置于第一面上；外部連接端子（6），其設(shè)置于第二面上；密封樹脂層（5），其設(shè)置于第一面上以將半導(dǎo)體芯片密封；和導(dǎo)電性屏蔽層（7），其將布線基板（2）的側(cè)面的至少一部分和密封樹脂層（5）覆蓋。布線基板（2）具備：第一接地布線，其與導(dǎo)電性屏蔽層（7）電連接；和第二接地布線，其與導(dǎo)電性屏蔽層電連接且與第一接地布線電分離。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的檢查方法
[0001] 本申請以日本專利申請2013-187132號(hào)（申請日：2013年9月10日）為基礎(chǔ)并享 受其優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該在先申請而包括其全部內(nèi)容。【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的檢查方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 在用于通信設(shè)備等的半導(dǎo)體裝置中，為了抑制EMI(電磁干擾）等電磁波干擾，而 使用將表面用導(dǎo)電性屏蔽層覆蓋的結(jié)構(gòu)。為了在上述結(jié)構(gòu)中獲得足夠的磁場屏蔽效果，優(yōu) 選將導(dǎo)電性屏蔽層與接地布線電連接，并經(jīng)接地布線使電磁噪聲放出到外部。
[0004] 此時(shí)，存在當(dāng)導(dǎo)電性屏蔽層和接地布線的電連接不充分時(shí)不能得到磁場屏蔽效果 的情況。因此，進(jìn)行導(dǎo)電性屏蔽層和接地布線的電連接是否充分的檢查(導(dǎo)通檢查)，并選擇 能獲得足夠的磁場屏蔽效果的半導(dǎo)體裝置是有效的。上述導(dǎo)通檢查通過使萬用表7夕 一）的端子與電連接于接地布線的外部連接端子和導(dǎo)電性屏蔽層接觸并測定外部連接端子 和導(dǎo)電性屏蔽層之間的電阻值來進(jìn)行。在該檢查方法中，由于必須使用專用的測定設(shè)備，因 此很不便，此外，有可能損傷導(dǎo)電性屏蔽層的表面的一部分。因此，需要更簡便且損傷小的 檢查方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的問題是提供能簡便地進(jìn)行導(dǎo)通檢查的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置 的檢查方法。
[0006] 實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：布線基板，其具有互相相對(duì)的.第一面及第二面；半 導(dǎo)體芯片，其設(shè)置于布線基板的第一面上；密封樹脂層，其設(shè)置于第一面上以將半導(dǎo)體芯片 密封；和導(dǎo)電性屏蔽層，其將布線基板的側(cè)面的至少一部分和密封樹脂層覆蓋。布線基板具 備：第一接地布線，其與導(dǎo)電性屏蔽層電連接；和第二接地布線，其與導(dǎo)電性屏蔽層電連接 且與第一接地布線電分離，外部連接端子具備：第一接地端子，其與第一接地布線電連接； 和第二接地端子，其與第二接地布線電連接。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1是表示半導(dǎo)體裝置的立體圖。
[0008] 圖2是表示半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0009] 圖3是布線基板的俯視示意圖。
[0010] 圖4是布線基板的俯視示意圖。
[0011] 圖5是表示半導(dǎo)體裝置的另一例子的剖視圖。
[0012] 圖6是表示半導(dǎo)體裝置的另一例子的剖視圖。
[0013] 圖7是表示半導(dǎo)體裝置的另一例子的剖視圖。
[0014] 圖8是表示半導(dǎo)體裝置的另一例子的剖視圖。
[0015] 圖9是表示電阻值的測定結(jié)果的圖。
[0016] 附圖標(biāo)記說明：
[0017] 1半導(dǎo)體裝置 2布線基板 3半導(dǎo)體芯片 4A焊料球 4B焊料球 5密封樹脂層 6外部連接端子 6A接地端子 6B接地端子 7導(dǎo)電性屏蔽 層 8A接合線（水>夕'' ^ 4 \ ) 8Β接合線IOA露出部IOB露出部 15Α導(dǎo)電層 15Β導(dǎo)電層 20Α觸點(diǎn)部 20Β觸點(diǎn)部 21絕緣層 21Α絕緣 層 21Β絕緣層 22布線層 22Α布線 22Β布線 22C連接焊盤 23 布線層 23Α布線 23Β布線 24過孔（tn) 24A過孔 24B過孔 30 區(qū)域

【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面參照附圖來說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖1是表示半導(dǎo)體裝置的立體圖， 圖2是表示半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0019] 圖1及圖2所示的半導(dǎo)體裝置1具備：具有第一面及第二面的布線基板2 ;具有電 極焊盤且設(shè)置于布線基板2的第一面上的半導(dǎo)體芯片3 ;設(shè)置于布線基板2的第一面上以 將半導(dǎo)體芯片3密封的密封樹脂層5 ;設(shè)置于第二面上的外部連接端子6 ;將布線基板2的 側(cè)面的至少一部分和密封樹脂層5覆蓋的導(dǎo)電性屏蔽層7 ;和接合線8A及接合線8B。再 有，布線基板2的第一面相當(dāng)于圖2中的布線基板2的上表面，第二面相當(dāng)于圖2中的布線 基板2的下表面，布線基板2的第一面及第二面互相相對(duì)。
[0020] 布線基板2具備：設(shè)置于第一面和第二面之間的絕緣層21 ;設(shè)置于第一面的布線 層22 ;設(shè)置于第二面的布線層23 ;貫穿絕緣層21地設(shè)置的過孔（穿孔)24 ;設(shè)置于布線層22 上的焊料抗蝕劑層28 ;和設(shè)置于布線層23上的焊料抗蝕劑層29。
[0021] 作為絕緣層21，可使用例如硅基板和/或玻璃基板、陶瓷基板、環(huán)氧等樹脂基板。 此外，作為密封樹脂層5,可使用例如絕緣性的有機(jī)樹脂材料等。
[0022] 在布線層22及布線層23,設(shè)有例如信號(hào)布線、電源布線、接地布線等。布線層22 及布線層23的每個(gè)不限于單層結(jié)構(gòu)，也可以是隔著絕緣層而層疊多個(gè)導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)。 在布線層22及布線層23,使用例如銅箔和/或含有銀或銅的導(dǎo)電性漿料并根據(jù)需要而在表 面施行了鍍鎳和/或鍍金等。
[0023] 布線層22具有布線22A及布線22B。布線22A具有作為第一接地布線的功能，布 線22B具有作為第二接地布線的功能。再有，向布線22A供給的接地電位的值可以與向布 線22B供給的接地電位的值不同。此外，布線22A及布線22B具有連接焊盤。布線層23具 有布線23A及布線23B。布線23A及布線23B具有連接焊盤。再有，布線23A也可具有作為 第一接地布線的功能，且布線23B也可具有作為第二接地布線的功能。
[0024] 貫穿絕緣層21地設(shè)有多個(gè)過孔24。過孔24具有例如在貫穿絕緣層21的開口的 內(nèi)面設(shè)置的導(dǎo)體層和在導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)填充的填孔材料。在導(dǎo)體層，使用例如銅箔和/或含 有銀或銅的導(dǎo)電性漿料并根據(jù)需要而在表面施行了鍍鎳和/或鍍金等。填孔材料使用例如 絕緣性材料或?qū)щ娦圆牧蟻硇纬伞Ｔ儆?，并不限于此，例如，也可通過在貫過孔內(nèi)利用電鍍 等填充金屬材料(銅等）來形成過孔24。
[0025] 再有，作為外部連接端子6,設(shè)有例如信號(hào)端子、電源端子、接地端子等。例如，夕卜 部連接端子6具有接地端子6A及接地端子6B。接地端子6A與布線22A電連接，接地端子 6B與布線22B電連接。換言之，接地端子6A與第一接地布線電連接，接地端子6B與第二接 地布線電連接。外部連接端子6具有焊料球4。焊料球4設(shè)置于布線層23的連接焊盤上。 再有，也可設(shè)置焊臺(tái)（land)來代替焊料球4。
[0026] 導(dǎo)電性屏蔽層7具有將從半導(dǎo)體芯片3等放射的多余電磁波屏蔽并防止向外部泄 漏的功能。作為導(dǎo)電性屏蔽層7,優(yōu)選使用例如電阻率低的金屬層，且優(yōu)選使用例如含有銅、 銀、鎳等的金屬層。通過使用電阻率低的金屬層來作為導(dǎo)電性屏蔽層7,而能抑制經(jīng)半導(dǎo)體 芯片3和/或布線基板2而放射的多余電磁波的泄漏。
[0027] 導(dǎo)電性屏蔽層7通過用例如轉(zhuǎn)印法、絲網(wǎng)印刷法、噴涂法、噴射分配法（7'二7卜 7?> 7法)、噴墨法、氣溶膠法（i7α'/>法）等涂敷導(dǎo)電性漿料而形成。導(dǎo)電性漿 料優(yōu)選含有例如銀和/或銅和樹脂來作為主成分且電阻率低。此外，也可使用由無電解電 鍍法或電解電鍍法將銅和/或鎳等成膜的方法、由濺射法將銅等成膜的方法來形成導(dǎo)電性 屏蔽層7。
[0028] 導(dǎo)電性屏蔽層7的厚度優(yōu)選基于其電阻率來設(shè)定。例如，優(yōu)選的是，設(shè)定導(dǎo)電性屏 蔽層7的厚度以使將導(dǎo)電性屏蔽層7的電阻率以厚度來分配的導(dǎo)電性屏蔽層7的電阻率的 薄片一卜）電阻值為0.5Ω以下。通過使導(dǎo)電性屏蔽層7的薄片電阻值為0.5Ω以下， 而能再現(xiàn)性良好地抑制多余電磁波從密封樹脂層5泄漏。再有，能根據(jù)需要而以耐腐蝕性 和/或耐遷移4夕'' >一> 3 >)性優(yōu)良的保護(hù)層覆蓋導(dǎo)電性屏蔽層7。作為保護(hù)層，可 使用聚酰亞胺樹脂等。
[0029] 接合線8A電連接于布線22A及半導(dǎo)體芯片3,接合線8B電連接于布線22B及半導(dǎo) 體芯片3。再有，并不限于此，只要至少由接合線8A將布線基板2的連接焊盤或半導(dǎo)體芯片 3與第一接地布線或第二接地布線電連接即可。
[0030] 再有，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，第一接地布線和第二接地布線的每個(gè)都電連 接于導(dǎo)電性屏蔽層7,且第一接地布線及第二接地布線互相電分離（電學(xué)分離)。
[0031] 例如，圖3是布線基板2的俯視示意圖。在圖3中，為了方便，僅圖示布線22A及 圖22B，省略了除此之外的構(gòu)成要素。區(qū)域30是設(shè)置半導(dǎo)體芯片3及各種布線的區(qū)域。
[0032] 在圖3中，將布線22A及布線22B沿布線基板2的周緣配置以使兩者互相電分離。 布線22A在觸點(diǎn)部20A處經(jīng)過孔24A而與接地端子6A電連接，且布線22B在觸點(diǎn)部20B處 經(jīng)過孔24B而與接地端子6B電連接。再有，觸點(diǎn)部20A及觸點(diǎn)部20B的每個(gè)都可設(shè)置多個(gè)。
[0033] 再有，布線22A的側(cè)面和布線22B的側(cè)面在布線基板2的側(cè)面露出。這樣，布線 22A的側(cè)面和布線22B的側(cè)面與導(dǎo)電性屏蔽層7接觸。這樣，通過將第一接地布線和第二接 地布線與導(dǎo)電性屏蔽層7電連接而能經(jīng)第一接地布線及第二接地布線使多余電磁波放出 到外部。但是，并不限于此，也可采用布線23A的側(cè)面和布線23B的側(cè)面與導(dǎo)電性屏蔽層7 接觸的結(jié)構(gòu)。
[0034] 此外，布線22A具有在布線基板2的側(cè)面露出的多個(gè)露出部10A，布線22B具有沿 布線基板2的周緣在布線基板2的側(cè)面露出的多個(gè)露出部10B。通過增大布線22A的面積 及布線22B的、在布線基板2的側(cè)面露出的面積，而能降低布線22A及布線22B與導(dǎo)電性屏 蔽層7的接觸電阻，且能提高磁場屏蔽效果。
[0035] 在設(shè)有導(dǎo)電性屏蔽層的半導(dǎo)體裝置中，例如，存在為了檢測導(dǎo)電性屏蔽層所形成 的屏蔽效果的有無而進(jìn)行導(dǎo)電性屏蔽層和接地端子的導(dǎo)通檢查的情況。通常的檢查方法通 過使導(dǎo)電性屏蔽層和接地端子與萬用表接觸并測定導(dǎo)電性屏蔽層和接地端子之間的電阻 值來進(jìn)行導(dǎo)電性屏蔽層和接地端子的導(dǎo)通檢查。在該情況下，需要使用專用設(shè)備，且有可能 因檢查而損傷導(dǎo)電性屏蔽層。
[0036] 在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，將接地布線分為兩個(gè)系統(tǒng)(第一接地布線、第二接 地布線)，將第一接地布線電連接于接地端子6A，將第二接地布線電連接于接地端子6B，且 將第一接地布線及第二接地布線電連接于導(dǎo)電性屏蔽層7。因此，例如，能通過使接地端子 6A和接地端子6B與萬用表接觸來測定接地端子6A和接地端子6B之間的電阻值，并基于測 定結(jié)果來檢查第一接地布線及第二接地布線和導(dǎo)電性屏蔽層7的連接狀態(tài)。因此，即使不 使用專用設(shè)備也能進(jìn)行檢查。此外，由于萬用表不接觸導(dǎo)電性屏蔽層7,因此能抑制檢查所 導(dǎo)致的導(dǎo)電性屏蔽層7的損傷。
[0037] 再有，在本實(shí)施方式中，對(duì)于將接地布線分為兩個(gè)系統(tǒng)的例子進(jìn)行了說明，但是， 并不限于此，也可分為三個(gè)系統(tǒng)以上(例如四個(gè)系統(tǒng))。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置適用于例 如智能手機(jī)等便攜式信息通信終端和/或觸控型信息通信終端等。
[0038] 此外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，沿布線基板2的周緣配置第一接地布線或 第二接地布線，從而第一接地布線及第二接地布線作為導(dǎo)電性屏蔽層發(fā)揮功能，且能抑制 經(jīng)半導(dǎo)體芯片3和/或布線基板2放射的多余電磁波的泄漏。
[0039] 圖9中表示在多個(gè)半導(dǎo)體裝置的樣本中使接地端子6A和接地端子6B與萬用表接 觸時(shí)的接地端子6A和接地端子6B之間的電阻值的測定結(jié)果。如圖9所示，測定的半導(dǎo)體 裝置的樣本分為電阻值能測定的樣本(此處，電阻值為〇. 1Ω?0. 3Ω的樣本（Samplel))和 電阻值不能測定的開路狀態(tài)的樣本（SampIe2 )。
[0040] 再有，表1中表不屬于Samplel的樣本和屬于Sample2的樣本的磁場屏蔽效果。再 有，磁場強(qiáng)度為通過從離半導(dǎo)體裝置的中央部以Imm上的磁場強(qiáng)度為基準(zhǔn)來使測定設(shè)備掃 描而得到的測定值。此外，磁場屏蔽效果為從有導(dǎo)電性屏蔽層的情況和沒有導(dǎo)電性屏蔽層 的情況的差分(差分）求出的值。
[0041]表 1
[0042]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具備： 布線基板，其具有第一面及第二面； 半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置于所述第一面上； 外部連接端子，其設(shè)置于所述第二面上； 密封樹脂層，其設(shè)置于所述第一面上以將所述半導(dǎo)體芯片密封；和 導(dǎo)電性屏蔽層，其將所述布線基板的側(cè)面的至少一部分和所述密封樹脂層覆蓋， 所述布線基板具備： 第一接地布線，其與所述導(dǎo)電性屏蔽層電連接；和 第二接地布線，其與所述導(dǎo)電性屏蔽層電連接且與所述第一接地布線電分離， 所述外部連接端子具備： 第一接地端子，其與所述第一接地布線電連接；和 第二接地端子，其與所述第二接地布線電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述布線基板還具備： 絕緣層，其設(shè)置于所述第一面和所述第二面之間；和 過孔，其貫穿所述絕緣層地設(shè)置，且與所述第一接地布線或所述第二接地布線電連接， 所述第一接地布線或所述第二接地布線及所述過孔中的至少一個(gè)在所述布線基板的 側(cè)面露出，且與所述導(dǎo)電性屏蔽層接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還具備接合線，該接合線將所述布線基板的連接焊盤或所述半導(dǎo)體芯片與所述第一接 地布線或所述第二接地布線電連接， 所述接合線在所述密封樹脂層的表面露出且與所述導(dǎo)電性屏蔽層接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一接地布線及所述第二接地布線中的至少一個(gè)具有與所述半導(dǎo)體芯片的至少 一部分重疊的0膜或網(wǎng)狀膜。
5. -種半導(dǎo)體裝置的檢查方法，其特征在于，具備： 測定權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的所述第一接地端子和所述第二接地 端子之間的電阻值的工序；和 基于所述電阻值的測定結(jié)果來檢測所述第一接地布線及所述第二接地布線和所述導(dǎo) 電性屏蔽層的連接狀態(tài)的工序。
【文檔編號(hào)】G01R31/02GK104425459SQ201310729562
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】高野勇佑, 后藤善秋, 渡部武志, 井本孝志 申請人:株式會(huì)社東芝